層パターン製造方法、配線製造方法、電子機器の製造方法
【課題】微細化された層パターンを、精度よく安定して形成できる製造方法を提供するこ
と。
【解決手段】層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置
する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領
域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材
料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。そして、前記液状の材料に対する前記第１の層
の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。
と。
【解決手段】層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置
する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領
域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材
料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。そして、前記液状の材料に対する前記第１の層
の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層パターン製造方法に関し、特に電子機器における配線の製造に好適な層パ
ターン製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット技術を用いて電気的導通配線を形成する方法が知られている（例えば特
許文献１）。上記方法によれば、溶融したハンダ材料または銀ペーストを基板に直接パタ
ーン配置し、その後、熱処理やレーザ光照射を行って膜パターンに変換する。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年デバイスを構成する回路の高密度化が進み、これに応じて、例えば、配線もより微
細化されている。上述したインクジェット技術を用いた膜パターン形成方法では、吐出さ
れた液滴が着弾後に基板上で広がるため、この結果、微細な膜パターンを安定的に形成す
ることが容易でない場合がある。特に、形成すべき配線の幅が液滴の大きさより小さい場
合には、配線を形成することが容易でない。
【０００５】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、微細化された膜パ
ターンを、精度よく安定して形成できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置す
る第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域
を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料
を吐出するステップ（ｂ）と、を含み、前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は
、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。
【０００７】
上記構成によって、微細化された層パターンを、精度よく安定して形成できる。液状の
材料を吐出すべき領域が、前記第１の層と前記第２の層とによって区画されているため、
この結果、吐出された材料が、不必要に基板上で広がらないからである。
【０００８】
さらに、第２の層が第１の層より高い撥液性を呈するため、区画された領域に着弾した
直後の配線材料１１１の液滴は、第２の層を超えて領域の外へ流れず、第１の層に流れる
。このため、より塗布が安定する。
【０００９】
好ましくは、前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記
第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前
記第２の層を形成するステップ（ｃ）を含み、前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分に
のみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含む。
【００１０】
さらに好ましくは、前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する。
【００１１】
上記構成によって、基板に近い層、すなわち第１の層、が親液性を有するため、狭幅領
域３８Ｂと狭幅領域３８Ｂとに配線材料が吐出されなくても、狭幅領域３８Ａに着弾した
配線材料１１１が狭幅領域３８Ｂと狭幅領域３８Ｃに流れ込む。なぜなら、第１の層によ
って毛細管現象が生じるからである。
【００１２】
本発明は種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線製造方法や電子機器の
製造方法として実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を、プラズマ表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、およびエレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法に適用した場合を例に取り、図面を参照しつつ
説明する。なお、以下に示す実施例は、特許請求の範囲に記載された発明の内容を何ら限
定するものではない。また、以下の実施例に示す構成のすべてが、特許請求の範囲に記載
された発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【実施例１】
【００１４】
本発明をプラズマ表示装置の製造方法に適用した例を説明する。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、プラズマ表示装置１０はそれぞれがＹ軸方向に延びる複数の
アドレス電極１４と、複数のアドレス電極１４に信号を与えるアドレス電極駆動回路１４
Ｄと、それぞれがＸ軸方向に延びる複数の表示スキャン電極２６と、複数の表示スキャン
電極２６に信号を与える表示スキャン電極駆動回路２６Ｄと、を備えている。ここでいう
Ｘ軸方向およびＹ軸方向は互いに直交する方向であり、後述する吐出装置におけるノズル
がステージに対し相対移動する方向と同じである。
【００１６】
複数のアドレス電極１４は、プラズマ表示装置の背面基板に設けられている。また、複
数の表示スキャン電極２６は、プラズマ表示装置の前面基板に設けられている。なお、プ
ラズマ表示装置１０は、前面基板に設けられた複数の表示電極も備えているが、図１では
、説明を平易にする目的で省略されている。背面基板、前面基板、および複数の表示電極
については後述する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、アドレス電極１４同士の間隔は、ほぼ３００μｍである。ま
