積層構造体及びその製造方法
【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の第１基材１１、金属製の第２基材１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、及び金属層３を備えている。第２基材１２は、第１基材１１に対向して配置されている。第１誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第１基材１１の対向面１１ａ上に形成されている。第２誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第２基材１２の対向面１２ａ上に形成されている。金属層３は、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在している。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の第１基材１１、金属製の第２基材１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、及び金属層３を備えている。第２基材１２は、第１基材１１に対向して配置されている。第１誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第１基材１１の対向面１１ａ上に形成されている。第２誘電体層２１は、第１基材１１と第２基材１２との対向面の内、第２基材１２の対向面１２ａ上に形成されている。金属層３は、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ回路を有した回路基板や薄膜キャパシタ等の積層構造体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願に関連する技術として、絶縁基板内に薄膜キャパシタを埋め込む技術が存在する（例えば、特許文献１参照）。この技術により作製された基板は、コンデンサ内蔵基板と呼ばれ、薄膜キャパシタの高密度化が可能である。ここで、薄膜キャパシタは、電極箔と、該電極箔上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極層とから構成されており、シート状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、コンデンサ内蔵基板の小型化や、コンデンサ内蔵基板に搭載する能動素子の高性能化に伴い、薄膜キャパシタの高容量化が望まれている。具体的には、薄膜キャパシタについて、その単位面積あたりの静電容量を増大させることが望まれている。しかしながら、従来の薄膜キャパシタは、誘電体層が１層だけ積層された単層構造を有しているに過ぎない。このため、従来の薄膜キャパシタにおいては、その高容量化に限界があった。
【０００５】
そこで本発明の目的は、積層構造体において高容量化を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層構造体は、金属製の第１基材、金属製の第２基材、第１誘電体層、第２誘電体層、及び金属層を備えている。第２基材は、前記第１基材に対向して配置されている。第１誘電体層は、前記第１基材と第２基材との対向面の内、第１基材の対向面上に形成されている。第２誘電体層は、前記第１基材と第２基材との対向面の内、第２基材の対向面上に形成されている。金属層は、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に介在している。
【０００７】
上記積層構造体の具体的構成において、前記金属層は、第１誘電体層の表面上に形成された第１金属薄膜と、第２誘電体層の表面上に形成された第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着することにより構成されている。
【０００８】
上記積層構造体において、前記第１基材と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されていてもよい。
【０００９】
上記積層構造体の他の具体的構成において、前記第１基材には、互いに離間して配置された第１電極部と第２電極部とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第１導電ビアが形成されている。そして、前記第１電極部と金属層とが、第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている。該具体的構成において、前記第２電極部と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されていてもよい。
【００１０】
より具体的な構成において、前記金属層には、互いに離間して配置された電極層と接続層とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第２導電ビアが更に形成され、前記第２誘電体層には、該第２誘電体層を貫通した第３導電ビアが形成されている。そして、前記第１電極部と電極層とが、前記第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている。又、前記第２導電ビアと第３導電ビアとが、前記接続層を介して互いに電気的に接続されており、第２導電ビアに前記第２電極部が電気的に接続される一方、第３導電ビアに第２基材が電気的に接続されている。
【００１１】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）、及び工程（ｄ）を有している。工程（ａ）では、金属製の第１基材の表面上に第１誘電体層を形成する。工程（ｂ）では、金属製の第２基材の表面上に第２誘電体層を形成する。工程（ｃ）では、前記第１誘電体層の表面上に第１金属薄膜を形成する。工程（ｄ）では、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に前記第１金属薄膜が介在することとなる様に、第１基材と第２基材とを積層する。
【００１２】
上記製造方法の具体的態様において、該製造方法は、工程（ｅ）を更に有している。工程（ｅ）は、前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｅ）では、前記第２誘電体層の表面上に第２金属薄膜を形成する。そして、工程（ｄ）では、前記第１金属薄膜と第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着する。
【００１３】
上記製造方法において、工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、第１基材と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成してもよい。
【００１４】
上記製造方法の他の具体的態様において、該製造方法は、工程（ｆ）及び工程（ｇ）を更に有している。工程（ｆ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｆ）では、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する。工程（ｇ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｇ）では、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜とを互いに電気的に接続させる導電ビアを形成する。該具体的態様において、工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、前記第２電極部と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成してもよい。
【００１５】
上記製造方法の内、工程（ｅ）が実行される態様について、より具体的には、該製造方法は、工程（ｈ）、工程（ｉ）、工程（ｊ）、工程（ｋ）、及び工程（ｌ）を更に有している。工程（ｈ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｈ）では、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する。工程（ｉ）は、前記工程（ｃ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｉ）では、前記第１金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する。工程（ｊ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｊ）では、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜の電極用金属膜とを互いに電気的に接続させる第１導電ビアと、前記第２電極部と第１金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第２電ビアとを形成する。工程（ｋ）は、前記工程（ｅ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｋ）では、前記第２金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する。ここで、第２金属薄膜の電極用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の電極用金属膜と重なり合い、第２金属薄膜の接続用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の接続用金属膜と重なり合うこととなる。工程（ｌ）は、前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｌ）では、前記第２誘電体層に対して、前記第２基材と第２金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第３導電ビアを形成する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る積層構造体及びその製造方法によれば、積層構造体の高容量化を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。
【図２】図１に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について、その流れを示したフローチャートである。
【図４】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、成膜工程の説明に用いられる断面図である。
【図５】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図６】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図７】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図８】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、成膜工程の説明に用いられる断面図である。
【図９】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図１０】該製造方法にて実行される積層工程の説明に用いられる断面図である。
【図１１】第１実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。
【図１３】図２に示されるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について、その流れを示したフローチャートである。
【図１５】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１６】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図１７】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１８】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第３パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１９】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図２０】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図２１】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図２２】該製造方法にて実行される積層工程の説明に用いられる断面図である。
【図２３】第２実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。
【図２４】上記薄膜キャパシタの変形例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。図２は、図１に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図２に示す様に、薄膜キャパシタは、第１電極箔１１、第２電極箔１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、金属層３、保護膜４１、及び補強部４２を備えている。
【００１９】
第１電極箔１１及び第２電極箔１２は、互いに対向して配置されている。ここで、第１電極箔１１及び第２電極箔１２は何れも、金属製の基材である。第１電極箔１１及び第２電極箔１２を構成する金属材料にはそれぞれ、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）、アルミニウム（Al）、白金（Pt）等、箔を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられる。尚、第１電極箔１１及び第２電極箔１２を構成する金属材料には、同種の物質が用いられてもよいし、異種の物質が用いられてもよい。
【００２０】
第１誘電体層２１は、第１電極箔１１と第２電極箔１２との対向面の内、第１電極箔１１の対向面１１ａ上に形成されている。第２誘電体層２２は、第１電極箔１１と第２電極箔１２との対向面の内、第２電極箔１２の対向面１２ａ上に形成されている。ここで、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の形成にはそれぞれ、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法が用いられる。尚、粉末噴射コーティング法は、気体の流れを利用して、粉末をターゲット（第１電極箔１１や第２電極箔１２）の表面に噴き付け、これにより該ターゲットの表面上に粉末を堆積させて薄膜を形成する方法である。粉末噴射コーティング法には、ＰＪＤ（Powder Jet Deposition）法やＡＤ（Aerosol Deposition）法の方法が存在する。
【００２１】
