電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
【課題】有機半導体層を液滴吐出法にて形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。
気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、
及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０Ａ上に、第１隔壁１２をパターン状に設ける。基板１０Ａに金属材
料を蒸着し、第１隔壁１２の上面に画素電極１３及び信号線１４を形成するとともに、第
１隔壁１２に囲まれた領域にゲート線１６を形成する。基板１０Ａ上に、ゲート絶縁膜形
成領域１８、及びゲート絶縁膜形成領域１８に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも
区画する第２隔壁１７を形成する。ゲート絶縁膜形成領域１８にゲート絶縁膜２６を形成
し、有機半導体層の形成材料を含む機能液を半導体層形成領域に吐出し、ゲート電極１６
ａ及びゲート絶縁膜２６の一部を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４間を電気的に接続す
る有機半導体層２８を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネ
ッセンス装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料からなる有機半導体層が注目されている。その理由として、無機
半導体に比べて極めて低温のプロセスで製造でき、プラスチック基板やフィルムを用いる
ことができ、フレキシブルで軽量、壊れにくい素子を作製することができるといった利点
が挙げられる。また、溶液の塗布や印刷法（インクジェット法）といった簡便な方法によ
り、短時間で素子を作製することができ、プロセスコスト、装置コストを抑えることがで
きる。
【０００３】
そのため、有機半導体層を備える有機半導体装置をインクジェットプロセスによって形
成したいとの要望がある。一般に半導体装置は、例えば電気光学装置におけるスイッチン
グ素子として用いられる。そこで、半導体層の特性を向上させるため、チャネル長（ゲー
ト電極幅）を小さくすることが望まれている。しかしながら、現在の技術では、インクジ
ェットプロセスにより形成できるチャネル長（ゲート電極幅）が限られてしまうため、チ
ャネルの十分な小型化を図ることが難しかった。
【０００４】
そこで、微細なパターンを必要とするゲート電極をフォトリソグラフィプロセスにより
形成し、有機半導体層をインクジェットプロセスによって形成するといった、フォトリソ
グラフィプロセスとインクジェットプロセスとを組み合わせた手法がある（例えば特許文
献１参照）。
【特許文献１】特表２００５−５３１１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された発明では、ソース電極とドレイン電極とを
櫛歯状に噛み合わせて形成することで、チャネル長を短縮しているので、ソース又はドレ
イン電極とゲート電極とがオーバーラップした領域に寄生容量が形成されてしまい、これ
によって配線遅延が生じてしまい、信頼性が得られなかった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、有機半導体層を液滴吐出法に
て形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電気光学装置の製造方法、電気光学装置
、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器を提供することを目的と
している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、第１隔壁をパターン状に設ける工程と
、前記基板に金属材料を蒸着し、前記第１隔壁の上面に画素電極及び信号線を形成すると
ともに、前記第１隔壁に囲まれた領域にゲート線を形成する工程と、前記蒸着工程の後、
前記基板上に、ゲート絶縁膜形成領域、及び該ゲート絶縁膜形成領域に一部重なる半導体
層形成領域を少なくとも区画する第２隔壁を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜形成領域
に絶縁層の形成材料を含む機能液を吐出し、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート
絶縁膜の形成後、有機半導体層の形成材料を含む機能液を前記半導体層形成領域に吐出し
、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の一部を跨ぎ、前記画素電極及び前記信号線間を
電気的に接続する有機半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、例えば液滴吐出法により、半導体層形成領
域に吐出された機能液に自己流動（毛細管現象）が生じ、ゲート絶縁膜を介してゲート電
極上に跨ぐように機能液を微細なパターンの端部にまで流れ込ませることができる。よっ
て、ゲート線に交差する部分における半導体層のチャネル長を短くすることができる。ま
た、従来のようにチャネル領域の両側に形成されるソース領域及びドレイン領域とゲート
電極（ゲート線）が交差（ゲートオーバーラップ）することがなく、配線遅延等の不具合
が防止された信頼性の高いものを提供することができる。
【０００９】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第１隔壁を形成する前工程として
、前記基板の前記ゲート線が形成される面の少なくとも一部に補助配線を形成するのが好
ましい。
この構成によれば、第１隔壁に区画された領域に形成されるゲート線が微細となる場合
であっても、ゲート線の一部に補助配線が接続されることでゲート線に電圧降下が生じる
のを抑制することができる。
【００１０】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第２隔壁を形成する工程において
、前記画素電極の一部を臨ませるように前記第２隔壁を区画形成し、前記画素電極の電荷
を保持する容量素子を構成する容量線形成領域を形成し、前記ゲート絶縁膜を形成する工
程において、前記容量線形成領域にも前記機能液を吐出し、前記容量素子を構成する層間
絶縁層を形成し、前記有機半導体層を形成した後、前記容量線形成領域に導電性機能液を
吐出して容量線を形成し、前記画素電極、前記層間絶縁層、及び前記容量線の積層構造か
らなる前記容量素子を形成するのが好ましい。
この構成によれば、液滴吐出法により、画素電極の電荷を保持する容量素子を形成する
ことができ、データの保持を可能とする電気光学装置を提供することができ、この電気光
学装置は特に液晶装置として好適に採用することができる。
このとき、前記ゲート絶縁膜形成領域、前記半導体層形成領域、及び前記容量線形成領
域の少なくとも一つには、他の領域に比べて幅の広い液溜部が設けられており、該液溜部
に機能液が吐出されるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出法により液溜部に吐出された機能液に自己流動（毛細管現
象）を生じさせることができ、前記ゲート絶縁膜形成領域、及び半導体層形成領域の微細
領域にも機能液を確実に流し込ませることが可能となる。
【００１１】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記ゲート線の形成領域をなす前記第
１隔壁の内壁面は基板の上面に対し、鋭角をなす傾斜面であるのが好ましい。
この構成によれば、ゲート線の形成領域をなす第１隔壁の上面側が庇状に形成されてい
るので、第１隔壁の内壁面における蒸着材料のつき回りを低下させ、これによって第１隔
壁上に形成される画素電極及び信号線と、前記第１隔壁に囲まれた領域に形成されるゲー
ト線とが導通してしまうのを防止することができる。なお、傾斜面における鋭角とは、８
０度以下、特に７５以下とするのが望ましい。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられた第１隔壁と、該第１隔壁によ
って形成される溝内に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前
記第１隔壁の上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁上に、前記溝の一部
を跨ぐように設けられる第２隔壁と、を具備し、前記第２隔壁に囲まれた半導体層形成領
域には、前記ゲート絶縁膜を跨いで、前記信号線及び画素電極間を電気的に接続する、液
滴吐出法により形成されてなる有機半導体層が設けられることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、例えば第２隔壁に囲まれた半導体層形成領域に有機半
導体層の形成材料を吐出することで、該有機半導体層の形成材料に自己流動（毛細管現象
）が生じ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層を微細なパターンとすることができる。よって
、ゲート線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャネル長が短くなる。
また、チャネル領域の両側に形成されるソース領域及びドレイン領域とゲート電極（ゲー
ト線）が交差（ゲートオーバーラップ）することがないので、配線遅延等の不具合が防止
された信頼性の高いものとなる。
【００１４】
また、上記電気光学装置においては、前記第２隔壁に囲まれた領域に、前記画素電極の
電荷を保持する容量素子が形成されており、前記容量素子は、容量線の一部と前記画素電
極の一部とからなる容量電極と、該容量電極間に設けられた絶縁層とからなるのが好まし
い。
この構成によれば、画素電極の電荷を保持する容量素子を備えているので、データの保
持が可能となり、特に液晶装置として好適に採用することができる。
【００１５】
また、上記電気光学装置においては、前記半導体層形成領域の一部には、他の領域に比
べて幅が拡がった液溜部が設けられているのが好ましい。
この構成によれば、液滴吐出法により半導体層を形成する際に、液溜部に有機半導体層
の形成材料を吐出することで、上述したようにチャネル長を良好に短くすることができる
。
【００１６】
本発明の液晶装置は、互いに対向配置される一対の基板間に、液晶層を挟持してなる液
晶装置において、前記一対の基板の一方側は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成され
る溝に配設されたゲート電極と、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、
前記第１隔壁に積層される第２隔壁と、を備えてなり、前記第２隔壁に囲まれた一方の領
域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、前記信号線及び画素電極に電気的に
接続される有機半導体層が設けられ、前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素
電極上に絶縁層と容量電極とが積層されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素
子が形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶装置によれば、有機半導体層の形成材料に自己流動（毛細管現象）を生じ
させ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層は微細なパターンから形成されたものとなり、ゲー
ト線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャネル長が短くなる。しかも
、従来のようにゲート電極（ゲート線）とチャネル領域の両側に形成されたソース領域及
びドレイン領域とが交差（ゲートオーバーラップ）しないので、配線遅延等の不具合が防
止された信頼性の高いものとなる。また、画素電極の電荷を保持する容量素子を備えるこ
とで、データの保持が可能となり、高信頼性なものとなる。
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に設けられた一対の電極間に有
機発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板は、第
１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設されたゲート電極と、前記第１隔壁上
面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に積層される第２隔壁と、を備えて
なり、前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨
ぎ、前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、前記第２隔
壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層されることで
、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とする。
【００１９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、有機半導体層の形成材料に自己
流動（毛細管現象）を生じさせ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層は微細なパターンから形
成されたものとなり、ゲート線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャ
ネル長が短くなる。しかも、従来のように、ゲート電極（ゲート線）とチャネル領域の両
側に形成されたソース領域及びドレイン領域とが交差（ゲートオーバーラップ）しないの
で、配線遅延等の不具合が防止された信頼性の高いものとなる。また、画素電極の電荷を
保持する容量素子を備えることで、データの保持が可能となり、高信頼性なものとなる。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置の製造方法により得た電気光学装置、上記の
電気光学装置、上記の液晶装置、又は上記の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた
ことを特徴とする。
【００２１】
本発明の電子機器によれば、上述したようにゲート長が短く、しかもゲートオーバーラ
ップに起因する書き込み遅延等の不具合が防止された信頼性の高い電気光学装置、液晶装
置、或いは有機エレクトロルミネッセンス装置を備えているので、この電子機器自体も高
い表示品質を備え、高信頼性なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実
施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではない。また
、以下の説明に用いる各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとす
るため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００２３】
（液滴吐出装置）
まず、電気光学装置の製造方法を説明するに先んじ、電気光学装置を形成するために用
いる液滴吐出装置について図１を参照して説明する。図１は、電気光学装置の製造方法に
用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出
装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。この液滴吐出装置ＩＪ
は、詳細については後述するように、電気光学装置を構成する基板上に有機半導体層、ゲ
ート絶縁膜、容量線等を形成する際に用いられるものである。
【００２４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５