た、複数のアドレス電極１４のそれぞれは、広幅部１４Ａと、狭幅部１４Ｂと、を有して
いる。広幅部１４Ａの幅はほぼ２０μｍである。狭幅部１４Ｂの幅はほぼ５μｍである。
本実施例では、複数のアドレス電極１４のそれぞれは、狭幅部１４Ｂを介してアドレス電
極駆動回路１４Ｄに接続されている。後述するように、アドレス電極１４は、基体に設け
られた被吐出部１８（図８）に、インクジェット装置などの吐出装置を用いて液状の配線
材料を吐出することで形成されている。
【００１８】
本実施例のアドレス電極１４は、本発明の「層パターン」または「配線」の一例である
。
【００１９】
図２に示す製造装置１は、基体における被吐出部１８（図８）に配線を形成する装置で
ある。具体的には、製造装置１は、被吐出部１８のすべてに液状の配線材料１１１を塗布
する吐出装置１００と、被吐出部１８上の配線材料１１１を乾燥させる乾燥装置１５０と
、配線材料１１１を再度加熱（ポストベーク）するオーブン１６０と、を備えている。さ
らに製造装置１は、吐出装置１００、乾燥装置１５０、オーブン１６０の順番に基体を搬
送する搬送装置１７０も備えている。
【００２０】
図３に示すように、吐出装置１００は、液状の配線材料１１１を保持するタンク１０１
と、チューブ１１０を介してタンク１０１から配線材料１１１が供給される吐出走査部１
０２と、を備える。吐出走査部１０２は、それぞれが液状の配線材料を吐出可能な複数の
ヘッド１１４（図４）を有するキャリッジ１０３と、キャリッジ１０３の位置を制御する
第１位置制御装置１０４と、支持基板１２を保持するステージ１０６と、ステージ１０６
の位置を制御する第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、を備えている。タンク１
０１と、キャリッジ１０３における複数のヘッド１１４と、はチューブ１１０で連結され
ており、タンク１０１から複数のヘッド１１４のそれぞれに液状の配線材料１１１が圧縮
空気によって供給される。
【００２１】
本実施例における液状の配線材料１１１は、本発明の「液状の材料」の一例である。液
状の材料とは、ノズルから吐出可能な粘度を有する材料をいう。この場合、材料が水性で
あると油性であるとを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十
分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。
【００２２】
第１位置制御装置１０４はリニアモータを備えており、制御部１１２からの信号に応じ
て、キャリッジ１０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向と直交するＺ軸方向に沿って移動させ
る。第２位置制御装置１０８はリニアモータを備えており、制御部１１２からの信号に応
じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の両方と直交するＹ軸方向に沿ってステージ１０６を移動
させる。ステージ１０６はＸ軸方向およびＹ軸方向の双方と平行な平面を有していて、こ
の平面上に基体１０Ａ（図８）を固定できるように構成されている。ステージ１０６が基
体１０Ａを固定するので、ステージ１０６は被吐出部１８、１８Ｇ、１８Ｂの位置を決定
できる。なお、本実施例の基体１０Ａは、受容基板の一例である。
【００２３】
第１位置制御装置１０４は、さらに、Ｚ軸方向に平行な所定の軸の回りでキャリッジ１
０３を回転させる機能も有する。Ｚ軸方向とは、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に
平行な方向である。第１位置制御装置１０４によるキャリッジ１０３のＺ軸方向に平行な
軸の回りの回転によって、受容基板上に固定された座標系におけるＸ軸およびＹ軸を、Ｘ
軸方向およびＹ軸方向とそれぞれ平行にできる。本実施例では、Ｘ軸方向およびＹ軸方向
は、ともにステージ１０６に対してキャリッジが相対移動する方向である。本明細書では
、第１位置制御措置１０４および第２位置制御装置１０８を「走査部」と表記することも
ある。
【００２４】
キャリッジ１０３およびステージ１０６は上記以外の平行移動および回転の自由度をさ
らに有している。ただし、本実施例では、上記自由度以外の自由度に関する記載は説明を
平易にする目的で省略されている。
【００２５】
制御部１１２は、配線材料１１１を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処
理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２の詳細な機能は、後述する。
【００２６】
図４に示すように、キャリッジ１０３は、互いに同じ構造を有する複数のヘッド１１４
を保持している。ここで、図４は、キャリッジ１０３をステージ１０６側から観察した図
であり、このため図面に垂直な方向がＺ軸方向である。本実施例では、キャリッジ１０３
には４個のヘッド１１４からなる列が２列配置されている。それぞれのヘッド１１４の長
手方向とＸ軸方向との間の角度ＡＮは０°になるように、ヘッド１１４のそれぞれがキャ
リッジ１０３に固定されている。ただし、変形例で説明するように、この角度ＡＮは可変
である。
【００２７】
図５に示すように、配線材料１１１を吐出するためのヘッド１１４は、それぞれがヘッ
ド１１４の長手方向に延びる２つのノズル列１１６を有している。ノズル列１１６とは、
１８０個のノズル１１８が一列に並んだ列のことである。ノズル列１１６の方向をノズル
列方向ＨＸと表記する。ノズル列方向ＨＸに沿ったノズル１１８の間隔は、約１４０μｍ
である。また、図５において、１つのヘッド１１４における２つのノズル列１１６は、互
いに半ピッチ（約７０μｍ）だけ互いにずれて位置している。さらに、ノズル１１８の直
径は、およそ２７μｍである。上述したように、ヘッド１１４の長手方向とＸ軸方向との
間の角度が角度ＡＮだから、ノズル列方向ＨＸ、すなわち１８０個のノズル１１８が一列
に並ぶ方向とＸ軸方向との間の角度も角度ＡＮである。なお、複数のノズル１１８のそれ
ぞれの端部は、上記Ｘ軸方向およびＹ軸方向で定義される仮想的な平面上に位置している
。また、ヘッド１１４がほぼＺ軸と平行に材料を吐出できるように、複数のノズル１１８
のそれぞれの形状が調整されている。
【００２８】
図６（ａ）および（ｂ）に示すように、それぞれのヘッド１１４は、インクジェットヘ
ッドである。より具体的には、それぞれのヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズルプレ
ート１２８と、を備えている。振動板１２６と、ノズルプレート１２６と、の間には、タ
ンク１０１から孔１３１を介して供給される液状の配線材料１１１が常に充填される液た
まり１２９が位置している。また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には
、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と
