【課題】比較的高い温度およびエネルギーレベルに耐えることができ、かつスパッタリングのコンタミネーションの可能性を低減したウエハーホルダを提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂から形成されたウエハー保持構造であって、例えば、ＳＩＭＯＸウエハープロセスを含む半導体プロセスに用いられる。一実施形態では、ピンが、ウエハーの縁を受容するように構成され、ウエハーホルダ組立体に結合される。このピンは、導電材料で満たして、ウエハーとウエハーホルダ組立体との間に、グランドに接続できる電気経路を形成することができる。この構成により、イオン注入プロセスの際にウエハーからの放電を防止する導電経路が得られる。このピンは、ウエハーの局所的な熱の放散が起こらないように断熱特性および十分な硬度を有するが、ウエハーにマークを付けたり、他の損傷を与えない程度に軟質である。 （もっと読む）

少なくとも１つの基板（５）を真空プロセスにて処理するための少なくとも１つの処理チャンバ（１）を備えた、基板を処理するためのシステムであって、前記処理チャンバ（１）は、閉鎖ボディ（１５）にて閉鎖することができる基板アクセス（１３）を備え、このシステムは、少なくとも前記閉鎖ボディ（１５）を移動させるように構成された運搬デバイス（８）を備え、この運搬デバイス（８）は、前記基板（５）を前記真空プロセスの際に少なくとも部分的にカバーするためのマスク（４）を、少なくとも前記処理チャンバ（１）の外側のある位置と前記処理チャンバ（１）の内側のある位置との間で運搬するように構成される。少なくとも前記基板ホルダ（２）に、基板ホルダ（２）とマスク（４）とを互いに位置決めするための手段が提供された場合は、有利である。本発明は、更に、このようなシステムの使用に係る。
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