と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５
とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる、後述す
る基板４８を支持するものであって、基板４８を基準位置に固定する不図示の固定機構を
備えている。
【００２５】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッド
であり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド
１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズル
からは、ステージ７に支持されている基板４８に対して、上述した導電性微粒子を含むイ
ンクが吐出される。
【００２６】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ
２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給され
ると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド
１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は
、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等で
あり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向
に移動する。
【００２７】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、
Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を
、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給
する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニン
グ機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動
モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。ク
リーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板４８を熱処理する手段であり、基板
４８上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電
源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２８】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板４８を支持するステージ７とを相対的に
走査しつつ基板４８に対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を
走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。従って、液滴吐出ヘッド１
の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、
図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板４８の進行方向に対し直角に配置されているが、液
滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板４８の進行方向に対して交差させるようにしてもよ
い。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを
調節することができる。また、基板４８とノズル面との距離を任意に調節することが出来
るようにしてもよい。
【００２９】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図２におい
て、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ
素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体
材料供給系２３を介して液体材料が供給される。
【００３０】
ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素
子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、
ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより
、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによ
り、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。
【００３１】
なお、液体材料の吐出原理としては、上述した圧電体素子であるピエゾ素子を用いてイ
ンクを吐出させるピエゾ方式の他にも、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液
体材料を吐出させるバブル方式等、公知の様々な技術を適用することができる。このうち
、本実施形態で採用されるピエゾ方式では、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等
に影響を与えないという利点を有する。
【００３２】
ここで、機能液Ｌは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機半導体材料や高
分子誘電体材料を溶媒（分散媒）に分散した溶液からなるものである。
【００３３】
導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいず
れかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微
粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機
物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコ
ーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられ
る。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍ
より大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また
、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得
られる膜中の有機物の割合が過多となる。
また、有機半導体材料としては、低分子系有機半導体材料、ポリマー有機半導体材料の
いずれも使用することができ、高分子誘電体材料としては、絶縁性を有する材料であれば
、特に限定されることなく種々のものを用いることができ、有機材料、無機材料のいずれ
も使用可能である。
【００３４】
分散媒としては、上記材料を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限
定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ト
ルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン
、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレ
ングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコ
ールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキ
シエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合
物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を
例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インク
ジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル
系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げること
ができる。
【００３５】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上記液滴吐出装置ＩＪを用いた電気光学装置の製造方法の一実施形態として、電
気泳動装置１００（図１１参照）を製造する工程について図面を参照して説明する。本実
施形態に係る製造方法は、図１１に示す電気泳動装置１００を構成するＴＦＴ基板１０を
形成する工程に特徴を有しており、その他の工程は従来の方法と同様であることから、そ
の詳細な説明については省略する。なお、以下の図３〜図１０においては、同図中上図は
電気泳動装置１００の画素領域が形成される領域に対応する平面図であり、同図中下図は
上図のＡ−Ａ´線矢視による側部断面図を示すものである。
【００３６】
まず、ＴＦＴ基板１０を構成するための、基材として基板本体１０Ａを用意する。この
基板本体１０Ａとしては、光透過性を有した、ガラス基板、石英基板等を用いた。そして
、図３に示すように、前記基板本体１０Ａ上に補助配線１１を形成する。この補助配線１
１は、後の工程で形成されるゲート線と同材料の金（Ａｕ）から構成されており、その形
成方法としては、例えばマスク蒸着法やフォトリソグラフィプロセスによるパターニング
等が挙げられる。
【００３７】
続いて、図４に示すように、基板本体１０Ａ上に第１隔壁１２をパターン状に形成する
。具体的には、前記第１隔壁１２の形成材料として、基板上にネガ型レジストを塗布し、
マスクを用いて露光した後、現像する。これにより、露光されなかった部分が現像液で溶
解し、第１隔壁１２がパターン状に形成される。
【００３８】
このパターンは、後工程でゲート線が形成される領域であり、平面視略梯子形状となる
。また、第１隔壁１２に区画（囲まれた）された領域（以下、ゲート線形成領域とも呼ぶ
）の底面には、基板本体１０Ａの上面及び前記補助配線１１が露出した状態となる。なお
、ゲート配線の形成領域をなす第１隔壁１２の内壁面１２ａは、基板本体１０Ａの上面に
対し、鋭角をなす傾斜面となっており、第１隔壁１２の上面側が下面側に対して庇状に延
出した状態となっている。なお、傾斜面における鋭角とは、８０度以下、特に７５以下と
するのが望ましい。
【００３９】
続いて、図５に示すように、基板本体１０Ａ上に金属材料、本実施形態では金を蒸着す
る。これにより、第１隔壁１２の上面には画素電極１３及び信号線１４が形成される。
【００４０】
また、前記第１隔壁１２に囲まれたゲート線形成領域に蒸着された金によって、ゲート
線が構成される。このとき、図３に示したように、ゲート線形成領域には補助配線１１が
形成されており、ゲート線１６の一部が補助配線に接続される。これによって、前記ゲー
ト配線形成領域に形成されるゲート線が微細なものである場合でも、ゲート線１６に生じ
る電圧降下が抑制されたものとなる。
【００４１】
このとき、ゲート線形成領域をなす第１隔壁１２の上面が庇状に形成されているので、
第１隔壁１２の内壁面１２ａにおける蒸着材料（金）のつき回りを低下させ、これによっ
て第１隔壁１２上に形成される画素電極１３及び信号線１４と、ゲート線形成領域に形成
されるゲート線１６とが導通してしまうのを確実に防止することができる。
【００４２】
具体的には、図５に示すように、ゲート線形成領域により４辺が囲まれた第１隔壁１２
の上面に矩形状の画素電極１３が形成され、図中上下方向において隣接する画素電極１３
間に延出する第１隔壁１２上に信号線１４が形成される。
【００４３】
蒸着工程後、図６に示すように、前記基板本体１０Ａ上に第２隔壁１７を形成する。具
体的には、前記第１隔壁１２の形成材料として、基板上にポジ型レジストを塗布し、マス
クを用いて露光した後、現像する。これにより、露光された部分が現像液で溶解し、第２
隔壁１７がパターン状に形成される。
【００４４】
この第２隔壁１７は、ゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９を区画す
るものである。ゲート絶縁膜形成領域１８とは、後述する工程にて、上記液滴吐出装置Ｉ
Ｊによりゲート絶縁膜が形成される領域である。また、半導体層形成領域１９とは、同様
に後述する工程にて、上記液滴吐出装置ＩＪにより半導体層が形成される領域である。
【００４５】
これらゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９は、上記液滴吐出装置Ｉ
Ｊの液滴吐出ヘッド１から吐出した機能液（液体材料）を吐出するための液溜部１８ａ，
１９ａと、該液溜部１８ａ，１９ａから延出する微細パターン部１８ｂ，１９ｂとから構
成されている。この構成を採用することで、液滴吐出ヘッド１から液溜部１８ａ，１９ａ
に吐出された機能液に自己流動（毛細管現象）を生じさせることができ、前記ゲート絶縁
膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９の微細領域にも機能液を確実に流し込ませる
ことが可能となっている。
【００４６】
また、ゲート絶縁膜形成領域１８及び半導体層形成領域１９は、微細パターン部１８ｂ
，１９ｂが図中Ｃで示される部分にて互いに交差（重なる）し、この交差部分は有機薄膜
トランジスタのチャネル領域を構成するようになっている。すなわち、本実施形態では、
チャネル長は、ゲート絶縁膜形成領域１８の微細パターン部１８ｂの幅となる。
【００４７】
また、本実施形態では、第２隔壁１７を形成する工程において、前記画素電極１３の一
部を臨ませるように前記第２隔壁１７を区画形成し、前記画素電極１３の電荷を保持する
容量素子を設けるための容量線形成領域２０を形成している。なお、容量線形成領域２０
には、他の領域（ゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９）と同様に、第
１隔壁１２により区画された領域と、第２隔壁１７により区画された領域との２つから構
成されている。また、容量線形成領域２０は、前記半導体層形成領域１９に連続的に形成
されている。そして、前記容量線形成領域２０における前記半導体層形成領域１９との接
続部近傍は、図６に示すように線幅が狭まった構成をなしている。
【００４８】
したがって、後述する容量線形成領域は、段差構造が生じたものとなっている。容量素
子は、この段差構造の上段部に形成されている画素電極１３と後述する工程で形成される
層間絶縁膜と容量線との積層構造により構成される。よって、前記段差構造をなす、第１
隔壁１２及び第２隔壁１７の幅や高さを調整することで、所望の大きさを有した容量素子
を形成することが可能となっている。
【００４９】
また、本実施形態では、容量線形成領域２０のパターン幅が略均等であることから、上
記液溜部を設けていないが、本発明はこれに限定されず、上記ゲート絶縁膜形成領域１８
、及び半導体層形成領域１９と同様に液溜部を設けてもよい。
【００５０】
続いて、上記液滴吐出装置ＩＪを用いて、前記ゲート絶縁膜形成領域１８の液溜部１８
ａにゲート絶縁膜形成材料を含む機能液を吐出し、図７に示すように、ゲート絶縁膜２６
を形成する。このゲート絶縁膜２６の形成材料としては、絶縁性を有する材料であれば、
特に限定されることなく種々のものを用いることができ、有機材料、無機材料のいずれも
使用可能である。
例えば、公知のゲート絶縁膜用の有機材料として、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテ
ート等の高分子フィルム、あるいはパリレン膜が挙げられる。また、無機材料としては、
酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バ
リウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられる。そし