第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２を構成する誘電体材料にはそれぞれ、チタン酸バリウム(BaTiO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、チタン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PbLaZrTiO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タンタル(Ta2O5)等を主成分とする種々の誘電体材料を用いることが出来る。尚、誘電体材料には、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の誘電特性、絶縁特性、及び強度等の物性を向上させるべく、種々の添加物が含まれていてもよい。
【００２２】
金属層３は、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在している。金属層３は、第１誘電体層２１の表面上に形成された第１金属薄膜３１と、第２誘電体層２２の表面上に形成された第２金属薄膜３２とを、導電性接着材３３によって互いに接着することにより構成されている。ここで、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の形成にはそれぞれ、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。又、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２を構成する金属材料にはそれぞれ、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）、アルミニウム（Al）、白金（Pt）等、薄膜を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられる。尚、金属層３は、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着することにより構成されていてもよい。
【００２３】
図１及び図２に示す様に、第１電極箔１１には、互いに離間して配置された第１電極部１１１と第２電極部１１２とが形成されている。具体的には、第１電極部１１１は、第１電極箔１１の４箇所に形成されている（図１参照）。第２電極部１１２は、４つの第１電極部１１１〜１１１をそれぞれ包囲すると共に、各第１電極部１１１から離間して形成されている。
【００２４】
第２電極部１１２と第２電極箔１２とは、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側に位置する接続部６を介して、互いに電気的に接続されている。具体的には、接続部６は、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置にて互いに電気的に接続することにより構成されている。ここで、第１電極箔１１の側端部１１０は、第２電極部１１２に含まれている。本実施形態においては、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とは、これらの間に導電性接着材６１を介在させることにより、互いに電気的に接続されている。尚、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とは、これらの外周面に導電性接着材を塗布することにより、互いに電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
図２に示す様に、第１誘電体層２１には、該第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通した導電ビア５が形成されている。具体的には、導電ビア５は、４つの第１電極部１１１〜１１１に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の４箇所に形成されている。そして、第１電極部１１１〜１１１と第１金属薄膜３１とが、各第１電極部１１１に対応する導電ビア５を介して、互いに電気的に接続されている。
【００２６】
ここで、各第１電極部１１１と第２電極部１１２とは、互いに離間して配置されている。従って、各第１電極部１１１が、これに対応する導電ビア５に電気的に接続される一方で、第２電極部１１２は、導電ビア５〜５から電気的に絶縁されている。
【００２７】
保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。保護膜４１を構成する保護材料には、例えば樹脂材が用いられる。保護膜４１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を埋めている。従って、第１誘電体層２１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を通じて外気に晒されることがない。よって、第１誘電体層２１による吸湿が防止され、その結果、薄膜キャパシタにおいて高い耐湿性が実現されることになる。尚、図２に示す様に接続部６の内側に間隙Ｓが形成される場合には、該間隙Ｓに樹脂材等の保護材料を充填してもよい。
【００２８】
補強部４２は、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の側端部１１０，１２０の外周面を被覆している。これにより、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２との接着強度、並びに第１電極箔１１と第２電極箔１２との接続強度が補強されている。補強部４２を構成する補強材料には、例えば樹脂材が用いられる。
【００２９】
次に、第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について説明する。ここで、図３は、該製造方法の流れを示したフローチャートである。図３に示す様に、該製造方法では、第１構成部作製工程（Ａ）、第２構成部作製工程（Ｂ）、及び積層工程（Ｃ）が実行される。第１構成部作製工程（Ａ）と第２構成部作製工程（Ｂ）とでは、第１実施形態の薄膜キャパシタを構成する第１構成部１０１と第２構成部１０２（図１０（ａ）参照）とがそれぞれ作製される。第１構成部作製工程（Ａ）では、成膜工程（Ａ１）、第１パターニング工程（Ａ２）、金属薄膜形成工程（Ａ３）、及び第２パターニング工程（Ａ４）が順に実行される。第２構成部作製工程（Ｂ）では、成膜工程（Ｂ１）、及び金属薄膜形成工程（Ｂ２）が順に実行される。積層工程（Ｃ）は、第１構成部作製工程（Ａ）及び第２構成部作製工程（Ｂ）の両工程の後に実行される。
【００３０】
図４は、成膜工程（Ａ１）の説明に用いられる断面図である。図４に示す様に、成膜工程（Ａ１）では、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法を用いて、第１電極箔１１の表面（対向面１１ａとなる面）上に第１誘電体層２１を形成する。尚、成膜工程（Ａ１）では、第１電極箔１１の表面上に、第１誘電体層２１となる成膜層を形成した後、該成膜層に対して熱処理を施すことにより、第１誘電体層２１を形成してもよい。又、第１構成部作製工程（Ａ）では、後述する第２パターニング工程（Ａ４）にて第１電極箔１１に対してエッチング処理が施される。従って、第１電極箔１１を構成する材料には、エッチング処理が施し易い物質、例えば銅（Cu）を用いることが好ましい。
【００３１】
図５は、第１パターニング工程（Ａ２）の説明に用いられる断面図である。図５に示す様に、第１パターニング工程（Ａ２）では、第１誘電体層２１に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第１誘電体層２１の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する貫通孔７を形成する。ここで、所定箇所は、導電ビア５を形成せんとする４箇所に設定されている。
【００３２】
図６は、金属薄膜形成工程（Ａ３）の説明に用いられる断面図である。図６に示す様に、金属薄膜形成工程（Ａ３）では、第１誘電体層２１の表面上に第１金属薄膜３１を形成する。ここで、第１金属薄膜３１の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第１金属薄膜３１の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって貫通孔７〜７が充填され、或いは、第１金属薄膜３１の一部が貫通孔７〜７の内面にも形成される。これにより、第１誘電体層２１に導電ビア５〜５が形成され、該導電ビア５〜５によって、第１金属薄膜３１と第１電極箔１１とが互いに電気的に接続される。
【００３３】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２パターニング工程（Ａ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ａ４）では、図７（ａ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面（対向面１１ａとなる面とは反対側の面）上にレジスト膜８を形成することにより、第１電極箔１１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１電極箔１１の裏面の内、第１電極部１１１〜１１１を形成せんとする領域Ｐ１と、第２電極部１１２を形成せんとする領域Ｐ２とを、レジスト膜８によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８を形成しない。
【００３４】
次に、図７（ｂ）に示す様に、第１電極箔１１に対してレジスト膜８側からエッチング処理を施す。これにより、第１電極箔１１の内、レジスト膜８によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１電極箔１１には、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されることになる。その後、図７（ｃ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面からレジスト膜８を除去する。これにより、第１構成部１０１が完成する。
【００３５】
図８は、成膜工程（Ｂ１）の説明に用いられる断面図である。図８に示す様に、成膜工程（Ｂ１）では、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法を用いて、第２電極箔１２の表面（対向面１２ａとなる面）上に第２誘電体層２２を形成する。尚、成膜工程（Ｂ１）では、第２電極箔１２の表面上に、第２誘電体層２２となる成膜層を形成した後、該成膜層に対して熱処理を施すことにより、第２誘電体層２２を形成してもよい。成膜層の熱処理時には、第２電極箔１２も熱に晒されることになる。よって、成膜工程（Ｂ１）にて熱処理を実行する場合には、第２電極箔１２を構成する金属材料に、融点が高い物質、例えばニッケル（Ni）を用いることが好ましい。これにより、熱処理温度を高くして、第２誘電体層２２の誘電特性を向上させることが可能となる。
【００３６】
図９は、金属薄膜形成工程（Ｂ２）の説明に用いられる断面図である。図９に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｂ２）では、第２誘電体層２２の表面上に第２金属薄膜３２を形成する。ここで、第２金属薄膜３２の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。これにより、第２構成部１０２が完成する。
【００３７】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、積層工程（Ｃ）の説明に用いられる断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す様に、積層工程（Ｃ）では、第１構成部１０１と第２構成部１０２とを積層する。具体的には、第１電極箔１１と第２電極箔１２とを、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが互いに対向することとなる姿勢で、積層する。このとき、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを、導電性接着材３３によって互いに接着する。これにより、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが、互いに電気的に接続されると共に、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在することになる。斯くして、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に金属層３が形成されることになる。尚、積層工程（Ｃ）では、導電性接着材３３を用いずに、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着してもよい。
【００３８】
積層工程（Ｃ）では、第１電極箔１１と第２電極箔１２との積層に並行して、又はその後、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置にて互いに電気的に接続する。本実施形態においては、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、これらの間に導電性接着材６１を介在させることにより、互いに電気的に接続させている。斯くして、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置に接続部６が形成され、該接続部６を介して、第２電極部１１２と第２電極箔１２とが電気的に接続されることになる。尚、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、これらの外周面に導電性接着材を塗布することにより、互いに電気的に接続させてもよい。
【００３９】
積層工程（Ｃ）の後、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙に保護材料を充填する。保護材料には、樹脂材等、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有した物質が用いられる。斯くして、図１及び図２に示す様に保護膜４１〜４１が形成され、第１誘電体層２１の露出面が、保護膜４１〜４１によって覆われることになる。尚、積層工程（Ｃ）の後、図１０（ｂ）に示す様に接続部６の内側に間隙Ｓが形成される場合には、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを接続する前に、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部にそれぞれ、樹脂材等の保護材料を塗布してもよい。これにより、間隙Ｓが保護材料によって充填され、その結果、側端部１１０，１２０が保護材料によって被覆されることになる。
【００４０】
積層工程（Ｃ）の後、更に、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の側端部１１０，１２０の外周面に補強材料を塗布する。補強材料には、例えば樹脂材が用いられる。斯くして、図１及び図２に示す様に補強部４２が形成され、該補強部４２によって側端部１１０，１２０の外周面が被覆されることになる。これにより、図１及び図２に示す薄膜キャパシタが完成することになる。
【００４１】
