【課題】７５０℃〜１２００℃の適用領域内でセンサのドリフトが低下され、かつ有利に電流接続に関して敏感でないセンサを提供すること
【解決手段】白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積させ、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、前記セラミック中間層上に自立するカバーを結合するか、又は前記中間層の全面にガラスセラミックを取り付けることを特徴とする、高温センサの製造方法 （もっと読む）

【課題】 薄膜サーミスタ及びその製造方法において、小型化が可能で、サーミスタ薄膜自体にダメージを与えずに高精度に抵抗値調整可能にすること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ₂層２が形成されたシリコン基板３と、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜４と、サーミスタ薄膜４上にパターン形成された一対の薄膜上電極５と、シリコン基板３の上面にサーミスタ薄膜４及び薄膜上電極５を覆って形成された絶縁性の保護膜６と、該保護膜６に形成された貫通孔の内面に一対の薄膜上電極５まで達した導電膜を形成した一対のスルーホール８と、保護膜６上に形成され一対のスルーホール８に一端が接続された一対の上部引き出し電極９と、を備え、一対の上部引き出し電極９の一部が、除去されて抵抗値調整されている。 （もっと読む）

【課題】 高温環境下での抵抗値変化を抑制しながら電極の接合不良をなくすことができ、品質及び信頼性が向上すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ₂層２が形成されたシリコン基板３と、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜４と、貴金属以外の金属材料で形成され、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成された接合層５と、該接合層５上にパターン形成された貴金属からなる電極６と、を備え、サーミスタ薄膜４の内部に、サーミスタ薄膜４が形成されない薄膜非形成領域４ａを有し、接合層５及び電極６が、薄膜非形成領域４ａ内に埋め込み形成され側面がサーミスタ薄膜４の内側面に接合され、薄膜非形成領域４ａ内の接合層５及び電極６の一部が、除去されて抵抗値調整されている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の不良率が低く、抵抗値の歩留が良好で、作業効率も良いチップサーミスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 厚膜サーミスタ体が形成された集合絶縁基板をサンプルとして使用し、トリミング長さの設定値に対する実際のトリミング長さとその分布、及びトリミング倍率とその相関を求める。トリミング後に測定した抵抗値の偏差幅で複数の区画をグループ分けし、抵抗値の分布が所望の公称抵抗値に近づいて収束するように次のトリミングステップに対する目標抵抗値偏差幅を定め、当該目標抵抗値偏差に近づけるべく、サンプル試験結果に応じてグループ毎にトリミング長さ設定値を定めてトリミングする。そして、抵抗値の分布が前のトリミングステップに対する目標抵抗値偏差よりも、さらに所望の公称抵抗値に近づいて収束するように、次のトリミングステップに対する目標抵抗値偏差を設定し、同様な工程を少なくとも１回以上繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】サーミスタと抵抗を組み合わせた３端子を有する電圧出力構成とし、熱絶縁部上に形成されるサーミスタの抵抗値の特性を、熱絶縁部外に形成されるトリミング可能な抵抗で調整することにより、サーミスタの特性を変化させることなく、精度の高い出力特性（電圧／温度）を実現可能とする薄膜温度センサ及びその特性調整方法を提供する。
【解決手段】薄膜温度センサ１０ｂは、基板１ｂに形成される貫通孔９ａ〜９ｄとそれにより基板１ｂの他の領域と熱的に絶縁される熱絶縁部を有する。また、熱絶縁部上に形成される感熱抵抗部６と、基板１ｂ上に形成されトリミングにより抵抗値を調整可能な抵抗部３ｂを有する。また、基板１ｂ上に抵抗部３ｂの一方の端子に接続される端子電極５ａと抵抗部３ｂの他方の端子及び感熱抵抗部６の一方の端子に接続される端子電極５ｂと感熱抵抗部６の他方の端子に接続される端子電極５ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】 表面実装型温度センサにおいて、レーザトリミングを行っても特性劣化が少なく、高精度な抵抗特性の合わせ込みを可能にすること。
【解決手段】 サーミスタ膜からなる感温抵抗部１１と、感温抵抗部１１と互いの一端同士が電気的に接続されトリミング可能な膜状抵抗部１２と、感温抵抗部１１の他端に電気的に接続された第１の端子電極１３と、膜状抵抗部１２の他端に電気的に接続された第２の端子電極１４と、感温抵抗部１１及び膜状抵抗部１２のそれぞれの一端に電気的に接続された第３の端子電極１５と、を絶縁性基板１０上に設けた。 （もっと読む）

【課題】サーミスタ素子と抵抗素子を個別部品で組み合わせる場合、重要な要素である抵抗素子の抵抗値が市販品から選択するために良好なリニアライズ特性が得られにくく、また市販品の抵抗素子の抵抗値にはバラツキがあるために互換性精度が悪くなる。また、互換性精度を高めるためにの抵抗素子の直並列組み合わせや再選別は、抵抗値の調整時間の増加や部品点数の増加によってコストが上昇する等の欠点がある。
【解決方法】ひとつの絶縁基板上に薄膜サーミスタ素子と薄膜抵抗素子を形成し、予めトリミング等の方法で抵抗値の調整を行うとともに、それぞれの素子の端子となる電極面にバンプを形成することによって、高密度実装が可能で互換性精度の高いチップ型複合部品を提供することを目的とするものである。 （もっと読む）