膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢの形成材料は、ポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を焼結した無機質の材料からなる。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢの形成材料は、ポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を焼結した無機質の材料からなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子回路や集積回路等の配線を有するデバイスの製造には例えばフォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法は、予め導電膜を塗布した基板上にレジストと呼ばれる感光性材料を塗布し、回路パターンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の配線パターンを形成するものである。このフォトリソグラフィ法は真空装置などの大掛かりな設備や複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。
これに対して、液滴吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、所謂インクジェット法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散した機能液である配線パターン形成用インクを基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７２５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクジェット法を用いて基板上に膜パターンを形成する場合には、通常、インクの広がりを防止するために、バンクと呼ばれる土手構造を形成する。このバンクの材料としては、従来、有機系の材料（アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料）が用いられてきた。しかし、配線等を形成する場合には、インクジェットプロセス後に高温の焼成工程が必要となるため、有機系材料からなるバンクにおいては変色や膜厚変化等の問題を生じることがあった。特に、ＴＦＴ基板の製造工程においては、有機材料の耐熱温度を超える焼成温度が必要となるため、このような問題が顕著である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、微細且つ高性能な膜パターンを安定して形成することのできる膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、前記基板上にバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有することを特徴とする。
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクによって区画された領域に機能液が配置され、この機能液が乾燥することにより、基板上に膜パターンが形成される。この場合、バンクによって膜パターンの形状が規定されることから、例えば隣接するバンク間の幅を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、膜パターンの微細化や細線化を図ることができる。また、本方法においては、バンクの形成材料がポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する無機質の材料を含むことから、バンクの耐熱性が高く、しかもバンクと基板との間の熱膨張率の差が小さい。そのため、機能液の乾燥時の熱などによるバンクの劣化が抑制され、膜パターンが良好な形状で形成される。さらに、バンクを形成するために焼成するとき、機能液の乾燥後の膜を焼成するとき、後工程で基板上の他の部分を焼成するときなど、機能液を乾燥させる温度より高い温度で基板を焼成する工程を採用した場合においても、同様にバンクの劣化が抑制される。つまり、本方法によれば、微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる。尚、バンクの形成材料がポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する無機質の材料を含むようにすることで、焼成後にシロキサン骨格を持つ高分子から構成されるバンクとすることができる。このシロキサン骨格を持つ高分子は耐熱性が高く、基板との間の熱望効率の差が小さいことから、焼成後にシロキサン骨格を持つ高分子となる材料であれば、バンクの形成材料としてポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンと同等の効果が得られる。
【０００６】
本発明においては、前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する感光性の材料からなるものとすることができる。
感光性材料を用いることにより、バンクのパターニングを容易にすることができる。
【０００７】
本発明においては、前記機能液を液滴吐出法を用いて前記領域に配置するものとすることができる。
この方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行ないやすい。
【０００８】
本発明においては、前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むものとすることができる。
この方法によれば、バンクの上面のみを撥液化し、バンクの側面を撥液化しない状態とすることができる。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、バンク内に機能液がスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【０００９】
本発明においては、前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜に露光処理を施す工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むものとすることができる。
この方法によれば、例えば、バンクの形成材料に感光性の材料を用いた場合に、バンクの形成材料からなる薄膜を露光しパターニングすることから、感光性レジストの塗布及び、剥離する工程を省くことができる。従って、生産性良く膜パターンを製造することができる。
【００１０】
本発明においては、前記バンクによって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されているものとすることができる。具体的には、前記領域は、前記機能液の飛翔径よりも大きな幅を有する幅広領域と当該幅広領域よりも狭い幅を有する幅狭領域とが接続されて配置されるような形状とすることができる。
この方法によれば、例えば隣接するバンク間の幅（幅狭領域の幅）を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、パターンの微細化や細線化を図ることができる。この場合、バンクの側面は機能液に対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、本方法においてはバンクの側面が撥液化されていないので、バンク間の幅を狭くしても機能液は毛管現象等によりバンク内にスムーズに入り込むことができる。
また、本方法においてはバンクによって区画された領域は部分的に幅が広く形成されているので、この幅が広く形成された部分に機能液の一部が退避することにより、機能液の配置時におけるバンクからの機能液の溢れが防止される。そのため、パターンを所望の形状に正確に形成することができる。
【００１１】
本発明のデバイスの製造方法は、基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、上記の膜パターンの形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明のデバイス製造方法では、デバイスに形成される膜パターンの微細化や細線化が安定して図られる。そのため、高精度なデバイスを安定して製造することができる。
特に、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部を構成する場合には、高集積化されたスイッチング素子を安定的に得ることができる。
さらに、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部であるゲート電極と、該ゲート電極に接続されるゲート配線との少なくとも一方の少なくとも一部を構成する場合には、高集積化された素子のゲート電極を安定的に得られるとともに、素子と素子の間に信号を伝達するゲート配線を安定的に得ることができる。
【００１２】
本発明のデバイスは、上記のデバイス製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴とする。さらに、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これにより、高性能なデバイス、電気光学装置、電子機器を提供することができる。
なお、電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置などを例示できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
本発明の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する材料配置工程、及び基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させる乾燥（焼成）工程を有している。
【００１４】
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌが配置され、この機能液Ｌが乾燥することにより、基板Ｐ上に膜パターンＦが形成される。この場合、バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、膜パターンＦの微細化や細線化が図られる。なお、膜パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００１５】
また、本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、ポリシラザンを主成分とする無機質の材料が用いられる。バンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上にポリシラザンを主成分とする無機質の材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングして所定の形状のバンクＢを得ることができる。また、別の方法として、各種コート法を用いて基板Ｐ上にポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を成膜し、露光処理及び現像処理によってバンク形状にパターニングした後、これを焼成することもできる。この場合、バンク材料としては、ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のようなポジ型として機能する材料を好適に用いることができる。
尚、上記記載の無機質の材料は、バンクＢを形成する焼成前の出発材料として用いられ、分散液の固形分の成分はポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれかを選択することができる。
【００１６】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００１７】
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料が無機質の材料を含むことにより、バンクＢの耐熱性が高くなり、しかもバンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さくなる。そのため、機能液の乾燥時や焼成時の熱などによるバンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形状で形成される。
【００１８】
例えば、バンクＢ及び機能液の上に低融点ガラスなどを予め塗布するなどして、機能液Ｌを焼成する際、焼成温度が３００℃以上の高温になる場合がある。こうした場合にも、バンクＢが無機質の材料から形成されていることにより、十分な耐久性が得られる。
【００１９】
ここで、本発明における機能液（インク）Ｌとしては、種々のものを用いることができる。機能液とは、液中に含まれる膜成分を膜化することによって所定の機能を有する膜（機能膜）を形成し得るものをいう。係る機能としては、電気・電子的機能（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等）、光学的機能（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的機能（硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的機能（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的機能（耐摩耗性等）、熱的機能（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体的機能（生体適合性、抗血栓性等）等の種々の機能がある。本実施形態においては、例えば、導電性微粒子を含む配線パターン用インクを用いる。
機能液Ｌを、バンクＢによって区画された領域に配置する方法としては、液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いるのが好ましい。液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行ないやすいという利点がある。
【００２０】
配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。
導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２１】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２２】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２３】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２４】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００２５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２６】
本発明の膜パターンの形成方法では、上述した配線パターン用インクを用いることにより、導電性を有する膜パターンを形成することができる。この導電性の膜パターンは、配線として、各種デバイスに適用される。
【００２７】
図２は、本発明の膜パターンの形成方法に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
【００２８】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２９】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００３０】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３１】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行なう。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３２】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図２では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３３】
図３は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図３において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３４】
［第１の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第１の実施形態である配線パターンの形成方法について図４〜図７を参照しながら説明する。図４は本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図５〜図７は形成手順を示す模式図である。
【００３５】
図４に示すように、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン形成用インクを基板上に配置し、基板上に導電膜配線パターンを形成するものであって、基板表面を親液化する親液処理工程Ｓ１と、親液化された基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程Ｓ２〜Ｓ６と、バンク間の残渣を除去する残渣処理工程Ｓ７と、バンクに撥液性を付与する撥液処理工程Ｓ８と、残渣を除去されたバンク間にインクを配置する材料配置工程Ｓ９と、インクに含まれる膜成分を膜化し、これを焼成する材料膜焼成工程Ｓ１０とを概略備えている。
以下、各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。
【００３６】
＜親液処理工程＞
まず、図５（ａ）に示すように、バンク形成前に予め基板の表面Ｐ０に親液処理を施す（親液処理工程Ｓ１）。
この親液処理は、材料配置工程Ｓ９において配線パターン形成用インクが基板Ｐに対して良好な濡れ性を示すようにするための表面改質処理である。この処理は、例えば基板Ｐの表面にＨＭＤＳ処理を施してもよい。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層を基板表面Ｐ０上に形成することができる。