第１実施形態に係る薄膜キャパシタは、金属層３を介して第１誘電体層２１と第２誘電体層２２とが積層された多層構造を有している。従って、第１実施形態の薄膜キャパシタによれば、単層構造の薄膜キャパシタに比べて単位面積あたりの静電容量が増大する。よって、薄膜キャパシタの高容量化が実現されている。
【００４２】
第１実施形態の薄膜キャパシタにおいては、金属層３が、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを導電性接着材３３によって互いに接着することにより構成されている。ここで、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の形成にはそれぞれ、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられている。従って、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の厚さ寸法は、第１電極箔１１や第２電極箔１２の厚さ寸法に比べて著しく小さい。よって、金属層３の厚さ寸法が小さく、その結果、薄膜キャパシタの多層化に伴う厚さ寸法の増大が抑えられている。
【００４３】
図１１は、第１実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。図１１に示す様に、絶縁基板９は、２つの絶縁基材９１，９２を積層して構成されている。そして、薄膜キャパシタは、２つの絶縁基材９１，９２の間に挟み込まれている。ここで、第１実施形態の薄膜キャパシタにおいては、図２に示す様に、薄膜キャパシタの電極（陽極又は陰極）の内、金属層３によって構成される電極が、導電ビア５〜５及び第１電極部１１１〜１１１によって第１誘電体層２１上に引き出されている。又、第２電極箔１２によって構成される電極が、接続部６を介して第２電極部１１２に電気的に接続されている。従って、コンデンサ内蔵基板に回路を構築する場合において、図１１に示す様に、導電ビア９３〜９３を用いて、薄膜キャパシタに対して片側（第１電極箔１１側）から配線することが可能となる。従って、コンデンサ内蔵基板を作製する過程において、回路の構築が容易となる。
【００４４】
図１２は、本発明の第２実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。図１３は、図１２に示されるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図１３に示す様に、薄膜キャパシタは、第１電極箔１１、第２電極箔１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、金属層３、第１保護膜４３、及び第２保護膜４４を備えている。以下、第２実施形態の薄膜キャパシタの構成の内、第１実施形態の薄膜キャパシタの構成と相違している部分について説明する。尚、第１実施形態の薄膜キャパシタの構成と同じ部分については、説明を省略する。
【００４５】
図１３に示す様に、金属層３には、互いに離間して配置された電極層３４と接続層３５とが形成されている。具体的には、第１金属薄膜３１に、互いに離間して配置された電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２とが形成されている。又、第２金属薄膜３２には、互いに離間して配置された電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２とが形成されている。そして、導電性接着材３３によって電極用金属膜３１１，３２１を互いに接着することにより、電極層３４が構成されている。又、導電性接着材３３によって接続用金属膜３１２，３２２を互いに接着することにより、接続層３５が構成されている。
【００４６】
本実施形態においては、電極用金属膜３１１は、第２電極部１１２と広い範囲に亘って対向している。接続用金属膜３１２は、第１金属薄膜３１の複数箇所に設けられる一方で、各接続用金属膜３１２は、第２電極部１１２と狭い範囲で対向しているに過ぎない。又、電極用金属膜３２１は、電極用金属膜３１１と重なり合う一方で、接続用金属膜３１２とは重なっていない。接続用金属膜３２２は、接続用金属膜３１２と重なり合う一方で、電極用金属膜３１１とは重なっていない。
【００４７】
図１３に示す様に、第１誘電体層２１には、該第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通した第１導電ビア５１と第２導電ビア５２とが形成されている。具体的には、第１導電ビア５１は、４つの第１電極部１１１〜１１１に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の４箇所に形成されている。そして、第１電極部１１１〜１１１と第１金属薄膜３１の電極用金属膜３１１とが、各第１電極部１１１に対応する第１導電ビア５１を介して、互いに電気的に接続されている。一方、第２導電ビア５２は、第１金属薄膜３１の接続用金属膜３１２〜３１２に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の内、第１導電ビア５１〜５１の形成箇所とは異なる複数箇所に形成されている。そして、第２電極部１１２と第１金属薄膜３１の接続用金属膜３１２〜３１２とが、各接続用金属膜３１２に対応する第２導電ビア５２を介して、互いに電気的に接続されている。
【００４８】
ここで、各第１電極部１１１と第２電極部１１２とは、互いに離間して配置されている。従って、各第１電極部１１１は、これに対応する第１導電ビア５１に電気的に接続される一方で、第２導電ビア５２〜５２からは電気的に絶縁されている。第２電極部１１２は、第２導電ビア５２〜５２に電気的に接続される一方で、第１導電ビア５１〜５１からは電気的に絶縁されている。又、電極用金属膜３１１と各接続用金属膜３１２とは、互いに離間して配置されている。従って、電極用金属膜３１１は、第１導電ビア５１〜５１に電気的に接続される一方で、第２導電ビア５２〜５２からは電気的に絶縁されている。各接続用金属膜３１２は、これに対応する第２導電ビア５２に電気的に接続される一方で、第１導電ビア５１〜５１からは電気的に絶縁されている。
【００４９】
第２誘電体層２２には、該第２誘電体層２２をその表面から裏面まで貫通した第３導電ビア５３が形成されている。第３導電ビア５３は、第２金属薄膜３２の接続用金属膜３２２〜３２２に１つずつ対応させて、第２誘電体層２２の複数箇所に形成されている。そして、第２電極箔１２と第２金属薄膜３２の接続用金属膜３２２〜３２２とが、各接続用金属膜３２２に対応する第３導電ビア５３を介して、互いに電気的に接続されている。
【００５０】
ここで、電極用金属膜３２１と各接続用金属膜３２２とは、互いに離間して配置されている。従って、各接続用金属膜３２２が、これに対応する第３導電ビア５３に電気的に接続される一方で、電極用金属膜３２１は、第３導電ビア５３〜５３から電気的に絶縁されている。
【００５１】
斯くして、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、第１電極部１１１〜１１１と電極層３４とが、第１導電ビア５１〜５１を介して互いに電気的に接続されている。又、各第２導電ビア５２と、これに対応する第３導電ビア５３とが、接続層３５を介して互いに電気的に接続されている。そして、第２導電ビア５２〜５２には第２電極部１１２が電気的に接続される一方、第３導電ビア５３〜５３には第２電極箔１２が電気的に接続されている。尚、図１３に示す様に、第２実施形態の薄膜キャパシタには、接続部６（図２参照）は設けられていない。
【００５２】
第１保護膜４３及び第２保護膜４４は何れも、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。第１保護膜４３及び第２保護膜４４を構成する保護材料には、例えば樹脂材が用いられる。図１３に示す様に、第１保護膜４３は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を埋めている。又、第２保護膜４４は、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部を、全周に亘って覆っている。従って、第１誘電体層２１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を通じて外気に晒されることがない。これに加えて、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部が、外気に晒されることがない。よって、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２による吸湿が防止され、その結果、薄膜キャパシタにおいて高い耐湿性が実現されることになる。
【００５３】
次に、第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について説明する。ここで、図１４は、該製造方法の流れを示したフローチャートである。図１４に示す様に、該製造方法では、第１構成部作製工程（Ｄ）、第２構成部作製工程（Ｅ）、及び積層工程（Ｆ）が実行される。第１構成部作製工程（Ｄ）と第２構成部作製工程（Ｅ）とでは、第２実施形態の薄膜キャパシタを構成する第１構成部１０３と第２構成部１０４（図２２（ａ）参照）とがそれぞれ作製される。第１構成部作製工程（Ｄ）では、成膜工程（Ｄ１）、第１パターニング工程（Ｄ２）、金属薄膜形成工程（Ｄ３）、第２パターニング工程（Ｄ４）、及び第３パターニング工程（Ｄ５）が順に実行される。第２構成部作製工程（Ｅ）では、成膜工程（Ｅ１）、第１パターニング工程（Ｅ２）、金属薄膜形成工程（Ｅ３）、及び第２パターニング工程（Ｅ４）が順に実行される。積層工程（Ｆ）は、第１構成部作製工程（Ｄ）及び第２構成部作製工程（Ｅ）の両工程の後に実行される。尚、成膜工程（Ｄ１）及び成膜工程（Ｅ１）はそれぞれ、第１実施形態の成膜工程（Ａ１）（図４参照）及び成膜工程（Ｂ１）（図８参照）と同じであるので、説明を省略する。
【００５４】
図１５は、第１パターニング工程（Ｄ２）の説明に用いられる断面図である。図１５に示す様に、第１パターニング工程（Ｄ２）では、第１誘電体層２１に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第１誘電体層２１の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する第１貫通孔７１と第２貫通孔７２とを形成する。ここで、所定箇所は、第１導電ビア５１を形成せんとする４箇所と、第２導電ビア５２を形成せんとする複数箇所とに設定されている。
【００５５】
図１６は、金属薄膜形成工程（Ｄ３）の説明に用いられる断面図である。図１６に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｄ３）では、第１誘電体層２１の表面上に第１金属薄膜３１を形成する。ここで、第１金属薄膜３１の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第１金属薄膜３１の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって第１貫通孔７１〜７１及び第２貫通孔７２〜７２が充填され、或いは、第１金属薄膜３１の一部が第１貫通孔７１〜７１及び第２貫通孔７２〜７２の内面にも形成される。これにより、第１誘電体層２１に第１導電ビア５１〜５１及び第２導電ビア５２〜５２が形成され、該第１導電ビア５１〜５１及び第２導電ビア５２〜５２によって、第１金属薄膜３１と第１電極箔１１とが互いに電気的に接続される。
【００５６】
図１７（ａ）〜図１７（ｃ）は、第２パターニング工程（Ｄ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ｄ４）では、図１７（ａ）に示す様に、第１金属薄膜３１の表面上にレジスト膜８１を形成することにより、第１金属薄膜３１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１金属薄膜３１の表面の内、電極用金属膜３１１を形成せんとする領域Ｐ３と、接続用金属膜３１２〜３１２を形成せんとする領域Ｐ４とを、レジスト膜８１によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８１を形成しない。
【００５７】
次に、図１７（ｂ）に示す様に、第１金属薄膜３１に対してレジスト膜８１側からエッチング処理を施す。これにより、第１金属薄膜３１の内、レジスト膜８１によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１金属薄膜３１には、電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２〜３１２とが形成されることになる。その後、図１７（ｃ）に示す様に、第１金属薄膜３１の表面からレジスト膜８１を除去する。
【００５８】
尚、上記第２パターニング工程（Ｄ４）を実行することに代えて、金属薄膜形成工程（Ｄ３）において次の態様を採用してもよい。即ち、第１誘電体層２１の表面の内、電極用金属膜３１１を形成せんとする領域と、接続用金属膜３１２〜３１２を形成せんとする領域とに、第１金属薄膜３１を選択的に形成し、これにより電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２〜３１２とを形成してもよい。この態様によれば、上記第２パターニング工程（Ｄ４）が不要となる。
【００５９】
図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、第３パターニング工程（Ｄ５）の説明に用いられる断面図である。第３パターニング工程（Ｄ５）では、図１８（ａ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面（対向面１１ａとなる面とは反対側の面）上にレジスト膜８２を形成することにより、第１電極箔１１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１電極箔１１の裏面の内、第１電極部１１１〜１１１を形成せんとする領域Ｐ５と、第２電極部１１２を形成せんとする領域Ｐ６とを、レジスト膜８２によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８２を形成しない。
【００６０】
次に、図１８（ｂ）に示す様に、第１電極箔１１に対してレジスト膜８２側からエッチング処理を施す。これにより、第１電極箔１１の内、レジスト膜８２によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１電極箔１１には、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されることになる。その後、図１８（ｃ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面からレジスト膜８２を除去する。これにより、第１構成部１０３が完成する。
【００６１】
図１９は、第１パターニング工程（Ｅ２）の説明に用いられる断面図である。図１９に示す様に、第１パターニング工程（Ｅ２）では、第２誘電体層２２に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第２誘電体層２２の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する第３貫通孔７３を形成する。ここで、所定箇所は、第３導電ビア５３を形成せんとする複数箇所に設定されている。
