【課題】蒸着重合膜を連続形成しつつ、蒸着重合膜の組成や膜厚の変化を把握できる蒸着重合膜形成装置を提供する。
【解決手段】赤外光源８８と分光手段と検出器９０と光学系９２とを有する反射型赤外分光光度計８６を設置すると共に、分光手段により分光された赤外光を蒸着重合膜上に集光させる集光鏡１２４と、蒸着重合膜上の集光点での反射光を更に反射させて、検出器９０に導く反射鏡１２６，１２２，１１８とを、光学系９２に設け、更に、集光鏡１２４を、基材フィルムの移送に伴って、蒸着重合膜上での赤外光の集光点の位置を基材フィルムの長さ方向に変化させ得る位置に配置して構成した。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ高い静電容量を得られ、さらに絶縁性能の高い薄膜誘電体を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサは無機物層と、自己組織化によって形成した有機物層とを積層した厚み１０ｎｍ以下の誘電体膜と、前記誘電体膜の表面に形成された電極膜とを有する。電極膜はアルミを蒸着法によって、誘電体膜はアルミ蒸着膜を酸素プラズマ処理によって酸化膜を形成した表面に有機膜を付与して、形成することができる。これらを繰り返し積層、さらに巻回することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた耐湿性を有する金属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム１、２の金属蒸着電極４ａ、４ｂのうち少なくとも一方は、誘電体フィルム３ａ、３ｂとの接合面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成されたマグネシウム含有層とを有し、マグネシウムの原子濃度比率がマグネシウム含有層において最大となるものとした。これにより本発明は、マグネシウム含有層の酸化を抑制し、セルフヒーリング性を高め、耐電圧向上効果を維持することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 所望の静電容量を確保し易いキャパシタ及びその製造方法並びにキャパシタユニットを提供する。
【解決手段】
第１の電極層９と、第１の電極層９の表面上に積層された導電性の第１の凸部１４ａと、第１の凸部１４ａの表面及び第１の電極層９の表面に成膜された第１の誘電体層６と、第１の誘電体層６を介して第１の凸部１４ａ及び第１の電極層９に重なるように設けられた第２の電極層７と、を備えるキャパシタ１Ａを製造可能な構成を有している。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層６を形成する。さらに誘電体層６を粒径４０ナノメートル程度あるいはそれ以下の微粒子の積層、あるいは薄膜と微粒子の交互積層で構成する。 （もっと読む）

【課題】少ない位置決め回数で製造できるコンデンサ装置を提供する。
【解決手段】正極６ｂと負極６ａを備えているコンデンサ素子４と、正極バスバ８ｂと、負極バスバ８ａと、容器２を備えており、正極バスバ８ｂが正極６ｂに接続されているとともに負極バスバ８ａが負極６ａに接続されている状態のコンデンサ素子４が容器２に収容されており、正極バスバ８ｂの上端部と負極バスバ８ａの上端部が容器２の外に引き出されており、正極バスバ８ｂと正極６ｂの接続位置に対向する位置において容器２に正極用貫通孔２８ｂが形成されており、負極バスバ８ａと負極６ａの接続位置に対向する位置において容器２に負極用貫通孔が形成されている。正極用貫通孔２８ｂから治具１０ｂを挿入して正極バスバ８ｂと正極６ｂを接続し、負極用貫通孔から治具１０ａを挿入して負極バスバ８ａと負極６ａを接続する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板に生じるインダクタンスを小さくすることが可能なコンデンサ素子、及び該コンデンサ素子を具えたコンデンサ内蔵基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ素子は、第１電極層11と第２電極層12との間に誘電体層13が介在したコンデンサ素子１であって、第１電極層11は、第２電極層12側の表面111の一部が該第２電極層12によって覆われ、第１電極層11が金属箔により形成される一方、第２電極層12が金属薄膜又は金属箔により形成されている。本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、前記コンデンサ素子１と絶縁基板２とを具え、該絶縁基板２内にコンデンサ素子１を埋設することにより絶縁基板２にコンデンサ素子１が内蔵されている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおいて、誘電体層における欠陥に因らずに発生する誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止する。