【００３７】
＜バンク形成工程＞
次に、基板Ｐ上にバンクを形成する。
バンクは、材料配置工程Ｓ９において仕切部材として機能する部材である。バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行なうことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、バンク材料として感光性の材料を用いた場合には、レジストを用いずにバンク材料を直接パターニングすることができる。本実施形態では、バンク材料としてポリシラザンを主成分とする無機質の材料からなるもの、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のようなポジ型として機能する感光性ポリシラザンを用い、これを露光処理及び現像処理によって直接パターニングする方法を採用する。
【００３８】
ここではまず、図５（ｂ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてバンク材料である感光性ポリシラザンの塗膜（薄膜３１）を形成する（バンク材形成工程Ｓ２）。具体的には、バンク形成材料を１０００ｒｐｍでスピンコートし、これを１１０℃、１分間プリベークする。
次に、図５（ｃ）に示すように、マスクを用いて薄膜３１を露光し（第１露光工程Ｓ３）、薄膜３１を加湿した後（図５（ｄ））、図５（ｅ）に示すように、現像処理を行なう（現像工程Ｓ４）。加湿してから現像を行なうことで、光透過率の低下要因となるバンク材料中の窒素成分を除去することができる。なお、露光条件は、例えば１０ｍｊとし、加湿処理の条件は、温度：２５℃、湿度：８０％ＲＨ、加湿時間：４分とする。また、現像処理の条件は、現像液：ＴＭＡＨ２．３８％、温度：２５℃、現像時間：１分とする。現像後は、必要に応じて除水処理を行なってもよい。除水は、例えば基板Ｐを真空雰囲気下で５分間放置することにより行なう。
【００３９】
次に、図６（ａ）に示すように、基板Ｐ全体に露光処理を施す（第２露光工程Ｓ５）。
そして、図６（ｂ）に示すように、薄膜３１を加湿した後、焼成を行なう（バンク焼成工程Ｓ６）。焼成前に露光を行なうことにより、バンク材料中の水素基の脱離反応を促すことができる。なお、露光条件は、例えば１０ｍｊとし、加湿処理の条件は、温度：２５℃、湿度：８０％ＲＨ、加湿時間：４分とする。また、焼成条件は、焼成温度：３５０℃、焼成時間：６０分とする。焼成することによりポリシラザンはシロキサン骨格をもつ高分子となる。
例えば、バンク材料のポリシザランがポリメチルシザラン［―（ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5）ｎ―］のとき、ポリメチルシザランは、加湿処理により一部加水分解し［ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）］の形態となる。次に、焼成により縮合して、ポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ3Ｏ1.5）−］の形態となる。このようにして形成されるポリメチルシロキサンは、主成分となる骨格が無機質であることから、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。
以上により、図６（ｃ）に示されるように、配線パターンを形成すべき溝部３４の周辺を囲むように、例えば１０〜１５μｍ幅でバンクＢ、Ｂが突設される。
【００４０】
＜残渣処理工程＞
次に、図６（ｄ）に示すように、バンク間の残渣処理を行なう（残渣処理工程Ｓ７）。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行なう紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラズマ処理、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理等を選択できるが、ここでは、フッ酸処理を実施する。フッ酸処理は、例えば０．２％フッ酸水溶液で２０秒間エッチングを施すことにより行なう。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５に残ったバンク材料等が除去される。
【００４１】
＜撥液処理工程＞
続いて、図６（ｅ）に示すように、バンクＢに対し撥液処理を行ない、その表面に撥液性を付与する（撥液処理工程Ｓ８）。
撥液処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
また、上記プラズマ処理法によらず撥液処理としては、減圧プラズマ処理法または、ＦＡＳによる気相処理法を用いてもよい。
【００４２】
このような撥液処理を行なうことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する材料中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液処理により、先に親液処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
【００４３】
＜材料配置工程＞
次に、先の図２に示した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料Ｌを、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂによって区画された領域、すなわちバンクＢ、Ｂ間に配置する（材料配置工程Ｓ９）。
本例では、配線パターン用インクＬ（機能液）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。材料配置工程では、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含むインクを液滴にして吐出する。吐出された液滴は、図７（ｂ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置される。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４〜７ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行なうことができる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行なうことができる。
【００４４】
このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止することができる。
また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板Ｐが露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これによりインクは所定位置内で均一に配置される。
【００４５】
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。なお、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行なうことにより、液体材料の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）を形成することができる（図７（ｃ））。
【００４６】
＜焼成工程＞
次に、中間乾燥工程で乾燥した乾燥膜を焼成する（材料膜焼成工程Ｓ１０）。
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００４７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。この場合、例えば、バンクＢ及び液体材料の乾燥膜の上に低融点ガラスなどを予め塗布してもよい。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、図７（ｄ）に示すように、導電性膜（膜パターンＦ）に変換される。
【００４８】
本実施の形態例では、無機質の材料を用いてバンクＢが形成されていることから、バンクＢの耐熱性が高く、しかもバンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さい。そのため、焼成時の高温処理にあっても、バンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形状で形成される。
なお、本実施形態では、本発明の膜パターンの形成方法の好適な一例を示した。しかし、本発明はこれに限らず、必要に応じて、上記工程の一部を変更したり省略したりすることも可能である。例えば、工程Ｓ６のバンク焼成工程を省略して、工程Ｓ１０でバンクと材料膜の双方を同時に焼成する等の設計変更は自由である。
【００４９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第２の実施形態について図４のフローチャート及び図８〜９を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、前記第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。さらに、図８及び図９においては、材料配置工程以降の工程の図示を省略する。
【００５０】
前記第１の実施形態では、バンク材料としてポリシラザンを主成分とする材料と光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、第２の実施形態においては、バンク材料にポリシロキサンを主成分とする材料と光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いた。
製造工程において、前記第１の実施形態との相違点は、現像工程Ｓ４とバンク焼成工程Ｓ６における加湿処理が無くなり、その他の工程は前記第１の実施形態と同様とする。その理由は、バンク材料の主成分にポリシラザンを使用したとき、加湿することにより窒素成分が除去される効果があるが、バンク材料の主成分にポリシロキサンを使用したときは、窒素成分が含まれていないので、加湿する必要がないからである。
【００５１】
親液処理工程Ｓ１とバンク材形成工程Ｓ２を経た後、図８（ｃ）に示すように、薄膜３１を露光し（第１露光工程Ｓ３）、次に加湿をせずに、図８（ｄ）に示すように、現像処理を行う（現像工程Ｓ４）。図９（ａ）に示すように、薄膜３１を露光し（第２露光工程Ｓ５）、次に加湿をせずに、図９（ｂ）に示すように、バンク焼成を行う（バンク焼成工程Ｓ６）。焼成することによりポリシロキサンはシロキサン骨格をもつ高分子となる。
続いて、図９（ｃ）に示すように、残渣処理を行い（残渣処理工程Ｓ７）、図９（ｄ）に示すように、バンクＢに撥液処理であるプラズマ処理を行う（撥液処理工程Ｓ８）。
続いて、材料配置工程Ｓ９、材料膜焼成工程Ｓ１０が行なわれ、導電性膜（膜パターンＦ）が形成される。
本発明はこれに限らず、必要に応じて、上記工程の一部を変更したり省略したりすることも可能である。例えば、工程Ｓ６のバンク焼成工程を省略して、工程Ｓ１０でバンクと材料膜の双方を同時に焼成する等の設計変更は自由である。
【００５２】
上記したように、第２の実施形態によれば、焼成後のバンクは、無機質の材料が主成分となるため、前記第１の実施形態の作用及び効果に加えて以下の効果を有する。
（１）第２の実施形態によれば、加湿工程を省略できることから、工程を簡略化できるので、生産性を向上することができる。また、加湿する為の設備、エネルギーが不要となるので、省資源とすることができる。
【００５３】
［第３の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第３の実施形態について図１０〜図１２を参照しながら説明する。図１０は本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図１１及び図１２は形成手順を示す模式図である。本実施形態において第１の実施形態と異なる点は、撥液処理工程を現像工程の前に行なった点のみである。よって、第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、同様の工程手順については説明を省略する。さらに、図１１及び図１２においては、材料配置工程以降の工程の図示を省略する。
【００５４】
本実施形態において、図１１（ａ）〜図１１（ｄ）までの工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）は第１実施形態における図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工程（Ｓ１〜Ｓ３）と同じである。第１実施形態では、第１露光工程Ｓ３を行なった後現像工程Ｓ４を行ない、その後撥液処理工程Ｓ８を行なった。これに対して、本実施形態では、第１露光工程Ｓ１３にて露光（図１１（ｃ））と加湿（図１１（ｄ））を行なった後、撥液処理工程Ｓ１４（図１１（ｅ））を行ない、その後現像工程Ｓ１５（図１２（ａ））を行なっている。こうすることで、現像後の薄膜３１は上面３１ａのみが撥液化され、溝部３４の側面３１ｂは撥液化されない状態となり、溝部３４内にインクＬを吐出するときにバンクＢとインクＬとの濡れ性を向上することができる。一方、バンクＢの上面３１ａは撥液化されているので、インクはバンク上面に付着せずに、バンク間の溝のみに配置される。
このように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮しつつ、バンク側面とインクとの濡れ性向上により、膜の均一性をより向上することができる。
【００５５】
［第４の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第４の実施形態について図１３を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、第１の実施形態〜第３の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
本実施形態のパターン形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程、及びバンクＢによって区画された線状の領域Ａに機能液Ｌを配置する材料配置工程を有している。バンク形成工程は、第３の実施形態の方法を用いる。
【００５７】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａに機能液Ｌが配置され、この機能液Ｌが例えば乾燥することにより、基板Ｐ上に線状の膜パターンＦが形成される。この場合、バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、パターンＦの微細化や細線化が図られる。この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、第３の実施形態の方法においてはバンクＢの側面が撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。
なお、パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００５８】
また、本実施形態のパターン形成方法では、基板Ｐ上にバンクＢを形成する際、バンクＢによって区画される線状領域Ａについて、一部の幅を広くする。すなわち、線状領域Ａの軸方向に関する所定の位置に、他の領域の幅Ｗに比べて広い幅Ｗｐ（Ｗｐ＞Ｗ）からなる部分（以後、必要に応じて幅広部Ａｓと称す）を、単数あるいは複数設ける。
【００５９】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａの幅が部分的（幅広部Ａｓ）に広く形成されていることにより、機能液Ｌの配置時、この幅広部Ａｓに機能液Ｌの一部が退避し、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。
一般に、線状領域に液体を配置する際、液体の表面張力の作用などによってその領域に液体が流入しにくかったり、その領域内で液体が広がりにくい場合がある。これに対して、本実施形態のパターン形成方法では、線幅に差が設けられている部分での液体の動きが誘因となり、線状領域Ａへの機能液Ｌの流入あるいは線状領域Ａ内での機能液Ｌの広がりが促進され、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。なお、機能液Ｌの配置に際して、線状領域Ａに対する機能液の配置量が適宜設定されることは言うまでもない。
【００６０】
このように、本実施形態のパターン形成方法では、機能液Ｌの配置時におけるバンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止されることから、パターンＦが所望の形状に正確に形成される。したがって、細い線状のパターンＦを、精度よく安定的に形成することができる。
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第３の実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面を撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００６１】
ここで、バンクＢによって区画される線状領域Ａにおいて、幅広部Ａｓの幅Ｗｐは、他の部分の幅Ｗの１１０〜５００％であるのが好ましい。これにより、機能液Ｌの配置時におけるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が１１０％未満であると、幅の広い部分に機能液Ｌが十分に退避しないおそれがあるので好ましくない。また、５００％を超えると、基板Ｐ上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
【００６２】
なお、線状領域Ａの形状は図１３に示したものに限らず他の形状でもよい。線状領域Ａにおける幅広部Ａｓの個数や大きさ、配置位置、配置ピッチなどはパターンの材質や幅、あるいは要求精度に応じて適宜設定される。
【００６３】