、１対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１
２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１
８の数とは同じである。キャビティ１２０には、１対の隔壁１２２の間に位置する供給口
１３０を介して、液たまり１２９から配線材料１１１が供給される。
【００２９】
振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置す
る。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む１対の電極１２
４Ａ、１２４Ｂと、を含む。この１対の電極１２４Ａ、１２４Ｂに駆動電圧を与えること
で、対応するノズル１１８から液状の配線材料１１１が吐出される。
【００３０】
制御部１１２（図３）は、複数の振動子１２４のそれぞれに互いに独立な信号を与える
ように構成されている。このため、ノズル１１８から吐出される配線材料１１１の体積は
、制御部１１２からの信号に応じてノズル１１８毎に制御される。さらに、ノズル１１８
のそれぞれから吐出される配線材料１１１の体積は、０ｐｌ〜４２ｐｌ（ピコリットル）
の間で可変である。このため、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル１１８と、吐出動作
を行わないノズル１１８と、を設定することでもできる。
【００３１】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、
キャビティに対応する振動子１２４と、を含んだ部分を、吐出部１２７と表記することも
ある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１
２７を有する。上述のように本実施例では、キャリッジ１０３はヘッド１１４を保持する
。一方、ヘッド１１４のそれぞれは複数の吐出部１２７を有している。このため、本明細
書では、キャリッジ１０３が複数の吐出部１２７を保持すると表記することもある。
【００３２】
吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出
部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有して
いてもよい。
【００３３】
上述のように、キャリッジ１０３は第１位置制御装置１０４（図３）によってＸ軸方向
およびＺ軸方向に移動させられる。一方、ステージ１０６（図３）は第２位置制御手段１
０８（図３）によってＹ軸方向に移動させられる。この結果、第１位置制御装置１０４お
よび第２位置制御装置１０８によって、ステージ１０６に対してキャリッジ１０３が相対
移動する。より具体的には、これらの動作によって、複数のヘッド１１４、複数のノズル
列１１６、または複数のノズル１１８は、ステージ１０６上で位置決めされた被吐出部１
８に対してＺ軸方向に所定の距離を保ちながらＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、
すなわち相対的に走査する。さらに具体的には、ヘッド１１４は、ステージに対してＸ軸
方向およびＹ軸方向に相対走査するとともに、複数のノズル１１８から材料を吐出する。
本発明では、被吐出部１８に対してノズル１１８をＹ軸方向に走査して、被吐出部１８に
対してノズル１１８から材料を吐出してもよい。「相対走査」とは吐出する側とそこから
の吐出物が着弾する側（被吐出部１８側）の少なくとも一方を他方に対して走査すること
を含む。また、相対走査と材料の吐出との組合せを指して「塗布走査」と表記することも
ある。
【００３４】
次に、制御部１１２の構成を説明する。図７の機能ブロック図に示すように、制御部１
１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶手段２０２と、処理部２０４と、走査ドライ
バ２０６と、ヘッドドライバ２０８と、を備えている。バッファメモリ２０２と処理部２
０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と記憶手段２０２とは、相互に
通信可能に接続されている。処理部２０４と走査ドライバ２０６とは相互に通信可能に接
続されている。処理部２０４とヘッドドライバ２０とは相互に通信可能に接続されている
。また、走査ドライバ２０６は、第１位置制御手段１０４および第２位置制御手段１０８
と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッドドライバ２０８は、複数のヘッド１１
４のそれぞれと相互に通信可能に接続されている。
【００３５】
入力バッファメモリ２００は、外部情報処理装置から配線材料１１１の吐出を行うため
の吐出データを受け取る。吐出データは、基体１０Ａ上のすべての被吐出部１８の相対位
置を表すデータと、すべての被吐出部１８に所望の厚さの配線材料１１１を塗布するまで
に必要となる相対走査の回数を示すデータと、被吐出部上の着弾位置を示すデータと、吐
出動作を行うノズル１１８を指定するデータと、吐出動作を行わないノズル１１８を指定
するデータと、を含む。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給
し、処理部２０４は吐出データを記憶手段２０２に格納する。図７では、記憶手段２０２
はＲＡＭである。
【００３６】
処理部２０４は、記憶手段２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部１８に対するノ
ズル列１１６の相対位置を示すデータを走査ドライバ２０６に与える。走査ドライバ２０
６はこのデータに応じた駆動信号を第１位置制御手段１０４および第２位置制御手段１０
８に与える。この結果、被吐出部１８に対してノズル列１１６が走査される。一方、処理
部２０４は、記憶手段２０２に記憶された吐出データに基づいて、対応するノズル１１８
からの吐出タイミングを示すデータをヘッドドライバ２０８に与える。ヘッドドライバ２
０８はこのデータに基づいて、配線材料１１１の吐出に必要な駆動信号をヘッド１１４に
与える。この結果、ノズル列１１６における対応するノズル１１８から液状の配線材料１
１１が吐出される。
【００３７】
制御部１１２は、少なくともＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを含んだコンピュータであっても
よい。この場合には、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフ
トウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハー
ドウェア）によって実現されてもよい。
【００３８】
以上の構成によって、吐出装置１００Ｒは、制御部１１２に与えられた吐出データに応
じて、配線材料１１１の塗布走査を行う。
【００３９】
次に、アドレス電極１４の製造方法を説明する。まず、ガラス基板などの支持基板１２
