【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

基板上にパターンを形成する方法は、基板上での間隔を置いた第一フィーチャの形成を含む。前記間隔を置いた第一フィーチャは対向する側壁を備える。前記間隔を置いた第一フィーチャの前記対向する側壁上に材料を形成する。前記対向する側壁のそれぞれで受けられる、このような材料の部分の組成は、前記対向する側壁のそれぞれの組成とは異なる。前記材料のこのような部分と前記間隔を置いた第一フィーチャの少なくとも一方を緻密化（高密度化）して、前記少なくとも一方を、前記少なくとも一方の他方から離して横方向に移動し、前記対向する側壁のそれぞれと前記材料のこのような部分との間に空隙空間を形成する。
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【課題】２回目の露光工程を必要とせずに、露光限界よりも細い微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】マスクとなるパターンを形成する方法であって、第１パターン１０５を形成する工程と、第１パターン１０５の幅をトリミングする工程と、境界層１０６を第１パターン１０５の表面に成膜する工程と、境界層１０６の表面に第２マスク材層１０７を形成する工程と、境界層１０６の頂部が露出するように第２マスク材層１０７の一部を除去する工程と、境界層１０６をエッチングして第１パターン１０５を露出させるとともに、第２マスク材層１０７を上部に有する第２パターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】２回目の露光工程を必要とせずに、微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】エッチングするマスクとなるパターンを形成するパターン形成方法であって、フォトレジストからなる第１パターン１０５を形成する工程と、境界層１０６を第１パターン１０５の側壁部及び頂部に形成する工程と、第２マスク材層１０７を、境界層１０６の表面を覆うように形成する工程と、境界層１０６の頂部が露出するように第２マスク材層１０７の一部を除去する工程と、境界層１０６をエッチングして除去して第２マスク材層１０７からなる第２パターンを形成する工程と、第１パターン１０５及び第２パターンの幅を減少させて所定幅とするトリミング工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】配線の加工精度を、十分に向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１の製造方法は、半導体基板２上に金属配線層３ａを形成する工程と、金属配線層３ａ上の所定領域にレジストパターン４を形成する工程と、レジストパターン４の一部の耐熱性を向上させることにより、レジストパターン４の少なくとも側壁部に、高耐熱性領域４ａを形成するとともに、高耐熱性領域４ａに挟まれた部分に、レジストパターン４の下面から上面に達するように、高耐熱性領域４ａよりも低い耐熱性を有する非高耐熱性領域４ｂを形成する工程と、レジストパターン４をマスクとして金属配線層３ａをエッチングすることにより、金属配線３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング対象層１６１と、このエッチング対象層１６１を覆う有機反射防止層１６２と、有機反射防止層１６２を覆う開口パターン１６３ａが形成されたＡｒＦフォトレジスト層１６３とを有する被処理体Ｗを処理容器内に配置する工程と、この処理容器内にエッチングガスとしてＨ_２を導入する工程と、このエッチングガスをプラズマ化し、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の開口パターン１６３ａを通して有機反射防止層１６２をエッチングしつつ、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の表面にＳｉ−ＣやＳｉ−Ｏ等を含む耐プラズマ性の高い保護層１６３ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とエクステンション領域との間隔を大きくして、電気的特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。また、下地の半導体基板にダメージを与えることなしに高誘電率絶縁膜をエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極８を形成する際のドライエッチングによって、高誘電率絶縁膜７をダメージ層に変え、このダメージ層をウェットエッチングによって除去する。また、ゲート電極８を形成する工程において、ゲート電極８の側壁部方向へのエッチングを行うことによって、その幅方向の寸法Ｗ_２を高誘電率絶縁膜７の幅方向の寸法Ｗ_１より小さくする。Ｗ_１とＷ_２との差は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。かかる変質工程において，シリコン酸化膜の種類に応じて，シリコン酸化膜の温度，及び，混合ガス中のフッ化水素ガスＨＦの分圧を調節するようにした。 （もっと読む）

【解決手段】形状を形成する方法は、下層の上に第１の材料のマスクを形成する工程を備え、マスクは、不適切なプロファイルを有する。マスクのプロファイルは補正され、形状が下層に形成される。形状を形成するためのシステムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨの組成からなる材料で形成された層間絶縁膜に、アスペクト比の高い凹部を形成する際、凹部の加工初期から加工終期にかけてＯラジカル量に対してＣＦ系ラジカル量が過剰になることが防止された絶縁膜の加工方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ系ラジカルをエッチング種として用いたドライエッチングにより、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１６に、同一のエッチング条件下で接続孔１８を形成する絶縁膜の加工方法において、層間絶縁膜１６の表面側に向かってＯ含有率が高くなるように層間絶縁膜１６の膜質を膜厚方向に変化させることで、ドライエッチングの進行により接続孔１８のアスペクト比が高くなるのにともない、エッチング底面へのＣＦ系ラジカルの入射量が減少するのに合わせて、層間絶縁膜１６から放出されるＯラジカル量を減少させることを特徴とする絶縁膜の加工方法である。 （もっと読む）