【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】対象物に着弾された液滴の濡れ広がりを防ぐことが可能な液滴吐出装置及び液滴吐出方法を提供すること。
【解決手段】導電性を有する第１材料及び当該第１材料を溶解又は分散する第１媒体と、前記第１媒体に対して撥液性を有する第２材料及び当該第２媒体を溶解又は分散すると共に前記第１媒体よりも沸点の低い第２媒体と含む液状体を保持する液状体保持部を有し、対象物へ向けて前記液状体を吐出する吐出ヘッドと、前記吐出ヘッドから吐出され前記対象物に着弾する前の前記液状体に光を照射可能な光照射装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】 超伝導配線表面における欠陥準位を多数含む表面酸化膜の形成を抑制することで、高周波損失が少なく、電荷雑音および磁気雑音の少ない超伝導配線を提供する。
【解決手段】 超伝導配線層を表面が酸化されない金属からなる常伝導金属層で被覆する。超伝導層と常伝導金属層の界面には酸化膜等電子の伝導を妨げるものがない清浄界面とし、常伝導金属層は超伝導近接効果により超伝導体中のクーパー対が常伝導金属中へ滲みだす特徴的な長さスケールであるコヒーレント長よりも十分薄くする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】形成方法は、基板に第１の幅を有する第１領域、及び第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２領域を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、吐出ヘッドから機能液を第１領域に吐出し、第１領域から第２領域へ濡れ広がらせる機能液供給工程と、を有し、吐出ヘッドから吐出する機能液の基板に到達する前の直径は、第１の幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】微細化された層パターンを、精度よく安定して形成できる製造方法を提供するこ
と。
【解決手段】層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置
する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領
域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材
料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。そして、前記液状の材料に対する前記第１の層
の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する半導体装置において、多層配線（上下に配置される配線）間の寄生容量を低減しつつ、キャパシタ容量を大きくする。
【解決手段】ガラス基板１上にフォトレジスト膜３を形成し、フォトレジスト膜を選択的に除去し、深さＴ１の溝３ｃとより浅い深さＴ２（＜Ｔ１）の溝３ｄを有する溝を形成し、この溝内に導電性材料液を注入し、熱処理を施し、導電性膜（下層配線）と導電性膜（下部電極）を形成し、これらの上部に絶縁膜を形成し、その上部に導電性膜（上層配線）および導電性膜（上部電極）を形成する。その結果、下層配線と上層配線との距離を大きくでき、これらの間の寄生容量を低減することができる。また、下部電極と上部電極との距離を小さくでき、これらの間の容量を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性を向上させ、特に、配線の微細化に対応し得る配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上にフォトレジスト膜７を形成し、このフォトレジスト膜７を露光、現像することにより、幅Ｗ２を有し、深さＤ２の第２溝９Ｂと、この第２溝９Ｂの略中央部に位置し、幅Ｗ１を有し、深さＤ１の第１溝９Ａよりなる溝９を形成し、第１溝９Ａに、導電性材料液を例えば、インクジェット法により注入し、熱処理を施し、第１溝９Ａ内に導電性膜（配線）を形成する。 （もっと読む）

【課題】細い線状のパターンを、精度よく安定して形成する。
【解決手段】表示装置の駆動のための薄膜トランジスタであって、バンクで区画された領域にゲート電極４１の少なくとも一部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により基板上に多層配線の薄膜パターンを形成する場合において、導電膜パターンの密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成する。
【解決手段】基板上に第１配線４０と、第１配線４０より幅狭で第１配線４０に接続される第２配線４１とが形成される。基板上の第１配線形成領域５２及び第２配線形成領域５４に跨る第１導電層Ｆ１を成膜する工程と、第１配線形成領域５２においては第１導電層Ｆ１上に積層状態で、且つ第２配線形成領域５４においては第１導電層Ｆ１に対して非積層状態で配置される第２導電層Ｆ２を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バンクにクラックが発生することを抑制し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板上にバンクを形
成する工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、バンクを焼成
する工程とを経て形成する。バンク表面の撥液性物質を除去するために、焼成を所定のガ
ス雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】バンクにクラックが発生することを抑制し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板上にバンクを形
成する工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、バンクを焼成
する工程とを経て形成する。機能液を供給した後、焼成前及び焼成中の少なくとも一方で
バンク表面の撥液性物質を除去するための処理を行う。 （もっと読む）

【課題】素子が微細化された場合においても、強誘電体キャパシタの特性劣化を抑制し、あるいは、その特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられた強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタの側面を被覆する絶縁性の保護膜と、保護膜を介して強誘電体キャパシタの側面に設けられ、強誘電体キャパシタにかかる電界方向へ該強誘電体キャパシタに引張応力を与える側壁膜とを備え、側壁膜はシリコン窒化膜からなる。 （もっと読む）

【課題】所望位置に所望状態で機能液を供給し、膜パターンを良好に形成することができ
る膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板上にバンクを形成
するための感光材を塗布する工程と、膜パターンに応じて感光材を露光する工程と、露光
された感光材を現像してバンクを形成する工程と、現像により形成されたバンクの上面を
撥液性にする工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、バンク
を焼成する工程とを経て形成する。現像し、バンクの上面を撥液性にした後、焼成する前
に、機能液を供給する動作が行われる。 （もっと読む）

【課題】
損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）