て、これらのうちの１種を用い、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
また、上述したように第２隔壁１７を形成する際に、容量線形成領域２０を形成してい
る。そこで、本実施形態では、前記ゲート絶縁膜２６を形成する工程において、前記容量
線形成領域２０に層間絶縁膜の形成材料（機能液）を吐出し、画素電極１３の電荷を保持
する容量素子を構成する第１層間絶縁層（層間絶縁膜）２７を形成する。この第１層間絶
縁膜２７は、前記ゲート絶縁膜２６と同一材料から構成される。このとき、前記容量線形
成領域２０は、図６に示したように前記半導体層形成領域１９との接続部近傍にて線幅が
狭まっていることから、容量線形成領域２０に吐出された絶縁材料が自己流動によって半
導体層形成領域１９内にまで流れ込むのを防止することができる。なお、前記線幅を狭め
る領域は出来るだけ長くとることが望ましい。これにより、後の工程で配置される半導体
層と画素電極１３との間で接続不良が生じるのを確実に防止することができる。
【００５２】
ゲート絶縁膜２６、及び第１層間絶縁膜２７を形成した後、図８に示すように上記液滴
吐出装置ＩＪを用いて、前記半導体層形成領域１９の液溜部１９ａに有機半導体層の形成
材料（機能液）を吐出する。液溜部１９ａに吐出された機能液には、自己流動（毛細管現
象）が生じ、図６に示した微細パターン部１９ｂ内に流れ込んで、機能液はゲート絶縁膜
２６を跨いだ状態となる。なお、半導体層形成領域１９には、前記ゲート線１６を挟んで
信号線１４と画素電極１３とが対向配置されたものとなっている（図７参照）。すなわち
、図８に示すように上記工程により、ゲート線１６を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４
間を電気的に接続する有機半導体層２８が形成される。なお、ゲート線１６における、ゲ
ート絶縁膜２６を介し有機半導体層２８に対向配置する領域は、ゲート電極１６ａを構成
することとなる。
【００５３】
この有機半導体層の形成材料（機能液）としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフ
ェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［Ｐ３ＨＴ］、ポリ（３−オクチルチオフェン
）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）［ＰＴＶ］、ポリ（パラ−フェニレンビニレン
）［ＰＰＶ］、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）［ＰＦＯ］、ポリ（９，９−ジオ
クチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−
フェニル−１，４−フェニレンジアミン）［ＰＦＭＯ］、ポリ（９，９−ジオクチルフル
オレン−コ−ベンゾチアジアゾール）［ＢＴ］、フルオレン−トリアリルアミン共重合体
、トリアリルアミン系ポリマー、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェ
ン）［Ｆ８Ｔ２］のようなフルオレン−ビチオフェン共重合体等のポリマー有機半導体材
料、またフラーレン（Ｃ６０）、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘
導体、あるいはアントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料
、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキ
シチオフェン（６Ｔ）、オクタチオフェンのような低分子系有機半導体、ＰＱＴ１２（あ
るいは、１２ＰＱＴ；なお、ＰＱＴはポリクオーターチオフェン）のうちの１種を用い、
あるいは２種以上を混合して用いることができる。
【００５４】
また、有機半導体層２８の形成に先立ち、この有機半導体層２８を良好に形成するため
、この有機半導体層２８の下地となる面、すなわち基板１上の上記ゲート絶縁膜２６の表
面を改質処理してもよい。この表面改質処理としては、例えばヘキサメチレンジシラザン
、シクロヘキサン、オクタデシルトリクロロシラン等の表面改質剤を用いた表面処理、ア
セトンやイソプロピルアルコール等を用いた有機洗浄処理、塩酸や硫酸、酢酸等の酸や水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等のアルカリ処理、Ｕ
Ｖオゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴン等のプラズマ処理、ラングミュアブロジェ
ット膜の形成処理が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上の処理を用いることが
できる。
【００５５】
前記有機半導体層２８を形成した後、上記液滴吐出装置ＩＪを用い、前記容量線形成領
域２０に導電性機能液を吐出することで、図９に示す容量線２９が形成される。なお、導
電性機能液に含有される導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、マン
ガン、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並び
に導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。本実施形態では、導電性微粒子
として金を用いた。
【００５６】
以上の工程により、前記画素電極１３、前記第１層間絶縁膜２７、及び前記容量線２９
の積層構造からなる容量素子３０が形成される。この容量素子３０は、画素電極１３にお
ける電荷を保持するためのもので、電気泳動装置１００における各画素領域にてデータ保
持を可能となる。
【００５７】
続いて、前記第２隔壁によって区画された全ての領域（ゲート絶縁膜形成領域１８、半
導体層形成領域１９、及び容量線形成領域２０）に、上記液滴吐出装置ＩＪを用いて第２
層間絶縁膜３１を形成する。なお、第２層間絶縁膜３１は、前記ゲート絶縁膜２６及び前
記第１層間絶縁膜２７と同一材料から構成される。以上の工程により、図１０に示すよう
に電気泳動装置１００を構成するＴＦＴ基板１０が形成される。
【００５８】
したがって、本実施形態の電気泳動装置（電気光学装置）１００は、基板本体１０Ａと
、該基板本体１０Ａ上に設けられた第１隔壁１２と、該第１隔壁１２によって形成される
溝内に設けられたゲート電極１６ａと、第１隔壁１２の上面に設けられる信号線１４及び
画素電極１３と、第１隔壁１２上に設けられる第２隔壁１７とを備えたものとなる。そし
て、前記溝内にはゲート絶縁膜２６が設けられており、第２隔壁１７に囲まれた半導体層
形成領域１９には、前記ゲート電極１６ａを跨いで、前記信号線１４及び画素電極１３間
を電気的に接続する、液滴吐出法により形成されてなる有機半導体層２８を備えたものと
なる。この有機半導体層２８は、後述するように電気泳動装置１００の有機薄膜トランジ
スタ（スイッチング素子；以下、有機ＴＦＴと称す）６０をなすものである。
【００５９】
続いて、ＴＦＴ基板１０及び対向基板３２を、表示領域の周囲を囲むように枠状の封止
部材（図示せず）によって貼り合わせ、スペーサ（図示略）により一定に離間された状態
で保持する。なお、ＴＦＴ基板１０及び対向基板３２の間には、電気光学層としてのマイ
クロカプセル７０を保持し、これにより図１１に示す電気泳動装置１００を形成すること
ができる。マイクロカプセル７０は、分散媒４１、電気泳動粒子４２等を有する電気泳動
分散液４０をカプセル状の樹脂皮膜で覆ってマイクロカプセル化したものである。
【００６０】
また、対向基板３２は、例えば樹脂フィルム基板等の可撓性を有した透明性材料からな
り、対向基板３２の内側（マイクロカプセル７０）が配置される側には共通電極３３が形
成されている。
【００６１】
次に、マイクロカプセル７０を構成する電気泳動分散液４０について説明する。電気泳
動分散液４０は、染料によって染色された分散媒４１中に電気泳動粒子４２を分散させた
構成となっている。電気泳動粒子４２は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．
０１μｍ〜１０μｍ程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒４１と異なる色相（白色及
び黒色を含む）を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子４２
には固有の表面等電点が存在し、分散媒４１の水素イオン指数ｐＨによってその表面電荷
密度（帯電量）が変化する。
【００６２】
ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状
態を水素イオン指数ｐＨによって示したものである。例えば、分散媒４１のｐＨが電気泳
動粒子４２の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電
界に対して無反応な状態となる。また、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも低い
場合には、粒子の表面は下式（１）によりプラスの電荷を帯びる。逆に、分散媒４１のｐ
Ｈが粒子の表面等電点よりも高い場合には、粒子の表面は下式（２）によりマイナスの電
荷を帯びる。
ｐＨ低： ＲＯＨ ＋ Ｈ＋（過剰） ＋ ＯＨ− → ＲＯＨ２＋ ・・・（１）
ｐＨ高： ＲＯＨ ＋ ＯＨ−（過剰） → ＲＯ− ＋ Ｈ２Ｏ ・・・（２）
【００６３】
なお、分散媒４１のｐＨと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式（
１）又は（２）にしたがって粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となる
と略飽和し、ｐＨをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種
類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね１以上であればどのような粒子において
も帯電量は略飽和すると考えられる。
【００６４】
上述の電気泳動粒子４２としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウ
ム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、Ｆｅ
ＯＯＨ、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅
等が用いられている。
【００６５】
また、このような電気泳動粒子４２は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質
を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば
、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポ
リマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素
系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモ
ノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法
等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。
分散媒４１には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用い
られており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリ
ファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファー
ストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子４２と異なる色相を呈している
。
【００６６】
図１２は電気泳動装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数
のドットの等価回路図である。本実施形態の電気泳動装置１００は、図１２に示すように
、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素に、画素電極１３と当該
画素電極１３を制御するためのスイッチング素子である有機ＴＦＴ６０がそれぞれ形成さ
れており、画像信号が供給される信号線１４が有機ＴＦＴ６０のソースに電気的に接続さ
れている。信号線１４に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供
給されるか、あるいは相隣接する複数の信号線１４に対してグループ毎に供給される。ま
た、ゲート線１６が有機ＴＦＴ６０のゲートに電気的に接続されており、複数のゲート線
１６に対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印
加される。また、画素電極１３は有機ＴＦＴ６０のドレインに電気的に接続されており、
スイッチング素子である有機ＴＦＴ６０を一定期間だけオンすることにより、信号線１４
から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
画素電極１３を介して分散液に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎは、対向基板３５に設けられた共通電極３３との間で一定期間保持される。電気泳動粒
子４２は、印加される電圧により分散媒４１中を移動してどちらか一方の電極１３，３３
上に集合し、光を変調する。本実施形態では、画素電極１３の電荷、すなわち保持された
画像信号のリークを防止するため、画素電極１３と共通電極３３との間に形成される画素
容量と並列に蓄積容量をなす容量素子３０が設けられている。
【００６７】
このように構成された電気泳動装置１００、及びその製造方法においては、半導体層形
成領域１９に吐出した機能液に自己流動（毛細管現象）を生じさせ、微細パターンの端部
にまで前記機能液を流れ込むませることができる。よって、ゲート線１６に交差する有機
半導体層２８におけるチャネル長を短くすることができる。また、従来構成のように、ゲ
ート電極（ゲート線）がソース及びドレインに交差（ゲートオーバーラップ）することが
なく、寄生容量の発生を防止することができ、配線遅延等の不具合が防止された信頼性の
高いものとなる。また、画素電極１３の電荷を保持する容量素子３０が形成されているの
で、保持された画像信号（データ）のリークを防止でき、信頼性の高いものとなる。
【００６８】
（液晶装置）
次に、電気光学装置の他の実施形態であり、かつ本発明の液晶装置の一実施形態につい
て説明する。この液晶装置２００は、上述したＴＦＴ基板１０を備えており、該ＴＦＴ基
板１０に対向配置される対向基板３５との間に液晶層５０を挟持したものである。図１３
は、液晶装置２００の全体構成を示す図である。図１３に示すように、液晶装置２００は
、対向して配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板３５とがシール材３４によって貼り合わ
されている。また、シール材３４によって区画された領域内には液晶層５０が形成されて
いる。なお、上記ＴＦＴ基板１０´は、ＴＦＴ基板１０と略同一構成から構成されており
、本実施形態では画素電極１３を構成する材料としてＡｌを用いている。すなわち、本実
施形態の液晶装置２００は、反射型の液晶装置として好適に採用される。
【００６９】
シール材３４の一部には液晶を注入する注入口３４ａが設けられており、当該注入口３
４ａは封止材３４ｂにより封止されている。シール材３４の内側の領域には、遮光性材料
からなる遮光膜（周辺見切り）３６が形成されている。周辺見切り３６の内側の領域は、
光を変調する光変調領域になっている。光変調領域３７には、複数の画素領域３８がマト
リクス状に設けられている。各画素領域３８の周囲には、遮光部材であるブラックマトリ
クス３９が格子状に設けられている。このブラックマトリクスは、上記ＴＦＴ基板１０の
第２隔壁１７及び第２層間絶縁膜３１を覆うように形成される。そして、前記各画素領域
