容量及びその製造方法
【課題】高耐圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を、基板上に容易に構成できるようにする。
【解決手段】絶縁性の基板１上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、基板１の配線面１ａに設けられた電極１１と、電極１１に隣在して基板１の同一面に設けられた電極１２と、電極１１及び１２に対向して基板１の部品面１ｂに設けられた電極１３とを備え、電極１３は、所定の幅Ｗ３及び長さＬ３を有し、当該長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するものである。この構成によって、電極１１〜１３の間に位置する基板１の部位が誘電体層を成し、電極１１及び電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【解決手段】絶縁性の基板１上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、基板１の配線面１ａに設けられた電極１１と、電極１１に隣在して基板１の同一面に設けられた電極１２と、電極１１及び１２に対向して基板１の部品面１ｂに設けられた電極１３とを備え、電極１３は、所定の幅Ｗ３及び長さＬ３を有し、当該長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するものである。この構成によって、電極１１〜１３の間に位置する基板１の部位が誘電体層を成し、電極１１及び電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高電圧インバータ回路の分圧コンデンサに適用可能な容量及びその製造方法に関する。詳しくは、基板の一方の面に隣設された第１及び第２の電極と、基板の他方の面に対設された第３の電極とを備え、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向するようにして、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成し、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を基板上に容易に構成できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビ等のバックライト用の電源として、数ｋＶ例えば２ｋＶ程度の高圧交流電源が使用されることが多い。この高圧交流電源は、例えば基板上に実装された高電圧インバータ回路からバックライトに供給される。
【０００３】
この高電圧インバータ回路用の基板には、基板からの出力電圧（高圧交流電源）やバックライト等の異常を検出する為、検知回路が実装されていることが多い。この場合、出力電圧を例えば分圧コンデンサで分圧して検知回路に入力するようになされる。この分圧コンデンサには充分な耐圧が要求されるので、高電圧用（高耐圧仕様）のマイカコンデンサや磁気コンデンサ等の容量部品が用いられることが多い。
【０００４】
しかし、これらの高電圧用のコンデンサは、低電圧用のコンデンサに比べて高価であることが多い。更に容量部品を基板の高耐圧部に実装する場合にも、例えば信頼性を向上する為、部品間の距離等に制約が設けられることが多い。
【０００５】
一方近年では、こうした高電圧インバータ回路のコスト削減の為に様々な工夫がなされている。まず部品レスによるコスト削減方法がある。その一案として、両面基板の両面に、容量の電極を対向して形成し、基板の一部を誘電体とした高電圧用の容量を構成する方法がある。
【０００６】
また他に、安価な片面基板を用いることによるコスト削減方法がある。しかしこの場合には、上述のように基板の一部を誘電体として容量を構成することは難しい。これは、部品が取り付けられる部品面に電極を形成することが難しいことと、部品面に電極を形成できたとしても、配線が形成される配線面へ接続する為、ジャンパ線やビアホールを別途設ける必要があり、これらによるコストアップが懸念される為である。従って、片面基板を用いる場合には、分圧コンデンサとして上述のような容量部品が使用されることが多い。
【０００７】
これに関連して、特許文献１の非接触式データキャリアが開示されている。この非接触式データキャリアによれば、非接触式ＩＣカードの回路を、容量を介して接続される第１の区分及び第２の区分に分離し、第１の区分の回路と容量の一方の電極とを第１の基板に形成するとともに、第２の区分の回路と容量の他方の電極とを第２の基板に形成し、第１の基板及び第２の基板を、両電極を対向させて配して絶縁性樹脂を介在させて積層するようになされる。このようにすることにより、両電極及び絶縁性樹脂でなる容量を構成すると同時に、第１の区分及び第２の区分の回路を接続できるというものである。また、両電極はそれぞれ、例えば導電層のエッチングや電極パターンの印刷等により形成されている。
【０００８】
また、特許文献２の高周波回路基板及び容量調整方法も開示されている。この高周波回路基板及び容量調整方法によれば、絶縁層を複数積層してなる基板に、積層方向に貫通する容量調整孔を設け、容量調整孔の内面に導体を形成して、絶縁層の間に形成された複数の容量を接続するようになされる。このように構成すると、容量調整孔の導体をレーザビーム又はドリルで切削することにより積層された容量の面積を調整できるので、トリミング用の容量の占有面積を最小にできるというものである。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−５７２８７号公報（第３頁、図１）
【特許文献２】特開平１０−１９０３０２号公報（第３及び４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１に係る非接触式データキャリアによれば、ＩＣカードの回路が、容量の絶縁層で２つの区分に分離されて、それぞれの基板に形成されている。しかしこの構造を高電圧インバータ回路に応用しようとすると、基板の両面に分離された回路を形成する必要があるので、両面基板への実装が必要になるとともに製造工程数が増加し、コストアップに繋がるという問題がある。
【００１１】
また、特許文献２に係る高周波回路基板及び容量調整方法によれば、積層方向に複数の容量が重なって形成されている。従って、互いに充分な絶縁距離を必要とする高電圧用の容量に適用することは難しい。また、積層基板は片面基板に比べて製造工程数も多くなり、上述と同様の問題が想定される。
【００１２】
そこで本発明は、上述の課題を解決したものであって、高耐圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の分圧コンデンサを基板上に容易に構成できるようにした容量及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、基板の一方の面に設けられた第１の電極と、第１の電極に隣在して基板の同一面に設けられた第２の電極と、第１及び第２の電極に対向して基板の他方の面に設けられた第３の電極とを備え、第３の電極は、所定の幅及び長さを有し、当該長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向することを特徴とする容量によって解決される。
【００１４】
本発明に係る容量によれば、基板の一方の面に互いに隣設された第１及び第２の電極に対向して、他方の面に設けられた第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向し、他方の端部で第２の電極と対向するものである。従って、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【００１５】
本発明の請求項２に係る容量の製造方法は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、基板の他方の面の第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項２に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に互いに隣設された第１及び第２の電極に対向する他方の面に、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向し、他方の端部で第２の電極と対向するように形成される。従って、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【００１７】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、基板の他方の面の第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程と、高電圧インバータ回路の仕様、第１乃至第３の電極の大きさ又は基板の厚みに応じて、第１及び／又は第２の配線を切断する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成し、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させて形成した後で、第１及び第２の配線を高電圧インバータ回路（以下、単にインバータ回路ともよぶ。）の仕様等に応じて切断するようになされる。従って、複数個並列に接続された容量を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じて容易にトリミングできる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明に係る容量によれば、基板の一方の面に隣設された第１及び第２の電極と、基板の他方の面に対設された第３の電極とを備え、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向するものである。
【００２０】
この構成により、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を基板上に容易に構成できる。また、容量の蓄積電極と対向電極とを同一面に隣在して設けられるので、両電極をインバータ回路の配線形成面と同一面に形成できる。これにより、両電極をインバータ回路に容易に接続できるとともに、安価な片面基板に容易に適用できる。
更に、基板と導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量を構成できるので、インバータ回路の部品数を削減できるとともに製造コストを削減できる。更にまた、基板に取り付けられる部品の容量（容量部品）に比べて、耐熱性を向上できるとともに信頼性を向上できる。
【００２１】
この発明の請求項２に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部が第１の電極と対向するとともに、他方の端部が第２の電極と対向するように形成する工程とを有している。
【００２２】