【解決手段】キャパシタ１は、金属多結晶体よりなる箔によって構成された下部電極層２と、上部電極層４と、下部電極層２と上部電極層４との間に配置された誘電体層３とを備えている。下部電極層２の上面２ａには、金属多結晶体の粒界が現れている。キャパシタ１は、更に、誘電体層３の上面３ｂと上部電極層４の下面４ａとの間において、誘電体層３の上面３ｂと上部電極層４の下面４ａとが対向する領域のうちの一部にのみ配置された絶縁膜５を備えている。この絶縁膜５は、誘電体層３の上面３ｂの上方から見たときに、下部電極層２の上面２ａに現れた粒界のうちの少なくとも一部を覆うように配置されている。絶縁膜５は、電気泳動法を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板の製造方法において、絶縁基材上にコンデンサ素子を搭載する工程を簡略化する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、素子シート作製工程と、貼付け工程と、エッチング工程と、積層工程とを有する。ここで、素子シート作製工程では、金属箔50を用いて、該金属箔50の内、コンデンサ素子の第１電極層となる所定領域54上に誘電体層13を形成し、その後、該誘電体層13上にコンデンサ素子の第２電極層となる金属層53を形成することにより、コンデンサ素子となる素子部５が設けられた素子シート６を作製する。貼付け工程では、素子シート６を絶縁基材20上に貼り付ける。エッチング工程では、金属箔50にエッチングを施すことにより、絶縁基材20上に所定領域54を残置させて、素子シート６に設けられた素子部５からなるコンデンサ素子を形成する。積層工程では、該絶縁基材20上に別の絶縁基材20を積層する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおいて、誘電体層における欠陥に因らずに発生する誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止する。
【解決手段】キャパシタ１は、下部電極層２と、上部電極層４と、下部電極層２と上部電極層４との間に配置された誘電体層３と、誘電体層３の上面３ｂと上部電極層４の下面４ａとの間において、誘電体層３の上面３ｂと上部電極層４の下面４ａとが対向する領域のうちの一部にのみ配置された絶縁膜５を備えている。絶縁膜５は、電気泳動法を用いて形成される。絶縁膜５を形成する工程では、下部電極層４と対向電極との間に、キャパシタの定格電圧の１．５倍以上１０倍以下の印加電圧を印加し、これにより、誘電体層３において、印加電圧以下の電圧が印加されたときに絶縁破壊するような箇所を予め強制的に絶縁破壊すると共に、その箇所を絶縁膜５によって補修する。 （もっと読む）

【課題】より優れた放熱特性を発揮し得るフィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体膜１４と金属蒸着膜１６とを積層してなる積層体１８を用いて得られるコンデンサ素子１２の最外層を、電気絶縁性と伝熱性とを備えた保護膜２２にて構成すると共に、かかるコンデンサ素子１２に対して、放熱板３２を、保護膜２２の外面のみに接触させた状態で装着して、構成した。 （もっと読む）

【課題】インダクタンスを低減すると共に、有効電極面積の減少を抑えて小型化することが可能な薄膜キャパシタ、多層配線基板、および半導体装置を提供する。
【解決手段】誘電体層の上面に第１極性の電極層、前記誘電体層の下面に第２極性の電極層を有し、特定位置の周りに配置された複数の第１容量素子と、前記誘電体層の上面に前記第２極性の電極層、前記誘電体層の下面に前記第１極性の電極層を有し、前記特定位置の周りに前記複数の第１容量素子と交互に配置された複数の第２容量素子と、前記特定位置に設けられ、前記複数の第１容量素子のすべての第１極性の電極層および前記複数の第２容量素子のすべての第１極性の電極層を接続する単一の共通接続孔と、前記共通接続孔の周りに設けられ、前記複数の第１容量素子の各々の第２極性の電極層を、隣接する前記第２容量素子の第２極性の電極層に接続する複数の個別接続孔とを備えた薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】フィルムそのものを加工することなく、金属化フィルムとメタリコンとの接触部分の機械的強度を向上させる。