［第５の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第５の実施形態について図１４及び図１５を参照しながら説明する。なお、本実施形態において第１の実施形態〜第４の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図１４において、基板Ｐ上には、バンクＢによって第１の幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａ（幅広領域）と、その第１溝部３４Ａに接続するように第２の幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂ（幅狭領域）とが形成されている。第１の幅Ｈ１は機能液の飛翔径よりも大きく形成されている。第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１以下である。また、第１溝部３４Ａは図１４中、Ｘ軸方向に延びるように形成され、第２溝部３４ＢはＸ軸方向とは異なる方向のＹ軸方向に延びるように形成されている。このバンクＢは第３の実施形態の方法により形成されたものである。
【００６５】
上述した溝部３４Ａ，３４ＢにパターンＦを形成するためには、まず、図１５（ａ）に示すように、パターンＦを形成するための配線パターンインクを含む機能液Ｌの液滴を液滴吐出ヘッド１により第１溝部３４Ａの所定位置に配置する。機能液Ｌの液滴を第１溝部３４Ａに配置するときには、第１溝部３４Ａの上方より液滴吐出ヘッド１を使って液滴を第１溝部３４Ａに吐出する。本実施形態においては、図１５（ａ）に示すように、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４Ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿って所定間隔で配置される。このとき、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍（交差領域）にも配置される。
【００６６】
図１５（ｂ）に示すように、第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌは、自己流動により第１溝部３４Ａ内において濡れ拡がる。更に、第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌは、自己流動によって第２溝部３４Ｂにも濡れ拡がる。これにより、第２溝部３４Ｂ上より直接的に第２溝部３４Ｂに対して液滴を吐出することなく、第２溝部３４Ｂにも機能液Ｌを配置することができる。この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、第３の実施形態の方法においてはバンクＢの側面が撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。
【００６７】
このように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置することで、その第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌの自己流動（毛管現象）によって機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに配置することができる。したがって、第２の幅Ｈ２（狭い幅）の第２溝部３４Ｂに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しなくても、第１の幅Ｈ１（広い幅）の第１溝部３４Ａに機能液Ｌの液滴を吐出することで、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。特に、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２が狭く、液滴吐出ヘッド１より吐出された液滴径（飛翔中の液滴径）が幅Ｈ２よりも大きい場合であっても、機能液Ｌの自己流動によって第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。そして、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２は狭いので、機能液Ｌは毛管現象によって第２溝部３４Ｂに円滑に配置される。したがって、所望の形状を有するパターンを形成することができる。そして、狭い幅の第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置できるので、パターンの細線化（微細化）を実現することができる。一方、第１溝部３４Ａの幅Ｈ１は広いので、第１溝部３４Ａに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しても、バンクＢの上面に機能液Ｌの一部がかかって残渣が残る不都合を回避できる。したがって、所望の特性を発揮するパターンＦを安定して形成することができる。
【００６８】
また、本実施形態によれば、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍に機能液Ｌが配置されるため、機能液Ｌが濡れ拡がる際に容易に第２溝部３４Ｂに流れ込ませることができ、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置することが可能となる。
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第３の実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面を撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００６９】
第１溝部３４Ａ及び第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置した後、上述した第１の実施形態同様、中間乾燥工程及び焼成工程を経ることによって、パターンＦを形成することができる。
【００７０】
なお、図１６に示すように、第２溝部３４Ｂに機能液の溶媒のみからなる機能液Ｌａを吐出配置しておいてから機能液Ｌを上述のように配置しても良い。このように第２溝部３４Ｂに機能液Ｌａを吐出配置しておくことによって、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌが流れ込み易くなり、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置することができる。なお、機能液Ｌａは導電性微粒子を含んでいないため導電性を有していない。このため、バンクＢ上に機能液Ｌの残渣が残った場合であってもパターンＦの所望の特性を変化させることはない。
【００７１】
なお、図１４〜図１６においては、第１の幅Ｈ１（広い幅）を有する第１溝部３４Ａの延在方向と第２の幅Ｈ２（狭い幅）を有する第２溝部３４Ｂの延在方向とは互いに異なっているが、図１７に示すように、第１の幅Ｈ１（広い幅）を有する第１溝部３４Ａの延在方向と第２の幅Ｈ２（狭い幅）を有する第２溝部３４Ｂの延在方向とは同じであってもよい。その場合においても、図１７（ａ）に示すように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置することによって、その機能液Ｌの自己流動によって、図１７（ｂ）に示すように、機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに配置することができる。またこの場合においては、第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとの接続部３７を、第１溝部３４Ａから第２溝部３４Ｂに向かって漸次窄まるようなテーパ形状にすることで、第１溝部３４Ａに配置した機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに円滑に流入させることができる。
【００７２】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の膜パターンの形成方法は、図１８に示すようなスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図１８において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電極４１を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
【００７３】
また、上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１９を参照しながら説明する。
【００７４】
図１９（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板６１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝６１１ａを設けるための第１層目のバンク６１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク６１１としては、ポリシラザンを主成分とした無機質の材料を含むものが好適に用いられる。
【００７５】
この形成後のバンク６１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００７６】
以上のようにして撥液化されたバンク６１１の吐出インクに対する接触角としては４０°以上、またガラス面の接触角としては１０°以下を確保することが好ましい。
【００７７】
上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク６１１で区画された描画領域である前記溝６１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極６１２を形成する。
【００７８】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、パラジウム、Ｎｉ、Ｗ−ｓｉ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極６１２は、バンク６１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００７９】
以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１１とゲート走査電極６１２からなる平坦な上面を備えた第１の導電層Ａ１が形成される。
【００８０】
また、溝６１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図１９（ａ）に示すように、この溝６１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００８１】
次に、図１９（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６１３、活性層６２１、コンタクト層６０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜６１３として窒化シリコン膜、活性層６２１としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【００８２】
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１９（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜６１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝６１１ａと交差する溝６１４ａを設けるための２層目のバンク６１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク６１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、先のバンク６１１と同様にポリシラザンを主成分とした無機質の材料を含むものが好適に用いられる。
【００８３】
この形成後のバンク６１４に撥液性を持たせるためにＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００８４】
以上のようにして撥液化されたバンク６１４の吐出インクに対する接触角としては４０°以上を確保することが好ましい。
【００８５】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク６１４で区画された描画領域である前記溝６１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図１９（ｄ）に示すように、前記ゲート走査電極６１２に対して交差するソース電極６１５及びドレイン電極６１６が形成される。
【００８６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、パラジウム、Ｎｉ、Ｗ−ｓｉ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極６１５及びドレイン電極６１６は、バンク６１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００８７】
また、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６を配置した溝６１４ａを埋めるように絶縁材料６１７が配置される。以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１４と絶縁材料６１７からなる平坦な上面６２０が形成される。
【００８８】
そして、絶縁材料６１７にコンタクトホール６１９を形成するとともに、上面６２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６１９を介してドレイン電極６１６と画素電極６１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【００８９】
全てのスイッチング素子のゲート電極を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成しても良い。又、一部のゲート電極を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成し、一部のゲート電極をフォトリソ工程にて形成しても良い。他の素子の形成方法を鑑み、生産性の良い方法で行なってもよい。
同様に、全てのゲート配線を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成しても良い。又、一部のゲート配線を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成し、一部のゲート配線をフォトリソ工程にて形成しても良い。他の素子と配線の形成方法を鑑み、生産性の良い方法で行なってもよい。
【００９０】
＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図２０は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２１は図２０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図２２は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図２３は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００９１】
図２０及び図２１において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００９２】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００９３】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００９４】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図２２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００９５】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、図２１に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されコモン配線３ｂと接続されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００９６】
図２３はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記膜パターンの形成方法により、導電性膜としてのゲート配線６１が形成されている。
【００９７】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【００９８】
さらに、接合層６４ａ，６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００９９】
本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターンの形成方法により、微細化や細線化が図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
【０１００】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１０１】
図２４は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図２４を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図２４において、有機ＥＬ装置４０１は、基板４１１、回路素子部４２１、画素電極４３１、バンク部４４１、発光素子４５１、陰極４６１（対向電極）、および封止用基板４７１から構成された有機ＥＬ素子４０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。バンク部４４１は第１のバンク４４２と第２のバンク４４３より構成されている。回路素子部４２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板４１１上に形成され、複数の画素電極４３１が回路素子部４２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【０１０２】
