【課題】コンデンサ形計器用変圧器の電圧検出精度を向上する。
【解決手段】主コンデンサ２回路と分圧コンデンサ３回路とを直列に接続し、この直列回路１の両端が入力端に導かれ、直列回路内の接続点４が出力端に導かれたコンデンサ形計器用変圧器において、高圧側のコンデンサ（主コンデンサ２）として真空コンデンサを用い、低圧側のコンデンサ（分圧コンデンサ３）として、温度に対する静電容量変化率が正特性（温度が高くなるにつれ静電容量が増加する特性）のフィルムコンデンサと温度に対する静電容量変化率が負特性（温度が高くなるにつれ静電容量が減少する特性）のフィルムコンデンサと、を組み合わせて用いる。 （もっと読む）

【課題】発熱体の近くに存在するコンデンサ素子の温度上昇を抑制でき、そのコンデンサ素子の寿命低下を防止できるコンデンサ１を提供する。
【解決手段】両端に一対の電極面７を有する複数個のコンデンサ素子３が、電極面７が同一方向を向くように収納ケース２内に配置されている。複数個のコンデンサ素子３を電気的に並列接続する一対の接続部材４が、コンデンサ素子３の電極面７に配置されている。接続部材４は、複数個のコンデンサ素子３のうち、該コンデンサ素子３以外の発熱体８に最も近いコンデンサ素子３ａに流れる電流が、他のコンデンサ素子３に流れる電流よりも小さくなるように、部分的に電気抵抗が高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド自動車等に使用されるケースモールド型コンデンサに関し、大電流化、大容量化に対応することを目的とする。
【解決手段】一端に連結部４ｂを設けたバスバー４を接続した素子をケース５内に収容して樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサのケース５の一側面に締結部３を設け、この締結部３に上記バスバー４に設けた連結部４ｂを配設した状態で２つのケース５の締結部３どうしを突き合わせて結合することにより、２つのケースモールド型コンデンサを電気的、機械的に連結した構成により、ケース５が小型化するためにケース５内にモールド樹脂６を均一に注型できるようになって高い品質の注型作業を行うことが可能になり、２分割したものを電気的、機械的に連結することによって大電流化、大容量化に対応することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】自動車用等に使用されるケースモールド型コンデンサに関し、耐振動性の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】両端面に一対の電極１ａが設けられた断面小判形の素子１を複数個並列して夫々バスバー３、４で接続し、上記素子１の長径方向を垂直方向にしてこれらをケース７内に収容して樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサにおいて、上記各素子１間にモールド樹脂８が充填されるようにした構成により、素子１に交流電圧等を印加することによってリプル電流が発生し、これにより素子１自体が振動しても、各素子１間に充填されたモールド樹脂８によって振動が抑制されると共に、モールド樹脂８によって各素子１は絶縁状態を保って分離されているために接触することはなく、また短絡することもない。 （もっと読む）

【課題】高耐圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を、基板上に容易に構成できるようにする。
【解決手段】絶縁性の基板１上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、基板１の配線面１ａに設けられた電極１１と、電極１１に隣在して基板１の同一面に設けられた電極１２と、電極１１及び１２に対向して基板１の部品面１ｂに設けられた電極１３とを備え、電極１３は、所定の幅Ｗ３及び長さＬ３を有し、当該長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するものである。この構成によって、電極１１〜１３の間に位置する基板１の部位が誘電体層を成し、電極１１及び電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする直列容量構造を構成できる。 （もっと読む）

【課題】高静電容量、低損失正接、および許容できる静電容量対温度特性を有する薄膜コンデンサ。
【解決手段】高誘電率（誘電定数）の、薄膜ＣＳＤチタン酸ベース誘電体組成物であって、チタンがジルコニウム、スズまたはハフニウムによって部分的に置換された組成物を提供すること。組成物は、Ｘ７Ｒ要求条件をより良く満足させる温度の関数としての静電容量を示す。 （もっと読む）

【課題】 高圧用の電極箔であっても、芯金部の破断や欠損などがなく、機械的強度を備えかつ平坦化された、酸化皮膜を除去した接続部を形成し、引出端子との接続性を向上させる。
【解決手段】 表面に酸化皮膜を有するエッチング層を備えた電極箔に引出端子を接続し、この電極箔を、セパレータを介して巻回又は積層する電解コンデンサの製造方法において、前記電極箔の引出端子接続部位にレーザ光を照射することにより、エッチング層を、その平均ピット深さの２０〜７０％が残存するように除去する。 （もっと読む）

【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）