【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布の不均一を解消することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されて基板を載置するサセプタ１２と、チャンバ１１内に配置されてサセプタ１２と対向するシャワーヘッド２９とを備え、該シャワーヘッド２９の上部電極板３２は硼素がドープされたシリコンからなり且つ上部高周波電源３１に接続され、該基板処理装置１０では、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２の中央部３２ａの温度が測定され、該測定された温度に基づいて中央部３２ａの温度がシリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度（３００℃）よりも低く維持される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＢＡＳ（ビス３級ブチルアミノシラン）ベースの窒化膜（ＢＴＮ）の剥離を抑えるため、反応管の石英と同じＳｉＯ₂からなる酸化膜（ＢＴＯ）をプリコート膜として反応管上に形成していても、堆積膜を除去するためのガスクリーニングの終点を適当に定め、総膜厚を抑えることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、プリコート膜成膜後の１バッチ目のモニタ・ウェーハの窒化膜の堆積時間と膜厚を用いて、ＢＴＮ膜の成膜レートを算出する手段と、その成膜レートによりプリコート膜のＢＴＮ膜の膜厚を算出する手段と、そのＢＴＮ膜の膜厚及びＢＴＯ／ＢＴＮ成膜比よりＢＴＯ膜の膜厚を算出する手段と、プリコート膜の膜厚及び成膜プロセス処理毎の累積膜厚より総膜厚を算出する手段と、ＢＴＮ膜単体のガスクリーニングの終点を検出する手段と、総膜厚と検出した終点にしたがって、ガスクリーニングを実施する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】冗長回路による救済率の向上及び半導体装置の不良の低下を同時に実現する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上の絶縁膜１０６に形成されたメタル配線１０９及びフューズ配線１１１と、前記絶縁膜１０６の上方に形成された第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２と、前記第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２上に形成された第２のＰＡＤ配線下絶縁膜２０３と、前記第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２及び第２のＰＡＤ配線下絶縁膜２０３の前記メタル配線１０９の上方の領域に形成されたＰＡＤ配線４０２と、前記第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２及び前記第２のＰＡＤ配線下絶縁膜のうち当該第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２の一部が前記フューズ配線１１１の上方の領域に残存するように形成された開口部７０１を備え、前記第２のＰＡＤ配線下絶縁膜２０３は前記第１のＰＡＤ配線下絶縁膜２０２に含まれる元素と異なる元素を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力異常の原因を的確に判定する。
【解決手段】処理室内の圧力を調整するためのバルブを制御して処理室内の圧力を目標値に調整し，バルブを閉じて圧力チェックを開始し，そこから所定の圧力チェック時間分の処理室内の圧力データを取得し（例えば圧力データ収集），圧力データの時間変化を示す波形の識別を行い，その結果に基づいて処理室内の圧力の異常原因を判定する（例えばリーク異常判定，アウトガス異常判定，圧力異常原因判定）。 （もっと読む）

【課題】新規なエッチング深さ推定方法、特に、従来法より精度の高いエッチング深さ推定方法および、このエッチング深さ推定方法を使用した、深さ方向における元素濃度分布評価方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射によるスパッタエッチングのスパッタリング時間またはドーズ量とそのときのエッチング深さとの二以上の組から、エッチング深さとスパッタリング時間またはドーズ量との比としてのエッチングレートを求め、このエッチングレートから任意のスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを決めるエッチング深さ推定方法において、あるスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを定数として扱い、その後のスパッタリング時間またはドーズ量について、前記エッチングレートを求める。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置で発生する被加工物の処理品質に悪影響を与える微小なアーク（ソフトアーク）を確実に検出する。
【解決手段】プラズマ処理装置に高周波電力を供給する周波数可変の高周波電源装置はソフトアークを検出するためのアーク検出部１７を備える。アーク検出部１７は、制御部１２から出力周波数を変化させてインピーダンス整合動作を行う信号が入力される毎に、タイマ制御部１７１とタイマ１７２により前回の整合動作から今回の整合動作までの時間間隔Ｔｍを計測する。更にカウンタ制御部１７３によりタイマ１７２で計測される時間間隔Ｔｍのうち、所定の時間間隔Ｔｒよりも短い時間間隔Ｔｍが連続する回数Ｃがカウントされ、その連続回数Ｃが基準回数Ｃｒを超えると、判定部１７４によりソフトアークが発生したと判定されてその判定結果をアーク処理部１９に出力する。アーク処理部１９ではソフトアーク発生報知などが行われ、これによりユーザはソフトアークの発生状況を把握することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において確実にダミーエッチング処理を行う。
【解決手段】被処理基板又はダミー基板６が収容される処理室１と、処理室１の内部に収容された被処理基板又はダミー基板６をプラズマによってエッチング処理するエッチング手段と、処理室１の内部におけるプラズマの発光強度を検出する検出手段１５と、ダミー基板６をエッチング手段によってエッチング処理するダミーエッチング処理から、被処理基板６をエッチング手段によってエッチング処理する生産用エッチング処理へエッチング処理を切り換える切換手段１３ａとを備えたプラズマエッチング装置２０であって、切換手段１３ａは、検出手段１５で検出されたプラズマの発光強度の変化に基づいて、エッチング処理を切り換える。 （もっと読む）

【課題】 チャンバのクリーニング及びシーズニングの影響を考慮に入れたプラズマ・エッチ・ツールにおけるエッチング線寸法制御のための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 エッチングされた構造部（１５０）の寸法を制御するための方法及びシステムである。この方法は、マスク構造部寸法値を得るために、基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたマスク構造部（１４５）を測定するステップと、マスク構造部寸法値、マスク構造部寸法目標値（２５５）、層をプラズマ・エッチングする（２７５）ためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のチャンバに生じた事象以降の、プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計、及び、層のプラズマ・エッチ（２７５）の間にマスク構造部によって保護されていない層から形成されることになる層構造部についてのエッチ・バイアス目標に基づいて、マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 異方性ドライエッチングによって所望の適正な加工形状を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜１３とを含む被処理体１０をチャンバーに導入する工程と、チャンバー内で、異方性ドライエッチングによりゲート電極膜をゲート絶縁膜に対して選択的にエッチングしてゲート電極を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、ゲート電極を形成する工程は、少なくともゲート絶縁膜の一部が露出した後に、チャンバー内におけるエッチングガスのレジデンスタイムが１００ミリ秒以下となる条件でゲート電極膜をエッチングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのロット間に品質のバラツキがある場合でも、異常を早期発見でき、不良品の発生も最小限に抑えられ、かつ、装置の異常検出の精度が向上できる。
【解決手段】この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。さらに、データ処理部７は、その検出した２つのエッチング時間からその差を求め、求めた差を所定の判定値と比較し、その差が判定値を超えた場合に、ドライエッチング装置１、２が異常であると判定し、その旨の信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 下層配線と上層配線との間を電気的に接続するための開口部を、過剰エッチングやエッチング不足を生じることなく、効率よく且つ低コストで形成する。
【解決手段】 下層アルミ配線１３上に層間絶縁膜１４を形成する
工程と、層間絶縁膜１４の上面を平坦化する工程と、平坦化された後の層間絶縁膜１４上に、ビアホール形成領域１４ａに対応した部分に開口部Ｈを有するレジストパターン１５を形成する工程と、平坦化された後の層間絶縁膜１４の厚さＷ１を測定する工程と、層間絶縁膜１４の厚さＷ１に基づいたエッチング時間を設定する工程と、設定されたエッチング時間でエッチング処理を行い、ビアホールＶを形成する工程と、を備える。 （もっと読む）