各画素電極４３１間にはバンク部４４１が格子状に形成されており、バンク部４４１により生じた凹部開口４４４に、発光素子４５１が形成されている。なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置４０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク部４４１および発光素子４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
【０１０３】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、バンク部４４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子４５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【０１０４】
発光素子形成工程は、凹部開口４４４、すなわち画素電極４３１上に正孔注入層４５２および発光層４５３を形成することにより発光素子４５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層４５２を形成するための液状体材料を各画素電極４３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための液状体材料を正孔注入層４５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層４５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
【０１０５】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１０６】
図２５は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図２５に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１０７】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ａと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２５においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１０８】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ，９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ，９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１０９】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１１０】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ，９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【０１１１】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１１２】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１１３】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２６（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２６（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１１４】
次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路に適用した例について説明する。
図２７は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体４００は、カード基体４１３とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行なうようになっている。
【０１１５】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、本発明の膜パターンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路４１２の微細化や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
【０１１６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【０１１７】
（変形例１）
前記第１の実施形態では、バンク形成材料としてポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシラザンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシラザンとしても良い。光塩基発生剤とは、光の照射により塩基を発生する化合物であり、発生した塩基が触媒として作用し、Ｓｉ−Ｎ結合が効率よく水分子と反応しシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が生成され、現像液に溶解されるようになる。光塩基発生剤の一例として、ＮＢＣ−１（みどり化学社製）が挙げられる。前記第１の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１１８】
（変形例２）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシロキサンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシロキサンとしても良い。光の照射により発生した塩基が触媒として作用し、ポリシロキサンのヒドロ基（−Ｈ）は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１１９】
（変形例３）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランと光酸発生剤とを含む感光性ポリシランとしても良い。光の照射により発生した酸が触媒として作用し、ポリシランのヒドロ基は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで、ポリシランは焼成されシロキサン骨格をもつ高分子となり、無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１２０】
（変形例４）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシランとしても良い。光の照射により発生した塩基が触媒として作用し、ポリシランのヒドロ基は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１２１】
（変形例５）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランを含み、光酸発生剤を含まない材料としても良い。光の照射によりポリシラン化合物が光を吸収して、主鎖が分解されるので、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
尚、第１露光工程Ｓ３において照射する光は、電子線、ガンマ線、Ｘ線、紫外線などの電磁波でもよい。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。また、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、消費する資源を削減することができる。
【０１２２】
（変形例６）
前記第１の実施形態では、バンク形成材料としてポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシラザンである感光性ポリシラザンとしても良い。光酸発生基の一例としては、−Ａｒ１−ＳＯ2−ＣＨ2ＣＯ−Ａｒ２（Ａｒ１、Ａｒ２はアリールまたは置換アリールを示す）が上げられる。前記第１の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第１の実施形態の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例７）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシロキサンである感光性ポリシロキサンとしても良い。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第２の実施形態の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２３】
（変形例８）
前記変形例１では、バンク形成材料としてポリシラザンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシラザンである感光性ポリシラザンとしても良い。光塩基発生基の一例として、Ｏ−アクリロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アクリロイルアセトナフトンオキシムなどが挙げられる。前記変形例１と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例１の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例９）
前記変形例２では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシロキサンである感光性ポリシロキサンとしても良い。前記変形例２と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例２の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２４】
（変形例１０）
前記変形例３では、バンク形成材料としてポリシランと光酸発生剤とを含む感光性ポリシランを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシランである感光性ポリシランとしても良い。前記変形例３と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例３の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例１１）
前記変形例４では、バンク形成材料としてポリシランと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシランを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシランである感光性ポリシランとしても良い。前記変形例４と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例４の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２５】
（変形例１２）
前記第１の実施形態では、材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し、液状材料の液滴が複数積層された後、焼成工程にて、焼結したが、これに限らず、材料配置工程の後、焼成工程にて、焼結してもよい。また、材料配置工程と焼成工程を複数回繰り返して、液状材料の液滴が焼成された層を複数積層して、形成されてもよい。
（変形例１３）
前記第３の実施形態では、第２露光工程Ｓ１６の後にバンク焼成工程Ｓ１７を行なったが、これを省いてもよい。図２８に示すように、第２露光工程Ｓ２６の後、バンク焼成工程を行なわず、材料配置工程Ｓ２８の後の材料膜焼成工程Ｓ２９にて、バンクの焼成と材料膜の焼成を同時に行なってもよい。工程を減らすことにより、生産性を向上することができる。
【０１２６】
（変形例１４）
前記薄膜トランジスタの実施形態では、活性層６２１とコンタクト層６０９にアモルファスシリコンを使用したが、低温ポリシリコンを使用してもよい。高速なスイッチング素子を形成することができる。
（変形例１５）
前記電気光学装置の実施形態では、半導体層６３、接合層６４ａと接合層６４ｂにアモルファスシリコンを使用したが、低温ポリシリコンを使用してもよい。高速なスイッチング素子を有し応答性のよい液晶表示装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図３】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【図５】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図６】図５に続く工程図である。
【図７】図６に続く工程図である。
【図８】第２実施形態に係る膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図９】図８に続く工程図である。
【図１０】第３実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【図１１】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図１２】図１１に続く工程図である。
【図１３】第４実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程図である。
【図１４】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程図である。
【図１５】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１６】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１７】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１８】薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。
【図１９】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図２０】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図２１】図２０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図２２】液晶表示装置の等価回路図である。
【図２３】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図２４】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２５】液晶表示装置の他の形態を示す図である。
【図２６】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【図２７】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図２８】変形例１３に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【符号の説明】
【０１２８】
Ａ…線状領域，Ａｓ…幅広部，Ｂ…バンク，Ｆ…膜パターン（導電性膜），Ｌ…機能液，Ｐ…基板，３０…ＴＦＴ（スイッチング素子），３１…薄膜，３４…溝（バンクによって区画された領域），１００…液晶表示装置（電気光学装置），４００…非接触型カード媒体（電子機器）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子回路や集積回路等の配線を有するデバイスの製造には例えばフォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法は、予め導電膜を塗布した基板上にレジストと呼ばれる感光性材料を塗布し、回路パターンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の配線パターンを形成するものである。このフォトリソグラフィ法は真空装置などの大掛かりな設備や複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。
これに対して、液滴吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、所謂インクジェット法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散した機能液である配線パターン形成用インクを基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７２５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクジェット法を用いて基板上に膜パターンを形成する場合には、通常、インクの広がりを防止するために、バンクと呼ばれる土手構造を形成する。このバンクの材料としては、従来、有機系の材料（アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料）が用いられてきた。しかし、配線等を形成する場合には、インクジェットプロセス後に高温の焼成工程が必要となるため、有機系材料からなるバンクにおいては変色や膜厚変化等の問題を生じることがあった。特に、ＴＦＴ基板の製造工程においては、有機材料の耐熱温度を超える焼成温度が必要となるため、このような問題が顕著である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、微細且つ高性能な膜パターンを安定して形成することのできる膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、前記基板上にバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有することを特徴とする。