この構成により、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を基板上に形成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を容易に形成できる。また、容量の蓄積電極と対向電極とを、インバータ回路の配線形成面と同一の面に隣在して形成できるので、両電極をインバータ回路に容易に接続できるとともに、安価な片面基板に形成工程を実行できる。
更に、基板と導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量を構成できるので、インバータ回路の部品数を削減できるとともに製造コストを削減できる。更にまた、容量部品を使用した場合に比べて、半田付けによる接合部の数を削減できるので、信頼性を向上できる。また、第３の電極を形成する工程で、第３の電極と第１及び第２の電極とが対向する面積（オーバーラップ面積）を変更できるので、容量の大きさを容易に調整できる。
【００２３】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部が第１の電極と対向するとともに、他方の端部が第２の電極と対向するように形成する工程と、第１及び第２の配線をインバータ回路の仕様等に応じて切断する工程とを有している。
【００２４】
この構成により、複数個並列に接続された容量を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じてトリミングできる。従って、基板又は容量のバラツキを低減できるとともに、基板の汎用性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
続いて、この発明に係る容量及びその製造方法について、図面を参照しながら説明をする。
【実施例１】
【００２６】
図１は、本発明に係る第１の実施例としての容量Ｃ１の構成例を示す斜視図である。図１に示す容量Ｃ１は、電極１１〜１３を備え、当該電極間の基板１を誘電体層として構成されるものである。容量Ｃ１は、高電圧インバータ回路に適用して好適なものであり、電極１１及び電極１３間の容量Ｃ１１と、電極１３及び電極１２間の容量Ｃ１２とによる直列容量構造を有している。
【００２７】
基板１は、厚みｄ１の絶縁性の回路基板であり、上面及び下面に例えば高電圧用のインバータ回路５１（図４参照）を実装（構築）されるものである。基板１には、ここでは上方の配線面１ａ及び下方の部品面１ｂからなる片面基板が用いられる。
【００２８】
配線面１ａには、メタルパターンが形成され、部品面１ｂには、ＩＣ、抵抗、容量等の各部品が取り付けられる。基板１には、図示しない部品用の端子挿入孔が形成されており、各部品は、部品面１ｂ側から端子挿入孔に端子を挿入され、配線面１ａにおいて端子を半田付けされて回路に接続される。
【００２９】
また基板１上には、上述のインバータ回路５１に加えて、検知回路５２、分圧回路５３等を備える基板回路５０が構成される（図４参照）。容量Ｃ１は、ここでは分圧回路５３の分圧コンデンサとして用いられる。
【００３０】
電極１１（第１の電極）は、配線面１ａに設けられる。電極１１は、例えば銅箔のメタルパターンで構成され、他の配線と同時にフォトリソグラフィ技術で形成（以下、フォトリソ形成とよぶ。）される。またメタルパターンは、銅箔の他、銀箔、金箔、アルミ箔等の導電性の薄膜により構成され、印刷により形成（印刷形成）される場合もある。更に配線面１ａには、電極１１に隣在するように電極１２が設けられる。
【００３１】
電極１２（第２の電極）は、ここでは電極１１と略同形状で同一面に設けられる。電極１２も、電極１１と同様のメタルパターンで構成される。電極１２は、この例では、スリット４０を介して電極１１と隣り合うようになされる。
【００３２】
スリット４０は、電極１１と電極１２との絶縁距離を短縮する為、基板１に形成される溝である。スリット４０は、電極１１と電極１２との間の略中心位置に、電極１１と電極１２とが隣在する長さに渡って、所定の幅で貫通開口される。この例のようにスリット４０を形成すると、基板１上における容量Ｃ１の占有面積を小さくすることができる。また、電極１１と電極１２との間に充分な絶縁距離を確保できる場合には、スリット４０を形成しなくてもよい。
【００３３】
部品面１ｂの電極１１及び電極１２と対向する位置には、電極１３（第３の電極）が、幅Ｗ３及び長さＬ３を有して設けられる。電極１３は、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃが電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄが電極１２と対向するように配置される。
【００３４】
電極１３は、この例では、一方の面に粘着面を有するとともに、他方の面に絶縁膜を接着形成された導電性の薄膜、例えばアルミラベル１３’で構成される。アルミラベル１３’には、例えばアルミ蒸着ラベルが使用される。また電極１３は、印刷形成された導電性の薄膜、例えば、銅箔、銀ペースト、カーボンペースト等で構成されることもある。
【００３５】
ここで、電極１１と、端部１３ｃ側の電極１３とは、面積Ａ１１で対向するようになされる。これにより、両電極間に位置する基板１の部位が誘電体層として機能し、容量Ｃ１１が構成される。また、電極１２と、端部１３ｄ側の電極１３とは面積Ａ１２で対向し、両電極間の基板１の部位を誘電体層とした容量Ｃ１２が構成される。
【００３６】
容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とは、電極１３を介して直列に接続され、電極１１又は電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする容量Ｃ１を構成する。
【００３７】
図２Ａ及びＢは、基板１の構成例を示すものであり、図２Ａは配線面１ａから、図２Ｂは部品面１ｂからみた図である。図２Ａに示す配線面１ａには、電極１１及び電極１２が上下方向に２つずつ形成されている。両者は同様の容量Ｃ１を構成するので、以下、図中下方に示す電極１１及び電極１２について説明をする。
【００３８】
電極１１は、幅Ｗ１及び長さＬ１を有して配線面１ａに形成される。また、電極１１の幅Ｗ１方向の両側端は、エッジ１１ａ及びエッジ１１ｂを構成している。電極１１のエッジ１１ａには配線６１の端部が連結され、電極１１及び容量Ｃ１を基板回路５０に接続する。
【００３９】
電極１１の隣には、電極１２が幅Ｗ２及び長さＬ２を有して形成される。電極１２の幅Ｗ２方向の両側端は、エッジ１２ａ及びエッジ１２ｂを構成している。電極１２のエッジ１２ａには、配線６２の端部が連結され、電極１２及び容量Ｃ１を基板回路５０に接続する。ここで、電極１１と電極１２とは略同形状に形成される。つまり、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは略同等になされ、長さＬ１と長さＬ２とは略同等になされる。
【００４０】
また、電極１１及び電極１２は、エッジ１１ｂ及びエッジ１２ｂを内側にして互いに隣り合い、間隔Ｄ１２を有して配置される。間隔Ｄ１２は、エッジ１１ｂとエッジ１２ｂとの距離であり、電極１１及び電極１２の長さＬ１及びＬ２方向の全域に渡って一定になされる。つまり、電極１１及び電極１２は、間隔Ｄ１２を隔てて略平行に配置される。
【００４１】
またこの例で、電極１１及び電極１２の間には、分離用のスリット４０が形成されている。スリット４０は、長さＬ１及びＬ２方向の両端部から多少突出する長さの溝状になされ、間隔Ｄ１２の略中心位置に配置される。
【００４２】
一方、図２Ｂに示す基板１の部品面１ｂには、電極１３が例えば貼付形成される。電極１３は、例えば幅Ｗ３及び長さＬ３を有するアルミラベル１３’で構成される。電極１３の幅Ｗ３方向の両側端はエッジ１３ａ及びエッジ１３ｂを構成する。また、長さＬ３方向の両端部は、端部１３ｃ及び端部１３ｄを構成し、両側端はエッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’を構成する。
【００４３】
この例では、エッジ１３ａ及びエッジ１３ｂが、エッジ１１ａ及びエッジ１１ｂ、並びにエッジ１２ａ及びエッジ１２ｂと略直角に交差するようになされる。つまり、電極１３と電極１１及び電極１２とが互いに略直角であるとともに、端部１３ｃ及び端部１３ｄの一部が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａから多少突出するように、電極１１〜１３が配置されている。このように構成すると、電極１３と電極１１及び電極１２とのオーバーラップ面積である面積Ａ１１及び面積Ａ１２が、幅Ｗ１（≒幅Ｗ２）と幅Ｗ３との積で求められるとともに、電極１３の幅Ｗ１３を変更することで、容易に容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２の大きさを変更できるようになる。
【００４４】
更に、上述のように幅Ｗ１及び幅Ｗ２を同等にすることにより、容易に容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２を同等の大きさにできるので、互いに直列に接続された容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２にかかる高耐圧を２等分できる。これにより、容量Ｃ１の耐圧を最大限に向上できる。
【００４５】
また、電極１３はアルミラベル１３’で構成されているので、容易にスリット４０を架橋して容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とを接続できる。これにより、容易に容量Ｃ１の占有面積を最小限に抑えることができる。
【００４６】
図３Ａ及びＢは、容量Ｃ１の回路構成例を示す図である。図３Ａの概略断面図に示す容量Ｃ１は、基板１の厚みｄ１方向に形成される容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２が、部品面１ｂの電極１３を中間電極として直列に接続されて構成される。従って、蓄積電極となる電極１１及び対向電極となる電極１２は、配線面１ａで互いに隣設される。またこの電極１１及び電極１２は、電極１２を蓄積電極とし、電極１１を対向電極とすることもできる。ここで、基板１が誘電率εを有する場合、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ａ中の式１及び式２で算出される。
また容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ｂに示す等価回路図を構成する。容量Ｃ１は、容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とが直列接続されて構成されるので、その合成容量は、図３Ｂ中の式３で算出される。またここで、容量Ｃ１１の耐圧をＥ１１、容量Ｃ１２の耐圧をＥ１２とすると、容量Ｃ１の耐圧Ｅ１は両者の和で求められる（図３Ｂの式４参照）。つまり、直列容量構造を有する容量Ｃ１は、容量Ｃ１１又は容量Ｃ１２を単体で使用する場合に比べて耐圧が向上する。この例では２倍になる。このようにして、容量Ｃ１の回路が構成される。
【００４７】
