【課題】段差が存在する下地上でＡｌ合金配線を形成するためのエッチング時にイオンシェーディング現象の発生を抑制してＡｌ合金配線の側面が逆テーパー形状となるのを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、段差を有する下地である層間絶縁膜１１上にＴｉ層を形成する工程と、このＴｉ層上にＡｌ層又はＡｌ合金層を形成する工程と、熱処理を行うことにより、Ｔｉ層とＡｌ層又はＡｌ合金層を合金化反応させてＡｌ_３Ｔｉ層５ａを形成する工程と、このＡｌ_３Ｔｉ層５ａの上にレジストパターン１２を形成する工程と、このレジストパターン１２をマスクとしてＡｌ_３Ｔｉ層５ａをエッチングすることにより、層間絶縁膜１１上にＡｌ合金配線１３を形成する工程と、を具備するものである。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 微細トランジスタと高耐圧トランジスタの線幅バラツキを低減する。
【解決手段】 Ｐ型の半導体基板１上の段差部を境にしてＰ型ウエル２及びＮ型ウエル３が形成されたものにおいて、段差低部に形成される前記Ｐ型ウエル２上に第１線幅を有する第１のトランジスタ（微細トランジスタ）が形成され、段差高部に形成される前記Ｎ型ウエル３上に第１のトランジスタよりも線幅の太い第２線幅を有する第２のトランジスタ（高耐圧トランジスタ）が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体回路の隣接導体線間容量性クロストークを減少させる。
【解決手段】フィラー材料を蒸発させて形成された空隙を有する金属被覆体の製造方法で、フィラー材料３０は透過性の誘電層４０により覆われる。フィラー材料はＰＰＧ、ＰＢ、ＰＥＧ、非結晶フッ化炭素及びＰＣＬからなる群から選択され、スピン・オン法又はＣＶＤ法により形成される。フィラー材料を、間隔をあけた導電線２０及び半導体構造体１０上に形成し、エッチバック処理し、導電線の上面を露出させる。次に、フィラー材料上に透過性の誘電層４０を形成する。透過性の誘電層は分解したガス相フィラー材料が拡散するのを許容する性質がある。フィラー材料を蒸発させ、気相フィラー材料に変化させる。気相のフィラー材料は透過性の誘電層を通じて拡散して、間隔をあけた導電線の間に空隙を形成する。透過性の誘電層上に絶縁層が形成される。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）