３８の底面に画素電極１３が臨まれるようになっている。
【００７０】
ＴＦＴ基板１０の周縁部は、対向基板３５から張り出した張出領域になっている。この
張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路５１が形
成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路５１の間を接続する配線４３が引
き回されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路５２と、外部
の回路等に接続するための接続端子４４とが形成されている。走査線駆動回路５１と接続
端子４４との間の領域には、両者を接続する配線４５が形成されている。対向基板３５の
各角部には、ＴＦＴ基板１０と対向基板３５との間で電気的に接続するための基板間導通
材４７が設けられている。
【００７１】
画素電極１３を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板３５の共
通電極３５ｂとの間で一定期間保持されるが、前記ＴＦＴ基板１０に設けられた容量素子
３０によって画素信号がリークするのを防止することができる。例えば、画素電極１３の
電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ容量素子３０に保持され
、電荷の保持特性が改善され、コントラスト比の高い液晶装置２００を実現することがで
きる。
【００７２】
図１４は図１３のＡ−Ａ線に沿う断面の概略構成図である。図１４に示すように、ＴＦ
Ｔ基板１０は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基板本体１０Ａ
を備えており、この基板本体１０Ａの液晶側には画素電極１３と、当該画素電極１３に電
気信号を供給する有機ＴＦＴ６０が設けられている。また、画素電極１３を覆うように図
示しない配向膜が形成されている。
【００７３】
対向基板３５は、ＴＦＴ基板１０と同様に、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料
から形成された基材３５ａを主体として構成されている。基材３５ａの内側（液晶層５０
側）表面には共通電極３５ｂが形成されており、共通電極３５ｂ上には配向膜（図示しな
い）が形成されている。なお、本実施形態の液晶装置は反射型のものであるため、共通電
極３５ｂは、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料により形成される。なお、液晶装置２００
においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ
−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノ
ーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略する。
【００７４】
本実施形態に係る液晶装置２００によれば、上記実施形態に係る電気泳動装置１００と
同様にゲート長が短く、ゲートオーバーラップに起因する書き込み遅延等の不具合が防止
することで信頼性が高く、コントラスト比が高く表示品質の高いものとなる。
【００７５】
（有機ＥＬ装置）
次に、電気光学装置の他の実施形態であり、かつ本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す）の一実施形態について説明する。図１５は、有機Ｅ
Ｌ装置の概略構成を示す断面図である。
【００７６】
有機ＥＬ装置３００は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられた第２隔壁１７によって形
成された凹部開口内（画素領域）に臨む画素電極１３上に発光素子４５１が形成される。
なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子、緑色の発光をなす素子、或いは青色の
発光をなす素子が各画素領域に設けられており、これによって有機ＥＬ装置３００は、フ
ルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク部４４１及び発光素子
４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
【００７７】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、発光素子４５１を適切に形
成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極
４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止
する封止工程とを備えている。
【００７８】
発光層形成工程は、画素領域に望む画素電極１３上に正孔注入層４５２及び発光層４５
３を形成し、発光素子４５１を形成するものである。そして、正孔注入層形成工程は、正
孔注入層４５２を形成するための液状体材料を各画素電極１３上に吐出する吐出工程と、
吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する乾燥工程とを有している
。
【００７９】
また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための液状体材料を正孔注入層４５
２の上に吐出する吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層４５３を形成す
る乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、前述したように赤、緑、青の３色に
対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の発
光層４５３の吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっ
ている。この発光素子形成工程においては、正孔注入層４５２の形成時と、発光層４５３
の形成時とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【００８０】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００にあっても、上記実施形態に係る電気泳動装置１
００及び液晶装置２００と同様にゲート長が短く、信頼性が高い有機ＴＦＴ６０を備えて
いるので、表示品質の高いものとなる。
【００８１】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６において、６００は携帯電話
本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１６に示す電子機器は、上記液晶装置２００を備えたものであるので、高い品質や性
能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置２００を備えるものとしたが、上記有機ＥＬ装
置３００、上記電気泳動装置１００を備えた電子機器とすることもできる。
【００８２】
なお、上述した電子機器以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液
晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニア
リング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビュー
ファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カ
ーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用す
ることが可能である。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構
成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲におい
て設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】電気光学装置の製造方法に用いる液滴吐出装置の一実施例を示す図である。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
【図３】電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図４】図３に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図５】図４に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図６】図５に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図７】図６に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図８】図７に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図９】図８に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図１０】図９に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図１１】本実施形態に係る電気泳動装置の概略構成を示す図である。
【図１２】電気泳動装置のマトリクス状に配置されたドットの等価回路図である。
【図１３】一実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線に沿う断面構成図である。
【図１５】一実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図１６】電子機器の一実施形態に係る携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ａ…基板本体（基板）、１１…補助配線、１２…第１隔壁、１２ａ…内壁面、１３…
画素電極、１４…信号線、１６…ゲート線、１６ａ…ゲート電極、１７…第２隔壁、１８
…ゲート絶縁膜、１８ａ…液溜部、１９…半導体層形成領域、１９ａ…液溜部、２０…容
量線形成領域、２６…ゲート絶縁膜、２８…有機半導体層、２９…容量線、３０…容量素
子、１００…電気泳動装置、２００…液晶装置、３００…有機ＥＬ装置（有機エレクトロ
ルミネッセンス装置）、６００…携帯電話（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶装置、有機エレクトロルミネ
ッセンス装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料からなる有機半導体層が注目されている。その理由として、無機
半導体に比べて極めて低温のプロセスで製造でき、プラスチック基板やフィルムを用いる
ことができ、フレキシブルで軽量、壊れにくい素子を作製することができるといった利点
が挙げられる。また、溶液の塗布や印刷法（インクジェット法）といった簡便な方法によ
り、短時間で素子を作製することができ、プロセスコスト、装置コストを抑えることがで
きる。
【０００３】
そのため、有機半導体層を備える有機半導体装置をインクジェットプロセスによって形
成したいとの要望がある。一般に半導体装置は、例えば電気光学装置におけるスイッチン
グ素子として用いられる。そこで、半導体層の特性を向上させるため、チャネル長（ゲー
ト電極幅）を小さくすることが望まれている。しかしながら、現在の技術では、インクジ
ェットプロセスにより形成できるチャネル長（ゲート電極幅）が限られてしまうため、チ
ャネルの十分な小型化を図ることが難しかった。
【０００４】
そこで、微細なパターンを必要とするゲート電極をフォトリソグラフィプロセスにより
形成し、有機半導体層をインクジェットプロセスによって形成するといった、フォトリソ
グラフィプロセスとインクジェットプロセスとを組み合わせた手法がある（例えば特許文
献１参照）。
【特許文献１】特表２００５−５３１１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された発明では、ソース電極とドレイン電極とを
櫛歯状に噛み合わせて形成することで、チャネル長を短縮しているので、ソース又はドレ
イン電極とゲート電極とがオーバーラップした領域に寄生容量が形成されてしまい、これ
によって配線遅延が生じてしまい、信頼性が得られなかった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、有機半導体層を液滴吐出法に
て形成する際に、より信頼性の高いものを得る、電気光学装置の製造方法、電気光学装置
、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器を提供することを目的と
している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、第１隔壁をパターン状に設ける工程と
、前記基板に金属材料を蒸着し、前記第１隔壁の上面に画素電極及び信号線を形成すると
ともに、前記第１隔壁に囲まれた領域にゲート線を形成する工程と、前記蒸着工程の後、
前記基板上に、ゲート絶縁膜形成領域、及び該ゲート絶縁膜形成領域に一部重なる半導体
層形成領域を少なくとも区画する第２隔壁を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜形成領域
に絶縁層の形成材料を含む機能液を吐出し、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート
絶縁膜の形成後、有機半導体層の形成材料を含む機能液を前記半導体層形成領域に吐出し
、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の一部を跨ぎ、前記画素電極及び前記信号線間を
電気的に接続する有機半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、例えば液滴吐出法により、半導体層形成領
域に吐出された機能液に自己流動（毛細管現象）が生じ、ゲート絶縁膜を介してゲート電
極上に跨ぐように機能液を微細なパターンの端部にまで流れ込ませることができる。よっ
て、ゲート線に交差する部分における半導体層のチャネル長を短くすることができる。ま
た、従来のようにチャネル領域の両側に形成されるソース領域及びドレイン領域とゲート
電極（ゲート線）が交差（ゲートオーバーラップ）することがなく、配線遅延等の不具合
が防止された信頼性の高いものを提供することができる。
【０００９】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第１隔壁を形成する前工程として
、前記基板の前記ゲート線が形成される面の少なくとも一部に補助配線を形成するのが好
ましい。
この構成によれば、第１隔壁に区画された領域に形成されるゲート線が微細となる場合
であっても、ゲート線の一部に補助配線が接続されることでゲート線に電圧降下が生じる
のを抑制することができる。
【００１０】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第２隔壁を形成する工程において
、前記画素電極の一部を臨ませるように前記第２隔壁を区画形成し、前記画素電極の電荷
を保持する容量素子を構成する容量線形成領域を形成し、前記ゲート絶縁膜を形成する工
程において、前記容量線形成領域にも前記機能液を吐出し、前記容量素子を構成する層間
絶縁層を形成し、前記有機半導体層を形成した後、前記容量線形成領域に導電性機能液を
吐出して容量線を形成し、前記画素電極、前記層間絶縁層、及び前記容量線の積層構造か
らなる前記容量素子を形成するのが好ましい。
この構成によれば、液滴吐出法により、画素電極の電荷を保持する容量素子を形成する
ことができ、データの保持を可能とする電気光学装置を提供することができ、この電気光
学装置は特に液晶装置として好適に採用することができる。
このとき、前記ゲート絶縁膜形成領域、前記半導体層形成領域、及び前記容量線形成領
域の少なくとも一つには、他の領域に比べて幅の広い液溜部が設けられており、該液溜部