図４は、基板回路５０の構成例を示すブロック図である。図４に示す基板回路５０は基板１上に構成され、この例では３つのバックライト用の蛍光管＃１〜＃３に高圧交流信号を供給するものである。基板回路５０は、インバータ回路５１、検知回路５２、３つの分圧回路５３、入力端子１００、出力端子１０１〜１０３を有して構成される。
【００４８】
基板回路５０は、入力端子１００から直流電圧Ｖ１０を入力されて、出力端子１０１〜１０３から、高圧交流電源である交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３を出力するようになされる。直流電圧Ｖ１０は、例えば３８０Ｖの直流電圧であり、交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３は、例えばピーク電圧が２ｋＶｐ−ｐ,周波数が５０ｋ〜８０ｋＨｚ程度の高圧交流電圧である。出力端子１０１〜１０３には、例えばコネクタを介して蛍光管＃１〜＃３が接続され、交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３を供給される。
【００４９】
また出力端子１０１〜１０３は基板１上で分岐され、分圧回路５３に接続（帰還）される。出力端子１０１〜１０３は、分圧回路５３において、容量Ｃ１及び容量Ｃ３を介してＧＮＤ電位に接続される。ここで容量Ｃ１及び容量Ｃ３は分圧コンデンサを構成し、両容量の接続部は中間電位Ｎ１〜Ｎ３に分圧される。容量Ｃ１と容量Ｃ３との比は、例えば１：１００程度に設定されており、中間電位Ｎ１〜Ｎ３は充分低い電位に降圧される。
【００５０】
降圧された中間電位Ｎ１〜Ｎ３は、例えば、整流用のダイオードＤ１及びＤ２、分圧用の抵抗Ｒ１等を介して検知回路５２に帰還される。検知回路５２は、中間電位Ｎ１〜Ｎ３を監視し、蛍光管＃１〜＃３の異常を検出する。例えば、蛍光管＃２に異常が生じて過電流が生じた場合、中間電位Ｎ２が他の中間電位Ｎ１及びＮ３に比べて下降する。検知回路５２はそうした電圧変化を検出し、検知信号Ｓ２を出力する。
【００５１】
検知信号Ｓ２は、ここではインバータ回路５１に直接入力される。インバータ回路５１は内部に制御部を有し、検知信号Ｓ２に応じて、例えば交流電圧Ｖ１２の供給を停止するようになされる。
【００５２】
ここで、高電圧を印加される容量Ｃ１は、例えば２ｋＶの交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３とほぼ同程度、又はそれ以上の耐圧が要求される。従って、容量Ｃ１には、高耐圧仕様の部品容量や、基板１上に構成された容量等が使用される。一方、容量Ｃ３は、検知回路５３の構成部品と同程度の耐圧があればよい。従って、容量Ｃ３には、安価な低耐圧仕様の容量部品等が使用される。このようにして基板回路５０が構成される。以下で、容量Ｃ１の製造方法について説明する。
【００５３】
図５Ａ〜Ｆは、容量Ｃ１の製造例を示す工程図である。図５Ａ〜Ｆに示す工程は、絶縁性の基板１に、高電圧インバータ回路用の容量Ｃ１を製造する為のものである。ここではまず、図５Ａ〜Ｅに示す工程で、基板１の配線面１ａに電極１１及び電極１２をフォトリソ形成し、次に図５Ｆに示す工程で、部品面１ｂに電極１３を貼付形成する。またこの製造工程では、容量Ｃ１と並行して基板回路５０を基板１上に形成するようになされる。
【００５４】
容量Ｃ１を製造するには、まず、図５Ａに示す基板１を準備する。ここでは基板１として、銅箔のメタル層Ｍ１が片面に形成されている片面基板を準備する。またこの時、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２を形成するのに好適な、厚みｄ１の絶縁体層を有する基板１を準備する。基板１が準備できたら、メタル層Ｍ１の形成面を配線面１ａとし、他方の面を部品面１ｂとして、以下の工程を実行する。
【００５５】
まず初めにレジスト塗布工程を実行し、配線面１ａの全面に渡って感光剤であるレジストＦ１（フォトレジスト）を、塗布する（図５Ｂ参照）。
次にフォトリソグラフィ工程を実行する。ここではメタル用のフォトマスクでマスキングしてレジストＦ１を露光する。このメタル用のフォトマスクには、所定形状の電極１１及び電極１２並びに基板回路５０の配線等をレチクルパターンとして形成しておく。
【００５６】
メタル用のフォトマスクを用いてレジストＦ１を露光すると、レチクルパターン部以外のレジストＦ１が感光される。次に感光したレジストＦ１を、レジスト除去工程でレジスト除去剤等で除去する。以上により、図５Ｃに示すような形状のレジストＦ１が形成される。
【００５７】
次にメタルエッチング工程を実行し、レジストＦ１に覆われていない部位のメタル層Ｍ１をエッチングする。メタルエッチング工程が終了したら、残存するレジストＦ１をレジスト除去剤等で除去する。ここで、図５Ｄに示すような電極１１及び電極１２、並びに図示しない配線がメタル層Ｍ１で形成される。
【００５８】
形成された電極１１は、幅Ｗ１及び長さＬ１に設定され、電極１２は、幅Ｗ２及び長さＬ２に設定されている。また、電極１１及び電極１２は略同形状（幅Ｗ１＝幅Ｗ２、長さＬ１＝長さＬ２）になされ、幅方向のエッジ１１ｂ及びエッジ１２ｂを内側にして互いに隣り合って配置されている。
【００５９】
またこの例では、この後でスリット形成工程を実行し、切削装置等でスリット４０を形成する。ここではスリット４０を、電極１１及び電極１２間の長さＬ１及びＬ２方向に渡って溝状に切削形成する。ただしこのスリット形成工程は、後述のアルミラベル貼付工程（図５Ｆ参照）の前であれば、いずれの工程で行ってもよい。
【００６０】
更にオーバーコート工程を実行し、配線面１ａを絶縁被膜する。ここでは配線面１ａに、半田付け用の部位等を残してソルダーレジストＦ２を塗布し、図５Ｅに示すような絶縁膜を形成する。またオーバーコート工程では、図５Ａ〜Ｄに示したような一連の工程（フォトリソ形成工程）が実行されるが、ここでは簡略化の為、説明を割愛する。以上のようにして、配線面１ａに、電極１１及び電極１２が隣在して形成される。
【００６１】
次に、アルミラベル貼付工程を実行し、基板１の部品面１ｂに電極１３を形成する。ここでは、図１及び２に示したような幅Ｗ３、長さＬ３のアルミラベル１３’を部品面１ｂに貼付して電極１３を形成する。この時、アルミラベル１３’を、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃが電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄが電極１２と対向するように貼付する（図５Ｆ参照）。またここで、正確に位置を合わせて貼付する為、基板１の配線面１ａ及び部品面１ｂに、図示しない合わせマークを形成しておくとよい。
【００６２】
またこの例では、アルミラベル１３’を貼付する際に、長さＬ３方向が、長さＬ１及びＬ２方向と略直角に交差するように配置する。従って、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２の上面形状は長方形になり、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ａに示した式１及び式２で容易に算出される。
【００６３】
更に、ここでは電極１３の長さＬ３方向の両端部、端部１３ｃ及び端部１３ｄが、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａから突出する部位、マージン１３ｃ”及びマージン１３ｄ”を有するようにアルミラベル１３’を貼付する。マージン１３ｃ”は、エッジ１１ａの部品面１ｂへの投影線から、エッジ１３ｃ’までの間に位置する電極１３の部位である。マージン１３ｄ”は、エッジ１２ａの部品面１ｂへの投影線から、エッジ１３ｄ’までの間に位置する電極１３の部位である。
【００６４】
このようにすると、アルミラベル１３’の貼付位置のズレによる面積Ａ１１及びＡ１２のバラツキが少なくなり、容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とのバラツキを最小限に抑えることができる。このようにして、基板１上に容量Ｃ１を製造（形成）することができる。
【００６５】
このようにこの発明の第１の実施例に係る容量Ｃ１によれば、基板１の配線面１ａに互いに隣設された電極１１及び電極１２に対向して、部品面１ｂに設けられた電極１３が、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向し、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するものである。
【００６６】
従って、電極１１〜１３の間に位置する基板１の部位が誘電体層を成し、電極１１及び電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする直列容量構造を構成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量Ｃ１を基板１上に容易に構成できる。
【００６７】
また、容量Ｃ１の蓄積電極と対向電極とを同一面に隣在して設けられるので、両電極をインバータ回路５１の配線形成面と同一面に形成できる。これにより、両電極とインバータ回５１に容易に接続できるとともに、安価な片面基板への適用が容易になる。更に、容量Ｃ１を使用することにより、容量部品を使用した場合に比べて半田付けによる接合部の数を削減できるので、信頼性を向上できる。
【００６８】
更に、この発明に係る容量Ｃ１の製造方法によれば、基板１の配線面１ａに互いに隣設された電極１１及び電極１２に対向する部品面１ｂに、電極１３が、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向し、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するように形成される。
【００６９】
従って、基板１とメタルパターン及びアルミラベル（アルミシール、アルミ蒸着ラベル）等の導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量Ｃ１を構成できるので、インバータ回路５１に用いる部品数を削減できる。
【００７０】
更に、電極１１及び電極１２を、インバータ回路５１等の配線形成と同時に、例えばフォトリソ形成工程で形成できるとともに、電極１３を、アルミラベル貼付工程で一発形成できる。従って、容量Ｃ１の為に追加される製造工程の数を最小限、例えば１工程に抑えられる。
【００７１】
また、電極１３をアルミラベル貼付工程で形成することにより、電極１１と電極１２との間に絶縁距離短縮用のスリット４０を形成した場合においても、スリット４０を容易に架橋することができる。従って、容易に容量Ｃ１の占有面積を小さくできるとともに、基板１の小型化に貢献できる。また、アルミラベル貼付工程において、貼付するアルミラベル１３’の幅Ｗ３及び貼付位置を変更することにより、容易に容量Ｃ１の大きさを調整できる。
【００７２】
また例えば、フォトリソ形成工程後の基板１に、アルミラベル貼付工程で幅Ｗ３の異なるアルミラベル１３’を貼付して、容量Ｃ１の大きさが異なる基板１を形成することもできる。従って、基板１の汎用性を向上できるとともに、基板１の在庫管理が容易になる。更に基板１の納期短縮にも貢献できる。
【００７３】