【００６２】
図２０は、金属薄膜形成工程（Ｅ３）の説明に用いられる断面図である。図２０に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｅ３）では、第２誘電体層２２の表面上に第２金属薄膜３２を形成する。ここで、第２金属薄膜３２の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第２金属薄膜３２の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって第３貫通孔７３〜７３が充填され、或いは、第２金属薄膜３２の一部が第３貫通孔７３〜７３の内面にも形成される。これにより、第２誘電体層２２に第３導電ビア５３〜５３が形成され、該第３導電ビア５３〜５３によって、第２金属薄膜３２と第２電極箔１２とが互いに電気的に接続される。
【００６３】
図２１（ａ）〜図２１（ｃ）は、第２パターニング工程（Ｅ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ｅ４）では、図２１（ａ）に示す様に、第２金属薄膜３２の表面上にレジスト膜８３を形成することにより、第２金属薄膜３２に対してマスキング処理を施す。このとき、第２金属薄膜３２の表面の内、電極用金属膜３２１を形成せんとする領域Ｐ７と、接続用金属膜３２２〜３２２を形成せんとする領域Ｐ８とを、レジスト膜８３によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８３を形成しない。
【００６４】
次に、図２１（ｂ）に示す様に、第２金属薄膜３２に対してレジスト膜８３側からエッチング処理を施す。これにより、第２金属薄膜３２の内、レジスト膜８３によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第２金属薄膜３２には、電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２〜３２２とが形成されることになる。その後、図２１（ｃ）に示す様に、第２金属薄膜３２の表面からレジスト膜８３を除去する。これにより、第２構成部１０４が完成する。
【００６５】
尚、上記第２パターニング工程（Ｅ４）を実行することに代えて、金属薄膜形成工程（Ｅ３）において次の態様を採用してもよい。即ち、第２誘電体層２２の表面の内、電極用金属膜３２１を形成せんとする領域と、接続用金属膜３２２〜３２２を形成せんとする領域とに、第２金属薄膜３２を選択的に形成し、これにより電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２〜３２２とを形成してもよい。この態様によれば、上記第２パターニング工程（Ｅ４）が不要となる。
【００６６】
図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、積層工程（Ｆ）の説明に用いられる断面図である。図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示す様に、積層工程（Ｆ）では、第１構成部１０３と第２構成部１０４とを積層する。具体的には、第１電極箔１１と第２電極箔１２とを、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが互いに対向することとなる姿勢で、積層する。このとき、電極用金属膜３１１，３２１を互いに重ね合わせると共に、これらを導電性接着材３３によって互いに接着する。又、各接続用金属膜３１２とこれに対応する接続用金属膜３２２とを互いに重ね合わせると共に、これらを導電性接着材３３によって互いに接着する。これにより、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に金属層３が形成され、該金属層３には、電極層３４と接続層３５〜３５が形成されることになる。尚、積層工程（Ｆ）では、導電性接着材３３を用いずに、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着してもよい。
【００６７】
積層工程（Ｆ）の後、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙に保護材料を充填する。又、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部を、全周に亘って保護材料によって被覆する。これらの保護材料には、樹脂材等、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有した物質が用いられる。斯くして、図１２及び図１３に示す様に第１保護膜４３〜４３及び第２保護膜４４が形成され、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の露出面全体が、第１保護膜４３〜４３及び第２保護膜４４によって覆われることになる。これにより、図１２及び図１３に示す薄膜キャパシタが完成することになる。
【００６８】
第２実施形態に係る薄膜キャパシタによれば、第１実施形態の薄膜キャパシタと同様、薄膜キャパシタの高容量化が実現される。又、薄膜キャパシタの多層化に伴う厚さ寸法の増大が抑えられる。
【００６９】
ここで、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の内、第１実施形態の薄膜キャパシタでは接続部６として用いられていた部分にも、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２をそれぞれ形成することが出来る。従って、第２実施形態の薄膜キャパシタは、第１実施形態の薄膜キャパシタに比べて、高容量化を実現し易い。尚、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第２実施形態の薄膜キャパシタに比べて、製造が容易である。
【００７０】
図２３は、第２実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。図２３に示す様に、絶縁基板９は、２つの絶縁基材９１，９２を積層して構成されている。そして、薄膜キャパシタは、２つの絶縁基材９１，９２の間に挟み込まれている。ここで、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、図１３に示す様に、薄膜キャパシタの電極（陽極又は陰極）の内、電極層３４によって構成される電極が、第１導電ビア５１〜５１及び第１電極部１１１〜１１１によって第１誘電体層２１上に引き出されている。又、第２電極箔１２によって構成される電極が、第３導電ビア５３〜５３、接続層３５、及び第２導電ビア５２〜５２を順に介して、第２電極部１１２に電気的に接続されている。従って、コンデンサ内蔵基板に回路を構築する場合において、図２３に示す様に、導電ビア９３〜９３を用いて、薄膜キャパシタに対して片側（第１電極箔１１側）から配線することが可能となる。従って、コンデンサ内蔵基板を作製する過程において、回路の構築が容易となる。
【００７１】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１金属薄膜３１又は第２金属薄膜３２が形成されていない構成に変形されてもよい。又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の何れもが形成されていない構成に変形されてもよい。この構成においては、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２とが導電性接着材３３によって互い接着され、該導電性接着材３３によって金属層３が形成されることになる。
【００７２】
第１実施形態の薄膜キャパシタは、図２４に示す様に、接続部６が設けられていない構成に変形されてもよい。この構成の薄膜キャパシタを用いてコンデンサ内蔵基板を作製する場合、第１電極部１１１〜１１１及び第２電極部１１２に加えて、第２電極箔１２にも配線が施されることになる。又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、導電ビア５〜５が設けられていない構成に変形されてもよい。更に、第１実施形態の薄膜キャパシタは、導電ビア５〜５が設けられておらず、且つ第１電極箔１１に第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されていない構成に変形されてもよい。更に又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１電極箔１１や第２電極箔１２とは別の部材を接続部６として用いた構成に変形されてもよい。
【００７３】
第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法において、第２パターニング工程（Ａ４）は、成膜工程（Ａ１）の後であって且つ金属薄膜形成工程（Ａ３）の前に実行されてもよい。第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法において、第３パターニング工程（Ｄ５）は、成膜工程（Ｄ１）の後であって且つ第２パターニング工程（Ｄ４）の前に実行されてもよい。製造方法の工程順は、これらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
【００７４】
上述した薄膜キャパシタ及びその製造方法において、第１電極箔１１及び第２電極箔１２に代えて、種々の金属製の基材を採用することが出来る。又、上述した薄膜キャパシタ及びその製造方法の各種構成は、コンデンサ回路を有した回路基板等、種々の積層構造体に適用することが出来る。
【符号の説明】
【００７５】
１１ 第１電極箔
１１１ 第１電極部
１１２ 第２電極部
１２ 第２電極箔
１１ａ，１２ａ 対向面
２１ 第１誘電体層
２２ 第２誘電体層
２１ａ，２２ａ 側端面
３ 金属層
３１ 第１金属薄膜
３１１ 電極用金属膜
３１２ 接続用金属膜
３２ 第２金属薄膜
３２１ 電極用金属膜
３２２ 接続用金属膜
３３ 導電性接着材
３４ 電極層
３５ 接続層
５ 導電ビア
５１ 第１導電ビア
５２ 第２導電ビア
５３ 第３導電ビア
６ 接続部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ回路を有した回路基板や薄膜キャパシタ等の積層構造体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願に関連する技術として、絶縁基板内に薄膜キャパシタを埋め込む技術が存在する（例えば、特許文献１参照）。この技術により作製された基板は、コンデンサ内蔵基板と呼ばれ、薄膜キャパシタの高密度化が可能である。ここで、薄膜キャパシタは、電極箔と、該電極箔上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された電極層とから構成されており、シート状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、コンデンサ内蔵基板の小型化や、コンデンサ内蔵基板に搭載する能動素子の高性能化に伴い、薄膜キャパシタの高容量化が望まれている。具体的には、薄膜キャパシタについて、その単位面積あたりの静電容量を増大させることが望まれている。しかしながら、従来の薄膜キャパシタは、誘電体層が１層だけ積層された単層構造を有しているに過ぎない。このため、従来の薄膜キャパシタにおいては、その高容量化に限界があった。
【０００５】
そこで本発明の目的は、積層構造体において高容量化を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層構造体は、金属製の第１基材、金属製の第２基材、第１誘電体層、第２誘電体層、及び金属層を備えている。第２基材は、前記第１基材に対向して配置されている。第１誘電体層は、前記第１基材と第２基材との対向面の内、第１基材の対向面上に形成されている。第２誘電体層は、前記第１基材と第２基材との対向面の内、第２基材の対向面上に形成されている。金属層は、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に介在している。
【０００７】
上記積層構造体の具体的構成において、前記金属層は、第１誘電体層の表面上に形成された第１金属薄膜と、第２誘電体層の表面上に形成された第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着することにより構成されている。
【０００８】
上記積層構造体において、前記第１基材と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されていてもよい。
【０００９】
上記積層構造体の他の具体的構成において、前記第１基材には、互いに離間して配置された第１電極部と第２電極部とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第１導電ビアが形成されている。そして、前記第１電極部と金属層とが、第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている。該具体的構成において、前記第２電極部と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されていてもよい。
【００１０】
より具体的な構成において、前記金属層には、互いに離間して配置された電極層と接続層とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第２導電ビアが更に形成され、前記第２誘電体層には、該第２誘電体層を貫通した第３導電ビアが形成されている。そして、前記第１電極部と電極層とが、前記第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている。又、前記第２導電ビアと第３導電ビアとが、前記接続層を介して互いに電気的に接続されており、第２導電ビアに前記第２電極部が電気的に接続される一方、第３導電ビアに第２基材が電気的に接続されている。
【００１１】
本発明に係る積層構造体の製造方法は、工程（ａ）、工程（ｂ）、工程（ｃ）、及び工程（ｄ）を有している。工程（ａ）では、金属製の第１基材の表面上に第１誘電体層を形成する。工程（ｂ）では、金属製の第２基材の表面上に第２誘電体層を形成する。工程（ｃ）では、前記第１誘電体層の表面上に第１金属薄膜を形成する。工程（ｄ）では、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に前記第１金属薄膜が介在することとなる様に、第１基材と第２基材とを積層する。
【００１２】
上記製造方法の具体的態様において、該製造方法は、工程（ｅ）を更に有している。工程（ｅ）は、前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｅ）では、前記第２誘電体層の表面上に第２金属薄膜を形成する。そして、工程（ｄ）では、前記第１金属薄膜と第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着する。
【００１３】
上記製造方法において、工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、第１基材と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成してもよい。
