【課題】磁性膜を基体に付着させる際の適切な形成条件を定め、磁性膜の膜厚が２μｍを超えるような場合であっても剥離の生じないような磁性膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】磁性膜５を基体３に付着してなる磁性膜付着体１０の製造方法を提供する。この製造方法は、基体３を準備する工程と、交互に積層された有機物膜６及びフェライト膜７からなる磁性膜５を基体３上に形成する工程とを備える。この製造方法において、磁性膜５を形成する工程は、２０μｍ以下の膜厚を有するフェライト膜７をフェライトメッキ法により形成する工程と、０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜厚を有する有機物膜６であって当該有機物膜６の膜厚ｔとヤング率Ｅとの比ｔ／Ｅが０．０２５μｍ／ＧＰａ以上である有機物膜６を形成する工程とを交互に行うものである。 （もっと読む）

基板上にフィルムまたはコーティングとして施すことができ、かつ、適切な磁気的および電気的な特性を提供することができる材料は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む。材料は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の抵抗率、約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度、約５エルステッドよりも小さい飽和保磁力、および、約１００と約２０００との間の比透磁率を有する。
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【課題】 従来に比べて、低保磁力を維持しながら、さらに高い飽和磁束密度を得ることが可能な軟磁性膜とその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態の軟磁性膜は、ＦｅＮｉＣｏ合金等でメッキ形成され、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が、夫々１０未満となっている。これにより磁性元素がほぼ同じ組成比を有する軟磁性膜と対比したときに、ほぼ同等の保磁力Ｈｃを維持しつつ、より高い飽和磁束密度Ｂｓを得るこが可能になる。このような軟磁性膜を主磁極層２４に使用することで、高記録密度化を実現できるとともに、残留磁化により前記記録媒体に記録された信号が消去されるのを適切に防ぐことが出来る。 （もっと読む）

フェライトめっき法におけるフェライト膜の成膜速度を高めることにより、生産性が高く、しかもアンモニウムイオンを用いないフェライトめっき法を用いたフェライト膜の形成方法を提供する。フェライトめっきの際のｐＨ調整液として酢酸カリウムなどのアルカリ金属の弱酸塩の水溶液を用いることにより、高い成膜速度で良質のフェライト膜を成膜する。この方法を用いることにより、ＧＨｚ帯にて電磁ノイズを抑制することのできる電磁ノイズ抑制体の膜を回路基板などの電磁ノイズを抑制する対象に直接に形成することができる。
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加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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