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクによって区画された領域に機能液が配置され、この機能液が乾燥することにより、基板上に膜パターンが形成される。この場合、バンクによって膜パターンの形状が規定されることから、例えば隣接するバンク間の幅を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、膜パターンの微細化や細線化を図ることができる。また、本方法においては、バンクの形成材料がポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する無機質の材料を含むことから、バンクの耐熱性が高く、しかもバンクと基板との間の熱膨張率の差が小さい。そのため、機能液の乾燥時の熱などによるバンクの劣化が抑制され、膜パターンが良好な形状で形成される。さらに、バンクを形成するために焼成するとき、機能液の乾燥後の膜を焼成するとき、後工程で基板上の他の部分を焼成するときなど、機能液を乾燥させる温度より高い温度で基板を焼成する工程を採用した場合においても、同様にバンクの劣化が抑制される。つまり、本方法によれば、微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる。尚、バンクの形成材料がポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する無機質の材料を含むようにすることで、焼成後にシロキサン骨格を持つ高分子から構成されるバンクとすることができる。このシロキサン骨格を持つ高分子は耐熱性が高く、基板との間の熱望効率の差が小さいことから、焼成後にシロキサン骨格を持つ高分子となる材料であれば、バンクの形成材料としてポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンと同等の効果が得られる。
【０００６】
本発明においては、前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する感光性の材料からなるものとすることができる。
感光性材料を用いることにより、バンクのパターニングを容易にすることができる。
【０００７】
本発明においては、前記機能液を液滴吐出法を用いて前記領域に配置するものとすることができる。
この方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行ないやすい。
【０００８】
本発明においては、前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むものとすることができる。
この方法によれば、バンクの上面のみを撥液化し、バンクの側面を撥液化しない状態とすることができる。したがって、微細なパターンを形成する場合でも、バンク内に機能液がスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【０００９】
本発明においては、前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜に露光処理を施す工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むものとすることができる。
この方法によれば、例えば、バンクの形成材料に感光性の材料を用いた場合に、バンクの形成材料からなる薄膜を露光しパターニングすることから、感光性レジストの塗布及び、剥離する工程を省くことができる。従って、生産性良く膜パターンを製造することができる。
【００１０】
本発明においては、前記バンクによって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されているものとすることができる。具体的には、前記領域は、前記機能液の飛翔径よりも大きな幅を有する幅広領域と当該幅広領域よりも狭い幅を有する幅狭領域とが接続されて配置されるような形状とすることができる。
この方法によれば、例えば隣接するバンク間の幅（幅狭領域の幅）を狭くするなど、バンクを適切に形成することにより、パターンの微細化や細線化を図ることができる。この場合、バンクの側面は機能液に対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、本方法においてはバンクの側面が撥液化されていないので、バンク間の幅を狭くしても機能液は毛管現象等によりバンク内にスムーズに入り込むことができる。
また、本方法においてはバンクによって区画された領域は部分的に幅が広く形成されているので、この幅が広く形成された部分に機能液の一部が退避することにより、機能液の配置時におけるバンクからの機能液の溢れが防止される。そのため、パターンを所望の形状に正確に形成することができる。
【００１１】
本発明のデバイスの製造方法は、基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、上記の膜パターンの形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明のデバイス製造方法では、デバイスに形成される膜パターンの微細化や細線化が安定して図られる。そのため、高精度なデバイスを安定して製造することができる。
特に、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部を構成する場合には、高集積化されたスイッチング素子を安定的に得ることができる。
さらに、前記膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部であるゲート電極と、該ゲート電極に接続されるゲート配線との少なくとも一方の少なくとも一部を構成する場合には、高集積化された素子のゲート電極を安定的に得られるとともに、素子と素子の間に信号を伝達するゲート配線を安定的に得ることができる。
【００１２】
本発明のデバイスは、上記のデバイス製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴とする。さらに、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これにより、高性能なデバイス、電気光学装置、電子機器を提供することができる。
なお、電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置などを例示できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
本発明の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する材料配置工程、及び基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させる乾燥（焼成）工程を有している。
【００１４】
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌが配置され、この機能液Ｌが乾燥することにより、基板Ｐ上に膜パターンＦが形成される。この場合、バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、膜パターンＦの微細化や細線化が図られる。なお、膜パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００１５】
また、本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、ポリシラザンを主成分とする無機質の材料が用いられる。バンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上にポリシラザンを主成分とする無機質の材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングして所定の形状のバンクＢを得ることができる。また、別の方法として、各種コート法を用いて基板Ｐ上にポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を成膜し、露光処理及び現像処理によってバンク形状にパターニングした後、これを焼成することもできる。この場合、バンク材料としては、ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のようなポジ型として機能する材料を好適に用いることができる。
尚、上記記載の無機質の材料は、バンクＢを形成する焼成前の出発材料として用いられ、分散液の固形分の成分はポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれかを選択することができる。
【００１６】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００１７】
本発明の膜パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料が無機質の材料を含むことにより、バンクＢの耐熱性が高くなり、しかもバンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さくなる。そのため、機能液の乾燥時や焼成時の熱などによるバンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形状で形成される。
【００１８】
例えば、バンクＢ及び機能液の上に低融点ガラスなどを予め塗布するなどして、機能液Ｌを焼成する際、焼成温度が３００℃以上の高温になる場合がある。こうした場合にも、バンクＢが無機質の材料から形成されていることにより、十分な耐久性が得られる。
【００１９】
ここで、本発明における機能液（インク）Ｌとしては、種々のものを用いることができる。機能液とは、液中に含まれる膜成分を膜化することによって所定の機能を有する膜（機能膜）を形成し得るものをいう。係る機能としては、電気・電子的機能（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等）、光学的機能（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的機能（硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的機能（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的機能（耐摩耗性等）、熱的機能（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体的機能（生体適合性、抗血栓性等）等の種々の機能がある。本実施形態においては、例えば、導電性微粒子を含む配線パターン用インクを用いる。
機能液Ｌを、バンクＢによって区画された領域に配置する方法としては、液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いるのが好ましい。液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行ないやすいという利点がある。
【００２０】
配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。
導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２１】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２２】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２３】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２４】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００２５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２６】
本発明の膜パターンの形成方法では、上述した配線パターン用インクを用いることにより、導電性を有する膜パターンを形成することができる。この導電性の膜パターンは、配線として、各種デバイスに適用される。
【００２７】
図２は、本発明の膜パターンの形成方法に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
【００２８】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２９】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００３０】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３１】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行なう。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３２】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図２では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３３】
図３は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図３において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３４】
［第１の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第１の実施形態である配線パターンの形成方法について図４〜図７を参照しながら説明する。図４は本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図５〜図７は形成手順を示す模式図である。
【００３５】
図４に示すように、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン形成用インクを基板上に配置し、基板上に導電膜配線パターンを形成するものであって、基板表面を親液化する親液処理工程Ｓ１と、親液化された基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程Ｓ２〜Ｓ６と、バンク間の残渣を除去する残渣処理工程Ｓ７と、バンクに撥液性を付与する撥液処理工程Ｓ８と、残渣を除去されたバンク間にインクを配置する材料配置工程Ｓ９と、インクに含まれる膜成分を膜化し、これを焼成する材料膜焼成工程Ｓ１０とを概略備えている。
以下、各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。
【００３６】
＜親液処理工程＞
まず、図５（ａ）に示すように、バンク形成前に予め基板の表面Ｐ０に親液処理を施す（親液処理工程Ｓ１）。
この親液処理は、材料配置工程Ｓ９において配線パターン形成用インクが基板Ｐに対して良好な濡れ性を示すようにするための表面改質処理である。この処理は、例えば基板Ｐの表面にＨＭＤＳ処理を施してもよい。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層を基板表面Ｐ０上に形成することができる。
【００３７】
＜バンク形成工程＞
次に、基板Ｐ上にバンクを形成する。
バンクは、材料配置工程Ｓ９において仕切部材として機能する部材である。バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行なうことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、バンク材料として感光性の材料を用いた場合には、レジストを用いずにバンク材料を直接パターニングすることができる。本実施形態では、バンク材料としてポリシラザンを主成分とする無機質の材料からなるもの、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のようなポジ型として機能する感光性ポリシラザンを用い、これを露光処理及び現像処理によって直接パターニングする方法を採用する。
【００３８】
ここではまず、図５（ｂ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてバンク材料である感光性ポリシラザンの塗膜（薄膜３１）を形成する（バンク材形成工程Ｓ２）。具体的には、バンク形成材料を１０００ｒｐｍでスピンコートし、これを１１０℃、１分間プリベークする。
次に、図５（ｃ）に示すように、マスクを用いて薄膜３１を露光し（第１露光工程Ｓ３）、薄膜３１を加湿した後（図５（ｄ））、図５（ｅ）に示すように、現像処理を行なう（現像工程Ｓ４）。加湿してから現像を行なうことで、光透過率の低下要因となるバンク材料中の窒素成分を除去することができる。なお、露光条件は、例えば１０ｍｊとし、加湿処理の条件は、温度：２５℃、湿度：８０％ＲＨ、加湿時間：４分とする。また、現像処理の条件は、現像液：ＴＭＡＨ２．３８％、温度：２５℃、現像時間：１分とする。現像後は、必要に応じて除水処理を行なってもよい。除水は、例えば基板Ｐを真空雰囲気下で５分間放置することにより行なう。
【００３９】
次に、図６（ａ）に示すように、基板Ｐ全体に露光処理を施す（第２露光工程Ｓ５）。
そして、図６（ｂ）に示すように、薄膜３１を加湿した後、焼成を行なう（バンク焼成工程Ｓ６）。焼成前に露光を行なうことにより、バンク材料中の水素基の脱離反応を促すことができる。なお、露光条件は、例えば１０ｍｊとし、加湿処理の条件は、温度：２５℃、湿度：８０％ＲＨ、加湿時間：４分とする。また、焼成条件は、焼成温度：３５０℃、焼成時間：６０分とする。焼成することによりポリシラザンはシロキサン骨格をもつ高分子となる。
例えば、バンク材料のポリシザランがポリメチルシザラン［―（ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5）ｎ―］のとき、ポリメチルシザランは、加湿処理により一部加水分解し［ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）］の形態となる。次に、焼成により縮合して、ポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ3Ｏ1.5）−］の形態となる。このようにして形成されるポリメチルシロキサンは、主成分となる骨格が無機質であることから、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。
