説明

Fターム[5E049AB07]の内容

磁性薄膜 (4,742) | 磁性材料(無機化合物) (102) | 鉄化合物 (70) | 鉄酸化物以外の鉄化合物 (4)

Fターム[5E049AB07]に分類される特許

1 - 4 / 4


【課題】 大きなMR変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層5と、磁化自由層7と、磁化固着層5と磁化自由層7との間に設けられた非磁性層6と、磁化自由層7の非磁性層6が設けられた側とは反対の側に設けられたAuを含む第1の金属層4と、第1の金属層4の磁化自由層7が設けられた側とは反対の側に設けられたCuNi合金を含む第2の金属層3と第2の金属層3の第1の金属層4が設けられた側とは反対の側に設けられた第1の電極2と、磁化固着層5の非磁性層6が設けられた側とは反対の側に設けられた第2の電極8とを備え、磁化固着層5及び磁化自由層7の一方がハーフメタルを含み、第1の電極2から第2の電極8に向かって電流が流れることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛薄膜の結晶性(品質)を維持したまま、キャリアを得るための不純物を添加せずにキャリヤ濃度を制御して、室温において飽和磁化と残留磁化が大きな値の強磁性を発現する酸化亜鉛薄膜からなる磁性半導体とその製造方法及び強磁性発現方法を提供する。
【解決手段】磁性半導体の製造方法は、遷移元素を添加した酸化亜鉛の原料ターゲット19から原料を飛散させて基板20上に薄膜を成膜する薄膜製造装置10を用い、原料ターゲット19と基板20との間にグリッド電極18を設置し、グリッド電極18に電圧を印加し、原料をグリッド電極18を通過させることで基板20上に薄膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、静磁気特性(特に保磁力Hc)を高めつつ、電磁変換特性(特にOW特性およびSNR)を高めることにより、さらなる高記録密度化を図ることのできる垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、基板上に少なくとも第1磁気記録層122a、第2磁気記録層122bをこの順に備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体100において、第1磁気記録層および第2磁気記録層は柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であって、第1磁気記録層および第2磁気記録層の粒界部は、それぞれ複数の種類の酸化物を含有し、第1磁気記録層の膜厚をAnm、第2磁気記録層の膜厚をBnmとすると、A/(A+B)が0.12<A/(A+B)<0.64の範囲内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】誤書き込みを低減し、かつ熱安定性を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが固定された磁化固定層11と、磁化の向きが変化する磁化自由層13と、磁化固定層11及び磁化自由層13間に設けられた非磁性層12とを具備する磁気抵抗効果素子10であって、磁化自由層13は、第1の方向に延在する延在部10aと、この延在部10aの側面の端部以外から第1の方向に対して垂直な第2の方向に突出する突出部10b,10cとを有し、磁化自由層13の平面形状は、180度回転対称性を有し、かつ鏡映対称性を有しない。 (もっと読む)


1 - 4 / 4