【００１４】
上記製造方法の他の具体的態様において、該製造方法は、工程（ｆ）及び工程（ｇ）を更に有している。工程（ｆ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｆ）では、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する。工程（ｇ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｇ）では、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜とを互いに電気的に接続させる導電ビアを形成する。該具体的態様において、工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、前記第２電極部と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成してもよい。
【００１５】
上記製造方法の内、工程（ｅ）が実行される態様について、より具体的には、該製造方法は、工程（ｈ）、工程（ｉ）、工程（ｊ）、工程（ｋ）、及び工程（ｌ）を更に有している。工程（ｈ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｈ）では、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する。工程（ｉ）は、前記工程（ｃ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｉ）では、前記第１金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する。工程（ｊ）は、前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｊ）では、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜の電極用金属膜とを互いに電気的に接続させる第１導電ビアと、前記第２電極部と第１金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第２電ビアとを形成する。工程（ｋ）は、前記工程（ｅ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｋ）では、前記第２金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する。ここで、第２金属薄膜の電極用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の電極用金属膜と重なり合い、第２金属薄膜の接続用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の接続用金属膜と重なり合うこととなる。工程（ｌ）は、前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に実行される。工程（ｌ）では、前記第２誘電体層に対して、前記第２基材と第２金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第３導電ビアを形成する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る積層構造体及びその製造方法によれば、積層構造体の高容量化を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。
【図２】図１に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について、その流れを示したフローチャートである。
【図４】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、成膜工程の説明に用いられる断面図である。
【図５】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図６】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図７】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図８】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、成膜工程の説明に用いられる断面図である。
【図９】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図１０】該製造方法にて実行される積層工程の説明に用いられる断面図である。
【図１１】第１実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。
【図１３】図２に示されるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について、その流れを示したフローチャートである。
【図１５】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１６】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図１７】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１８】該製造方法にて実行される第１構成部作製工程の内、第３パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図１９】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、第１パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図２０】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、金属薄膜形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図２１】該製造方法にて実行される第２構成部作製工程の内、第２パターニング工程の説明に用いられる断面図である。
【図２２】該製造方法にて実行される積層工程の説明に用いられる断面図である。
【図２３】第２実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。
【図２４】上記薄膜キャパシタの変形例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。図２は、図１に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図２に示す様に、薄膜キャパシタは、第１電極箔１１、第２電極箔１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、金属層３、保護膜４１、及び補強部４２を備えている。
【００１９】
第１電極箔１１及び第２電極箔１２は、互いに対向して配置されている。ここで、第１電極箔１１及び第２電極箔１２は何れも、金属製の基材である。第１電極箔１１及び第２電極箔１２を構成する金属材料にはそれぞれ、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）、アルミニウム（Al）、白金（Pt）等、箔を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられる。尚、第１電極箔１１及び第２電極箔１２を構成する金属材料には、同種の物質が用いられてもよいし、異種の物質が用いられてもよい。
【００２０】
第１誘電体層２１は、第１電極箔１１と第２電極箔１２との対向面の内、第１電極箔１１の対向面１１ａ上に形成されている。第２誘電体層２２は、第１電極箔１１と第２電極箔１２との対向面の内、第２電極箔１２の対向面１２ａ上に形成されている。ここで、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の形成にはそれぞれ、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法が用いられる。尚、粉末噴射コーティング法は、気体の流れを利用して、粉末をターゲット（第１電極箔１１や第２電極箔１２）の表面に噴き付け、これにより該ターゲットの表面上に粉末を堆積させて薄膜を形成する方法である。粉末噴射コーティング法には、ＰＪＤ（Powder Jet Deposition）法やＡＤ（Aerosol Deposition）法の方法が存在する。
【００２１】
第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２を構成する誘電体材料にはそれぞれ、チタン酸バリウム(BaTiO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、チタン酸ジルコン酸鉛(PbZrTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PbLaZrTiO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タンタル(Ta2O5)等を主成分とする種々の誘電体材料を用いることが出来る。尚、誘電体材料には、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の誘電特性、絶縁特性、及び強度等の物性を向上させるべく、種々の添加物が含まれていてもよい。
【００２２】
金属層３は、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在している。金属層３は、第１誘電体層２１の表面上に形成された第１金属薄膜３１と、第２誘電体層２２の表面上に形成された第２金属薄膜３２とを、導電性接着材３３によって互いに接着することにより構成されている。ここで、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の形成にはそれぞれ、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。又、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２を構成する金属材料にはそれぞれ、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）、アルミニウム（Al）、白金（Pt）等、薄膜を形成することが可能であって、且つ薄膜キャパシタの電極となり得る物質が用いられる。尚、金属層３は、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着することにより構成されていてもよい。
【００２３】
図１及び図２に示す様に、第１電極箔１１には、互いに離間して配置された第１電極部１１１と第２電極部１１２とが形成されている。具体的には、第１電極部１１１は、第１電極箔１１の４箇所に形成されている（図１参照）。第２電極部１１２は、４つの第１電極部１１１〜１１１をそれぞれ包囲すると共に、各第１電極部１１１から離間して形成されている。
【００２４】
第２電極部１１２と第２電極箔１２とは、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側に位置する接続部６を介して、互いに電気的に接続されている。具体的には、接続部６は、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置にて互いに電気的に接続することにより構成されている。ここで、第１電極箔１１の側端部１１０は、第２電極部１１２に含まれている。本実施形態においては、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とは、これらの間に導電性接着材６１を介在させることにより、互いに電気的に接続されている。尚、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とは、これらの外周面に導電性接着材を塗布することにより、互いに電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
図２に示す様に、第１誘電体層２１には、該第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通した導電ビア５が形成されている。具体的には、導電ビア５は、４つの第１電極部１１１〜１１１に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の４箇所に形成されている。そして、第１電極部１１１〜１１１と第１金属薄膜３１とが、各第１電極部１１１に対応する導電ビア５を介して、互いに電気的に接続されている。
【００２６】
ここで、各第１電極部１１１と第２電極部１１２とは、互いに離間して配置されている。従って、各第１電極部１１１が、これに対応する導電ビア５に電気的に接続される一方で、第２電極部１１２は、導電ビア５〜５から電気的に絶縁されている。
【００２７】
保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。保護膜４１を構成する保護材料には、例えば樹脂材が用いられる。保護膜４１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を埋めている。従って、第１誘電体層２１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を通じて外気に晒されることがない。よって、第１誘電体層２１による吸湿が防止され、その結果、薄膜キャパシタにおいて高い耐湿性が実現されることになる。尚、図２に示す様に接続部６の内側に間隙Ｓが形成される場合には、該間隙Ｓに樹脂材等の保護材料を充填してもよい。
【００２８】
補強部４２は、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の側端部１１０，１２０の外周面を被覆している。これにより、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２との接着強度、並びに第１電極箔１１と第２電極箔１２との接続強度が補強されている。補強部４２を構成する補強材料には、例えば樹脂材が用いられる。
【００２９】
次に、第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について説明する。ここで、図３は、該製造方法の流れを示したフローチャートである。図３に示す様に、該製造方法では、第１構成部作製工程（Ａ）、第２構成部作製工程（Ｂ）、及び積層工程（Ｃ）が実行される。第１構成部作製工程（Ａ）と第２構成部作製工程（Ｂ）とでは、第１実施形態の薄膜キャパシタを構成する第１構成部１０１と第２構成部１０２（図１０（ａ）参照）とがそれぞれ作製される。第１構成部作製工程（Ａ）では、成膜工程（Ａ１）、第１パターニング工程（Ａ２）、金属薄膜形成工程（Ａ３）、及び第２パターニング工程（Ａ４）が順に実行される。第２構成部作製工程（Ｂ）では、成膜工程（Ｂ１）、及び金属薄膜形成工程（Ｂ２）が順に実行される。積層工程（Ｃ）は、第１構成部作製工程（Ａ）及び第２構成部作製工程（Ｂ）の両工程の後に実行される。
【００３０】