またこの例では、アルミラベル貼付工程で、電極１３の端部１３ｃ及び端部１３ｄが、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａからマージン１３”及びマージン１３ｄ”を有して突出するように電極１３を貼付したが、これに限られることはなく、電極１３のエッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａと略同一線上になるように、電極１３を貼付してもよい。このようにすると、アルミラベル１３’の長さＬ３を最小限に抑えることができる。またもちろん、エッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａの内側になるように配置してもよい。
【００７４】
またこの例では、電極１３をアルミラベル１３’で貼付形成するようにしたが、これに限られることはなく、電極１３を導電性の薄膜で印刷形成してもよい。ただしこの場合には、スリット形成工程を削除するか、形成されたスリット４０の周辺部に、端部１３ｃ及び１３ｄを接続する配線又はメタルパターンを形成するようにする。
【００７５】
またここでは、電極１３を、電極１１及び電極１２と略９０°で交差するように配置したが、これに限られることはなく、任意の所定角度で交差するようにしてもよい。この場合は、容量Ｃ１１及びＣ１２の上面形状は平行四辺形となるが、両者の大きさは容易に同等になされる。
【実施例２】
【００７６】
図６は、この発明に係る第２の実施例としての容量Ｃ２の構成例を示す斜視図である。図６に示す容量Ｃ２は、実施例１の容量Ｃ１と略同等に構成されるものである。容量Ｃ２は、配線７１及び配線７２により、複数個ここでは３個並列に接続されて合成容量Ｃ２０を構成している。合成容量Ｃ２０は、配線７１及び配線７２を切断されることによりトリミング可能な容量であり、例えば図４に示したインバータ回路５１の出力部の分圧コンデンサとして、容量Ｃ１に替えて用いられる。
【００７７】
個々の容量Ｃ２は、それぞれ電極２１〜２３を備え、当該電極間の基板２を誘電体層として構成される。容量Ｃ２は、電極２１及び電極２３間の容量Ｃ２１と、電極２３及び電極２２間の容量Ｃ２２とによる直列容量構造を有している。また基板２には、第１の実施例の基板１と同様に片面基板が用いられる。基板２は、配線面２ａ及び部品面２ｂを有するとともに、厚みｄ２を有して構成される。
【００７８】
電極２１（第１の電極）は、幅Ｗ２１を有して配線面２ａに設けられる。電極２１は、ここではメタルパターンで構成される。配線面２ａには、電極２１に隣在するように電極２２が設けられる。
【００７９】
電極２２（第２の電極）は、幅Ｗ２２を有して電極２１と同一面に設けられる。電極２２は、電極２１と略同形状のメタルパターンで構成される。つまり、幅Ｗ２１及び幅Ｗ２２は略同等になされる。
【００８０】
部品面２ｂの電極２１及び電極２２と対向する位置には、電極２３（第３の電極）が、幅Ｗ２３を有して設けられる。電極２３は、例えばアルミラベル２３’で構成される。
【００８１】
電極２３は、長さ方向の一方の端部で、電極２１と対向するとともに、他方の端部で電極２２と対向するように配置される。このようにして、容量Ｃ２が構成される。容量Ｃ２は、ここでは３個配置され、３個の電極２１及び電極２２が、配線７１及び配線７２により互いに並列に接続されることにより合成容量Ｃ２０を構成する。容量Ｃ２は、図５Ａ〜Ｆに示したような第１の実施例と同様の製造方法により形成される。以下で、容量Ｃ２のトリミング方法について説明をする。
【００８２】
図７Ａ及びＢは、容量Ｃ２のトリミング例（その１）を示す図である。図８Ａ及びＢは、容量Ｃ２のトリミング例（その２）を示す等価回路図である。図７Ａ及び図８Ａに示す容量Ｃ２は、図５Ａ〜Ｆに示した製造工程後、トリミング工程前の状態である。この状態の容量Ｃ２は、配線７１及び配線７２により３つ並列に接続されている。
【００８３】
このように製造された容量Ｃ２にトリミング工程を実行する場合、例えば適用先（電源の供給先）のバックライトの仕様に応じて、配線７１及び配線７２の所定箇所を切断する。例えば容量Ｃ２の並列数を３列から２列に変更したい場合は、図７Ｂに示す配線部位７１’、７２’をレーザカッター等で切断する。このようにトリミング工程を実行すると、図８Ｂに示す２列の並列回路（合成容量Ｃ２０’）が容易に形成される。
【００８４】
このようにこの発明の第２の実施例に係る容量Ｃ２によれば、基板２の一方の面に、配線７１で互いに接続される複数の電極２１と、配線７２で互いに接続される複数の電極２２とを隣在させて形成し、他方の面に電極２３を、長さ方向の一方の端部を電極２１と対向させるとともに、他方の端部を電極２２と対向させて形成した後で、配線７１及び７２をインバータ回路の仕様等に応じて切断するようになされる。
【００８５】
従って、複数個並列に接続された容量Ｃ２を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量Ｃ２の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じてトリミングできる。
【００８６】
これにより、同一の製造工程を経た基板２の仕様を容易に変更し、仕様の異なる負荷（バックライト等）に容易に適用できるようになる。これにより、基板２の汎用性を向上できるとともに、在庫管理が容易になる。また、同一のメタル用のフォトマスクで、複数の仕様の異なる基板２を形成できるので、コストを削減できる。
【００８７】
また幅Ｗ２１及びＷ２２を同等にし、幅Ｗ２３の共通のアルミラベル２３’を使用することにより、容易に同じ大きさの容量Ｃ２を複数個形成できる。従って、トリミング精度を向上できる。
【００８８】
またこの例では、容量Ｃ２を３個並列に接続したが、これに限られることはなく、４個以上の容量Ｃ２を並列接続するようにしてもよい。このようにすることにより、きめ細かいトリミングが可能になるので、同一のメタルパターンの基板２を、より多くの仕様の負荷に応用することができる。
【００８９】
なおこの例では、バックライトの仕様に応じてトリミング工程を実行するようにしたが、これに限られることはなく、電極２１〜２３及び容量Ｃ２の大きさや、基板２の厚みｄ２等に応じて、トリミング工程を実行するようにしてもよい。このようにすると、合成容量Ｃ２０のバラツキを軽減できる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、高電圧インバータ回路の分圧コンデンサに適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】第１の実施例としての容量Ｃ１の構成例を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、基板１の構成例を示す図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ１の回路構成例を示す概略断面図及び等価回路図である。
【図４】基板回路５０の構成例を示すブロック図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、容量Ｃ１の製造例を示す工程図である。
【図６】第２の実施例としての容量Ｃ２の構成例を示す斜視図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ２のトリミング例（その１）を示す図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ２のトリミング例（その２）を示す等価回路図である。
【符号の説明】
【００９２】
１，２・・・基板、１１〜１３，２１〜２３・・・電極、１３’，２３’・・・アルミラベル、４０・・・スリット、５０・・・基板回路、５１・・・インバータ回路、５２・・・検知回路、５３・・・分圧回路、Ｃ１〜Ｃ３・・・容量、＃１〜＃３・・・蛍光管
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高電圧インバータ回路の分圧コンデンサに適用可能な容量及びその製造方法に関する。詳しくは、基板の一方の面に隣設された第１及び第２の電極と、基板の他方の面に対設された第３の電極とを備え、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向するようにして、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成し、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を基板上に容易に構成できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビ等のバックライト用の電源として、数ｋＶ例えば２ｋＶ程度の高圧交流電源が使用されることが多い。この高圧交流電源は、例えば基板上に実装された高電圧インバータ回路からバックライトに供給される。
【０００３】
この高電圧インバータ回路用の基板には、基板からの出力電圧（高圧交流電源）やバックライト等の異常を検出する為、検知回路が実装されていることが多い。この場合、出力電圧を例えば分圧コンデンサで分圧して検知回路に入力するようになされる。この分圧コンデンサには充分な耐圧が要求されるので、高電圧用（高耐圧仕様）のマイカコンデンサや磁気コンデンサ等の容量部品が用いられることが多い。
【０００４】
しかし、これらの高電圧用のコンデンサは、低電圧用のコンデンサに比べて高価であることが多い。更に容量部品を基板の高耐圧部に実装する場合にも、例えば信頼性を向上する為、部品間の距離等に制約が設けられることが多い。
【０００５】
一方近年では、こうした高電圧インバータ回路のコスト削減の為に様々な工夫がなされている。まず部品レスによるコスト削減方法がある。その一案として、両面基板の両面に、容量の電極を対向して形成し、基板の一部を誘電体とした高電圧用の容量を構成する方法がある。
【０００６】
また他に、安価な片面基板を用いることによるコスト削減方法がある。しかしこの場合には、上述のように基板の一部を誘電体として容量を構成することは難しい。これは、部品が取り付けられる部品面に電極を形成することが難しいことと、部品面に電極を形成できたとしても、配線が形成される配線面へ接続する為、ジャンパ線やビアホールを別途設ける必要があり、これらによるコストアップが懸念される為である。従って、片面基板を用いる場合には、分圧コンデンサとして上述のような容量部品が使用されることが多い。
【０００７】
これに関連して、特許文献１の非接触式データキャリアが開示されている。この非接触式データキャリアによれば、非接触式ＩＣカードの回路を、容量を介して接続される第１の区分及び第２の区分に分離し、第１の区分の回路と容量の一方の電極とを第１の基板に形成するとともに、第２の区分の回路と容量の他方の電極とを第２の基板に形成し、第１の基板及び第２の基板を、両電極を対向させて配して絶縁性樹脂を介在させて積層するようになされる。このようにすることにより、両電極及び絶縁性樹脂でなる容量を構成すると同時に、第１の区分及び第２の区分の回路を接続できるというものである。また、両電極はそれぞれ、例えば導電層のエッチングや電極パターンの印刷等により形成されている。
【０００８】
