【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト層５４が順に積層され、フォトレジスト層５４は、反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＱにおいて、ガス付着係数S
が、Ｓ＝０．１乃至１．０のデポ性ガスであるＣＨＦ３から生成されたプラズマによってフォトレジスト膜５４の開口部５５の側壁面にデポ６６を堆積させて開口部５５の開口幅を所定幅に縮小させる開口幅縮小ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。
【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。
【解決手段】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。また前記含フッ素芳香族系樹脂が、フッ素原子が芳香環に直接結合した分子構造を有する含フッ素ポリマーを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。
【解決手段】プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスであって、但し、ＣＦ_３Ｂｒ、Ｃ_２Ｆ_５Ｂｒ、Ｃ_３Ｆ_７Ｂｒ、及びＣ_３Ｆ_６Ｂｒ_２を除くフッ化炭素化合物ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面のクリーニング後に、ウエハの表裏を反転させることなく、ウエハの裏面をクリーニングできる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０２を処理するためのチャンバ１００は、チャンバ１００の内部空間を上側部分１０６と下側部分１０８とに分離するためのリング１０４を有している。ウエハ１０２の表面１１０は上側部分１０６に位置し、裏面１１２は下側部分１０８に位置する。このように、リング１０４で裏面１１２が位置する領域を、表面１１０が位置する領域から分離させることによって、裏面１１２だけを対象にして、目的とするプロセスガスをチャンバ１００に導入することが可能となる。具体的には、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングする際は、チャンバ１００の下側部分１０８にのみプロセスガスを導入することが可能となる。その結果、ウエハ１０２の表面１１０に大きな影響を与えることなく、ウエハ１０２の裏面１１２をクリーニングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】不純物イオン注入の際にマスクとして用いられ、変質層を有するレジスト膜を効率的に除去する。
【解決手段】ガラス基板１００上に形成されたレジスト膜１０７をマスクに不純物イオンを注入し、変質層１０７ａが形成されたレジスト膜１０７を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜１０７を除去する。この際、さらにハロゲン化合物ガスを添加した第１アッシングと、その後の、水素及び酸素の混合ガス比を水（Ｈ₂Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい、酸素リッチな状況で行う第２アッシングとにより行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、凹部の内壁にダメージを与えることなく、内壁が多段状の凹部を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、第１の凹部（１３）を形成する第１工程と、第１の凹部の底部及び内壁と、固相（１０）表面とを覆うレジスト膜（１４）を形成する第２工程と、固相表面に形成されたレジスト膜（１４）に、第１の凹部の開口部を含む、より大きな開口を設けると共に、第１の凹部の内壁に形成されたレジスト膜（１４）を、固相表面から所定の深さまでを除去する第３工程と、エッチング法により、第１の凹部より水平断面が大きく、レジスト膜を除去した深さと等しい深さを有する第２の凹部（１５）を形成し、残りのレジスト膜を除去する第４工程と、を含む凹部形成方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 貫通配線などの導電体層と半導体基板とを絶縁する絶縁体層を安定して形成することができ、かつ導電体層と表面電極との電気的接続を確実に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面電極２３およびレジストパターン２４をマスクとして半導体基板２１をエッチングするとともにレジストパターン２４のレジスト開口部２４ａを広げるエッチングと、エッチング後に露出する半導体基板２１、表面電極２３およびレジストパターン２４などの表面部にポリマ膜２６を形成する重合とを繰返し行ない、半導体基板２１に孔部２５を形成する。次いで、ポリマ膜２６を除去して表面電極２３を露出させ、絶縁材料を表面電極２３に接するようにして孔部２５に供給し、孔部２５の側壁部に側壁絶縁膜を形成する。 （もっと読む）