をＵＶ洗浄する。そして、図８（ａ）に示すように、支持基板１２の一方の面の全面を覆
うようにスピンコート法を用いて、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち
樹脂ブラック）を２μｍ程度の厚さに塗布する。このことで、支持基板１２上に樹脂ブラ
ック層２０Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリ
マーがブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、
樹脂ブラック層２０Ａ上にレジスト層２０Ｂを形成する。
【００４０】
次に、レジスト層２０Ｂと樹脂ブラック層２０Ａとをパターニングする。具体的には、
図８（ｂ）に示すように、アドレス電極１４が形成されるべき領域に対応した部位に遮光
部ＡＢを有するフォトマスクＰＭ１を介して、レジスト層２０Ｂに光ｈνを照射する。そ
して、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていない複
数の部分、すなわち複数のアドレス電極１４に対応する複数の部分のレジスト層２０Ｂと
、樹脂ブラック層２０Ａと、を取り除く。そのことによって、図８（ｃ）に示すように、
後に形成されるべきアドレス電極１４を囲む形状を有する樹脂ブラック層２０Ｃとレジス
ト層２０Ｄとが、支持基板１２上に得られる。
【００４１】
このように、支持基板１２上に位置する樹脂ブラック層２０Ｃと樹脂ブラック層２０Ｃ
上に位置するレジスト層２０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層２０Ｃとレジスト層
２０Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部１８）を支持基板１２上に形成する。
本実施例では、樹脂ブラック層２０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジスト層２０
Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【００４２】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層２０Ｃと、樹脂ブラック層２０
Ｃ上に位置するレジスト層２０Ｄとを合わせて、バンク２０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層２０Ｃとレジスト層２０Ｄとを含むバンク２０を形成する
ことで、バンク２０によって区画された領域、すなわち被吐出部１８、が支持基板１２上
に形成される。なお、本実施例において、「バンク」とは、「隔壁」、「仕切り部」など
を含む用語である。
【００４３】
図８（ｆ）に示すように、被吐出部１８は、アドレス電極１４の形状とほぼ同じ形状を
有している。このため、被吐出部１８は、アドレス電極１４の広幅部１４Ａに対応する広
幅領域１８Ａと、アドレス電極１４の狭幅部１４Ｂに対応する狭幅領域１８Ｂと、を有し
ている。広幅領域１８Ａの幅は、ほぼ２０μｍであり、狭幅領域１８Ｂの幅は、ほぼ５μ
ｍである。本実施例では、支持基板１２と、支持基板１２上に形成された被吐出部１８と
、を合わせて、基体１０Ａと表記することもある。
【００４４】
次に、製造装置１における吐出装置１００のステージ１０６上に基体１０Ａを固定する
ことで、ステージ１０６上に被吐出部１８を位置決めする。この場合、被吐出部１８の長
手方向がＹ軸方向と平行になるように、ステージ１０６上で基体１０Ａを固定する。そし
て、ノズル１１８のＸ座標が、被吐出部１８のＸ座標に一致するように、キャリッジ１０
３およびステージ１０６の少なくとも一方を移動させる。この場合、複数のノズル１１８
のＸ座標のそれぞれが、複数の被吐出部１８のＸ座標に同時に一致するように、ノズル列
方向ＨＸとＸ軸方向との間の角度ＡＮを設定しておくことが好ましい。そうすれば、１つ
の走査期間の間に、複数の被吐出部１８を同時に塗布走査できるからである。
【００４５】
図８（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、１つの走査期間の間に、対
応するノズル１１８から被吐出部１８に液状の配線材料１１１を吐出する。この場合、図
８（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、被吐出部１８のうち、広幅領域
１８Ａにのみに対して所定の間隔で液状の配線材料１１１を吐出する。なお、ノズル１１
８から吐出された直後の配線材料の液滴をＸ軸方向およびＹ軸方向で決まる平面に投影し
た場合、その投影された液滴の半径はほぼ２０μｍである。つまり、液滴の半径は、広幅
領域１８Ａの幅とほぼ同じである。
【００４６】
ところで、本明細書において「走査期間」とは、キャリッジ１０３の一辺がＹ軸方向に
沿って走査範囲の一端（または他端）から他端（または一端）まで相対移動を１回行う期
間を意味する。さらに、本実施例において「走査範囲」とは、複数の被吐出部１８の全て
に配線材料１１１を塗布するまでに、キャリッジ１０３の一辺が相対移動する範囲を意味
する。しかしながら、場合によっては用語「走査範囲」は、１つのノズル１１８が相対移
動する範囲を意味することもあるし、１つのノズル列１１６が相対移動する範囲を意味す
ることもあるし、１つのヘッド１１４が相対移動する範囲を意味することもある。なお、
キャリッジ１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相対移動するとは、被吐出部１
８に対するこれらの相対位置が変わることである。このため、キャリッジ１０３、ヘッド
１１４、またはノズル１１８が絶対静止して、被吐出部１８のみがステージ１０６によっ
て移動する場合であっても、キャリッジ１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相
対移動すると表現する。
【００４７】
液状の配線材料１１１とは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。導電性
微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含
有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子など
が用いられる。
【００４８】
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティング
して使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては
、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００４９】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍよ
り大きいと、ノズル１１８に目詰まりが生じる場合がある。また、１ｎｍより小さいと、
導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割