また、特許文献２の高周波回路基板及び容量調整方法も開示されている。この高周波回路基板及び容量調整方法によれば、絶縁層を複数積層してなる基板に、積層方向に貫通する容量調整孔を設け、容量調整孔の内面に導体を形成して、絶縁層の間に形成された複数の容量を接続するようになされる。このように構成すると、容量調整孔の導体をレーザビーム又はドリルで切削することにより積層された容量の面積を調整できるので、トリミング用の容量の占有面積を最小にできるというものである。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−５７２８７号公報（第３頁、図１）
【特許文献２】特開平１０−１９０３０２号公報（第３及び４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１に係る非接触式データキャリアによれば、ＩＣカードの回路が、容量の絶縁層で２つの区分に分離されて、それぞれの基板に形成されている。しかしこの構造を高電圧インバータ回路に応用しようとすると、基板の両面に分離された回路を形成する必要があるので、両面基板への実装が必要になるとともに製造工程数が増加し、コストアップに繋がるという問題がある。
【００１１】
また、特許文献２に係る高周波回路基板及び容量調整方法によれば、積層方向に複数の容量が重なって形成されている。従って、互いに充分な絶縁距離を必要とする高電圧用の容量に適用することは難しい。また、積層基板は片面基板に比べて製造工程数も多くなり、上述と同様の問題が想定される。
【００１２】
そこで本発明は、上述の課題を解決したものであって、高耐圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の分圧コンデンサを基板上に容易に構成できるようにした容量及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、基板の一方の面に設けられた第１の電極と、第１の電極に隣在して基板の同一面に設けられた第２の電極と、第１及び第２の電極に対向して基板の他方の面に設けられた第３の電極とを備え、第３の電極は、所定の幅及び長さを有し、当該長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向することを特徴とする容量によって解決される。
【００１４】
本発明に係る容量によれば、基板の一方の面に互いに隣設された第１及び第２の電極に対向して、他方の面に設けられた第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向し、他方の端部で第２の電極と対向するものである。従って、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【００１５】
本発明の請求項２に係る容量の製造方法は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、基板の他方の面の第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項２に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に互いに隣設された第１及び第２の電極に対向する他方の面に、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向し、他方の端部で第２の電極と対向するように形成される。従って、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。
【００１７】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法は、絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、基板の他方の面の第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程と、高電圧インバータ回路の仕様、第１乃至第３の電極の大きさ又は基板の厚みに応じて、第１及び／又は第２の配線を切断する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成し、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部を第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を第２の電極と対向させて形成した後で、第１及び第２の配線を高電圧インバータ回路（以下、単にインバータ回路ともよぶ。）の仕様等に応じて切断するようになされる。従って、複数個並列に接続された容量を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じて容易にトリミングできる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明に係る容量によれば、基板の一方の面に隣設された第１及び第２の電極と、基板の他方の面に対設された第３の電極とを備え、第３の電極が、長さ方向の一方の端部で第１の電極と対向するとともに、他方の端部で第２の電極と対向するものである。
【００２０】
この構成により、第１乃至第３の電極間に位置する基板の部位が誘電体層を成し、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を構成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を基板上に容易に構成できる。また、容量の蓄積電極と対向電極とを同一面に隣在して設けられるので、両電極をインバータ回路の配線形成面と同一面に形成できる。これにより、両電極をインバータ回路に容易に接続できるとともに、安価な片面基板に容易に適用できる。
更に、基板と導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量を構成できるので、インバータ回路の部品数を削減できるとともに製造コストを削減できる。更にまた、基板に取り付けられる部品の容量（容量部品）に比べて、耐熱性を向上できるとともに信頼性を向上できる。
【００２１】
この発明の請求項２に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部が第１の電極と対向するとともに、他方の端部が第２の電極と対向するように形成する工程とを有している。
【００２２】
この構成により、第１及び第２の電極のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、第３の電極を中間電極とする直列容量構造を基板上に形成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量を容易に形成できる。また、容量の蓄積電極と対向電極とを、インバータ回路の配線形成面と同一の面に隣在して形成できるので、両電極をインバータ回路に容易に接続できるとともに、安価な片面基板に形成工程を実行できる。
更に、基板と導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量を構成できるので、インバータ回路の部品数を削減できるとともに製造コストを削減できる。更にまた、容量部品を使用した場合に比べて、半田付けによる接合部の数を削減できるので、信頼性を向上できる。また、第３の電極を形成する工程で、第３の電極と第１及び第２の電極とが対向する面積（オーバーラップ面積）を変更できるので、容量の大きさを容易に調整できる。
【００２３】
この発明の請求項９に係る容量の製造方法によれば、基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、他方の面に第３の電極を、長さ方向の一方の端部が第１の電極と対向するとともに、他方の端部が第２の電極と対向するように形成する工程と、第１及び第２の配線をインバータ回路の仕様等に応じて切断する工程とを有している。
【００２４】
この構成により、複数個並列に接続された容量を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じてトリミングできる。従って、基板又は容量のバラツキを低減できるとともに、基板の汎用性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
続いて、この発明に係る容量及びその製造方法について、図面を参照しながら説明をする。
【実施例１】
【００２６】
図１は、本発明に係る第１の実施例としての容量Ｃ１の構成例を示す斜視図である。図１に示す容量Ｃ１は、電極１１〜１３を備え、当該電極間の基板１を誘電体層として構成されるものである。容量Ｃ１は、高電圧インバータ回路に適用して好適なものであり、電極１１及び電極１３間の容量Ｃ１１と、電極１３及び電極１２間の容量Ｃ１２とによる直列容量構造を有している。
【００２７】
基板１は、厚みｄ１の絶縁性の回路基板であり、上面及び下面に例えば高電圧用のインバータ回路５１（図４参照）を実装（構築）されるものである。基板１には、ここでは上方の配線面１ａ及び下方の部品面１ｂからなる片面基板が用いられる。
【００２８】
配線面１ａには、メタルパターンが形成され、部品面１ｂには、ＩＣ、抵抗、容量等の各部品が取り付けられる。基板１には、図示しない部品用の端子挿入孔が形成されており、各部品は、部品面１ｂ側から端子挿入孔に端子を挿入され、配線面１ａにおいて端子を半田付けされて回路に接続される。
【００２９】
また基板１上には、上述のインバータ回路５１に加えて、検知回路５２、分圧回路５３等を備える基板回路５０が構成される（図４参照）。容量Ｃ１は、ここでは分圧回路５３の分圧コンデンサとして用いられる。
【００３０】
電極１１（第１の電極）は、配線面１ａに設けられる。電極１１は、例えば銅箔のメタルパターンで構成され、他の配線と同時にフォトリソグラフィ技術で形成（以下、フォトリソ形成とよぶ。）される。またメタルパターンは、銅箔の他、銀箔、金箔、アルミ箔等の導電性の薄膜により構成され、印刷により形成（印刷形成）される場合もある。更に配線面１ａには、電極１１に隣在するように電極１２が設けられる。
【００３１】
電極１２（第２の電極）は、ここでは電極１１と略同形状で同一面に設けられる。電極１２も、電極１１と同様のメタルパターンで構成される。電極１２は、この例では、スリット４０を介して電極１１と隣り合うようになされる。
【００３２】
スリット４０は、電極１１と電極１２との絶縁距離を短縮する為、基板１に形成される溝である。スリット４０は、電極１１と電極１２との間の略中心位置に、電極１１と電極１２とが隣在する長さに渡って、所定の幅で貫通開口される。この例のようにスリット４０を形成すると、基板１上における容量Ｃ１の占有面積を小さくすることができる。また、電極１１と電極１２との間に充分な絶縁距離を確保できる場合には、スリット４０を形成しなくてもよい。
【００３３】
部品面１ｂの電極１１及び電極１２と対向する位置には、電極１３（第３の電極）が、幅Ｗ３及び長さＬ３を有して設けられる。電極１３は、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃが電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄが電極１２と対向するように配置される。