【解決手段】フィルムコンデンサ（10）は、第１フィルム（11）が、第２フィルム（15）に対して幅方向に突出するように配置されて巻回された金属化フィルム（22）において第１突出端（12a）と第１没入端（12b）とが積層方向に向かって繰り返されるように構成され、第１突出端（12a）の第１没入端（12b）から幅方向へ突出する部分において金属膜（21）が露出するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子１０は、基板２０と、基板２０の上に位置する第１コンデンサ３０と、基板２０の上に位置して第１コンデンサ３０と電気的に並列接続されている第２コンデンサ４０とを有し、第１コンデンサ３０は、第１下部電極３１と第１誘電体３２と第１上部電極３３とで構成され、第２コンデンサ４０は、基板２０側から順に第１下部電極３１と異なる材料からなる第１層４１ｘと、第１下部電極３１と同じ材料からなる第２層４１ｙとが積層されてなる第２下部電極４１と、第１誘電体３２と同じ組成の材料からなる第２誘電体４２と、第２上部電極４３とで構成され、温度が上昇する際の第１コンデンサ３０の静電容量の変化量と第２コンデンサ４０の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極表面積を増やし電極間の距離を縮めることで、静電容量を大きくすることができるセラミック電子部品用多層薄膜フィルム及びその製造方法に関する。
【解決手段】基板と、前記基板の上部面及び下部面の少なくとも一方の面に交互に形成されたセラミック層及び金属層と、を含み、前記セラミック層及び前記金属層のうちの少なくとも一層の高さが、平面状に配列される複数の粒子の少なくとも１つの厚さとなるセラミック電子部品用多層薄膜フィルム及びその製造方法が提供される。本発明によるセラミック電子部品用多層薄膜フィルムは、積層数が増え電極間の距離を縮めることで、静電容量を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、貫通孔１０を有する金属製の基材１と、基材１の表面１１上に形成された第１誘電体層２１と、基材１の裏面１２上に形成された第２誘電体層２２と、第１誘電体層２１上に形成された第１電極層３１と、第２誘電体層２２上に形成された第２電極層３２と、導電部４と、電気絶縁層５とを備えている。導電部４は、貫通孔１０の内側を通って、第１電極層３１と第２電極層３２とを互いに電気的に接続させている。電気絶縁層５は、導電部４と基材１との間に介在すると共に、樹脂材及び／又は誘電体材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品は、セラミック層と、上記セラミック層上に形成された金属層と、上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、を含む。本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品を用いた積層セラミック電子部品は、電極間の間隔が減少し、電気容量が増加するため、高容量積層セラミック電子部品が提供される。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において、高い耐湿性を実現すると共に電気特性の検査を可能にする。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、第１電極層３１、第２電極層３２、及び保護膜４１を備えている。誘電体層２は、基材１の表面上に形成されている。第１電極層３１は、誘電体層２の表面上に形成されている。第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。一方、第１電極層３１の表面と第２電極層３２の表面とにはそれぞれ露出面３１ａ，３２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の第１基材１１、金属製の第２基材１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、及び金属層３を備えている。第２基材１２は、第１基材１１に対向して配置されている。第１誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第１基材１１の対向面１１ａ上に形成されている。第２誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第２基材１２の対向面１２ａ上に形成されている。金属層３は、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在している。 （もっと読む）

【課題】製造過程において溶液の影響が誘電体層に及び難い積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、保護膜４、及び電極層５を備えている。誘電体層２は、基材１の表面上に形成されている。保護膜４は、耐食性及び／又は耐湿性を有する膜であって、誘電体層２の表面を被覆している。電極層５は、保護膜４の表面上に形成されている。本発明に係る製造方法は、工程（ａ）、工程（ｂ）、及び工程（ｃ）を有している。工程（ａ）では、金属製の基材１の表面上に誘電体層２を形成する。工程（ｂ）では、誘電体層２の露出面を、耐食性及び／又は耐湿性を有する保護膜４によって被覆する。工程（ｃ）では、ウェットプロセス技術を用いて、保護膜４の表面上に電極層５を形成する。 （もっと読む）