図４は、成膜工程（Ａ１）の説明に用いられる断面図である。図４に示す様に、成膜工程（Ａ１）では、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法を用いて、第１電極箔１１の表面（対向面１１ａとなる面）上に第１誘電体層２１を形成する。尚、成膜工程（Ａ１）では、第１電極箔１１の表面上に、第１誘電体層２１となる成膜層を形成した後、該成膜層に対して熱処理を施すことにより、第１誘電体層２１を形成してもよい。又、第１構成部作製工程（Ａ）では、後述する第２パターニング工程（Ａ４）にて第１電極箔１１に対してエッチング処理が施される。従って、第１電極箔１１を構成する材料には、エッチング処理が施し易い物質、例えば銅（Cu）を用いることが好ましい。
【００３１】
図５は、第１パターニング工程（Ａ２）の説明に用いられる断面図である。図５に示す様に、第１パターニング工程（Ａ２）では、第１誘電体層２１に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第１誘電体層２１の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する貫通孔７を形成する。ここで、所定箇所は、導電ビア５を形成せんとする４箇所に設定されている。
【００３２】
図６は、金属薄膜形成工程（Ａ３）の説明に用いられる断面図である。図６に示す様に、金属薄膜形成工程（Ａ３）では、第１誘電体層２１の表面上に第１金属薄膜３１を形成する。ここで、第１金属薄膜３１の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第１金属薄膜３１の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって貫通孔７〜７が充填され、或いは、第１金属薄膜３１の一部が貫通孔７〜７の内面にも形成される。これにより、第１誘電体層２１に導電ビア５〜５が形成され、該導電ビア５〜５によって、第１金属薄膜３１と第１電極箔１１とが互いに電気的に接続される。
【００３３】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２パターニング工程（Ａ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ａ４）では、図７（ａ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面（対向面１１ａとなる面とは反対側の面）上にレジスト膜８を形成することにより、第１電極箔１１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１電極箔１１の裏面の内、第１電極部１１１〜１１１を形成せんとする領域Ｐ１と、第２電極部１１２を形成せんとする領域Ｐ２とを、レジスト膜８によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８を形成しない。
【００３４】
次に、図７（ｂ）に示す様に、第１電極箔１１に対してレジスト膜８側からエッチング処理を施す。これにより、第１電極箔１１の内、レジスト膜８によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１電極箔１１には、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されることになる。その後、図７（ｃ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面からレジスト膜８を除去する。これにより、第１構成部１０１が完成する。
【００３５】
図８は、成膜工程（Ｂ１）の説明に用いられる断面図である。図８に示す様に、成膜工程（Ｂ１）では、ゾル‐ゲル法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、粉末噴射コーティング法等、周知の種々の成膜法を用いて、第２電極箔１２の表面（対向面１２ａとなる面）上に第２誘電体層２２を形成する。尚、成膜工程（Ｂ１）では、第２電極箔１２の表面上に、第２誘電体層２２となる成膜層を形成した後、該成膜層に対して熱処理を施すことにより、第２誘電体層２２を形成してもよい。成膜層の熱処理時には、第２電極箔１２も熱に晒されることになる。よって、成膜工程（Ｂ１）にて熱処理を実行する場合には、第２電極箔１２を構成する金属材料に、融点が高い物質、例えばニッケル（Ni）を用いることが好ましい。これにより、熱処理温度を高くして、第２誘電体層２２の誘電特性を向上させることが可能となる。
【００３６】
図９は、金属薄膜形成工程（Ｂ２）の説明に用いられる断面図である。図９に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｂ２）では、第２誘電体層２２の表面上に第２金属薄膜３２を形成する。ここで、第２金属薄膜３２の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。これにより、第２構成部１０２が完成する。
【００３７】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、積層工程（Ｃ）の説明に用いられる断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す様に、積層工程（Ｃ）では、第１構成部１０１と第２構成部１０２とを積層する。具体的には、第１電極箔１１と第２電極箔１２とを、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが互いに対向することとなる姿勢で、積層する。このとき、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを、導電性接着材３３によって互いに接着する。これにより、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが、互いに電気的に接続されると共に、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に介在することになる。斯くして、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に金属層３が形成されることになる。尚、積層工程（Ｃ）では、導電性接着材３３を用いずに、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着してもよい。
【００３８】
積層工程（Ｃ）では、第１電極箔１１と第２電極箔１２との積層に並行して、又はその後、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置にて互いに電気的に接続する。本実施形態においては、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、これらの間に導電性接着材６１を介在させることにより、互いに電気的に接続させている。斯くして、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端面２１ａ，２２ａ側の位置に接続部６が形成され、該接続部６を介して、第２電極部１１２と第２電極箔１２とが電気的に接続されることになる。尚、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを、これらの外周面に導電性接着材を塗布することにより、互いに電気的に接続させてもよい。
【００３９】
積層工程（Ｃ）の後、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙に保護材料を充填する。保護材料には、樹脂材等、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有した物質が用いられる。斯くして、図１及び図２に示す様に保護膜４１〜４１が形成され、第１誘電体層２１の露出面が、保護膜４１〜４１によって覆われることになる。尚、積層工程（Ｃ）の後、図１０（ｂ）に示す様に接続部６の内側に間隙Ｓが形成される場合には、第１電極箔１１の側端部１１０と第２電極箔１２の側端部１２０とを接続する前に、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部にそれぞれ、樹脂材等の保護材料を塗布してもよい。これにより、間隙Ｓが保護材料によって充填され、その結果、側端部１１０，１２０が保護材料によって被覆されることになる。
【００４０】
積層工程（Ｃ）の後、更に、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の側端部１１０，１２０の外周面に補強材料を塗布する。補強材料には、例えば樹脂材が用いられる。斯くして、図１及び図２に示す様に補強部４２が形成され、該補強部４２によって側端部１１０，１２０の外周面が被覆されることになる。これにより、図１及び図２に示す薄膜キャパシタが完成することになる。
【００４１】
第１実施形態に係る薄膜キャパシタは、金属層３を介して第１誘電体層２１と第２誘電体層２２とが積層された多層構造を有している。従って、第１実施形態の薄膜キャパシタによれば、単層構造の薄膜キャパシタに比べて単位面積あたりの静電容量が増大する。よって、薄膜キャパシタの高容量化が実現されている。
【００４２】
第１実施形態の薄膜キャパシタにおいては、金属層３が、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを導電性接着材３３によって互いに接着することにより構成されている。ここで、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の形成にはそれぞれ、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられている。従って、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の厚さ寸法は、第１電極箔１１や第２電極箔１２の厚さ寸法に比べて著しく小さい。よって、金属層３の厚さ寸法が小さく、その結果、薄膜キャパシタの多層化に伴う厚さ寸法の増大が抑えられている。
【００４３】
図１１は、第１実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。図１１に示す様に、絶縁基板９は、２つの絶縁基材９１，９２を積層して構成されている。そして、薄膜キャパシタは、２つの絶縁基材９１，９２の間に挟み込まれている。ここで、第１実施形態の薄膜キャパシタにおいては、図２に示す様に、薄膜キャパシタの電極（陽極又は陰極）の内、金属層３によって構成される電極が、導電ビア５〜５及び第１電極部１１１〜１１１によって第１誘電体層２１上に引き出されている。又、第２電極箔１２によって構成される電極が、接続部６を介して第２電極部１１２に電気的に接続されている。従って、コンデンサ内蔵基板に回路を構築する場合において、図１１に示す様に、導電ビア９３〜９３を用いて、薄膜キャパシタに対して片側（第１電極箔１１側）から配線することが可能となる。従って、コンデンサ内蔵基板を作製する過程において、回路の構築が容易となる。
【００４４】
図１２は、本発明の第２実施形態に係る薄膜キャパシタを示した平面図である。図１３は、図１２に示されるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図１３に示す様に、薄膜キャパシタは、第１電極箔１１、第２電極箔１２、第１誘電体層２１、第２誘電体層２２、金属層３、第１保護膜４３、及び第２保護膜４４を備えている。以下、第２実施形態の薄膜キャパシタの構成の内、第１実施形態の薄膜キャパシタの構成と相違している部分について説明する。尚、第１実施形態の薄膜キャパシタの構成と同じ部分については、説明を省略する。
【００４５】
図１３に示す様に、金属層３には、互いに離間して配置された電極層３４と接続層３５とが形成されている。具体的には、第１金属薄膜３１に、互いに離間して配置された電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２とが形成されている。又、第２金属薄膜３２には、互いに離間して配置された電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２とが形成されている。そして、導電性接着材３３によって電極用金属膜３１１，３２１を互いに接着することにより、電極層３４が構成されている。又、導電性接着材３３によって接続用金属膜３１２，３２２を互いに接着することにより、接続層３５が構成されている。
【００４６】
本実施形態においては、電極用金属膜３１１は、第２電極部１１２と広い範囲に亘って対向している。接続用金属膜３１２は、第１金属薄膜３１の複数箇所に設けられる一方で、各接続用金属膜３１２は、第２電極部１１２と狭い範囲で対向しているに過ぎない。又、電極用金属膜３２１は、電極用金属膜３１１と重なり合う一方で、接続用金属膜３１２とは重なっていない。接続用金属膜３２２は、接続用金属膜３１２と重なり合う一方で、電極用金属膜３１１とは重なっていない。
【００４７】
図１３に示す様に、第１誘電体層２１には、該第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通した第１導電ビア５１と第２導電ビア５２とが形成されている。具体的には、第１導電ビア５１は、４つの第１電極部１１１〜１１１に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の４箇所に形成されている。そして、第１電極部１１１〜１１１と第１金属薄膜３１の電極用金属膜３１１とが、各第１電極部１１１に対応する第１導電ビア５１を介して、互いに電気的に接続されている。一方、第２導電ビア５２は、第１金属薄膜３１の接続用金属膜３１２〜３１２に１つずつ対応させて、第１誘電体層２１の内、第１導電ビア５１〜５１の形成箇所とは異なる複数箇所に形成されている。そして、第２電極部１１２と第１金属薄膜３１の接続用金属膜３１２〜３１２とが、各接続用金属膜３１２に対応する第２導電ビア５２を介して、互いに電気的に接続されている。
【００４８】
ここで、各第１電極部１１１と第２電極部１１２とは、互いに離間して配置されている。従って、各第１電極部１１１は、これに対応する第１導電ビア５１に電気的に接続される一方で、第２導電ビア５２〜５２からは電気的に絶縁されている。第２電極部１１２は、第２導電ビア５２〜５２に電気的に接続される一方で、第１導電ビア５１〜５１からは電気的に絶縁されている。又、電極用金属膜３１１と各接続用金属膜３１２とは、互いに離間して配置されている。従って、電極用金属膜３１１は、第１導電ビア５１〜５１に電気的に接続される一方で、第２導電ビア５２〜５２からは電気的に絶縁されている。各接続用金属膜３１２は、これに対応する第２導電ビア５２に電気的に接続される一方で、第１導電ビア５１〜５１からは電気的に絶縁されている。
【００４９】
第２誘電体層２２には、該第２誘電体層２２をその表面から裏面まで貫通した第３導電ビア５３が形成されている。第３導電ビア５３は、第２金属薄膜３２の接続用金属膜３２２〜３２２に１つずつ対応させて、第２誘電体層２２の複数箇所に形成されている。そして、第２電極箔１２と第２金属薄膜３２の接続用金属膜３２２〜３２２とが、各接続用金属膜３２２に対応する第３導電ビア５３を介して、互いに電気的に接続されている。
【００５０】
ここで、電極用金属膜３２１と各接続用金属膜３２２とは、互いに離間して配置されている。従って、各接続用金属膜３２２が、これに対応する第３導電ビア５３に電気的に接続される一方で、電極用金属膜３２１は、第３導電ビア５３〜５３から電気的に絶縁されている。