合が過多となり、この結果、導電性が低下する。
【００５０】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであ
れば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラ
デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエー
テル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極
性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出
法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物
、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を
挙げることができる。
【００５１】
本実施例では、上記の液状の配線材料１１１に対して、レジスト層２０Ｄは撥液性を呈
する。さらに、液状の配線材料１１１に対する樹脂ブラック層２０Ｃの撥液性は、配線材
料１１１に対するレジスト層２０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層２０Ｃ
は、液状の配線材料１１１に対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層２０Ｄ
にはフッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層２０Ｃはフッ素系ポリ
マーを含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない樹
脂の表面よりも、上記分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方、フッ素
を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【００５２】
レジスト層２０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部１８に着弾した直後の
液滴は、レジスト層２０Ｄを超えて被吐出部１８の外へ流れず、樹脂ブラック層２０Ｃの
方に流れ落ちる。また、支持基板１２に近い層、すなわち樹脂バンク層２０Ｃ、が親液性
を呈するため、狭幅領域１８Ｂに配線材料１１１が吐出されなくても、狭幅領域１８Ａに
着弾した配線材料１１１が狭幅領域１８Ｂに流れ込む。なぜなら、樹脂バンク層２０Ｃに
よって毛細管現象が生じるからである。さらに、所望の撥液性を示す層と親液性を示す層
とからバンク２０が形成されているため、バンクを撥液化または親液化するための表面改
質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理がガスとするプラズマ処理や酸
素プラズマ処理が不要になる。
【００５３】
本実施例では、液状の材料に対して撥液性を示す層の材料として、フッ素系ポリマーが
ブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを用いている。感光特性は
、ネガ型に限定されず、ポジ型であってもよい。また、本実施例では、液状の材料に対し
て親液性を示す層の材料として、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（樹脂ブラッ
ク）を用いている。しかしながら、樹脂ブラック以外にも、感光性ポリイミド、アクリル
系レジスト、エポキシ系レジストが、親液性を示す層として利用できる。
【００５４】
なお、分散媒の性質によっては、フッ素ポリマーを含まない材料の方が配線材料１１１
に対して撥液性を呈する場合もある。このような場合には、配線材料に含まれる分散媒に
応じて、所望の撥液性と、所望の親液性と、が得られるように、材料を選択すればよい。
【００５５】
以上の吐出方法によって、図８（ｅ）および（ｈ）に示すように、広幅領域１８Ａだけ
でなく、狭幅領域１８Ｂにも配線材料の層が塗布される。
【００５６】
基体１０Ａの被吐出部１８のすべてに配線材料１１１の層が形成された場合には、搬送
装置１７０が基体１０Ａを乾燥装置１５０内に位置させる。そして、被吐出部１８上の配
線材料１１１を完全に乾燥させることで、被吐出部１８にアドレス電極１４を得る。次に
搬送装置１７０は、支持基板１２を、オーブン１６０内に位置させる。その後、オーブン
１６０は複数のアドレス電極１４を再加熱（ポストベーク）する。再加熱後の広幅部１４
Ａの厚さおよび狭幅部１４Ｂの厚さは、ともにほぼ２μｍである。
【００５７】
以上の工程によって、支持基板１２上に複数のアドレス電極１４が形成される。その後
、公知の薄膜形成工程やパターニング工程などを利用して、アドレス電極１４が形成され
た基体１０Ａから、図９に示すプラズマ表示装置１０を得る。
【００５８】
図９は、製造装置１によって製造されたアドレス電極１４を備えたプラズマ表示装置１
０の模式図である。プラズマ表示装置１０は、背面基板１０Ｂと、前面基板１０Ｃと、を
備えている。
【００５９】
背面基板１０Ｂは、上述の支持基板１２と、支持基板１２上にストライプ状に形成され
た複数のアドレス電極１４と、アドレス電極１４を覆うように形成された誘電体ガラス層
１６と、格子状の形状を有するとともに複数の画素領域を規定する隔壁２１と、を含む。
隔壁２１で囲まれるセル（つまり画素領域）には、赤、緑、青のいずれかの光を発光可能
な蛍光層１７が塗布されている。複数の画素領域はマトリクス状に位置しており、複数の
画素領域が形成するマトリクスの列のそれぞれは、複数のアドレス電極１４のそれぞれに
対応する。
【００６０】
前面基板１０Ｃは、ガラス基板２８と、ガラス基板２８上で互いに平行にパターニング
された表示電極２５および表示スキャン電極２６と、表示電極２５および表示スキャン電
極２６とを覆うように形成された誘電体ガラス層２４と、誘電体ガラス層２４上に形成さ
れたＭｇＯ保護層２２と、を有する。背面基板１０Ｂと前面基板１０Ｃとは、背面基板１
０Ｂのアドレス電極５４と、前面基板１０Ｃの表示電極２５・表示スキャン電極２６とが
、互いに直交するように位置合わせされている。各隔壁２１で囲まれるセル（画素領域）
には、所定の圧力で放電ガス２９が封入されている。なお、図１０においては、バンク２
０は取り除かれているが、バンク２０をプラズマ表示装置１０内に残してもよい。
【００６１】
本実施例では、プラズマ表示装置１０におけるアドレス配線１４の製造方法を説明した
が、本実施例の製造方法がプラズマ表示装置１０の表示電極２５や表示スキャン電極２６
など他の配線に適用されても、上述の効果と同様の効果が得られる。
【実施例２】
【００６２】
本発明を液晶表示装置の製造方法に適用した例を説明する。なお、以下で説明するよう
に、実施例２の被吐出部の形状と実施例１の被吐出部の形状とが異なる点を除いて、実施
例２は実施例１と基本的に同じである。
【００６３】
図１０（ａ）に示すように、液晶表示装置３０はそれぞれがＸ軸方向に延びる複数のゲ