に機能液が吐出されるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出法により液溜部に吐出された機能液に自己流動（毛細管現
象）を生じさせることができ、前記ゲート絶縁膜形成領域、及び半導体層形成領域の微細
領域にも機能液を確実に流し込ませることが可能となる。
【００１１】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記ゲート線の形成領域をなす前記第
１隔壁の内壁面は基板の上面に対し、鋭角をなす傾斜面であるのが好ましい。
この構成によれば、ゲート線の形成領域をなす第１隔壁の上面側が庇状に形成されてい
るので、第１隔壁の内壁面における蒸着材料のつき回りを低下させ、これによって第１隔
壁上に形成される画素電極及び信号線と、前記第１隔壁に囲まれた領域に形成されるゲー
ト線とが導通してしまうのを防止することができる。なお、傾斜面における鋭角とは、８
０度以下、特に７５以下とするのが望ましい。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられた第１隔壁と、該第１隔壁によ
って形成される溝内に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前
記第１隔壁の上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁上に、前記溝の一部
を跨ぐように設けられる第２隔壁と、を具備し、前記第２隔壁に囲まれた半導体層形成領
域には、前記ゲート絶縁膜を跨いで、前記信号線及び画素電極間を電気的に接続する、液
滴吐出法により形成されてなる有機半導体層が設けられることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、例えば第２隔壁に囲まれた半導体層形成領域に有機半
導体層の形成材料を吐出することで、該有機半導体層の形成材料に自己流動（毛細管現象
）が生じ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層を微細なパターンとすることができる。よって
、ゲート線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャネル長が短くなる。
また、チャネル領域の両側に形成されるソース領域及びドレイン領域とゲート電極（ゲー
ト線）が交差（ゲートオーバーラップ）することがないので、配線遅延等の不具合が防止
された信頼性の高いものとなる。
【００１４】
また、上記電気光学装置においては、前記第２隔壁に囲まれた領域に、前記画素電極の
電荷を保持する容量素子が形成されており、前記容量素子は、容量線の一部と前記画素電
極の一部とからなる容量電極と、該容量電極間に設けられた絶縁層とからなるのが好まし
い。
この構成によれば、画素電極の電荷を保持する容量素子を備えているので、データの保
持が可能となり、特に液晶装置として好適に採用することができる。
【００１５】
また、上記電気光学装置においては、前記半導体層形成領域の一部には、他の領域に比
べて幅が拡がった液溜部が設けられているのが好ましい。
この構成によれば、液滴吐出法により半導体層を形成する際に、液溜部に有機半導体層
の形成材料を吐出することで、上述したようにチャネル長を良好に短くすることができる
。
【００１６】
本発明の液晶装置は、互いに対向配置される一対の基板間に、液晶層を挟持してなる液
晶装置において、前記一対の基板の一方側は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成され
る溝に配設されたゲート電極と、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、
前記第１隔壁に積層される第２隔壁と、を備えてなり、前記第２隔壁に囲まれた一方の領
域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、前記信号線及び画素電極に電気的に
接続される有機半導体層が設けられ、前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素
電極上に絶縁層と容量電極とが積層されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素
子が形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶装置によれば、有機半導体層の形成材料に自己流動（毛細管現象）を生じ
させ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層は微細なパターンから形成されたものとなり、ゲー
ト線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャネル長が短くなる。しかも
、従来のようにゲート電極（ゲート線）とチャネル領域の両側に形成されたソース領域及
びドレイン領域とが交差（ゲートオーバーラップ）しないので、配線遅延等の不具合が防
止された信頼性の高いものとなる。また、画素電極の電荷を保持する容量素子を備えるこ
とで、データの保持が可能となり、高信頼性なものとなる。
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に設けられた一対の電極間に有
機発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板は、第
１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設されたゲート電極と、前記第１隔壁上
面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に積層される第２隔壁と、を備えて
なり、前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨
ぎ、前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、前記第２隔
壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層されることで
、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とする。
【００１９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、有機半導体層の形成材料に自己
流動（毛細管現象）を生じさせ、ゲート電極を跨ぐ有機半導体層は微細なパターンから形
成されたものとなり、ゲート線に交差する半導体層、すなわちチャネル領域におけるチャ
ネル長が短くなる。しかも、従来のように、ゲート電極（ゲート線）とチャネル領域の両
側に形成されたソース領域及びドレイン領域とが交差（ゲートオーバーラップ）しないの
で、配線遅延等の不具合が防止された信頼性の高いものとなる。また、画素電極の電荷を
保持する容量素子を備えることで、データの保持が可能となり、高信頼性なものとなる。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置の製造方法により得た電気光学装置、上記の
電気光学装置、上記の液晶装置、又は上記の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた
ことを特徴とする。
【００２１】
本発明の電子機器によれば、上述したようにゲート長が短く、しかもゲートオーバーラ
ップに起因する書き込み遅延等の不具合が防止された信頼性の高い電気光学装置、液晶装
置、或いは有機エレクトロルミネッセンス装置を備えているので、この電子機器自体も高
い表示品質を備え、高信頼性なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実
施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではない。また
、以下の説明に用いる各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとす
るため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００２３】
（液滴吐出装置）
まず、電気光学装置の製造方法を説明するに先んじ、電気光学装置を形成するために用
いる液滴吐出装置について図１を参照して説明する。図１は、電気光学装置の製造方法に
用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出
装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。この液滴吐出装置ＩＪ
は、詳細については後述するように、電気光学装置を構成する基板上に有機半導体層、ゲ
ート絶縁膜、容量線等を形成する際に用いられるものである。
【００２４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５
と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５
とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる、後述す
る基板４８を支持するものであって、基板４８を基準位置に固定する不図示の固定機構を
備えている。
【００２５】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッド
であり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド
１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズル
からは、ステージ７に支持されている基板４８に対して、上述した導電性微粒子を含むイ
ンクが吐出される。
【００２６】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ
２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給され
ると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド
１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は
、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等で
あり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向
に移動する。
【００２７】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、
Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を
、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給
する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニン
グ機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動
モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。ク
リーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板４８を熱処理する手段であり、基板
４８上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電
源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２８】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板４８を支持するステージ７とを相対的に
走査しつつ基板４８に対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を
走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。従って、液滴吐出ヘッド１
の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、
図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板４８の進行方向に対し直角に配置されているが、液
滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板４８の進行方向に対して交差させるようにしてもよ
い。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを
調節することができる。また、基板４８とノズル面との距離を任意に調節することが出来
るようにしてもよい。
【００２９】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図２におい
て、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ
素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体
材料供給系２３を介して液体材料が供給される。
【００３０】
ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素
子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、
ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより
、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによ
り、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。
【００３１】
なお、液体材料の吐出原理としては、上述した圧電体素子であるピエゾ素子を用いてイ
ンクを吐出させるピエゾ方式の他にも、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液
体材料を吐出させるバブル方式等、公知の様々な技術を適用することができる。このうち
、本実施形態で採用されるピエゾ方式では、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等
に影響を与えないという利点を有する。
【００３２】
ここで、機能液Ｌは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機半導体材料や高
分子誘電体材料を溶媒（分散媒）に分散した溶液からなるものである。
【００３３】
導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいず
れかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微
粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機
物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコ
ーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられ
る。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍ
より大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また
、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得
られる膜中の有機物の割合が過多となる。
また、有機半導体材料としては、低分子系有機半導体材料、ポリマー有機半導体材料の
いずれも使用することができ、高分子誘電体材料としては、絶縁性を有する材料であれば
、特に限定されることなく種々のものを用いることができ、有機材料、無機材料のいずれ
も使用可能である。