以上により、図６（ｃ）に示されるように、配線パターンを形成すべき溝部３４の周辺を囲むように、例えば１０〜１５μｍ幅でバンクＢ、Ｂが突設される。
【００４０】
＜残渣処理工程＞
次に、図６（ｄ）に示すように、バンク間の残渣処理を行なう（残渣処理工程Ｓ７）。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行なう紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラズマ処理、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理等を選択できるが、ここでは、フッ酸処理を実施する。フッ酸処理は、例えば０．２％フッ酸水溶液で２０秒間エッチングを施すことにより行なう。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５に残ったバンク材料等が除去される。
【００４１】
＜撥液処理工程＞
続いて、図６（ｅ）に示すように、バンクＢに対し撥液処理を行ない、その表面に撥液性を付与する（撥液処理工程Ｓ８）。
撥液処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
また、上記プラズマ処理法によらず撥液処理としては、減圧プラズマ処理法または、ＦＡＳによる気相処理法を用いてもよい。
【００４２】
このような撥液処理を行なうことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する材料中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液処理により、先に親液処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
【００４３】
＜材料配置工程＞
次に、先の図２に示した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料Ｌを、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂによって区画された領域、すなわちバンクＢ、Ｂ間に配置する（材料配置工程Ｓ９）。
本例では、配線パターン用インクＬ（機能液）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。材料配置工程では、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含むインクを液滴にして吐出する。吐出された液滴は、図７（ｂ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置される。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４〜７ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行なうことができる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行なうことができる。
【００４４】
このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止することができる。
また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板Ｐが露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これによりインクは所定位置内で均一に配置される。
【００４５】
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。なお、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行なうことにより、液体材料の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）を形成することができる（図７（ｃ））。
【００４６】
＜焼成工程＞
次に、中間乾燥工程で乾燥した乾燥膜を焼成する（材料膜焼成工程Ｓ１０）。
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００４７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。この場合、例えば、バンクＢ及び液体材料の乾燥膜の上に低融点ガラスなどを予め塗布してもよい。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、図７（ｄ）に示すように、導電性膜（膜パターンＦ）に変換される。
【００４８】
本実施の形態例では、無機質の材料を用いてバンクＢが形成されていることから、バンクＢの耐熱性が高く、しかもバンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さい。そのため、焼成時の高温処理にあっても、バンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形状で形成される。
なお、本実施形態では、本発明の膜パターンの形成方法の好適な一例を示した。しかし、本発明はこれに限らず、必要に応じて、上記工程の一部を変更したり省略したりすることも可能である。例えば、工程Ｓ６のバンク焼成工程を省略して、工程Ｓ１０でバンクと材料膜の双方を同時に焼成する等の設計変更は自由である。
【００４９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第２の実施形態について図４のフローチャート及び図８〜９を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、前記第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。さらに、図８及び図９においては、材料配置工程以降の工程の図示を省略する。
【００５０】
前記第１の実施形態では、バンク材料としてポリシラザンを主成分とする材料と光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、第２の実施形態においては、バンク材料にポリシロキサンを主成分とする材料と光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いた。
製造工程において、前記第１の実施形態との相違点は、現像工程Ｓ４とバンク焼成工程Ｓ６における加湿処理が無くなり、その他の工程は前記第１の実施形態と同様とする。その理由は、バンク材料の主成分にポリシラザンを使用したとき、加湿することにより窒素成分が除去される効果があるが、バンク材料の主成分にポリシロキサンを使用したときは、窒素成分が含まれていないので、加湿する必要がないからである。
【００５１】
親液処理工程Ｓ１とバンク材形成工程Ｓ２を経た後、図８（ｃ）に示すように、薄膜３１を露光し（第１露光工程Ｓ３）、次に加湿をせずに、図８（ｄ）に示すように、現像処理を行う（現像工程Ｓ４）。図９（ａ）に示すように、薄膜３１を露光し（第２露光工程Ｓ５）、次に加湿をせずに、図９（ｂ）に示すように、バンク焼成を行う（バンク焼成工程Ｓ６）。焼成することによりポリシロキサンはシロキサン骨格をもつ高分子となる。
続いて、図９（ｃ）に示すように、残渣処理を行い（残渣処理工程Ｓ７）、図９（ｄ）に示すように、バンクＢに撥液処理であるプラズマ処理を行う（撥液処理工程Ｓ８）。
続いて、材料配置工程Ｓ９、材料膜焼成工程Ｓ１０が行なわれ、導電性膜（膜パターンＦ）が形成される。
本発明はこれに限らず、必要に応じて、上記工程の一部を変更したり省略したりすることも可能である。例えば、工程Ｓ６のバンク焼成工程を省略して、工程Ｓ１０でバンクと材料膜の双方を同時に焼成する等の設計変更は自由である。
【００５２】
上記したように、第２の実施形態によれば、焼成後のバンクは、無機質の材料が主成分となるため、前記第１の実施形態の作用及び効果に加えて以下の効果を有する。
（１）第２の実施形態によれば、加湿工程を省略できることから、工程を簡略化できるので、生産性を向上することができる。また、加湿する為の設備、エネルギーが不要となるので、省資源とすることができる。
【００５３】
［第３の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第３の実施形態について図１０〜図１２を参照しながら説明する。図１０は本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図１１及び図１２は形成手順を示す模式図である。本実施形態において第１の実施形態と異なる点は、撥液処理工程を現像工程の前に行なった点のみである。よって、第１の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、同様の工程手順については説明を省略する。さらに、図１１及び図１２においては、材料配置工程以降の工程の図示を省略する。
【００５４】
本実施形態において、図１１（ａ）〜図１１（ｄ）までの工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）は第１実施形態における図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工程（Ｓ１〜Ｓ３）と同じである。第１実施形態では、第１露光工程Ｓ３を行なった後現像工程Ｓ４を行ない、その後撥液処理工程Ｓ８を行なった。これに対して、本実施形態では、第１露光工程Ｓ１３にて露光（図１１（ｃ））と加湿（図１１（ｄ））を行なった後、撥液処理工程Ｓ１４（図１１（ｅ））を行ない、その後現像工程Ｓ１５（図１２（ａ））を行なっている。こうすることで、現像後の薄膜３１は上面３１ａのみが撥液化され、溝部３４の側面３１ｂは撥液化されない状態となり、溝部３４内にインクＬを吐出するときにバンクＢとインクＬとの濡れ性を向上することができる。一方、バンクＢの上面３１ａは撥液化されているので、インクはバンク上面に付着せずに、バンク間の溝のみに配置される。
このように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮しつつ、バンク側面とインクとの濡れ性向上により、膜の均一性をより向上することができる。
【００５５】
［第４の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第４の実施形態について図１３を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、第１の実施形態〜第３の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
本実施形態のパターン形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程、及びバンクＢによって区画された線状の領域Ａに機能液Ｌを配置する材料配置工程を有している。バンク形成工程は、第３の実施形態の方法を用いる。
【００５７】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａに機能液Ｌが配置され、この機能液Ｌが例えば乾燥することにより、基板Ｐ上に線状の膜パターンＦが形成される。この場合、バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、パターンＦの微細化や細線化が図られる。この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、第３の実施形態の方法においてはバンクＢの側面が撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。
なお、パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００５８】
また、本実施形態のパターン形成方法では、基板Ｐ上にバンクＢを形成する際、バンクＢによって区画される線状領域Ａについて、一部の幅を広くする。すなわち、線状領域Ａの軸方向に関する所定の位置に、他の領域の幅Ｗに比べて広い幅Ｗｐ（Ｗｐ＞Ｗ）からなる部分（以後、必要に応じて幅広部Ａｓと称す）を、単数あるいは複数設ける。
【００５９】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａの幅が部分的（幅広部Ａｓ）に広く形成されていることにより、機能液Ｌの配置時、この幅広部Ａｓに機能液Ｌの一部が退避し、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。
一般に、線状領域に液体を配置する際、液体の表面張力の作用などによってその領域に液体が流入しにくかったり、その領域内で液体が広がりにくい場合がある。これに対して、本実施形態のパターン形成方法では、線幅に差が設けられている部分での液体の動きが誘因となり、線状領域Ａへの機能液Ｌの流入あるいは線状領域Ａ内での機能液Ｌの広がりが促進され、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。なお、機能液Ｌの配置に際して、線状領域Ａに対する機能液の配置量が適宜設定されることは言うまでもない。
【００６０】
このように、本実施形態のパターン形成方法では、機能液Ｌの配置時におけるバンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止されることから、パターンＦが所望の形状に正確に形成される。したがって、細い線状のパターンＦを、精度よく安定的に形成することができる。
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第３の実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面を撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００６１】
ここで、バンクＢによって区画される線状領域Ａにおいて、幅広部Ａｓの幅Ｗｐは、他の部分の幅Ｗの１１０〜５００％であるのが好ましい。これにより、機能液Ｌの配置時におけるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が１１０％未満であると、幅の広い部分に機能液Ｌが十分に退避しないおそれがあるので好ましくない。また、５００％を超えると、基板Ｐ上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
【００６２】
なお、線状領域Ａの形状は図１３に示したものに限らず他の形状でもよい。線状領域Ａにおける幅広部Ａｓの個数や大きさ、配置位置、配置ピッチなどはパターンの材質や幅、あるいは要求精度に応じて適宜設定される。
【００６３】
［第５の実施形態］
次に、本発明の膜パターンの形成方法の第５の実施形態について図１４及び図１５を参照しながら説明する。なお、本実施形態において第１の実施形態〜第４の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図１４において、基板Ｐ上には、バンクＢによって第１の幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａ（幅広領域）と、その第１溝部３４Ａに接続するように第２の幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂ（幅狭領域）とが形成されている。第１の幅Ｈ１は機能液の飛翔径よりも大きく形成されている。第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１以下である。また、第１溝部３４Ａは図１４中、Ｘ軸方向に延びるように形成され、第２溝部３４ＢはＸ軸方向とは異なる方向のＹ軸方向に延びるように形成されている。このバンクＢは第３の実施形態の方法により形成されたものである。
【００６５】
上述した溝部３４Ａ，３４ＢにパターンＦを形成するためには、まず、図１５（ａ）に示すように、パターンＦを形成するための配線パターンインクを含む機能液Ｌの液滴を液滴吐出ヘッド１により第１溝部３４Ａの所定位置に配置する。機能液Ｌの液滴を第１溝部３４Ａに配置するときには、第１溝部３４Ａの上方より液滴吐出ヘッド１を使って液滴を第１溝部３４Ａに吐出する。本実施形態においては、図１５（ａ）に示すように、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４Ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿って所定間隔で配置される。このとき、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍（交差領域）にも配置される。
【００６６】
図１５（ｂ）に示すように、第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌは、自己流動により第１溝部３４Ａ内において濡れ拡がる。更に、第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌは、自己流動によって第２溝部３４Ｂにも濡れ拡がる。これにより、第２溝部３４Ｂ上より直接的に第２溝部３４Ｂに対して液滴を吐出することなく、第２溝部３４Ｂにも機能液Ｌを配置することができる。この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、第３の実施形態の方法においてはバンクＢの側面が撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。
【００６７】