ート線３４と、複数のゲート線３４に信号を与えるゲート線駆動回路３４Ｄと、それぞれ
がＹ軸方向に延びる複数のソース線４６と、複数のソース線４６に信号を与えるソース線
駆動回路４６Ｄと、複数のスイッチング素子４４と、複数の保持容量ＣＰと、複数の画素
容量ＬＣと、を備えている。ここでいうＸ軸方向およびＹ軸方向は互いに直交しており、
実施例１において説明したように、吐出装置１００におけるノズル１１８がステージに対
し相対移動する方向と同じである。また、後述するように、複数のゲート線３４および複
数のソース線４６は、液晶表示装置３０の素子側基板に設けられている。素子側基板につ
いては、後述する。
【００６４】
それぞれのスイッチング素子４４のゲート電極４４Ｇおよびドレイン電極４４Ｄは、対
応するゲート線３４およびソース線４６にそれぞれ接続されている。また、それぞれのス
イッチング素子４４のソース電極４４Ｓは、画素容量ＬＣの一部である画素電極３６（図
１２）および保持容量ＣＰの一部である電極の双方に接続されている。
【００６５】
図１０（ｂ）に示すように、ゲート線３４同士の間隔は、ほぼ３００μｍである。複数
のゲート線３４のそれぞれは、広幅部３４Ａと、狭幅部３４Ｂと、を有している。広幅部
３４Ａの幅、すなわち長手方向と直交する方向の長さ、は、狭幅部３４Ｂの幅よりも長い
。広幅部３４Ａはそれぞれのゲート線３４における部分のうちのＸ軸方向に延びるストラ
イプ状の部分である。広幅部３４Ａの幅はほぼ２０μｍである。狭幅部３４Ｂは、広幅部
３４ＡからＹ軸方向に突き出た部分であり、スイッチング素子４４のゲート電極４４Ｇで
もある。狭幅部３４Ｂの幅は、ほぼ１０μｍである。後述するように、ゲート線３４は、
基体に設けられた被吐出部３８（図１１）に、インクジェット装置などの吐出装置を用い
て液状の配線材料を吐出することで形成されている。具体的には、ゲート線３４は、実施
例１で説明した製造装置１（図２）によって形成されている。
【００６６】
本実施例のゲート電極３４は、本発明の「層パターン」または「配線」の一例である。
【００６７】
次に、ゲート線３４の製造方法を説明する。まず、ガラス基板などの支持基板３２をＵ
Ｖ洗浄する。そして、図１１（ａ）に示すように、支持基板３２の一方の面の全面を覆う
ように、スピンコート法を用いて黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち樹
脂ブラック）を塗布する。このことで、支持基板３２上に樹脂ブラック層４０Ａを形成す
る。さらに樹脂ブラック層４０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリマーがブレンドされた
ネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層４０Ａ
上にレジスト層４０Ｂを形成する。
【００６８】
次に、レジスト層４０Ｂと樹脂ブラック層４０Ａとをパターニングする。具体的には、
図１１（ｂ）に示すように、ゲート線３４が形成されるべき領域に対応した部位に遮光部
ＡＢを有するフォトマスクＰＭ２を介して、レジスト層４０Ｂに光ｈνを照射する。そし
て、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていな複数の
部分、すなわち複数のゲート線３４に対応する複数の部分のレジスト層４０Ｂと、樹脂ブ
ラック層４０Ａと、を取り除く。そのことによって、図１１（ｃ）に示すように、後に形
成されるべきゲート線３４を囲む形状を有する樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層４０Ｄ
とが、支持基板３２上に得られる。
【００６９】
このように、支持基板３２上に位置する樹脂ブラック層４０Ｃと樹脂ブラック層４０Ｃ
上に位置するレジスト層４０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層
４０Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部３８）を支持基板３２上に形成する。
本実施例では、樹脂ブラック層４０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジスト層４０
Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【００７０】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層４０Ｃと、樹脂ブラック層４０
Ｃ上に位置するレジスト層４０Ｄとを合わせて、バンク４０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層４０Ｄとを含むバンク４０を形成する
ことで、バンク４０によって区画された領域、すなわち被吐出部３８、が支持基板３２上
に形成される。
【００７１】
図１１（ｆ）に示すように、被吐出部３８は、ゲート線３４の形状とほぼ同じ形状を有
している。このため、被吐出部３８は、ゲート線３４の広幅部３４Ａに対応する広幅領域
３８Ａと、ゲート線３４の挟幅部３４Ｂに対応する狭幅領域３８Ｂと、を有している。広
幅領域３８Ａの幅は、ほぼ２０μｍであり、狭幅領域３８Ｂの幅は、ほぼ１０μｍである
。本実施例では、支持基板３２と、支持基板上に形成された被吐出部３８と、を合わせて
、基体３０Ａと表記することもある。
【００７２】
次に、製造装置１における吐出装置１００のステージ１０６上に基体３０Ａを固定する
ことで、ステージ１０６上に被吐出部３８を位置決めする。この場合、被吐出部３８の長
手方向がＹ軸方向と平行になるように、ステージ１０６上で基体３０Ａを固定する。そし
て、ノズル１１８のＸ座標が、被吐出部３８のＸ座標に一致するように、キャリッジ１０
３およびステージ１０６の少なくとも一方を移動させる。この場合、複数のノズル１１８
のＸ座標のそれぞれが、複数の被吐出部３８のＸ座標に同時に一致するように、ノズル列
方向ＨＸとＸ軸方向との間の角度ＡＮを設定しておくことが好ましい。そうすれば、１つ
の走査期間の間に、複数の被吐出部３８を同時に塗布走査できるからである。
【００７３】
なお、被吐出部３８の形状に応じて、吐出装置１００の制御部１１２に与えられる吐出
データは、実施例１の吐出データから変更されている。
【００７４】
図１１（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、１つの走査期間の間に、
対応するノズル１１８から被吐出部３８に液状の配線材料１１１を吐出する。この場合、
図１１（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、被吐出部３８のうち、広幅
領域３８Ａにのみに対して所定の間隔で液状の配線材料１１１を吐出する。なお、ノズル
１１８から吐出された直後の配線材料の液滴をＸ軸方向およびＹ軸方向で決まる平面に投
影した場合、その投影された液滴の半径はほぼ２０μｍである。つまり、液滴の半径は、
広幅領域３８Ａの幅とほぼ同じである。
【００７５】
本実施例では、液状の配線材料１１１に対して、レジスト層４０Ｄは撥液性を呈する。