【００３４】
分散媒としては、上記材料を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限
定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ト
ルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン
、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレ
ングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコ
ールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキ
シエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合
物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を
例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インク
ジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル
系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げること
ができる。
【００３５】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上記液滴吐出装置ＩＪを用いた電気光学装置の製造方法の一実施形態として、電
気泳動装置１００（図１１参照）を製造する工程について図面を参照して説明する。本実
施形態に係る製造方法は、図１１に示す電気泳動装置１００を構成するＴＦＴ基板１０を
形成する工程に特徴を有しており、その他の工程は従来の方法と同様であることから、そ
の詳細な説明については省略する。なお、以下の図３〜図１０においては、同図中上図は
電気泳動装置１００の画素領域が形成される領域に対応する平面図であり、同図中下図は
上図のＡ−Ａ´線矢視による側部断面図を示すものである。
【００３６】
まず、ＴＦＴ基板１０を構成するための、基材として基板本体１０Ａを用意する。この
基板本体１０Ａとしては、光透過性を有した、ガラス基板、石英基板等を用いた。そして
、図３に示すように、前記基板本体１０Ａ上に補助配線１１を形成する。この補助配線１
１は、後の工程で形成されるゲート線と同材料の金（Ａｕ）から構成されており、その形
成方法としては、例えばマスク蒸着法やフォトリソグラフィプロセスによるパターニング
等が挙げられる。
【００３７】
続いて、図４に示すように、基板本体１０Ａ上に第１隔壁１２をパターン状に形成する
。具体的には、前記第１隔壁１２の形成材料として、基板上にネガ型レジストを塗布し、
マスクを用いて露光した後、現像する。これにより、露光されなかった部分が現像液で溶
解し、第１隔壁１２がパターン状に形成される。
【００３８】
このパターンは、後工程でゲート線が形成される領域であり、平面視略梯子形状となる
。また、第１隔壁１２に区画（囲まれた）された領域（以下、ゲート線形成領域とも呼ぶ
）の底面には、基板本体１０Ａの上面及び前記補助配線１１が露出した状態となる。なお
、ゲート配線の形成領域をなす第１隔壁１２の内壁面１２ａは、基板本体１０Ａの上面に
対し、鋭角をなす傾斜面となっており、第１隔壁１２の上面側が下面側に対して庇状に延
出した状態となっている。なお、傾斜面における鋭角とは、８０度以下、特に７５以下と
するのが望ましい。
【００３９】
続いて、図５に示すように、基板本体１０Ａ上に金属材料、本実施形態では金を蒸着す
る。これにより、第１隔壁１２の上面には画素電極１３及び信号線１４が形成される。
【００４０】
また、前記第１隔壁１２に囲まれたゲート線形成領域に蒸着された金によって、ゲート
線が構成される。このとき、図３に示したように、ゲート線形成領域には補助配線１１が
形成されており、ゲート線１６の一部が補助配線に接続される。これによって、前記ゲー
ト配線形成領域に形成されるゲート線が微細なものである場合でも、ゲート線１６に生じ
る電圧降下が抑制されたものとなる。
【００４１】
このとき、ゲート線形成領域をなす第１隔壁１２の上面が庇状に形成されているので、
第１隔壁１２の内壁面１２ａにおける蒸着材料（金）のつき回りを低下させ、これによっ
て第１隔壁１２上に形成される画素電極１３及び信号線１４と、ゲート線形成領域に形成
されるゲート線１６とが導通してしまうのを確実に防止することができる。
【００４２】
具体的には、図５に示すように、ゲート線形成領域により４辺が囲まれた第１隔壁１２
の上面に矩形状の画素電極１３が形成され、図中上下方向において隣接する画素電極１３
間に延出する第１隔壁１２上に信号線１４が形成される。
【００４３】
蒸着工程後、図６に示すように、前記基板本体１０Ａ上に第２隔壁１７を形成する。具
体的には、前記第１隔壁１２の形成材料として、基板上にポジ型レジストを塗布し、マス
クを用いて露光した後、現像する。これにより、露光された部分が現像液で溶解し、第２
隔壁１７がパターン状に形成される。
【００４４】
この第２隔壁１７は、ゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９を区画す
るものである。ゲート絶縁膜形成領域１８とは、後述する工程にて、上記液滴吐出装置Ｉ
Ｊによりゲート絶縁膜が形成される領域である。また、半導体層形成領域１９とは、同様
に後述する工程にて、上記液滴吐出装置ＩＪにより半導体層が形成される領域である。
【００４５】
これらゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９は、上記液滴吐出装置Ｉ
Ｊの液滴吐出ヘッド１から吐出した機能液（液体材料）を吐出するための液溜部１８ａ，
１９ａと、該液溜部１８ａ，１９ａから延出する微細パターン部１８ｂ，１９ｂとから構
成されている。この構成を採用することで、液滴吐出ヘッド１から液溜部１８ａ，１９ａ
に吐出された機能液に自己流動（毛細管現象）を生じさせることができ、前記ゲート絶縁
膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９の微細領域にも機能液を確実に流し込ませる
ことが可能となっている。
【００４６】
また、ゲート絶縁膜形成領域１８及び半導体層形成領域１９は、微細パターン部１８ｂ
，１９ｂが図中Ｃで示される部分にて互いに交差（重なる）し、この交差部分は有機薄膜
トランジスタのチャネル領域を構成するようになっている。すなわち、本実施形態では、
チャネル長は、ゲート絶縁膜形成領域１８の微細パターン部１８ｂの幅となる。
【００４７】
また、本実施形態では、第２隔壁１７を形成する工程において、前記画素電極１３の一
部を臨ませるように前記第２隔壁１７を区画形成し、前記画素電極１３の電荷を保持する
容量素子を設けるための容量線形成領域２０を形成している。なお、容量線形成領域２０
には、他の領域（ゲート絶縁膜形成領域１８、及び半導体層形成領域１９）と同様に、第
１隔壁１２により区画された領域と、第２隔壁１７により区画された領域との２つから構
成されている。また、容量線形成領域２０は、前記半導体層形成領域１９に連続的に形成
されている。そして、前記容量線形成領域２０における前記半導体層形成領域１９との接
続部近傍は、図６に示すように線幅が狭まった構成をなしている。
【００４８】
したがって、後述する容量線形成領域は、段差構造が生じたものとなっている。容量素
子は、この段差構造の上段部に形成されている画素電極１３と後述する工程で形成される
層間絶縁膜と容量線との積層構造により構成される。よって、前記段差構造をなす、第１
隔壁１２及び第２隔壁１７の幅や高さを調整することで、所望の大きさを有した容量素子
を形成することが可能となっている。
【００４９】
また、本実施形態では、容量線形成領域２０のパターン幅が略均等であることから、上
記液溜部を設けていないが、本発明はこれに限定されず、上記ゲート絶縁膜形成領域１８
、及び半導体層形成領域１９と同様に液溜部を設けてもよい。
【００５０】
続いて、上記液滴吐出装置ＩＪを用いて、前記ゲート絶縁膜形成領域１８の液溜部１８
ａにゲート絶縁膜形成材料を含む機能液を吐出し、図７に示すように、ゲート絶縁膜２６
を形成する。このゲート絶縁膜２６の形成材料としては、絶縁性を有する材料であれば、
特に限定されることなく種々のものを用いることができ、有機材料、無機材料のいずれも
使用可能である。
例えば、公知のゲート絶縁膜用の有機材料として、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテ
ート等の高分子フィルム、あるいはパリレン膜が挙げられる。また、無機材料としては、
酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バ
リウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられる。そし
て、これらのうちの１種を用い、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
また、上述したように第２隔壁１７を形成する際に、容量線形成領域２０を形成してい
る。そこで、本実施形態では、前記ゲート絶縁膜２６を形成する工程において、前記容量
線形成領域２０に層間絶縁膜の形成材料（機能液）を吐出し、画素電極１３の電荷を保持
する容量素子を構成する第１層間絶縁層（層間絶縁膜）２７を形成する。この第１層間絶
縁膜２７は、前記ゲート絶縁膜２６と同一材料から構成される。このとき、前記容量線形
成領域２０は、図６に示したように前記半導体層形成領域１９との接続部近傍にて線幅が
狭まっていることから、容量線形成領域２０に吐出された絶縁材料が自己流動によって半
導体層形成領域１９内にまで流れ込むのを防止することができる。なお、前記線幅を狭め
る領域は出来るだけ長くとることが望ましい。これにより、後の工程で配置される半導体
層と画素電極１３との間で接続不良が生じるのを確実に防止することができる。
【００５２】
ゲート絶縁膜２６、及び第１層間絶縁膜２７を形成した後、図８に示すように上記液滴
吐出装置ＩＪを用いて、前記半導体層形成領域１９の液溜部１９ａに有機半導体層の形成
材料（機能液）を吐出する。液溜部１９ａに吐出された機能液には、自己流動（毛細管現
象）が生じ、図６に示した微細パターン部１９ｂ内に流れ込んで、機能液はゲート絶縁膜
２６を跨いだ状態となる。なお、半導体層形成領域１９には、前記ゲート線１６を挟んで
信号線１４と画素電極１３とが対向配置されたものとなっている（図７参照）。すなわち
、図８に示すように上記工程により、ゲート線１６を跨ぎ、画素電極１３及び信号線１４
間を電気的に接続する有機半導体層２８が形成される。なお、ゲート線１６における、ゲ
ート絶縁膜２６を介し有機半導体層２８に対向配置する領域は、ゲート電極１６ａを構成
することとなる。
【００５３】
この有機半導体層の形成材料（機能液）としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフ
ェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）［Ｐ３ＨＴ］、ポリ（３−オクチルチオフェン
）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）［ＰＴＶ］、ポリ（パラ−フェニレンビニレン
）［ＰＰＶ］、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）［ＰＦＯ］、ポリ（９，９−ジオ
クチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−
フェニル−１，４−フェニレンジアミン）［ＰＦＭＯ］、ポリ（９，９−ジオクチルフル
オレン−コ−ベンゾチアジアゾール）［ＢＴ］、フルオレン−トリアリルアミン共重合体
、トリアリルアミン系ポリマー、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェ
ン）［Ｆ８Ｔ２］のようなフルオレン−ビチオフェン共重合体等のポリマー有機半導体材
料、またフラーレン（Ｃ６０）、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘
導体、あるいはアントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料
、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキ
シチオフェン（６Ｔ）、オクタチオフェンのような低分子系有機半導体、ＰＱＴ１２（あ
るいは、１２ＰＱＴ；なお、ＰＱＴはポリクオーターチオフェン）のうちの１種を用い、
あるいは２種以上を混合して用いることができる。
【００５４】
また、有機半導体層２８の形成に先立ち、この有機半導体層２８を良好に形成するため
、この有機半導体層２８の下地となる面、すなわち基板１上の上記ゲート絶縁膜２６の表
面を改質処理してもよい。この表面改質処理としては、例えばヘキサメチレンジシラザン
、シクロヘキサン、オクタデシルトリクロロシラン等の表面改質剤を用いた表面処理、ア
セトンやイソプロピルアルコール等を用いた有機洗浄処理、塩酸や硫酸、酢酸等の酸や水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等のアルカリ処理、Ｕ
Ｖオゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴン等のプラズマ処理、ラングミュアブロジェ
ット膜の形成処理が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上の処理を用いることが
できる。
【００５５】
前記有機半導体層２８を形成した後、上記液滴吐出装置ＩＪを用い、前記容量線形成領
域２０に導電性機能液を吐出することで、図９に示す容量線２９が形成される。なお、導
電性機能液に含有される導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、マン
ガン、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並び
に導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。本実施形態では、導電性微粒子
として金を用いた。
【００５６】
以上の工程により、前記画素電極１３、前記第１層間絶縁膜２７、及び前記容量線２９
の積層構造からなる容量素子３０が形成される。この容量素子３０は、画素電極１３にお
ける電荷を保持するためのもので、電気泳動装置１００における各画素領域にてデータ保
持を可能となる。
【００５７】
続いて、前記第２隔壁によって区画された全ての領域（ゲート絶縁膜形成領域１８、半
導体層形成領域１９、及び容量線形成領域２０）に、上記液滴吐出装置ＩＪを用いて第２
層間絶縁膜３１を形成する。なお、第２層間絶縁膜３１は、前記ゲート絶縁膜２６及び前
記第１層間絶縁膜２７と同一材料から構成される。以上の工程により、図１０に示すよう
に電気泳動装置１００を構成するＴＦＴ基板１０が形成される。
【００５８】
したがって、本実施形態の電気泳動装置（電気光学装置）１００は、基板本体１０Ａと
、該基板本体１０Ａ上に設けられた第１隔壁１２と、該第１隔壁１２によって形成される
溝内に設けられたゲート電極１６ａと、第１隔壁１２の上面に設けられる信号線１４及び
画素電極１３と、第１隔壁１２上に設けられる第２隔壁１７とを備えたものとなる。そし
て、前記溝内にはゲート絶縁膜２６が設けられており、第２隔壁１７に囲まれた半導体層
形成領域１９には、前記ゲート電極１６ａを跨いで、前記信号線１４及び画素電極１３間
を電気的に接続する、液滴吐出法により形成されてなる有機半導体層２８を備えたものと
なる。この有機半導体層２８は、後述するように電気泳動装置１００の有機薄膜トランジ
スタ（スイッチング素子；以下、有機ＴＦＴと称す）６０をなすものである。
【００５９】
続いて、ＴＦＴ基板１０及び対向基板３２を、表示領域の周囲を囲むように枠状の封止
部材（図示せず）によって貼り合わせ、スペーサ（図示略）により一定に離間された状態
で保持する。なお、ＴＦＴ基板１０及び対向基板３２の間には、電気光学層としてのマイ
