【課題】キャパシタを有する半導体装置において、多層配線（上下に配置される配線）間の寄生容量を低減しつつ、キャパシタ容量を大きくする。
【解決手段】ガラス基板１上にフォトレジスト膜３を形成し、フォトレジスト膜を選択的に除去し、深さＴ１の溝３ｃとより浅い深さＴ２（＜Ｔ１）の溝３ｄを有する溝を形成し、この溝内に導電性材料液を注入し、熱処理を施し、導電性膜（下層配線）と導電性膜（下部電極）を形成し、これらの上部に絶縁膜を形成し、その上部に導電性膜（上層配線）および導電性膜（上部電極）を形成する。その結果、下層配線と上層配線との距離を大きくでき、これらの間の寄生容量を低減することができる。また、下部電極と上部電極との距離を小さくでき、これらの間の容量を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により基板上に多層配線の薄膜パターンを形成する場合において、導電膜パターンの密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】素子が微細化された場合においても、強誘電体キャパシタの特性劣化を抑制し、あるいは、その特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられた強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタの側面を被覆する絶縁性の保護膜と、保護膜を介して強誘電体キャパシタの側面に設けられ、強誘電体キャパシタにかかる電界方向へ該強誘電体キャパシタに引張応力を与える側壁膜とを備え、側壁膜はシリコン窒化膜からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されるインダクタンス素子の特性損失を少なくする。
【解決手段】インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。この絶縁領域は、通常の集積回路素子領域上に形成される配線用の薄い絶縁膜より大きな膜厚を有する。かかる構成にすることにより、帯状導電膜内に発生する渦電流の経路をなくし、渦電流を抑制して特性損失を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 バンクに撥液化処理を行う際の、機能膜へのダメージを解消した膜パターンの形成方法と、これによって得られた膜パターンを備えた半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐに設けられたゲート絶縁膜２８（機能膜）上に機能液を配置して膜パターンを形成する方法である。基板Ｐにゲート絶縁膜２８を設け、ゲート絶縁膜２８上にポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかを塗布し乾燥してバンク膜３１を形成する。そして、マスクＭを用いてバンク膜３１を選択的に露光し、バンク膜３１に撥液処理を施す。バンク膜３１を現像処理することでゲート絶縁膜２８を露出させ、パターン形成領域を区画するバンクを形成する。パターン形成領域に前記機能液を配置し、膜パターンを形成する。少なくとも、バンク膜３１に撥液処理を施す工程は、バンク膜３１を現像処理しバンクを形成する工程より前の工程で行う。 （もっと読む）

【課題】 分断されたパターン形成領域にキャップ層を有した膜パターンを形成する際に、その形成工程を簡略化することにより、膜パターンの生産性を向上した、膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、第１のパターン形成領域５２，５３と、交差部５６で分断される第２のパターン形成領域５５とを備えるパターン形成領域を区画するバンク５１を形成する。そして、第１のパターン形成領域５２，５３に第１の膜パターンを、第２のパターン形成領域に第２の膜パターンを形成した後、基板の全面に撥液処理を施す。その後、第２の膜パターンの各所定の位置の撥液性を選択的に保持させたまま、基板上の撥液性を低下させる。第１の膜パターン、及び第２の膜パターン上にキャップ層を積層し、第２の膜パターンの各所定の位置における撥液性を除去し、各所定の位置間に導電膜により接続する。 （もっと読む）

【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢの形成材料は、ポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を焼結した無機質の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】基板１０Ａの表面Ｓにヘキサメチルシラザンを基板１０Ａの表面Ｓに塗布し、ＨＭＤＳ層１２を形成するヘキサメチルシラザン層形成工程と、ＨＭＤＳ層１２上に、有機感光性材料層を形成する有機感光性材料層形成工程と、前記有機感光性材料層をパターニングしてバンクパターン１８を形成する工程と、バンクパターン１８によって縁取られた領域に、インクジェット法を用いて、導電性材料を付与する導電性材料付与工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）