【００５１】
斯くして、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、第１電極部１１１〜１１１と電極層３４とが、第１導電ビア５１〜５１を介して互いに電気的に接続されている。又、各第２導電ビア５２と、これに対応する第３導電ビア５３とが、接続層３５を介して互いに電気的に接続されている。そして、第２導電ビア５２〜５２には第２電極部１１２が電気的に接続される一方、第３導電ビア５３〜５３には第２電極箔１２が電気的に接続されている。尚、図１３に示す様に、第２実施形態の薄膜キャパシタには、接続部６（図２参照）は設けられていない。
【００５２】
第１保護膜４３及び第２保護膜４４は何れも、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。第１保護膜４３及び第２保護膜４４を構成する保護材料には、例えば樹脂材が用いられる。図１３に示す様に、第１保護膜４３は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を埋めている。又、第２保護膜４４は、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部を、全周に亘って覆っている。従って、第１誘電体層２１は、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙を通じて外気に晒されることがない。これに加えて、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部が、外気に晒されることがない。よって、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２による吸湿が防止され、その結果、薄膜キャパシタにおいて高い耐湿性が実現されることになる。
【００５３】
次に、第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法について説明する。ここで、図１４は、該製造方法の流れを示したフローチャートである。図１４に示す様に、該製造方法では、第１構成部作製工程（Ｄ）、第２構成部作製工程（Ｅ）、及び積層工程（Ｆ）が実行される。第１構成部作製工程（Ｄ）と第２構成部作製工程（Ｅ）とでは、第２実施形態の薄膜キャパシタを構成する第１構成部１０３と第２構成部１０４（図２２（ａ）参照）とがそれぞれ作製される。第１構成部作製工程（Ｄ）では、成膜工程（Ｄ１）、第１パターニング工程（Ｄ２）、金属薄膜形成工程（Ｄ３）、第２パターニング工程（Ｄ４）、及び第３パターニング工程（Ｄ５）が順に実行される。第２構成部作製工程（Ｅ）では、成膜工程（Ｅ１）、第１パターニング工程（Ｅ２）、金属薄膜形成工程（Ｅ３）、及び第２パターニング工程（Ｅ４）が順に実行される。積層工程（Ｆ）は、第１構成部作製工程（Ｄ）及び第２構成部作製工程（Ｅ）の両工程の後に実行される。尚、成膜工程（Ｄ１）及び成膜工程（Ｅ１）はそれぞれ、第１実施形態の成膜工程（Ａ１）（図４参照）及び成膜工程（Ｂ１）（図８参照）と同じであるので、説明を省略する。
【００５４】
図１５は、第１パターニング工程（Ｄ２）の説明に用いられる断面図である。図１５に示す様に、第１パターニング工程（Ｄ２）では、第１誘電体層２１に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第１誘電体層２１の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する第１貫通孔７１と第２貫通孔７２とを形成する。ここで、所定箇所は、第１導電ビア５１を形成せんとする４箇所と、第２導電ビア５２を形成せんとする複数箇所とに設定されている。
【００５５】
図１６は、金属薄膜形成工程（Ｄ３）の説明に用いられる断面図である。図１６に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｄ３）では、第１誘電体層２１の表面上に第１金属薄膜３１を形成する。ここで、第１金属薄膜３１の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第１金属薄膜３１の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって第１貫通孔７１〜７１及び第２貫通孔７２〜７２が充填され、或いは、第１金属薄膜３１の一部が第１貫通孔７１〜７１及び第２貫通孔７２〜７２の内面にも形成される。これにより、第１誘電体層２１に第１導電ビア５１〜５１及び第２導電ビア５２〜５２が形成され、該第１導電ビア５１〜５１及び第２導電ビア５２〜５２によって、第１金属薄膜３１と第１電極箔１１とが互いに電気的に接続される。
【００５６】
図１７（ａ）〜図１７（ｃ）は、第２パターニング工程（Ｄ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ｄ４）では、図１７（ａ）に示す様に、第１金属薄膜３１の表面上にレジスト膜８１を形成することにより、第１金属薄膜３１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１金属薄膜３１の表面の内、電極用金属膜３１１を形成せんとする領域Ｐ３と、接続用金属膜３１２〜３１２を形成せんとする領域Ｐ４とを、レジスト膜８１によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８１を形成しない。
【００５７】
次に、図１７（ｂ）に示す様に、第１金属薄膜３１に対してレジスト膜８１側からエッチング処理を施す。これにより、第１金属薄膜３１の内、レジスト膜８１によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１金属薄膜３１には、電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２〜３１２とが形成されることになる。その後、図１７（ｃ）に示す様に、第１金属薄膜３１の表面からレジスト膜８１を除去する。
【００５８】
尚、上記第２パターニング工程（Ｄ４）を実行することに代えて、金属薄膜形成工程（Ｄ３）において次の態様を採用してもよい。即ち、第１誘電体層２１の表面の内、電極用金属膜３１１を形成せんとする領域と、接続用金属膜３１２〜３１２を形成せんとする領域とに、第１金属薄膜３１を選択的に形成し、これにより電極用金属膜３１１と接続用金属膜３１２〜３１２とを形成してもよい。この態様によれば、上記第２パターニング工程（Ｄ４）が不要となる。
【００５９】
図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、第３パターニング工程（Ｄ５）の説明に用いられる断面図である。第３パターニング工程（Ｄ５）では、図１８（ａ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面（対向面１１ａとなる面とは反対側の面）上にレジスト膜８２を形成することにより、第１電極箔１１に対してマスキング処理を施す。このとき、第１電極箔１１の裏面の内、第１電極部１１１〜１１１を形成せんとする領域Ｐ５と、第２電極部１１２を形成せんとする領域Ｐ６とを、レジスト膜８２によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８２を形成しない。
【００６０】
次に、図１８（ｂ）に示す様に、第１電極箔１１に対してレジスト膜８２側からエッチング処理を施す。これにより、第１電極箔１１の内、レジスト膜８２によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第１電極箔１１には、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されることになる。その後、図１８（ｃ）に示す様に、第１電極箔１１の裏面からレジスト膜８２を除去する。これにより、第１構成部１０３が完成する。
【００６１】
図１９は、第１パターニング工程（Ｅ２）の説明に用いられる断面図である。図１９に示す様に、第１パターニング工程（Ｅ２）では、第２誘電体層２２に対してレーザ加工等の加工を施すことにより、該第２誘電体層２２の所定箇所に、第１誘電体層２１をその表面から裏面まで貫通する第３貫通孔７３を形成する。ここで、所定箇所は、第３導電ビア５３を形成せんとする複数箇所に設定されている。
【００６２】
図２０は、金属薄膜形成工程（Ｅ３）の説明に用いられる断面図である。図２０に示す様に、金属薄膜形成工程（Ｅ３）では、第２誘電体層２２の表面上に第２金属薄膜３２を形成する。ここで、第２金属薄膜３２の形成には、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、スクリーン印刷法等の手法が用いられる。従って、第２金属薄膜３２の形成に伴い、該形成に用いられる金属材料の一部によって第３貫通孔７３〜７３が充填され、或いは、第２金属薄膜３２の一部が第３貫通孔７３〜７３の内面にも形成される。これにより、第２誘電体層２２に第３導電ビア５３〜５３が形成され、該第３導電ビア５３〜５３によって、第２金属薄膜３２と第２電極箔１２とが互いに電気的に接続される。
【００６３】
図２１（ａ）〜図２１（ｃ）は、第２パターニング工程（Ｅ４）の説明に用いられる断面図である。第２パターニング工程（Ｅ４）では、図２１（ａ）に示す様に、第２金属薄膜３２の表面上にレジスト膜８３を形成することにより、第２金属薄膜３２に対してマスキング処理を施す。このとき、第２金属薄膜３２の表面の内、電極用金属膜３２１を形成せんとする領域Ｐ７と、接続用金属膜３２２〜３２２を形成せんとする領域Ｐ８とを、レジスト膜８３によって被覆し、それ以外の領域上にはレジスト膜８３を形成しない。
【００６４】
次に、図２１（ｂ）に示す様に、第２金属薄膜３２に対してレジスト膜８３側からエッチング処理を施す。これにより、第２金属薄膜３２の内、レジスト膜８３によって覆われている部分を残置させると共に、それ以外の部分を除去する。斯くして、第２金属薄膜３２には、電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２〜３２２とが形成されることになる。その後、図２１（ｃ）に示す様に、第２金属薄膜３２の表面からレジスト膜８３を除去する。これにより、第２構成部１０４が完成する。
【００６５】
尚、上記第２パターニング工程（Ｅ４）を実行することに代えて、金属薄膜形成工程（Ｅ３）において次の態様を採用してもよい。即ち、第２誘電体層２２の表面の内、電極用金属膜３２１を形成せんとする領域と、接続用金属膜３２２〜３２２を形成せんとする領域とに、第２金属薄膜３２を選択的に形成し、これにより電極用金属膜３２１と接続用金属膜３２２〜３２２とを形成してもよい。この態様によれば、上記第２パターニング工程（Ｅ４）が不要となる。
【００６６】
図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、積層工程（Ｆ）の説明に用いられる断面図である。図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示す様に、積層工程（Ｆ）では、第１構成部１０３と第２構成部１０４とを積層する。具体的には、第１電極箔１１と第２電極箔１２とを、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とが互いに対向することとなる姿勢で、積層する。このとき、電極用金属膜３１１，３２１を互いに重ね合わせると共に、これらを導電性接着材３３によって互いに接着する。又、各接続用金属膜３１２とこれに対応する接続用金属膜３２２とを互いに重ね合わせると共に、これらを導電性接着材３３によって互いに接着する。これにより、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との間に金属層３が形成され、該金属層３には、電極層３４と接続層３５〜３５が形成されることになる。尚、積層工程（Ｆ）では、導電性接着材３３を用いずに、第１金属薄膜３１と第２金属薄膜３２とを互いに圧着してもよい。
【００６７】
積層工程（Ｆ）の後、第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２との間の間隙に保護材料を充填する。又、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の側端部を、全周に亘って保護材料によって被覆する。これらの保護材料には、樹脂材等、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有した物質が用いられる。斯くして、図１２及び図１３に示す様に第１保護膜４３〜４３及び第２保護膜４４が形成され、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２の露出面全体が、第１保護膜４３〜４３及び第２保護膜４４によって覆われることになる。これにより、図１２及び図１３に示す薄膜キャパシタが完成することになる。
【００６８】
第２実施形態に係る薄膜キャパシタによれば、第１実施形態の薄膜キャパシタと同様、薄膜キャパシタの高容量化が実現される。又、薄膜キャパシタの多層化に伴う厚さ寸法の増大が抑えられる。
【００６９】
ここで、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、第１電極箔１１及び第２電極箔１２の内、第１実施形態の薄膜キャパシタでは接続部６として用いられていた部分にも、第１誘電体層２１及び第２誘電体層２２をそれぞれ形成することが出来る。従って、第２実施形態の薄膜キャパシタは、第１実施形態の薄膜キャパシタに比べて、高容量化を実現し易い。尚、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第２実施形態の薄膜キャパシタに比べて、製造が容易である。
【００７０】
図２３は、第２実施形態の薄膜キャパシタを用いて作製されたコンデンサ内蔵基板を示した断面図である。図２３に示す様に、絶縁基板９は、２つの絶縁基材９１，９２を積層して構成されている。そして、薄膜キャパシタは、２つの絶縁基材９１，９２の間に挟み込まれている。ここで、第２実施形態の薄膜キャパシタにおいては、図１３に示す様に、薄膜キャパシタの電極（陽極又は陰極）の内、電極層３４によって構成される電極が、第１導電ビア５１〜５１及び第１電極部１１１〜１１１によって第１誘電体層２１上に引き出されている。又、第２電極箔１２によって構成される電極が、第３導電ビア５３〜５３、接続層３５、及び第２導電ビア５２〜５２を順に介して、第２電極部１１２に電気的に接続されている。従って、コンデンサ内蔵基板に回路を構築する場合において、図２３に示す様に、導電ビア９３〜９３を用いて、薄膜キャパシタに対して片側（第１電極箔１１側）から配線することが可能となる。従って、コンデンサ内蔵基板を作製する過程において、回路の構築が容易となる。
【００７１】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１金属薄膜３１又は第２金属薄膜３２が形成されていない構成に変形されてもよい。又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１金属薄膜３１及び第２金属薄膜３２の何れもが形成されていない構成に変形されてもよい。この構成においては、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２とが導電性接着材３３によって互い接着され、該導電性接着材３３によって金属層３が形成されることになる。