このように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置することで、その第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌの自己流動（毛管現象）によって機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに配置することができる。したがって、第２の幅Ｈ２（狭い幅）の第２溝部３４Ｂに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しなくても、第１の幅Ｈ１（広い幅）の第１溝部３４Ａに機能液Ｌの液滴を吐出することで、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。特に、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２が狭く、液滴吐出ヘッド１より吐出された液滴径（飛翔中の液滴径）が幅Ｈ２よりも大きい場合であっても、機能液Ｌの自己流動によって第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。そして、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２は狭いので、機能液Ｌは毛管現象によって第２溝部３４Ｂに円滑に配置される。したがって、所望の形状を有するパターンを形成することができる。そして、狭い幅の第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置できるので、パターンの細線化（微細化）を実現することができる。一方、第１溝部３４Ａの幅Ｈ１は広いので、第１溝部３４Ａに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しても、バンクＢの上面に機能液Ｌの一部がかかって残渣が残る不都合を回避できる。したがって、所望の特性を発揮するパターンＦを安定して形成することができる。
【００６８】
また、本実施形態によれば、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍に機能液Ｌが配置されるため、機能液Ｌが濡れ拡がる際に容易に第２溝部３４Ｂに流れ込ませることができ、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置することが可能となる。
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第３の実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面を撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００６９】
第１溝部３４Ａ及び第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置した後、上述した第１の実施形態同様、中間乾燥工程及び焼成工程を経ることによって、パターンＦを形成することができる。
【００７０】
なお、図１６に示すように、第２溝部３４Ｂに機能液の溶媒のみからなる機能液Ｌａを吐出配置しておいてから機能液Ｌを上述のように配置しても良い。このように第２溝部３４Ｂに機能液Ｌａを吐出配置しておくことによって、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌが流れ込み易くなり、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置することができる。なお、機能液Ｌａは導電性微粒子を含んでいないため導電性を有していない。このため、バンクＢ上に機能液Ｌの残渣が残った場合であってもパターンＦの所望の特性を変化させることはない。
【００７１】
なお、図１４〜図１６においては、第１の幅Ｈ１（広い幅）を有する第１溝部３４Ａの延在方向と第２の幅Ｈ２（狭い幅）を有する第２溝部３４Ｂの延在方向とは互いに異なっているが、図１７に示すように、第１の幅Ｈ１（広い幅）を有する第１溝部３４Ａの延在方向と第２の幅Ｈ２（狭い幅）を有する第２溝部３４Ｂの延在方向とは同じであってもよい。その場合においても、図１７（ａ）に示すように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置することによって、その機能液Ｌの自己流動によって、図１７（ｂ）に示すように、機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに配置することができる。またこの場合においては、第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとの接続部３７を、第１溝部３４Ａから第２溝部３４Ｂに向かって漸次窄まるようなテーパ形状にすることで、第１溝部３４Ａに配置した機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに円滑に流入させることができる。
【００７２】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の膜パターンの形成方法は、図１８に示すようなスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図１８において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電極４１を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
【００７３】
また、上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１９を参照しながら説明する。
【００７４】
図１９（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板６１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝６１１ａを設けるための第１層目のバンク６１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク６１１としては、ポリシラザンを主成分とした無機質の材料を含むものが好適に用いられる。
【００７５】
この形成後のバンク６１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００７６】
以上のようにして撥液化されたバンク６１１の吐出インクに対する接触角としては４０°以上、またガラス面の接触角としては１０°以下を確保することが好ましい。
【００７７】
上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク６１１で区画された描画領域である前記溝６１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極６１２を形成する。
【００７８】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、パラジウム、Ｎｉ、Ｗ−ｓｉ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極６１２は、バンク６１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００７９】
以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１１とゲート走査電極６１２からなる平坦な上面を備えた第１の導電層Ａ１が形成される。
【００８０】
また、溝６１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図１９（ａ）に示すように、この溝６１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００８１】
次に、図１９（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６１３、活性層６２１、コンタクト層６０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜６１３として窒化シリコン膜、活性層６２１としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【００８２】
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１９（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜６１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝６１１ａと交差する溝６１４ａを設けるための２層目のバンク６１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク６１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、先のバンク６１１と同様にポリシラザンを主成分とした無機質の材料を含むものが好適に用いられる。
【００８３】
この形成後のバンク６１４に撥液性を持たせるためにＣＦ4プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ4プラズマ処理等を省略することができる。
【００８４】
以上のようにして撥液化されたバンク６１４の吐出インクに対する接触角としては４０°以上を確保することが好ましい。
【００８５】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク６１４で区画された描画領域である前記溝６１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図１９（ｄ）に示すように、前記ゲート走査電極６１２に対して交差するソース電極６１５及びドレイン電極６１６が形成される。
【００８６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、パラジウム、Ｎｉ、Ｗ−ｓｉ、導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極６１５及びドレイン電極６１６は、バンク６１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００８７】
また、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６を配置した溝６１４ａを埋めるように絶縁材料６１７が配置される。以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１４と絶縁材料６１７からなる平坦な上面６２０が形成される。
【００８８】
そして、絶縁材料６１７にコンタクトホール６１９を形成するとともに、上面６２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６１９を介してドレイン電極６１６と画素電極６１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【００８９】
全てのスイッチング素子のゲート電極を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成しても良い。又、一部のゲート電極を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成し、一部のゲート電極をフォトリソ工程にて形成しても良い。他の素子の形成方法を鑑み、生産性の良い方法で行なってもよい。
同様に、全てのゲート配線を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成しても良い。又、一部のゲート配線を前記実施形態の膜パターン形成方法にて形成し、一部のゲート配線をフォトリソ工程にて形成しても良い。他の素子と配線の形成方法を鑑み、生産性の良い方法で行なってもよい。
【００９０】
＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図２０は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２１は図２０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図２２は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図２３は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００９１】
図２０及び図２１において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００９２】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００９３】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００９４】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図２２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００９５】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、図２１に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されコモン配線３ｂと接続されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００９６】
図２３はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記膜パターンの形成方法により、導電性膜としてのゲート配線６１が形成されている。
【００９７】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【００９８】
さらに、接合層６４ａ，６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００９９】
本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターンの形成方法により、微細化や細線化が図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
【０１００】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１０１】
図２４は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図２４を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図２４において、有機ＥＬ装置４０１は、基板４１１、回路素子部４２１、画素電極４３１、バンク部４４１、発光素子４５１、陰極４６１（対向電極）、および封止用基板４７１から構成された有機ＥＬ素子４０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。バンク部４４１は第１のバンク４４２と第２のバンク４４３より構成されている。回路素子部４２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板４１１上に形成され、複数の画素電極４３１が回路素子部４２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【０１０２】
各画素電極４３１間にはバンク部４４１が格子状に形成されており、バンク部４４１により生じた凹部開口４４４に、発光素子４５１が形成されている。なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置４０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク部４４１および発光素子４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
【０１０３】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、バンク部４４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子４５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【０１０４】
発光素子形成工程は、凹部開口４４４、すなわち画素電極４３１上に正孔注入層４５２および発光層４５３を形成することにより発光素子４５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層４５２を形成するための液状体材料を各画素電極４３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための液状体材料を正孔注入層４５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層４５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
【０１０５】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１０６】
図２５は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図２５に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１０７】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ａと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２５においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１０８】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ，９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ，９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１０９】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１１０】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ，９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【０１１１】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１１２】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１１３】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２６（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２６（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１１４】