クロカプセル７０を保持し、これにより図１１に示す電気泳動装置１００を形成すること
ができる。マイクロカプセル７０は、分散媒４１、電気泳動粒子４２等を有する電気泳動
分散液４０をカプセル状の樹脂皮膜で覆ってマイクロカプセル化したものである。
【００６０】
また、対向基板３２は、例えば樹脂フィルム基板等の可撓性を有した透明性材料からな
り、対向基板３２の内側（マイクロカプセル７０）が配置される側には共通電極３３が形
成されている。
【００６１】
次に、マイクロカプセル７０を構成する電気泳動分散液４０について説明する。電気泳
動分散液４０は、染料によって染色された分散媒４１中に電気泳動粒子４２を分散させた
構成となっている。電気泳動粒子４２は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．
０１μｍ〜１０μｍ程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒４１と異なる色相（白色及
び黒色を含む）を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子４２
には固有の表面等電点が存在し、分散媒４１の水素イオン指数ｐＨによってその表面電荷
密度（帯電量）が変化する。
【００６２】
ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状
態を水素イオン指数ｐＨによって示したものである。例えば、分散媒４１のｐＨが電気泳
動粒子４２の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電
界に対して無反応な状態となる。また、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも低い
場合には、粒子の表面は下式（１）によりプラスの電荷を帯びる。逆に、分散媒４１のｐ
Ｈが粒子の表面等電点よりも高い場合には、粒子の表面は下式（２）によりマイナスの電
荷を帯びる。
ｐＨ低： ＲＯＨ ＋ Ｈ＋（過剰） ＋ ＯＨ− → ＲＯＨ２＋ ・・・（１）
ｐＨ高： ＲＯＨ ＋ ＯＨ−（過剰） → ＲＯ− ＋ Ｈ２Ｏ ・・・（２）
【００６３】
なお、分散媒４１のｐＨと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式（
１）又は（２）にしたがって粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となる
と略飽和し、ｐＨをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種
類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね１以上であればどのような粒子において
も帯電量は略飽和すると考えられる。
【００６４】
上述の電気泳動粒子４２としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウ
ム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、Ｆｅ
ＯＯＨ、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅
等が用いられている。
【００６５】
また、このような電気泳動粒子４２は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質
を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば
、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポ
リマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素
系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモ
ノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法
等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。
分散媒４１には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用い
られており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリ
ファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファー
ストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子４２と異なる色相を呈している
。
【００６６】
図１２は電気泳動装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数
のドットの等価回路図である。本実施形態の電気泳動装置１００は、図１２に示すように
、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素に、画素電極１３と当該
画素電極１３を制御するためのスイッチング素子である有機ＴＦＴ６０がそれぞれ形成さ
れており、画像信号が供給される信号線１４が有機ＴＦＴ６０のソースに電気的に接続さ
れている。信号線１４に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供
給されるか、あるいは相隣接する複数の信号線１４に対してグループ毎に供給される。ま
た、ゲート線１６が有機ＴＦＴ６０のゲートに電気的に接続されており、複数のゲート線
１６に対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印
加される。また、画素電極１３は有機ＴＦＴ６０のドレインに電気的に接続されており、
スイッチング素子である有機ＴＦＴ６０を一定期間だけオンすることにより、信号線１４
から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
画素電極１３を介して分散液に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎは、対向基板３５に設けられた共通電極３３との間で一定期間保持される。電気泳動粒
子４２は、印加される電圧により分散媒４１中を移動してどちらか一方の電極１３，３３
上に集合し、光を変調する。本実施形態では、画素電極１３の電荷、すなわち保持された
画像信号のリークを防止するため、画素電極１３と共通電極３３との間に形成される画素
容量と並列に蓄積容量をなす容量素子３０が設けられている。
【００６７】
このように構成された電気泳動装置１００、及びその製造方法においては、半導体層形
成領域１９に吐出した機能液に自己流動（毛細管現象）を生じさせ、微細パターンの端部
にまで前記機能液を流れ込むませることができる。よって、ゲート線１６に交差する有機
半導体層２８におけるチャネル長を短くすることができる。また、従来構成のように、ゲ
ート電極（ゲート線）がソース及びドレインに交差（ゲートオーバーラップ）することが
なく、寄生容量の発生を防止することができ、配線遅延等の不具合が防止された信頼性の
高いものとなる。また、画素電極１３の電荷を保持する容量素子３０が形成されているの
で、保持された画像信号（データ）のリークを防止でき、信頼性の高いものとなる。
【００６８】
（液晶装置）
次に、電気光学装置の他の実施形態であり、かつ本発明の液晶装置の一実施形態につい
て説明する。この液晶装置２００は、上述したＴＦＴ基板１０を備えており、該ＴＦＴ基
板１０に対向配置される対向基板３５との間に液晶層５０を挟持したものである。図１３
は、液晶装置２００の全体構成を示す図である。図１３に示すように、液晶装置２００は
、対向して配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板３５とがシール材３４によって貼り合わ
されている。また、シール材３４によって区画された領域内には液晶層５０が形成されて
いる。なお、上記ＴＦＴ基板１０´は、ＴＦＴ基板１０と略同一構成から構成されており
、本実施形態では画素電極１３を構成する材料としてＡｌを用いている。すなわち、本実
施形態の液晶装置２００は、反射型の液晶装置として好適に採用される。
【００６９】
シール材３４の一部には液晶を注入する注入口３４ａが設けられており、当該注入口３
４ａは封止材３４ｂにより封止されている。シール材３４の内側の領域には、遮光性材料
からなる遮光膜（周辺見切り）３６が形成されている。周辺見切り３６の内側の領域は、
光を変調する光変調領域になっている。光変調領域３７には、複数の画素領域３８がマト
リクス状に設けられている。各画素領域３８の周囲には、遮光部材であるブラックマトリ
クス３９が格子状に設けられている。このブラックマトリクスは、上記ＴＦＴ基板１０の
第２隔壁１７及び第２層間絶縁膜３１を覆うように形成される。そして、前記各画素領域
３８の底面に画素電極１３が臨まれるようになっている。
【００７０】
ＴＦＴ基板１０の周縁部は、対向基板３５から張り出した張出領域になっている。この
張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路５１が形
成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路５１の間を接続する配線４３が引
き回されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路５２と、外部
の回路等に接続するための接続端子４４とが形成されている。走査線駆動回路５１と接続
端子４４との間の領域には、両者を接続する配線４５が形成されている。対向基板３５の
各角部には、ＴＦＴ基板１０と対向基板３５との間で電気的に接続するための基板間導通
材４７が設けられている。
【００７１】
画素電極１３を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板３５の共
通電極３５ｂとの間で一定期間保持されるが、前記ＴＦＴ基板１０に設けられた容量素子
３０によって画素信号がリークするのを防止することができる。例えば、画素電極１３の
電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ容量素子３０に保持され
、電荷の保持特性が改善され、コントラスト比の高い液晶装置２００を実現することがで
きる。
【００７２】
図１４は図１３のＡ−Ａ線に沿う断面の概略構成図である。図１４に示すように、ＴＦ
Ｔ基板１０は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基板本体１０Ａ
を備えており、この基板本体１０Ａの液晶側には画素電極１３と、当該画素電極１３に電
気信号を供給する有機ＴＦＴ６０が設けられている。また、画素電極１３を覆うように図
示しない配向膜が形成されている。
【００７３】
対向基板３５は、ＴＦＴ基板１０と同様に、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料
から形成された基材３５ａを主体として構成されている。基材３５ａの内側（液晶層５０
側）表面には共通電極３５ｂが形成されており、共通電極３５ｂ上には配向膜（図示しな
い）が形成されている。なお、本実施形態の液晶装置は反射型のものであるため、共通電
極３５ｂは、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料により形成される。なお、液晶装置２００
においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ
−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノ
ーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略する。
【００７４】
本実施形態に係る液晶装置２００によれば、上記実施形態に係る電気泳動装置１００と
同様にゲート長が短く、ゲートオーバーラップに起因する書き込み遅延等の不具合が防止
することで信頼性が高く、コントラスト比が高く表示品質の高いものとなる。
【００７５】
（有機ＥＬ装置）
次に、電気光学装置の他の実施形態であり、かつ本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す）の一実施形態について説明する。図１５は、有機Ｅ
Ｌ装置の概略構成を示す断面図である。
【００７６】
有機ＥＬ装置３００は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられた第２隔壁１７によって形
成された凹部開口内（画素領域）に臨む画素電極１３上に発光素子４５１が形成される。
なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子、緑色の発光をなす素子、或いは青色の
発光をなす素子が各画素領域に設けられており、これによって有機ＥＬ装置３００は、フ
ルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク部４４１及び発光素子
４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
【００７７】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、発光素子４５１を適切に形
成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極
４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止
する封止工程とを備えている。
【００７８】
発光層形成工程は、画素領域に望む画素電極１３上に正孔注入層４５２及び発光層４５
３を形成し、発光素子４５１を形成するものである。そして、正孔注入層形成工程は、正
孔注入層４５２を形成するための液状体材料を各画素電極１３上に吐出する吐出工程と、
吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する乾燥工程とを有している
。
【００７９】
また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための液状体材料を正孔注入層４５
２の上に吐出する吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層４５３を形成す
る乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、前述したように赤、緑、青の３色に
対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の発
光層４５３の吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっ
ている。この発光素子形成工程においては、正孔注入層４５２の形成時と、発光層４５３
の形成時とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【００８０】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置３００にあっても、上記実施形態に係る電気泳動装置１
００及び液晶装置２００と同様にゲート長が短く、信頼性が高い有機ＴＦＴ６０を備えて
いるので、表示品質の高いものとなる。
【００８１】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６において、６００は携帯電話
本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１６に示す電子機器は、上記液晶装置２００を備えたものであるので、高い品質や性
能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置２００を備えるものとしたが、上記有機ＥＬ装
置３００、上記電気泳動装置１００を備えた電子機器とすることもできる。
【００８２】
なお、上述した電子機器以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液
晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニア
リング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビュー
ファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カ
ーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用す
ることが可能である。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構
成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲におい
て設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】電気光学装置の製造方法に用いる液滴吐出装置の一実施例を示す図である。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
【図３】電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図４】図３に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図５】図４に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図６】図５に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図７】図６に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図８】図７に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図９】図８に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図１０】図９に続く電気泳動装置を製造する工程を説明する図である。
【図１１】本実施形態に係る電気泳動装置の概略構成を示す図である。
【図１２】電気泳動装置のマトリクス状に配置されたドットの等価回路図である。
【図１３】一実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線に沿う断面構成図である。
【図１５】一実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図１６】電子機器の一実施形態に係る携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ａ…基板本体（基板）、１１…補助配線、１２…第１隔壁、１２ａ…内壁面、１３…
画素電極、１４…信号線、１６…ゲート線、１６ａ…ゲート電極、１７…第２隔壁、１８
…ゲート絶縁膜、１８ａ…液溜部、１９…半導体層形成領域、１９ａ…液溜部、２０…容
量線形成領域、２６…ゲート絶縁膜、２８…有機半導体層、２９…容量線、３０…容量素
子、１００…電気泳動装置、２００…液晶装置、３００…有機ＥＬ装置（有機エレクトロ
ルミネッセンス装置）、６００…携帯電話（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１隔壁をパターン状に設ける工程と、
前記基板に金属材料を蒸着し、前記第１隔壁の上面に画素電極及び信号線を形成すると
ともに、前記第１隔壁に囲まれた領域にゲート線を形成する工程と、
前記蒸着工程の後、前記基板上に、ゲート絶縁膜形成領域、及び該ゲート絶縁膜形成領
域に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも区画する第２隔壁を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜形成領域に絶縁層の形成材料を含む機能液を吐出し、ゲート絶縁膜を
形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の形成後、有機半導体層の形成材料を含む機能液を前記半導体層形成
領域に吐出し、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の一部を跨ぎ、前記画素電極及び前
記信号線間を電気的に接続する有機半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１隔壁を形成する前工程として、前記基板の前記ゲート線が形成される面の少な
くとも一部に補助配線を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項３】
前記第２隔壁を形成する工程において、前記画素電極の一部を臨ませるように前記第２
隔壁を区画形成し、前記画素電極の電荷を保持する容量素子を構成する容量線形成領域を
形成し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程において、前記容量線形成領域にも前記機能液を吐出
し、前記容量素子を構成する層間絶縁層を形成し、
前記有機半導体層を形成した後、前記容量線形成領域に導電性機能液を吐出して容量線
を形成し、前記画素電極、前記層間絶縁層、及び前記容量線の積層構造からなる前記容量
素子を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜形成領域、前記半導体層形成領域、及び前記容量線形成領域の少なく
とも一つには、他の領域に比べて幅の広い液溜部が設けられており、該液溜部に機能液が
吐出されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート線の形成領域をなす前記第１隔壁の内壁面は基板の上面に対し、鋭角をなす
傾斜面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項６】
基板と、該基板上に設けられた第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝内に設け
られたゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記第１隔壁の上面に設けら
れた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁上に、前記溝の一部を跨ぐように設けられる第
２隔壁と、を具備し、
前記第２隔壁に囲まれた半導体層形成領域には、前記ゲート絶縁膜を跨いで、前記信号
線及び画素電極間を電気的に接続する、液滴吐出法により形成されてなる有機半導体層が
設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記第２隔壁に囲まれた領域に、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されて
おり、
前記容量素子は、容量線の一部と前記画素電極の一部とからなる容量電極と、該容量電
極間に設けられた絶縁層とからなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記半導体層形成領域の一部には、他の領域に比べて幅が拡がった液溜部が設けられて
いることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
互いに対向配置される一対の基板間に、液晶層を挟持してなる液晶装置において、
前記一対の基板の一方側は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設され
たゲート電極と、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に
積層される第２隔壁と、を備えてなり、
前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、
前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、
前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層
されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とす
る液晶装置。
【請求項１０】
基板上に設けられた一対の電極間に有機発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネ
ッセンス装置において、
前記基板は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設されたゲート電極と
、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に積層される第２
隔壁と、を備えてなり、
前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、
前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、
前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層
されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置、請求項９に記載の液晶装置、又は
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機
器。
【請求項１】
基板上に、第１隔壁をパターン状に設ける工程と、
前記基板に金属材料を蒸着し、前記第１隔壁の上面に画素電極及び信号線を形成すると
ともに、前記第１隔壁に囲まれた領域にゲート線を形成する工程と、
前記蒸着工程の後、前記基板上に、ゲート絶縁膜形成領域、及び該ゲート絶縁膜形成領
域に一部重なる半導体層形成領域を少なくとも区画する第２隔壁を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜形成領域に絶縁層の形成材料を含む機能液を吐出し、ゲート絶縁膜を
形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の形成後、有機半導体層の形成材料を含む機能液を前記半導体層形成
領域に吐出し、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜の一部を跨ぎ、前記画素電極及び前
記信号線間を電気的に接続する有機半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１隔壁を形成する前工程として、前記基板の前記ゲート線が形成される面の少な
くとも一部に補助配線を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項３】
前記第２隔壁を形成する工程において、前記画素電極の一部を臨ませるように前記第２
隔壁を区画形成し、前記画素電極の電荷を保持する容量素子を構成する容量線形成領域を
形成し、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程において、前記容量線形成領域にも前記機能液を吐出
し、前記容量素子を構成する層間絶縁層を形成し、
前記有機半導体層を形成した後、前記容量線形成領域に導電性機能液を吐出して容量線
を形成し、前記画素電極、前記層間絶縁層、及び前記容量線の積層構造からなる前記容量
素子を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜形成領域、前記半導体層形成領域、及び前記容量線形成領域の少なく
とも一つには、他の領域に比べて幅の広い液溜部が設けられており、該液溜部に機能液が
吐出されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート線の形成領域をなす前記第１隔壁の内壁面は基板の上面に対し、鋭角をなす
傾斜面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項６】
基板と、該基板上に設けられた第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝内に設け
られたゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記第１隔壁の上面に設けら
れた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁上に、前記溝の一部を跨ぐように設けられる第
２隔壁と、を具備し、
前記第２隔壁に囲まれた半導体層形成領域には、前記ゲート絶縁膜を跨いで、前記信号
線及び画素電極間を電気的に接続する、液滴吐出法により形成されてなる有機半導体層が
設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記第２隔壁に囲まれた領域に、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されて
おり、
前記容量素子は、容量線の一部と前記画素電極の一部とからなる容量電極と、該容量電
極間に設けられた絶縁層とからなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記半導体層形成領域の一部には、他の領域に比べて幅が拡がった液溜部が設けられて
いることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
互いに対向配置される一対の基板間に、液晶層を挟持してなる液晶装置において、
前記一対の基板の一方側は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設され
たゲート電極と、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に
積層される第２隔壁と、を備えてなり、
前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、
前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、
前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層
されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とす
る液晶装置。
【請求項１０】
基板上に設けられた一対の電極間に有機発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネ
ッセンス装置において、
前記基板は、第１隔壁と、該第１隔壁によって形成される溝に配設されたゲート電極と
、前記第１隔壁上面に設けられた信号線及び画素電極と、前記第１隔壁に積層される第２
隔壁と、を備えてなり、
前記第２隔壁に囲まれた一方の領域には、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を跨ぎ、
前記信号線及び画素電極に電気的に接続される有機半導体層が設けられ、
前記第２隔壁に囲まれた他方の領域には、前記画素電極上に絶縁層と容量電極とが積層
されることで、前記画素電極の電荷を保持する容量素子が形成されてなることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置、請求項９に記載の液晶装置、又は
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機
器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００８−１２２６４９（Ｐ２００８−１２２６４９Ａ）
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３０６２５５（Ｐ２００６−３０６２５５）
【出願日】平成１８年１１月１３日（２００６．１１．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月１３日（２００６．１１．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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