さらに、液状の配線材料１１１に対する樹脂ブラック層４０Ｃの撥液性は、配線材料１１
１に対するレジスト層４０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層４０Ｃは、液
状の配線材料１１１に対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層４０Ｄにはフ
ッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層４０Ｃはフッ素系ポリマーを
含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない樹脂の表
面よりも、実施例１で説明した分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方
、フッ素を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【００７６】
レジスト層４０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部３８に着弾した直後の
配線材料１１１の液滴は、レジスト層４０Ｄを超えて被吐出部３８の外へ流れず、樹脂ブ
ラック層４０Ｃの方に流れ落ちる。また、支持基板３２に近い層、すなわち樹脂ブラック
層４０Ｃ、が親液性を呈するため、狭幅領域３８Ｂに配線材料が吐出されなくても、狭幅
領域３８Ａに着弾した配線材料１１１が狭幅領域３８Ｂに流れ込む。なぜなら、樹脂ブラ
ック層４０Ｃによって毛細管現象が生じるからである。さらに、所望の撥液性を示す層と
親液性を示す層とからバンク４０が形成されているため、バンクを撥液化または親液化す
るための表面改質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理がガスとするプ
ラズマ処理や酸素プラズマ処理が不要になる。
【００７７】
本実施例では、液状の材料に対して撥液性を示す層の材料として、フッ素系ポリマーが
ブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを用いている。感光特性は
、ネガ型に限定されず、ポジ型であってもよい。また、本実施例では、液状の材料に対し
て親液性を示す層の材料として、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂を用いている
。しかしながら、樹脂ブラック以外にも、感光性ポリイミド、アクリル系レジスト、エポ
キシ系レジストが、親液性を示す層として利用できる。
【００７８】
なお、分散媒の性質によっては、フッ素ポリマーを含まない材料の方が配線材料１１１
に対して撥液性を呈する場合もある。このような場合には、配線材料に含まれる分散媒に
応じて、所望の撥液性と、所望の親液性と、が得られるように、材料を選択すればよい。
【００７９】
以上の吐出方法によって、図１１（ｅ）および（ｈ）に示すように、広幅領域３８Ａだ
けでなく、狭幅領域３８Ｂにも配線材料の層が塗布される。
【００８０】
基体３０Ａの被吐出部３８のすべてに配線材料１１１の層が形成された場合には、搬送
装置１７０が基体３０Ａを乾燥装置１５０内に位置させる。そして、被吐出部３８上の配
線材料１１１を完全に乾燥させることで、被吐出部３８にゲート線３４を得る。次に搬送
装置１７０は、基体３０Ａを、オーブン１６０内に位置させる。その後、オーブン１６０
は複数のゲート線３４を再加熱（ポストベーク）する。再加熱後の広幅部３４Ａの厚さお
よび狭幅部３４Ｂの厚さは、いずれもほぼ２μｍである。
【００８１】
以上の工程によって、基体３０Ａ上に複数のゲート線３４が形成される。その後、公知
の薄膜形成工程やパターニング工程などを利用して、ゲート線３４が形成された基体３０
Ａから、図１２に示す液晶表示装置３０を得る。
【００８２】
図１２は、製造装置１によって製造されたゲート線３４を備えた液晶表示装置３０の模
式図である。液晶表示装置３０は、素子側基板３０Ｂと、前面基板３０Ｃと、を備えてい
る。
【００８３】
素子側基板３０Ｂは、支持基板３２の第１の面に設けられた偏光板３１Ｐと、支持基板
３２の第１の面に対向する第２の面上に形成された複数のゲート線３４と、複数のゲート
線３４を覆うように形成された酸化膜３３と、酸化膜３３と支持基板３２とを覆うように
形成されたゲート絶縁膜４２と、それぞれのゲート電極４４Ｇを覆うようにゲート絶縁膜
４２上に位置するそれぞれの半導体層３５と、を備えている。さらに、素子側基板３０Ｂ
は、対応する半導体層３５上でゲート電極４４Ｇの一部と重なるとともに、ゲート電極４
４Ｇに対応する領域上で互いに所定の距離だけ離れて位置するコンタクト層３７Ｓおよび
コンタクト層３７Ｄと、コンタクト層３７Ｓ上に位置するソース電極４４Ｓと、コンタク
ト層３７Ｄ上に位置するドレイン電極４４Ｄと、ドレイン電極４４Ｄに接続されたソース
線４６と、ソース電極４４Ｓとドレイン電極４４Ｄとソース線４６を覆う保護膜３９と、
保護膜３９上に位置するポリイミドなどの層間絶縁層４５と、層間絶縁層４５上でマトリ
クス状に配置された複数の画素電極３６と、複数の画素電極３６と層間絶縁層４５とを覆
う配向膜４１Ｐとを備える。複数の画素電極３６は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの
光透過性を有する材料から形成されている。配向膜４１Ｐには、所定の方向にラビング処
理が施されている。ソース電極４４Ｓの一部に対応する部分には、コンタクトホール（不
図示）が設けられており、コンタクトホール内の導電性膜を介して画素電極３６とソース
電極４４Ｓとが接続されている。ゲート電極４４Ｇ、酸化膜３３、半導体層３５、一対の
コンタクト層３７Ｓとコンタクト層３７Ｄと、ソース電極４４Ｓ、ドレイン電極４４Ｄは
、スイッチング素子４４に対応し、画素領域毎に設けられている。なお、複数の画素電極
３６のそれぞれに対応するそれぞれの領域が、画素領域である。
【００８４】
前面基板３０Ｃは、ガラス基板などの基板４３の第１の面に設けられた偏光板３１Ｓと
、基板４３の第１の面に対向する第２の面上に位置するとともに、それぞれが複数の画素
領域のそれぞれに対応した複数の開口部を有するブラックマトリクス４７と、ブラックマ
トリクス４７上に形成されたバンク４９Ｂと、バンク４９Ｂによって仕切られた領域に位
置する複数のカラーフィルタ層４９Ｆと、複数のカラーフィルタ層４９Ｆとバンク４９Ｂ
とを覆うオーバーコート層ＯＣと、オーバコート層ＯＣ上に位置するとともに、複数の画
素電極３６の全てを覆う対向電極３６Ｃと、対向電極３６Ｃを覆う配向膜４１Ｓと、を備
えている。配向膜４１Ｓには適切な方向にラビング処理が施されている。なお、配向膜４
１Ｐに施されたラビングの方向と、配向膜４１Ｓに施されたラビングの方向とは、配向膜
４１Ｐと配向膜４１Ｓとの間で液晶分子が例えばＴＮ（Twisted nematic）配向するよう
に、設定されている。
【００８５】
素子側基板３０Ｂと前面基板３０Ｃとの間には、配向層４１Ｐと配向層４１Ｓとに接す
るように液晶層３０Ｄが位置する。なお、図１２においては、バンク４０は取り除かれて