【００３４】
電極１３は、この例では、一方の面に粘着面を有するとともに、他方の面に絶縁膜を接着形成された導電性の薄膜、例えばアルミラベル１３’で構成される。アルミラベル１３’には、例えばアルミ蒸着ラベルが使用される。また電極１３は、印刷形成された導電性の薄膜、例えば、銅箔、銀ペースト、カーボンペースト等で構成されることもある。
【００３５】
ここで、電極１１と、端部１３ｃ側の電極１３とは、面積Ａ１１で対向するようになされる。これにより、両電極間に位置する基板１の部位が誘電体層として機能し、容量Ｃ１１が構成される。また、電極１２と、端部１３ｄ側の電極１３とは面積Ａ１２で対向し、両電極間の基板１の部位を誘電体層とした容量Ｃ１２が構成される。
【００３６】
容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とは、電極１３を介して直列に接続され、電極１１又は電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする容量Ｃ１を構成する。
【００３７】
図２Ａ及びＢは、基板１の構成例を示すものであり、図２Ａは配線面１ａから、図２Ｂは部品面１ｂからみた図である。図２Ａに示す配線面１ａには、電極１１及び電極１２が上下方向に２つずつ形成されている。両者は同様の容量Ｃ１を構成するので、以下、図中下方に示す電極１１及び電極１２について説明をする。
【００３８】
電極１１は、幅Ｗ１及び長さＬ１を有して配線面１ａに形成される。また、電極１１の幅Ｗ１方向の両側端は、エッジ１１ａ及びエッジ１１ｂを構成している。電極１１のエッジ１１ａには配線６１の端部が連結され、電極１１及び容量Ｃ１を基板回路５０に接続する。
【００３９】
電極１１の隣には、電極１２が幅Ｗ２及び長さＬ２を有して形成される。電極１２の幅Ｗ２方向の両側端は、エッジ１２ａ及びエッジ１２ｂを構成している。電極１２のエッジ１２ａには、配線６２の端部が連結され、電極１２及び容量Ｃ１を基板回路５０に接続する。ここで、電極１１と電極１２とは略同形状に形成される。つまり、幅Ｗ１と幅Ｗ２とは略同等になされ、長さＬ１と長さＬ２とは略同等になされる。
【００４０】
また、電極１１及び電極１２は、エッジ１１ｂ及びエッジ１２ｂを内側にして互いに隣り合い、間隔Ｄ１２を有して配置される。間隔Ｄ１２は、エッジ１１ｂとエッジ１２ｂとの距離であり、電極１１及び電極１２の長さＬ１及びＬ２方向の全域に渡って一定になされる。つまり、電極１１及び電極１２は、間隔Ｄ１２を隔てて略平行に配置される。
【００４１】
またこの例で、電極１１及び電極１２の間には、分離用のスリット４０が形成されている。スリット４０は、長さＬ１及びＬ２方向の両端部から多少突出する長さの溝状になされ、間隔Ｄ１２の略中心位置に配置される。
【００４２】
一方、図２Ｂに示す基板１の部品面１ｂには、電極１３が例えば貼付形成される。電極１３は、例えば幅Ｗ３及び長さＬ３を有するアルミラベル１３’で構成される。電極１３の幅Ｗ３方向の両側端はエッジ１３ａ及びエッジ１３ｂを構成する。また、長さＬ３方向の両端部は、端部１３ｃ及び端部１３ｄを構成し、両側端はエッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’を構成する。
【００４３】
この例では、エッジ１３ａ及びエッジ１３ｂが、エッジ１１ａ及びエッジ１１ｂ、並びにエッジ１２ａ及びエッジ１２ｂと略直角に交差するようになされる。つまり、電極１３と電極１１及び電極１２とが互いに略直角であるとともに、端部１３ｃ及び端部１３ｄの一部が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａから多少突出するように、電極１１〜１３が配置されている。このように構成すると、電極１３と電極１１及び電極１２とのオーバーラップ面積である面積Ａ１１及び面積Ａ１２が、幅Ｗ１（≒幅Ｗ２）と幅Ｗ３との積で求められるとともに、電極１３の幅Ｗ１３を変更することで、容易に容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２の大きさを変更できるようになる。
【００４４】
更に、上述のように幅Ｗ１及び幅Ｗ２を同等にすることにより、容易に容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２を同等の大きさにできるので、互いに直列に接続された容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２にかかる高耐圧を２等分できる。これにより、容量Ｃ１の耐圧を最大限に向上できる。
【００４５】
また、電極１３はアルミラベル１３’で構成されているので、容易にスリット４０を架橋して容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とを接続できる。これにより、容易に容量Ｃ１の占有面積を最小限に抑えることができる。
【００４６】
図３Ａ及びＢは、容量Ｃ１の回路構成例を示す図である。図３Ａの概略断面図に示す容量Ｃ１は、基板１の厚みｄ１方向に形成される容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２が、部品面１ｂの電極１３を中間電極として直列に接続されて構成される。従って、蓄積電極となる電極１１及び対向電極となる電極１２は、配線面１ａで互いに隣設される。またこの電極１１及び電極１２は、電極１２を蓄積電極とし、電極１１を対向電極とすることもできる。ここで、基板１が誘電率εを有する場合、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ａ中の式１及び式２で算出される。
また容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ｂに示す等価回路図を構成する。容量Ｃ１は、容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とが直列接続されて構成されるので、その合成容量は、図３Ｂ中の式３で算出される。またここで、容量Ｃ１１の耐圧をＥ１１、容量Ｃ１２の耐圧をＥ１２とすると、容量Ｃ１の耐圧Ｅ１は両者の和で求められる（図３Ｂの式４参照）。つまり、直列容量構造を有する容量Ｃ１は、容量Ｃ１１又は容量Ｃ１２を単体で使用する場合に比べて耐圧が向上する。この例では２倍になる。このようにして、容量Ｃ１の回路が構成される。
【００４７】
図４は、基板回路５０の構成例を示すブロック図である。図４に示す基板回路５０は基板１上に構成され、この例では３つのバックライト用の蛍光管＃１〜＃３に高圧交流信号を供給するものである。基板回路５０は、インバータ回路５１、検知回路５２、３つの分圧回路５３、入力端子１００、出力端子１０１〜１０３を有して構成される。
【００４８】
基板回路５０は、入力端子１００から直流電圧Ｖ１０を入力されて、出力端子１０１〜１０３から、高圧交流電源である交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３を出力するようになされる。直流電圧Ｖ１０は、例えば３８０Ｖの直流電圧であり、交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３は、例えばピーク電圧が２ｋＶｐ−ｐ,周波数が５０ｋ〜８０ｋＨｚ程度の高圧交流電圧である。出力端子１０１〜１０３には、例えばコネクタを介して蛍光管＃１〜＃３が接続され、交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３を供給される。
【００４９】
また出力端子１０１〜１０３は基板１上で分岐され、分圧回路５３に接続（帰還）される。出力端子１０１〜１０３は、分圧回路５３において、容量Ｃ１及び容量Ｃ３を介してＧＮＤ電位に接続される。ここで容量Ｃ１及び容量Ｃ３は分圧コンデンサを構成し、両容量の接続部は中間電位Ｎ１〜Ｎ３に分圧される。容量Ｃ１と容量Ｃ３との比は、例えば１：１００程度に設定されており、中間電位Ｎ１〜Ｎ３は充分低い電位に降圧される。
【００５０】
降圧された中間電位Ｎ１〜Ｎ３は、例えば、整流用のダイオードＤ１及びＤ２、分圧用の抵抗Ｒ１等を介して検知回路５２に帰還される。検知回路５２は、中間電位Ｎ１〜Ｎ３を監視し、蛍光管＃１〜＃３の異常を検出する。例えば、蛍光管＃２に異常が生じて過電流が生じた場合、中間電位Ｎ２が他の中間電位Ｎ１及びＮ３に比べて下降する。検知回路５２はそうした電圧変化を検出し、検知信号Ｓ２を出力する。
【００５１】
検知信号Ｓ２は、ここではインバータ回路５１に直接入力される。インバータ回路５１は内部に制御部を有し、検知信号Ｓ２に応じて、例えば交流電圧Ｖ１２の供給を停止するようになされる。
【００５２】
ここで、高電圧を印加される容量Ｃ１は、例えば２ｋＶの交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１３とほぼ同程度、又はそれ以上の耐圧が要求される。従って、容量Ｃ１には、高耐圧仕様の部品容量や、基板１上に構成された容量等が使用される。一方、容量Ｃ３は、検知回路５３の構成部品と同程度の耐圧があればよい。従って、容量Ｃ３には、安価な低耐圧仕様の容量部品等が使用される。このようにして基板回路５０が構成される。以下で、容量Ｃ１の製造方法について説明する。
【００５３】
図５Ａ〜Ｆは、容量Ｃ１の製造例を示す工程図である。図５Ａ〜Ｆに示す工程は、絶縁性の基板１に、高電圧インバータ回路用の容量Ｃ１を製造する為のものである。ここではまず、図５Ａ〜Ｅに示す工程で、基板１の配線面１ａに電極１１及び電極１２をフォトリソ形成し、次に図５Ｆに示す工程で、部品面１ｂに電極１３を貼付形成する。またこの製造工程では、容量Ｃ１と並行して基板回路５０を基板１上に形成するようになされる。
【００５４】
容量Ｃ１を製造するには、まず、図５Ａに示す基板１を準備する。ここでは基板１として、銅箔のメタル層Ｍ１が片面に形成されている片面基板を準備する。またこの時、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２を形成するのに好適な、厚みｄ１の絶縁体層を有する基板１を準備する。基板１が準備できたら、メタル層Ｍ１の形成面を配線面１ａとし、他方の面を部品面１ｂとして、以下の工程を実行する。
【００５５】
まず初めにレジスト塗布工程を実行し、配線面１ａの全面に渡って感光剤であるレジストＦ１（フォトレジスト）を、塗布する（図５Ｂ参照）。
次にフォトリソグラフィ工程を実行する。ここではメタル用のフォトマスクでマスキングしてレジストＦ１を露光する。このメタル用のフォトマスクには、所定形状の電極１１及び電極１２並びに基板回路５０の配線等をレチクルパターンとして形成しておく。
【００５６】
メタル用のフォトマスクを用いてレジストＦ１を露光すると、レチクルパターン部以外のレジストＦ１が感光される。次に感光したレジストＦ１を、レジスト除去工程でレジスト除去剤等で除去する。以上により、図５Ｃに示すような形状のレジストＦ１が形成される。
【００５７】
