【課題】 マイクロストリップ線路の線路幅の狭小化を行なったとしても、導体損失が増加しないようにする。
【解決手段】 半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１１上には、接地電極１２と、厚さが約０．５μｍのチタン酸ストロンチウムからなる誘電体層１３と、線状導体層１４とにより構成されるマイクロストリップ線路が形成されている。線状導体層１４は、幅が約０．５μｍの狭小部１４ａと、幅が約５μｍの幅広部１４ｂとにより構成されている。この線状導体層１４は、異なる材料からなる積層体であって、基板１１側から順次形成された、厚さが約０．１μｍの窒化タングステンシリコンからなる第１層１５と、厚さが約０．０５μｍのＴｉと厚さが約０．５μｍのＡｕとの積層体からなる第２層１６と、厚さが約３μｍのＡｕからなる第３層１７とから構成されている。 （もっと読む）