Fターム[5E049CB06]の内容
Fターム[5E049CB06]に分類される特許
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パルスECDによる、組成変調された強磁性層を含むナノ構造の形成
【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。
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改善された接合形態を有するナノ接合
【課題】接合ワイヤーの初期スピンモーメント方向に関係なく接合ワイヤー間の磁壁の厚さが一定のナノ接合を提供する。
【解決手段】本発明は、2個の接合ワイヤーが接合されるナノ接合であって、接合される接合領域を含む接合面が四分円形を有する第1の接合ワイヤーと、前記第1の接合ワイヤーと前記接合領域で接合し、前記第1の接合ワイヤーの四分円の接合面と原点対称する四分円形の接合面を有する第2の接合ワイヤーとを含むことを特徴とする。
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超小型電力変換装置
【課題】AlパッドとAuスタッドバンプおよびAuスタッドバンプと端子電極との密着強度を高くし、耐温度サイクル性を向上させた高信頼性の超小型電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ11のAlパッド12上に形成されるUBM膜13の最上層を0.1μm以上のAu膜13bで形成し、このUBM膜13上にAuスタッドバンプ14を形成し、フェライト基板2の端子電極5の最上層を0.1μm以上のAu膜5dで形成し、Au膜13bとAuスタッドバンプ14を超音波接合で固着する。
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インダクタンス部品およびその製造方法
【課題】高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コイル1と、少なくとも基材3の片面に第1の金属層4と第1の金属磁性体層5と銅酸化物を含む中間層6と第2の金属磁性体層7を積層した多層磁性体層2とからなるインダクタンス部品であり、前記第1および第2の金属磁性体層5,7にFe、Ni、Coからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層6を第1および第2の金属磁性体層5,7より比抵抗の大きい材料で構成する。
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