次にメタルエッチング工程を実行し、レジストＦ１に覆われていない部位のメタル層Ｍ１をエッチングする。メタルエッチング工程が終了したら、残存するレジストＦ１をレジスト除去剤等で除去する。ここで、図５Ｄに示すような電極１１及び電極１２、並びに図示しない配線がメタル層Ｍ１で形成される。
【００５８】
形成された電極１１は、幅Ｗ１及び長さＬ１に設定され、電極１２は、幅Ｗ２及び長さＬ２に設定されている。また、電極１１及び電極１２は略同形状（幅Ｗ１＝幅Ｗ２、長さＬ１＝長さＬ２）になされ、幅方向のエッジ１１ｂ及びエッジ１２ｂを内側にして互いに隣り合って配置されている。
【００５９】
またこの例では、この後でスリット形成工程を実行し、切削装置等でスリット４０を形成する。ここではスリット４０を、電極１１及び電極１２間の長さＬ１及びＬ２方向に渡って溝状に切削形成する。ただしこのスリット形成工程は、後述のアルミラベル貼付工程（図５Ｆ参照）の前であれば、いずれの工程で行ってもよい。
【００６０】
更にオーバーコート工程を実行し、配線面１ａを絶縁被膜する。ここでは配線面１ａに、半田付け用の部位等を残してソルダーレジストＦ２を塗布し、図５Ｅに示すような絶縁膜を形成する。またオーバーコート工程では、図５Ａ〜Ｄに示したような一連の工程（フォトリソ形成工程）が実行されるが、ここでは簡略化の為、説明を割愛する。以上のようにして、配線面１ａに、電極１１及び電極１２が隣在して形成される。
【００６１】
次に、アルミラベル貼付工程を実行し、基板１の部品面１ｂに電極１３を形成する。ここでは、図１及び２に示したような幅Ｗ３、長さＬ３のアルミラベル１３’を部品面１ｂに貼付して電極１３を形成する。この時、アルミラベル１３’を、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃが電極１１と対向するとともに、他方の端部１３ｄが電極１２と対向するように貼付する（図５Ｆ参照）。またここで、正確に位置を合わせて貼付する為、基板１の配線面１ａ及び部品面１ｂに、図示しない合わせマークを形成しておくとよい。
【００６２】
またこの例では、アルミラベル１３’を貼付する際に、長さＬ３方向が、長さＬ１及びＬ２方向と略直角に交差するように配置する。従って、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２の上面形状は長方形になり、容量Ｃ１１及び容量Ｃ１２は、図３Ａに示した式１及び式２で容易に算出される。
【００６３】
更に、ここでは電極１３の長さＬ３方向の両端部、端部１３ｃ及び端部１３ｄが、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａから突出する部位、マージン１３ｃ”及びマージン１３ｄ”を有するようにアルミラベル１３’を貼付する。マージン１３ｃ”は、エッジ１１ａの部品面１ｂへの投影線から、エッジ１３ｃ’までの間に位置する電極１３の部位である。マージン１３ｄ”は、エッジ１２ａの部品面１ｂへの投影線から、エッジ１３ｄ’までの間に位置する電極１３の部位である。
【００６４】
このようにすると、アルミラベル１３’の貼付位置のズレによる面積Ａ１１及びＡ１２のバラツキが少なくなり、容量Ｃ１１と容量Ｃ１２とのバラツキを最小限に抑えることができる。このようにして、基板１上に容量Ｃ１を製造（形成）することができる。
【００６５】
このようにこの発明の第１の実施例に係る容量Ｃ１によれば、基板１の配線面１ａに互いに隣設された電極１１及び電極１２に対向して、部品面１ｂに設けられた電極１３が、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向し、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するものである。
【００６６】
従って、電極１１〜１３の間に位置する基板１の部位が誘電体層を成し、電極１１及び電極１２のいずれかを蓄積電極及び対向電極とするとともに、電極１３を中間電極とする直列容量構造を構成できる。これにより、高電圧インバータ回路に適した高耐圧仕様の容量Ｃ１を基板１上に容易に構成できる。
【００６７】
また、容量Ｃ１の蓄積電極と対向電極とを同一面に隣在して設けられるので、両電極をインバータ回路５１の配線形成面と同一面に形成できる。これにより、両電極とインバータ回５１に容易に接続できるとともに、安価な片面基板への適用が容易になる。更に、容量Ｃ１を使用することにより、容量部品を使用した場合に比べて半田付けによる接合部の数を削減できるので、信頼性を向上できる。
【００６８】
更に、この発明に係る容量Ｃ１の製造方法によれば、基板１の配線面１ａに互いに隣設された電極１１及び電極１２に対向する部品面１ｂに、電極１３が、長さＬ３方向の一方の端部１３ｃで電極１１と対向し、他方の端部１３ｄで電極１２と対向するように形成される。
【００６９】
従って、基板１とメタルパターン及びアルミラベル（アルミシール、アルミ蒸着ラベル）等の導電性の薄膜とにより高耐圧仕様の容量Ｃ１を構成できるので、インバータ回路５１に用いる部品数を削減できる。
【００７０】
更に、電極１１及び電極１２を、インバータ回路５１等の配線形成と同時に、例えばフォトリソ形成工程で形成できるとともに、電極１３を、アルミラベル貼付工程で一発形成できる。従って、容量Ｃ１の為に追加される製造工程の数を最小限、例えば１工程に抑えられる。
【００７１】
また、電極１３をアルミラベル貼付工程で形成することにより、電極１１と電極１２との間に絶縁距離短縮用のスリット４０を形成した場合においても、スリット４０を容易に架橋することができる。従って、容易に容量Ｃ１の占有面積を小さくできるとともに、基板１の小型化に貢献できる。また、アルミラベル貼付工程において、貼付するアルミラベル１３’の幅Ｗ３及び貼付位置を変更することにより、容易に容量Ｃ１の大きさを調整できる。
【００７２】
また例えば、フォトリソ形成工程後の基板１に、アルミラベル貼付工程で幅Ｗ３の異なるアルミラベル１３’を貼付して、容量Ｃ１の大きさが異なる基板１を形成することもできる。従って、基板１の汎用性を向上できるとともに、基板１の在庫管理が容易になる。更に基板１の納期短縮にも貢献できる。
【００７３】
またこの例では、アルミラベル貼付工程で、電極１３の端部１３ｃ及び端部１３ｄが、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａからマージン１３”及びマージン１３ｄ”を有して突出するように電極１３を貼付したが、これに限られることはなく、電極１３のエッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａと略同一線上になるように、電極１３を貼付してもよい。このようにすると、アルミラベル１３’の長さＬ３を最小限に抑えることができる。またもちろん、エッジ１３ｃ’及びエッジ１３ｄ’が、エッジ１１ａ及びエッジ１２ａの内側になるように配置してもよい。
【００７４】
またこの例では、電極１３をアルミラベル１３’で貼付形成するようにしたが、これに限られることはなく、電極１３を導電性の薄膜で印刷形成してもよい。ただしこの場合には、スリット形成工程を削除するか、形成されたスリット４０の周辺部に、端部１３ｃ及び１３ｄを接続する配線又はメタルパターンを形成するようにする。
【００７５】
またここでは、電極１３を、電極１１及び電極１２と略９０°で交差するように配置したが、これに限られることはなく、任意の所定角度で交差するようにしてもよい。この場合は、容量Ｃ１１及びＣ１２の上面形状は平行四辺形となるが、両者の大きさは容易に同等になされる。
【実施例２】
【００７６】
図６は、この発明に係る第２の実施例としての容量Ｃ２の構成例を示す斜視図である。図６に示す容量Ｃ２は、実施例１の容量Ｃ１と略同等に構成されるものである。容量Ｃ２は、配線７１及び配線７２により、複数個ここでは３個並列に接続されて合成容量Ｃ２０を構成している。合成容量Ｃ２０は、配線７１及び配線７２を切断されることによりトリミング可能な容量であり、例えば図４に示したインバータ回路５１の出力部の分圧コンデンサとして、容量Ｃ１に替えて用いられる。
【００７７】
個々の容量Ｃ２は、それぞれ電極２１〜２３を備え、当該電極間の基板２を誘電体層として構成される。容量Ｃ２は、電極２１及び電極２３間の容量Ｃ２１と、電極２３及び電極２２間の容量Ｃ２２とによる直列容量構造を有している。また基板２には、第１の実施例の基板１と同様に片面基板が用いられる。基板２は、配線面２ａ及び部品面２ｂを有するとともに、厚みｄ２を有して構成される。
【００７８】
電極２１（第１の電極）は、幅Ｗ２１を有して配線面２ａに設けられる。電極２１は、ここではメタルパターンで構成される。配線面２ａには、電極２１に隣在するように電極２２が設けられる。
【００７９】
電極２２（第２の電極）は、幅Ｗ２２を有して電極２１と同一面に設けられる。電極２２は、電極２１と略同形状のメタルパターンで構成される。つまり、幅Ｗ２１及び幅Ｗ２２は略同等になされる。
【００８０】
部品面２ｂの電極２１及び電極２２と対向する位置には、電極２３（第３の電極）が、幅Ｗ２３を有して設けられる。電極２３は、例えばアルミラベル２３’で構成される。
【００８１】
電極２３は、長さ方向の一方の端部で、電極２１と対向するとともに、他方の端部で電極２２と対向するように配置される。このようにして、容量Ｃ２が構成される。容量Ｃ２は、ここでは３個配置され、３個の電極２１及び電極２２が、配線７１及び配線７２により互いに並列に接続されることにより合成容量Ｃ２０を構成する。容量Ｃ２は、図５Ａ〜Ｆに示したような第１の実施例と同様の製造方法により形成される。以下で、容量Ｃ２のトリミング方法について説明をする。
【００８２】
図７Ａ及びＢは、容量Ｃ２のトリミング例（その１）を示す図である。図８Ａ及びＢは、容量Ｃ２のトリミング例（その２）を示す等価回路図である。図７Ａ及び図８Ａに示す容量Ｃ２は、図５Ａ〜Ｆに示した製造工程後、トリミング工程前の状態である。この状態の容量Ｃ２は、配線７１及び配線７２により３つ並列に接続されている。
【００８３】
このように製造された容量Ｃ２にトリミング工程を実行する場合、例えば適用先（電源の供給先）のバックライトの仕様に応じて、配線７１及び配線７２の所定箇所を切断する。例えば容量Ｃ２の並列数を３列から２列に変更したい場合は、図７Ｂに示す配線部位７１’、７２’をレーザカッター等で切断する。このようにトリミング工程を実行すると、図８Ｂに示す２列の並列回路（合成容量Ｃ２０’）が容易に形成される。
【００８４】
このようにこの発明の第２の実施例に係る容量Ｃ２によれば、基板２の一方の面に、配線７１で互いに接続される複数の電極２１と、配線７２で互いに接続される複数の電極２２とを隣在させて形成し、他方の面に電極２３を、長さ方向の一方の端部を電極２１と対向させるとともに、他方の端部を電極２２と対向させて形成した後で、配線７１及び７２をインバータ回路の仕様等に応じて切断するようになされる。
【００８５】
従って、複数個並列に接続された容量Ｃ２を基板上に容易に形成できるとともに、形成された容量Ｃ２の並列数を、インバータ回路の仕様等に応じてトリミングできる。
【００８６】
これにより、同一の製造工程を経た基板２の仕様を容易に変更し、仕様の異なる負荷（バックライト等）に容易に適用できるようになる。これにより、基板２の汎用性を向上できるとともに、在庫管理が容易になる。また、同一のメタル用のフォトマスクで、複数の仕様の異なる基板２を形成できるので、コストを削減できる。
