膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）

【解決課題】本発明は、最少スカラップ基板処理方法に関する。
【解決手段】基板を少スカラップで処理することによって耐久性と品質が改善される。ポリマー蒸着ステップと基板エッチングステップとをあらゆる順序で交互に実施することで、エッチングマスクを通して層に特徴部をエッチング加工する。さらに、プロセスステップ間のプロセスガス圧は実質的に等しくてもよい。また、基板処理全体を通じて継続プラズマ流が維持される。また、プロセスガスが２５０ミリ秒以下で切り替えて、１体の質量流制御バルブによってプロセスガスをコントロールできる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、酸素とフルオロカーボンとを含む供給ガス混合物への窒素源の追加を伴う。改良は、窒素源を含む前処理ガス混合物を活性化し、活性化前処理ガスを、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路に通過させることによる、経路の内面の前処理も伴う。
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波形ナノ構造を形成する本発明の方法は、周期的な波形ナノ構造が材料表面に形成され、および該ナノ構造の波峰がイオンの入射面に対して垂直方向に配向するように、分子状窒素Ｎ_２^＋イオン流束を用いて半導体材料に照射するものである。ナノ構造振幅を増大させるため、更なる照射をＯ_２^＋イオン流束を用いて、そのイオンボンバードメント面を窒素Ｎ_２^＋イオンによるボンバードメント面に一致させて実施する。Ｏ_２^＋イオンボンバードメントのエネルギーおよび角度は、形成できる波形ナノ構造の波長がＮ_２^＋イオンおよびＯ_２^＋イオンの単独照射におけるものと一致するように選択する。また、規則的な波形ナノ構造をヒ素、ガリウムおよびシリコンの構造体に形成する３つの変形体も開示される。 （もっと読む）

本発明は、蒸着／エッチング交互処理によりプラズマエッチングする場合、基体上にＳＯＩ構造体を形成する際に観察されるノッチングを、カソードへ印加されるＲＦバイアスを変調することにより減少するか又は無くすための方法及び装置を与える。カソードへのバイアス電圧への変調は、蒸着／エッチング交互処理の間に、少なくとも二つの周波数の間で別々に行うか、又は連続的に行われる。
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基板上に基層及び機械層を設けることと、基層と機械層との間に犠牲層を設けることと、犠牲層と基板との間にエッチストップ層を設けることと、ドライ化学エッチングを用いて犠牲層を除去することとを含み、ドライ化学エッチングはフッ素含有プラズマを用いて行われ、エッチストップ層は、ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３及びＴｉＯ_２のような実質的に非導電性のフッ素の化学作用を起こさない材料を有するマイクロマシン技術（ＭＥＭＳ）デバイスの製造方法である。
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【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。プラズマ発光強度の変動が、既知の発光分析技法を用いてモニタリングされる。包絡線フォロアアルゴリズムを用いて、振幅情報が、プラズマ発光強度の複雑な波形から抽出される。この交互の周期的なプロセスは、終点がモニタリングステップに基づいた時間に到達すると停止される。
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【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）