【００７２】
第１実施形態の薄膜キャパシタは、図２４に示す様に、接続部６が設けられていない構成に変形されてもよい。この構成の薄膜キャパシタを用いてコンデンサ内蔵基板を作製する場合、第１電極部１１１〜１１１及び第２電極部１１２に加えて、第２電極箔１２にも配線が施されることになる。又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、導電ビア５〜５が設けられていない構成に変形されてもよい。更に、第１実施形態の薄膜キャパシタは、導電ビア５〜５が設けられておらず、且つ第１電極箔１１に第１電極部１１１〜１１１と第２電極部１１２とが形成されていない構成に変形されてもよい。更に又、第１実施形態の薄膜キャパシタは、第１電極箔１１や第２電極箔１２とは別の部材を接続部６として用いた構成に変形されてもよい。
【００７３】
第１実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法において、第２パターニング工程（Ａ４）は、成膜工程（Ａ１）の後であって且つ金属薄膜形成工程（Ａ３）の前に実行されてもよい。第２実施形態に係る薄膜キャパシタの製造方法において、第３パターニング工程（Ｄ５）は、成膜工程（Ｄ１）の後であって且つ第２パターニング工程（Ｄ４）の前に実行されてもよい。製造方法の工程順は、これらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
【００７４】
上述した薄膜キャパシタ及びその製造方法において、第１電極箔１１及び第２電極箔１２に代えて、種々の金属製の基材を採用することが出来る。又、上述した薄膜キャパシタ及びその製造方法の各種構成は、コンデンサ回路を有した回路基板等、種々の積層構造体に適用することが出来る。
【符号の説明】
【００７５】
１１ 第１電極箔
１１１ 第１電極部
１１２ 第２電極部
１２ 第２電極箔
１１ａ，１２ａ 対向面
２１ 第１誘電体層
２２ 第２誘電体層
２１ａ，２２ａ 側端面
３ 金属層
３１ 第１金属薄膜
３１１ 電極用金属膜
３１２ 接続用金属膜
３２ 第２金属薄膜
３２１ 電極用金属膜
３２２ 接続用金属膜
３３ 導電性接着材
３４ 電極層
３５ 接続層
５ 導電ビア
５１ 第１導電ビア
５２ 第２導電ビア
５３ 第３導電ビア
６ 接続部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の第１基材と、
前記第１基材に対向して配置された金属製の第２基材と、
前記第１基材と第２基材との対向面の内、第１基材の対向面上に形成された第１誘電体層と、
前記第１基材と第２基材との対向面の内、第２基材の対向面上に形成された第２誘電体層と、
前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に介在した金属層と
を備える、積層構造体。
【請求項２】
前記金属層は、第１誘電体層の表面上に形成された第１金属薄膜と、第２誘電体層の表面上に形成された第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着することにより構成されている、請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記第１基材と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されている、請求項１又は請求項２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記第１基材には、互いに離間して配置された第１電極部と第２電極部とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第１導電ビアが形成されており、前記第１電極部と金属層とが、第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている、請求項１又は請求項２に記載の積層構造体。
【請求項５】
前記第２電極部と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されている、請求項４に記載の積層構造体。
【請求項６】
前記金属層には、互いに離間して配置された電極層と接続層とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第２導電ビアが更に形成され、前記第２誘電体層には、該第２誘電体層を貫通した第３導電ビアが形成されており、
前記第１電極部と電極層とが、前記第１導電ビアを介して互いに電気的に接続され、前記第２導電ビアと第３導電ビアとが、前記接続層を介して互いに電気的に接続されており、第２導電ビアに前記第２電極部が電気的に接続される一方、第３導電ビアに第２基材が電気的に接続されている、
請求項４に記載の積層構造体。
【請求項７】
（ａ）金属製の第１基材の表面上に第１誘電体層を形成する工程と、
（ｂ）金属製の第２基材の表面上に第２誘電体層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１誘電体層の表面上に第１金属薄膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に前記第１金属薄膜が介在することとなる様に、第１基材と第２基材とを積層する工程と
を有する、積層構造体の製造方法。
【請求項８】
（ｅ）前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２誘電体層の表面上に第２金属薄膜を形成する工程を更に有し、
前記工程（ｄ）では、前記第１金属薄膜と第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着する、
請求項７に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、第１基材と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成する、請求項７又は請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１０】
（ｆ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する工程と、
（ｇ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜とを互いに電気的に接続させる導電ビアを形成する工程と
を更に有する、請求項７又は請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、前記第２電極部と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成する、請求項１０に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１２】
（ｈ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する工程と、
（ｉ）前記工程（ｃ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する工程と、
（ｊ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜の電極用金属膜とを互いに電気的に接続させる第１導電ビアと、前記第２電極部と第１金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第２電ビアとを形成する工程と、
（ｋ）前記工程（ｅ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する工程であって、第２金属薄膜の電極用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の電極用金属膜と重なり合い、第２金属薄膜の接続用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の接続用金属膜と重なり合うこととなる、工程と、
（ｌ）前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２誘電体層に対して、前記第２基材と第２金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第３導電ビアを形成する工程と
を更に有する、請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１】
金属製の第１基材と、
前記第１基材に対向して配置された金属製の第２基材と、
前記第１基材と第２基材との対向面の内、第１基材の対向面上に形成された第１誘電体層と、
前記第１基材と第２基材との対向面の内、第２基材の対向面上に形成された第２誘電体層と、
前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に介在した金属層と
を備える、積層構造体。
【請求項２】
前記金属層は、第１誘電体層の表面上に形成された第１金属薄膜と、第２誘電体層の表面上に形成された第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着することにより構成されている、請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記第１基材と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されている、請求項１又は請求項２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記第１基材には、互いに離間して配置された第１電極部と第２電極部とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第１導電ビアが形成されており、前記第１電極部と金属層とが、第１導電ビアを介して互いに電気的に接続されている、請求項１又は請求項２に記載の積層構造体。
【請求項５】
前記第２電極部と第２基材とが、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側に位置する接続部を介して、互いに電気的に接続されている、請求項４に記載の積層構造体。
【請求項６】
前記金属層には、互いに離間して配置された電極層と接続層とが形成され、前記第１誘電体層には、該第１誘電体層を貫通した第２導電ビアが更に形成され、前記第２誘電体層には、該第２誘電体層を貫通した第３導電ビアが形成されており、
前記第１電極部と電極層とが、前記第１導電ビアを介して互いに電気的に接続され、前記第２導電ビアと第３導電ビアとが、前記接続層を介して互いに電気的に接続されており、第２導電ビアに前記第２電極部が電気的に接続される一方、第３導電ビアに第２基材が電気的に接続されている、
請求項４に記載の積層構造体。
【請求項７】
（ａ）金属製の第１基材の表面上に第１誘電体層を形成する工程と、
（ｂ）金属製の第２基材の表面上に第２誘電体層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１誘電体層の表面上に第１金属薄膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に前記第１金属薄膜が介在することとなる様に、第１基材と第２基材とを積層する工程と
を有する、積層構造体の製造方法。
【請求項８】
（ｅ）前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２誘電体層の表面上に第２金属薄膜を形成する工程を更に有し、
前記工程（ｄ）では、前記第１金属薄膜と第２金属薄膜とを、互いに圧着し、又は導電性接着材によって互いに接着する、
請求項７に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、第１基材と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成する、請求項７又は請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１０】
（ｆ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する工程と、
（ｇ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜とを互いに電気的に接続させる導電ビアを形成する工程と
を更に有する、請求項７又は請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｄ）では、前記第１基材と第２基材との積層に並行して、又はその後、第１誘電体層及び第２誘電体層の側端面側の位置に、前記第２電極部と第２基材とを互いに電気的に接続させる接続部を形成する、請求項１０に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１２】
（ｈ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１基材に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される第１電極部と第２電極部とを形成する工程と、
（ｉ）前記工程（ｃ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する工程と、
（ｊ）前記工程（ａ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第１誘電体層に対して、前記第１電極部と第１金属薄膜の電極用金属膜とを互いに電気的に接続させる第１導電ビアと、前記第２電極部と第１金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第２電ビアとを形成する工程と、
（ｋ）前記工程（ｅ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２金属薄膜に対して加工を施すことにより、互いに離間して配置される電極用金属膜と接続用金属膜とを形成する工程であって、第２金属薄膜の電極用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の電極用金属膜と重なり合い、第２金属薄膜の接続用金属膜は、工程（ｄ）にて第１金属薄膜の接続用金属膜と重なり合うこととなる、工程と、
（ｌ）前記工程（ｂ）の後であって且つ工程（ｄ）の前に、前記第２誘電体層に対して、前記第２基材と第２金属薄膜の接続用金属膜とを互いに電気的に接続させる第３導電ビアを形成する工程と
を更に有する、請求項８に記載の積層構造体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１２−２１２７５０（Ｐ２０１２−２１２７５０Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７７０７８（Ｐ２０１１−７７０７８）
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【Ｆターム（参考）】
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