【００８７】
また幅Ｗ２１及びＷ２２を同等にし、幅Ｗ２３の共通のアルミラベル２３’を使用することにより、容易に同じ大きさの容量Ｃ２を複数個形成できる。従って、トリミング精度を向上できる。
【００８８】
またこの例では、容量Ｃ２を３個並列に接続したが、これに限られることはなく、４個以上の容量Ｃ２を並列接続するようにしてもよい。このようにすることにより、きめ細かいトリミングが可能になるので、同一のメタルパターンの基板２を、より多くの仕様の負荷に応用することができる。
【００８９】
なおこの例では、バックライトの仕様に応じてトリミング工程を実行するようにしたが、これに限られることはなく、電極２１〜２３及び容量Ｃ２の大きさや、基板２の厚みｄ２等に応じて、トリミング工程を実行するようにしてもよい。このようにすると、合成容量Ｃ２０のバラツキを軽減できる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、高電圧インバータ回路の分圧コンデンサに適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】第１の実施例としての容量Ｃ１の構成例を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、基板１の構成例を示す図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ１の回路構成例を示す概略断面図及び等価回路図である。
【図４】基板回路５０の構成例を示すブロック図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、容量Ｃ１の製造例を示す工程図である。
【図６】第２の実施例としての容量Ｃ２の構成例を示す斜視図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ２のトリミング例（その１）を示す図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、容量Ｃ２のトリミング例（その２）を示す等価回路図である。
【符号の説明】
【００９２】
１，２・・・基板、１１〜１３，２１〜２３・・・電極、１３’，２３’・・・アルミラベル、４０・・・スリット、５０・・・基板回路、５１・・・インバータ回路、５２・・・検知回路、５３・・・分圧回路、Ｃ１〜Ｃ３・・・容量、＃１〜＃３・・・蛍光管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、
前記基板の一方の面に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極に隣在して前記基板の同一面に設けられた第２の電極と、
前記第１及び第２の電極に対向して前記基板の他方の面に設けられた第３の電極とを備え、
前記第３の電極は、
所定の幅及び長さを有し、
当該長さ方向の一方の端部で前記第１の電極と対向するとともに、他方の端部で前記第２の電極と対向することを特徴とする容量。
【請求項２】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、
前記基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、
前記基板の他方の面の前記第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を前記第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を前記第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程とを有することを特徴とする容量の製造方法。
【請求項３】
前記基板として、
一方の面に導電性の薄膜を形成されるとともに、他方の面に部品を取り付けられる片面基板を使用することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項４】
前記第３の電極を形成する際に、
前記基板の他方の面に導電性の薄膜を貼付することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項５】
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極と前記第１の電極とが対向する面積と、前記第３の電極と前記第２の電極とが対向する面積とを略同等にすることを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の電極を形成する際に、
前記第１の電極を第１の幅及び第１の長さに設定するとともに、
前記第２の電極を第２の幅及び第２の長さに設定して、
前記第１及び第２の電極を、前記第１及び第２の幅方向の片側端が互いに隣り合うように配置し、
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極を第３の幅及び第３の長さに設定するとともに、
前記第３の電極を、前記第３の幅方向の両側端が、前記第１及び第２の幅方向の両側端と交差するように配置することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項７】
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極を、前記第３の長さ方向が、前記第１及び第２の長さ方向と略直角に交差するように配置することを特徴とする請求項６に記載の容量の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の電極を形成する際に、
前記第１及び第２の幅を略同等に設定することを特徴とする請求項６及び７に記載の容量の製造方法。
【請求項９】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、
前記基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、
前記基板の他方の面の前記第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を前記第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を前記第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程と、
前記高電圧インバータ回路の仕様、前記第１乃至第３の電極の大きさ又は前記基板の厚みに応じて、前記第１及び／又は第２の配線を切断する工程とを有することを特徴とする容量の製造方法。
【請求項１】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量であって、
前記基板の一方の面に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極に隣在して前記基板の同一面に設けられた第２の電極と、
前記第１及び第２の電極に対向して前記基板の他方の面に設けられた第３の電極とを備え、
前記第３の電極は、
所定の幅及び長さを有し、
当該長さ方向の一方の端部で前記第１の電極と対向するとともに、他方の端部で前記第２の電極と対向することを特徴とする容量。
【請求項２】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、
前記基板の一方の面に、第１の電極と第２の電極とを隣在させて形成する工程と、
前記基板の他方の面の前記第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を前記第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を前記第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程とを有することを特徴とする容量の製造方法。
【請求項３】
前記基板として、
一方の面に導電性の薄膜を形成されるとともに、他方の面に部品を取り付けられる片面基板を使用することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項４】
前記第３の電極を形成する際に、
前記基板の他方の面に導電性の薄膜を貼付することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項５】
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極と前記第１の電極とが対向する面積と、前記第３の電極と前記第２の電極とが対向する面積とを略同等にすることを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の電極を形成する際に、
前記第１の電極を第１の幅及び第１の長さに設定するとともに、
前記第２の電極を第２の幅及び第２の長さに設定して、
前記第１及び第２の電極を、前記第１及び第２の幅方向の片側端が互いに隣り合うように配置し、
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極を第３の幅及び第３の長さに設定するとともに、
前記第３の電極を、前記第３の幅方向の両側端が、前記第１及び第２の幅方向の両側端と交差するように配置することを特徴とする請求項２に記載の容量の製造方法。
【請求項７】
前記第３の電極を形成する際に、
当該第３の電極を、前記第３の長さ方向が、前記第１及び第２の長さ方向と略直角に交差するように配置することを特徴とする請求項６に記載の容量の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の電極を形成する際に、
前記第１及び第２の幅を略同等に設定することを特徴とする請求項６及び７に記載の容量の製造方法。
【請求項９】
絶縁性の基板上に構築される高電圧インバータ回路用の容量の製造方法であって、
前記基板の一方の面に、第１の配線で互いに接続される複数の第１の電極と、第２の配線で互いに接続される複数の第２の電極とを隣在させて形成する工程と、
前記基板の他方の面の前記第１及び第２の電極と対向する部位に、一方の端部を前記第１の電極と対向させるとともに、他方の端部を前記第２の電極と対向させるように、所定の幅及び長さを有する第３の電極を形成する工程と、
前記高電圧インバータ回路の仕様、前記第１乃至第３の電極の大きさ又は前記基板の厚みに応じて、前記第１及び／又は第２の配線を切断する工程とを有することを特徴とする容量の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００８−２９４０７９（Ｐ２００８−２９４０７９Ａ）
【公開日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３５８０２（Ｐ２００７−１３５８０２）
【出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２２日（２００７．５．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]