【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】一方では著しく低減された寄生キャパシタンスとインダクタンスを有し、他方では例えばプリント基板への容易で省スペース的な取り付けが可能である、より高い集積密度を備えた電気的多層構成素子を提供すること。
【解決手段】上下に積層された誘電層から形成された基体を有し、前記基体内で間隔を置いて誘電層間に配置された複数の導電的電極面を有し、該電極面に複数の電極が形成されており、構成素子の電気的なコンタクトのための少なくとも２つの隆起状はんだを有しており、該隆起状はんだは、基体の表面に配設されており、前記隆起状はんだは、基体内に配設されている貫通コンタクトを介して少なくとも１つの電極と導電的に接続されており、それにより第１の電極積層部と第２の電極積層部が形成され、これらの電極積層部がそれぞれ唯１つの隆起状はんだとコンタクトするようにする。 （もっと読む）

【課題】分析感度が高く、かつ、分析値のばらつきを小さくして、再現性のよい分析を行うことが可能な非直線抵抗体の残留炭素測定方法、非直線抵抗体の製造方法、及び非直線抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、造粒、成形後に、焼成された非直線抵抗体に対して、焼成体を粉砕し分級する。そして、粉体の粒径が造粒粉の平均粒径の０．８〜１．２倍程度の大きさの粉体を分析試料とし、この分析試料を用いて残留炭素量を測定する。 （もっと読む）

【課題】 素子の方向を容易に且つ正確に識別することができるチップ型電子部品を提供する。
【解決手段】 チップ型電子部品１はＺｎＯ系バリスタ素子２を備えている。ＺｎＯ系バリスタ素子２は、バリスタ部、インダクタ部及び保護層が下から順に積層されてなる素体３と、この素体３の表面に設けられた端子電極４〜６及び外部導体７を備えている。素体３の保護層側の表面には、ＺｎＯ系バリスタ素子２の上下方向を識別するための方向識別マーク１９が設けられている。ここでは、素体３において方向識別マーク１９が付されている表面が、実装すべき回路基板に対して上面となる。方向識別マーク１９は、ＺｒＯ_２からなっている。このＺｒＯ_２からなる方向識別マーク１９は、ＺｎＯ系バリスタ素子２との同時焼成によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護材料層が形成されていない不良品の流出を未然に防止することができる静電気対策部品の特性検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基材１１上に対向するように設けられた少なくとも二つの引出電極１２と、前記引出電極１２の一部と前記引出電極１２間を覆うように設けられ、かつ樹脂をベースとした材料で構成される過電圧保護材料層１３と、前記過電圧保護材料層１３の上に設けられた保護樹脂層１４と、前記セラミック基材１１の端部に形成され、かつ前記引出電極１２と電気的に接続される端子電極１５とを備えた静電気対策部品において、前記端子電極１５間に高電圧を印加した後、特性を検査するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 高額な電子顕微鏡やエックス線アナライザーを使用することなく、簡便な手段により、無課電状態における素子内部のイオン移動状況を把握する。
【解決手段】 特性パラメータとしての抵抗漏れ電流ｉｒが劣化により経時的に変化する避雷器の限流素子について、その素子温度を一定に保持した状態で、前記限流素子への課電と無課電をその無課電時間ｔ_r1，ｔ_r2，ｔ_r3を異ならせながら繰り返し、その課電時に限流素子に流れる抵抗漏れ電流ｉｒの変化を測定することにより、各無課電時間ｔ_r1，ｔ_r2，ｔ_r3が異なることによって現出した抵抗漏れ電流ｉｒの変化に基づいて無課電時の素子内部におけるイオン移動の状況を把握する。 （もっと読む）

【課題】薄型で機械的強度が大きく、電気的特性および品質の優れた静電気対策部品を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック絶縁基板１５と、このセラミック絶縁基板上に焼結一体化して設けたバリスタ層１４と内部電極１１ａ，１１ｂとビア導体１３ａ，１３ｂとからなるバリスタ部１０と、前記バリスタ部１０の外表面に設けた少なくとも一対の外部電極１２ａ，１２ｂとを備え、内部電極１１ａ，１１ｂはバリスタ層１４を挟んで対向するように設けた少なくとも一対を有し、ビア導体１３ａ，１３ｂにより外部電極１２ａ，１２ｂと内部電極１１ａ，１１ｂとをそれぞれ電気的に接続した静電気対策部品であり、薄型で機械的強度が大きく実用上優れた静電気対策部品となるとともに、バリスタの電気的特性のバラツキが小さく、特性および品質の優れた静電気対策部品となる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の内部電極と外部電極に異なる種類の金属を使用した場合でも、内部電極と外部電極との接続性を確実にして、高サージによる内部電極と外部電極の接続部での破壊を抑制し、かつ、デラミネーションおよびクラックの発生を抑制する。
【解決手段】 セラミック層と内部電極とを積層してなる積層体と、前記積層体の端面に形成された外部電極と、を備え、前記内部電極と前記外部電極とが異種の金属により形成されている電子部品であって、前記内部電極と前記外部電極とは引出し電極を介して接続され、前記引出し電極は、前記内部電極と積層体の面方向に重なり合う領域を有しながら前記内部電極と接続し、かつ、前記外部電極と同種の金属を少なくとも１つ以上含有する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供すること。
【解決手段】 積層型チップバリスタ１は、積層体３と、当該積層体３に形成される一対の外部電極５とを備える。積層体３は、バリスタ部７と、当該バリスタ部７を挟むように配置される一対の外層部９とを有する。バリスタ部７は、バリスタ特性を発現するバリスタ層１１と、当該バリスタ層１１を挟むように配置される一対の内部電極１３とを含む。内部電極１３は、外部電極５に電気的に接続される。内部電極１３の幅Ｗは、２０μｍ以上５５μｍ以下、好ましくは３０μｍ以上５３μｍ以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 端子電極を形成する電解メッキのメッキ流れによる不良がなく、半田リフロー後の漏洩電流を低減可能な積層型チップバリスタを構成し、そのチップバリスタを容易に低コストで歩留も向上するよう製造する。
【解決手段】 バリスタ素子１の表面を０．０１〜０．０４μｍの表面粗さに保ち、そのバリスタ素子１の両端部に端子電極２、３を設け、この端子電極２，３の少なくともメッキ被膜２１，３１、２２，３２を形成する前に、バリスタ素子１を研磨用材と共に研磨容器に入れてバリスタ素子１の表面を０．０１〜０．０４μｍの表面粗さに研磨し、その後に端子電極２，３のメッキ被膜２１，３１、２２，３２を形成する。 （もっと読む）