次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路に適用した例について説明する。
図２７は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体４００は、カード基体４１３とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行なうようになっている。
【０１１５】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、本発明の膜パターンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路４１２の微細化や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
【０１１６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【０１１７】
（変形例１）
前記第１の実施形態では、バンク形成材料としてポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシラザンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシラザンとしても良い。光塩基発生剤とは、光の照射により塩基を発生する化合物であり、発生した塩基が触媒として作用し、Ｓｉ−Ｎ結合が効率よく水分子と反応しシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が生成され、現像液に溶解されるようになる。光塩基発生剤の一例として、ＮＢＣ−１（みどり化学社製）が挙げられる。前記第１の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１１８】
（変形例２）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシロキサンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシロキサンとしても良い。光の照射により発生した塩基が触媒として作用し、ポリシロキサンのヒドロ基（−Ｈ）は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１１９】
（変形例３）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランと光酸発生剤とを含む感光性ポリシランとしても良い。光の照射により発生した酸が触媒として作用し、ポリシランのヒドロ基は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで、ポリシランは焼成されシロキサン骨格をもつ高分子となり、無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１２０】
（変形例４）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシランとしても良い。光の照射により発生した塩基が触媒として作用し、ポリシランのヒドロ基は効率よくシラノール基を生成し、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。
【０１２１】
（変形例５）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料としてポリシランを含み、光酸発生剤を含まない材料としても良い。光の照射によりポリシラン化合物が光を吸収して、主鎖が分解されるので、現像液に溶解されるようになる。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
尚、第１露光工程Ｓ３において照射する光は、電子線、ガンマ線、Ｘ線、紫外線などの電磁波でもよい。
これによれば、ポジ型レジストの形態となるので、前記第１〜第３の実施形態と同様に無機質で耐熱性が高く、ポジ型レジストの形態であるバンクが形成されるので膜パターンＦが良好な形状に形成される。また、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、消費する資源を削減することができる。
【０１２２】
（変形例６）
前記第１の実施形態では、バンク形成材料としてポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシラザンである感光性ポリシラザンとしても良い。光酸発生基の一例としては、−Ａｒ１−ＳＯ2−ＣＨ2ＣＯ−Ａｒ２（Ａｒ１、Ａｒ２はアリールまたは置換アリールを示す）が上げられる。前記第１の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第１の実施形態の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例７）
前記第２の実施形態では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシロキサンである感光性ポリシロキサンとしても良い。前記第２の実施形態と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記第２の実施形態の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２３】
（変形例８）
前記変形例１では、バンク形成材料としてポリシラザンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシラザンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシラザンである感光性ポリシラザンとしても良い。光塩基発生基の一例として、Ｏ−アクリロイルアセトフェノンオキシム、Ｏ−アクリロイルアセトナフトンオキシムなどが挙げられる。前記変形例１と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例１の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例９）
前記変形例２では、バンク形成材料としてポリシロキサンと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシロキサンを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシロキサンである感光性ポリシロキサンとしても良い。前記変形例２と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例２の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２４】
（変形例１０）
前記変形例３では、バンク形成材料としてポリシランと光酸発生剤とを含む感光性ポリシランを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して酸を発生する基を含むポリシランである感光性ポリシランとしても良い。前記変形例３と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例３の効果に加え、バンク形成材料に光酸発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
（変形例１１）
前記変形例４では、バンク形成材料としてポリシランと光塩基発生剤とを含む感光性ポリシランを用いたが、これに限らず、バンク形成材料として光に反応して塩基を発生する基を含むポリシランである感光性ポリシランとしても良い。前記変形例４と同様の工程を経ることで無機質のバンクが形成される。
これによれば、前記変形例４の効果に加え、バンク形成材料に光塩基発生剤が不要なので、バンク形成材料の調合を簡便にすることができ生産性を向上することができる。
【０１２５】
（変形例１２）
前記第１の実施形態では、材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し、液状材料の液滴が複数積層された後、焼成工程にて、焼結したが、これに限らず、材料配置工程の後、焼成工程にて、焼結してもよい。また、材料配置工程と焼成工程を複数回繰り返して、液状材料の液滴が焼成された層を複数積層して、形成されてもよい。
（変形例１３）
前記第３の実施形態では、第２露光工程Ｓ１６の後にバンク焼成工程Ｓ１７を行なったが、これを省いてもよい。図２８に示すように、第２露光工程Ｓ２６の後、バンク焼成工程を行なわず、材料配置工程Ｓ２８の後の材料膜焼成工程Ｓ２９にて、バンクの焼成と材料膜の焼成を同時に行なってもよい。工程を減らすことにより、生産性を向上することができる。
【０１２６】
（変形例１４）
前記薄膜トランジスタの実施形態では、活性層６２１とコンタクト層６０９にアモルファスシリコンを使用したが、低温ポリシリコンを使用してもよい。高速なスイッチング素子を形成することができる。
（変形例１５）
前記電気光学装置の実施形態では、半導体層６３、接合層６４ａと接合層６４ｂにアモルファスシリコンを使用したが、低温ポリシリコンを使用してもよい。高速なスイッチング素子を有し応答性のよい液晶表示装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図３】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【図５】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図６】図５に続く工程図である。
【図７】図６に続く工程図である。
【図８】第２実施形態に係る膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図９】図８に続く工程図である。
【図１０】第３実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【図１１】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図１２】図１１に続く工程図である。
【図１３】第４実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程図である。
【図１４】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明する工程図である。
【図１５】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１６】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１７】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法の他の形態を示す図である。
【図１８】薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。
【図１９】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図２０】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図２１】図２０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図２２】液晶表示装置の等価回路図である。
【図２３】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図２４】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２５】液晶表示装置の他の形態を示す図である。
【図２６】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【図２７】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図２８】変形例１３に係る膜パターンの形成方法を説明する工程フローである。
【符号の説明】
【０１２８】
Ａ…線状領域，Ａｓ…幅広部，Ｂ…バンク，Ｆ…膜パターン（導電性膜），Ｌ…機能液，Ｐ…基板，３０…ＴＦＴ（スイッチング素子），３１…薄膜，３４…溝（バンクによって区画された領域），１００…液晶表示装置（電気光学装置），４００…非接触型カード媒体（電子機器）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上にバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、
前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有することを特徴とする、膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する感光性の材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記機能液を液滴吐出法を用いて前記領域に配置することを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜に露光処理を施す工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記バンクによって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする、デバイス製造方法。
【請求項８】
前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子の一部を構成することを特徴とする、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子のゲート電極と、ゲート配線とのうち少なくとも一方の少なくとも一部を構成することを特徴とする、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載のデバイス製造方法を用いて製造されたことを特徴とする、デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスを備えることを特徴とする、電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする、電子機器。
【請求項１】
機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上にバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、
前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有することを特徴とする、膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記バンクの形成材料は、ポリシラザン、ポリシラン、ポリシロキサンのいずれか一つを含有する感光性の材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記機能液を液滴吐出法を用いて前記領域に配置することを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記バンクの形成工程は、前記基板上に前記バンクの形成材料からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜に露光処理を施す工程と、前記薄膜の表面に撥液処理を施す工程と、前記薄膜を前記バンクの形状にパターニングする工程とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記バンクによって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
基板に膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法により、前記基板に前記膜パターンを形成することを特徴とする、デバイス製造方法。
【請求項８】
前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子の一部を構成することを特徴とする、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子のゲート電極と、ゲート配線とのうち少なくとも一方の少なくとも一部を構成することを特徴とする、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載のデバイス製造方法を用いて製造されたことを特徴とする、デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスを備えることを特徴とする、電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする、電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２００６−２４５５２６（Ｐ２００６−２４５５２６Ａ）
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２２０１４８（Ｐ２００５−２２０１４８）
【出願日】平成１７年７月２９日（２００５．７．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月２９日（２００５．７．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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