いるが、バンク４０を液晶表示装置３０内に残してもよい。
【００８６】
本実施例では、液晶表示装置３０におけるゲート線３４の製造方法を説明したが、本実
施例の製造方法が液晶表示装置３０のソース線４６や保持容量用配線など他の配線に適用
されても、上述の効果と同様の効果が得られる。
【００８７】
（実施例１および２の変形例）
実施例１および２において、プラズマ表示装置の製造方法および液晶表示装置の製造方
法をそれぞれ説明した。より具体的には、それぞれの表示装置における配線の製造方法を
説明した。ただし、実施例１および２の製造方法は、プラズマ表示装置および液晶表示装
置以外の電子機器の製造方法に適用されてもよい。具体的には、電子機器における配線で
あって、広幅部と狭幅部とを有する配線の製造方法に上記製造方法を適用すれば、実施例
１および実施例２において説明した効果と同様な効果が得られる。
【００８８】
本明細書において「電子機器」とは、プラズマ表示装置、液晶表示装置、エレクトロル
ミネッセンス表示装置、ＦＥＤ（Field Emission display）やＳＥＤ（Surface-Conducti
on Electron-Emitter Display）を含む電子放出素子を備えた画像表示装置などの表示装
置だけでなく、ＩＣタグやＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグなどの無線
タグや、半導体装置なども含む用語である。
【実施例３】
【００８９】
本発明をエレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置に適用した例を説明する。
【００９０】
図１３（ａ）および（ｂ）に示す基体５０Ａは、後述する製造装置２（図１４）による
処理によって、エレクトロルミネッセンス表示装置５０となる基板である。基体５０Ａは
、マトリクス状に配置された複数の被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂを有する。
【００９１】
具体的には、基体５０Ａは、支持基板５２と、支持基板５２上に形成された回路素子層
５４と、回路素子層５４上に形成された複数の画素電極５６と、複数の画素電極５６の間
に形成されたバンク６０と、を有している。支持基板５２は、可視光に対して光透過性を
有する基板であり、例えばガラス基板である。複数の画素電極５６のそれぞれは、可視光
に対して光透過性を有する電極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極である
。また、複数の画素電極５６は、回路素子層５４上にマトリクス状に配置されており、そ
れぞれが画素領域を規定する。そして、バンク６０は、格子状の形状を有しており、複数
の画素電極５６のそれぞれを囲む。また、バンク６０は、回路素子層５４上に形成された
樹脂ブラック層６０Ｃと、樹脂ブラック層６０Ｃ上に位置するレジスト層６０Ｄとからな
る。
【００９２】
回路素子層５４は、支持基板５２上で所定の方向に延びる複数の走査電極と、複数の走
査電極を覆うように形成された絶縁膜６２と、絶縁膜６２上に位置するともに複数の走査
電極が延びる方向に対して直交する方向に延びる複数の信号電極と、走査電極および信号
電極の交点付近に位置する複数のスイッチング素子６４と、複数のスイッチング素子６４
を覆うように形成されたポリイミドなどの層間絶縁層６５と、を有する層である。それぞ
れのスイッチング素子６４のゲート電極６４Ｇおよびドレイン電極６４Ｄは、それぞれ対
応する走査電極および対応する信号電極と電気的に接続されている。層間絶縁層６５上に
は複数の画素電極５６が位置する。層間絶縁層６５には、各スイッチング素子６４のソー
ス電極６４Ｓに対応する部位にスルーホール６４Ｖが設けられており、このスルーホール
６４Ｖ内の導電性膜を介して、スイッチング素子６４と、対応する画素電極５６と、が接
続されている。また、バンク６０に対応する位置にそれぞれのスイッチング素子６４が位
置している。つまり、図１３（ｂ）の紙面に垂直な方向から観察すると、複数のスイッチ
ング素子６４のそれぞれは、バンク６０に覆われるように位置している。
【００９３】
基体５０Ａの画素電極５６とバンク６０とで規定される凹部（画素領域の一部）は、被
吐出部５８Ｒ、被吐出部５８Ｇ、被吐出部５８Ｂに対応する。被吐出部５８Ｒは、赤の波
長域の光線を発光する発光層２１１ＦＲが形成されるべき領域であり、被吐出部５８Ｇは
、緑の波長域の光線を発光する発光層２１１ＦＧが形成されるべき領域であり、被吐出部
５８Ｂは、青の波長域の光線を発光する発光層２１１ＦＢが形成されるべき領域である。
【００９４】
本実施例の発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢは、本発明の「層パターン」の
一例である。
【００９５】
図１３（ｂ）に示す基体５０Ａは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で規定される仮想平面と平
行に位置している。そして、複数の被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂが形成するマトリク
スの行方向および列方向は、それぞれＸ軸方向およびＹ軸方向と平行である。基体５０Ａ
において、被吐出部５８Ｒ、被吐出部５８Ｇ、および被吐出部５８Ｂは、Ｘ軸方向にこの
順番で周期的に並んでいる。一方、被吐出部５８Ｒ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて
１列に並んでおり、また、被吐出部５８Ｇ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて１列に並
んでおり、同様に、被吐出部５８Ｂ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて１列に並んでい
る。
【００９６】
被吐出部５８Ｒ同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＲＸは、ほぼ５６０μｍである。この間
隔は、被吐出部５８Ｇ同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＧＸと同じであり、被吐出部１８Ｂ
同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＢＸとも同じである。また、被吐出部５８ＲのＸ軸方向の
長さはほぼ１００μｍであり、Ｙ軸方向の長さはほぼ３００μｍである。被吐出部５８Ｇ
および被吐出部５８Ｂも被吐出部５８Ｒと同じ大きさを有している。被吐出部同士の上記
間隔および被吐出部の上記大きさは、４０インチ程度の大きさのハイビジョンテレビにお
いて、同一色に対応する画素領域同士の間隔に対応する。
【００９７】
図１４に示す製造装置２は、図１３の基体５０Ａの被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂの
それぞれに対して、対応する発光材料を吐出する装置である。製造装置２は、被吐出部５
８Ｒのすべてに発光材料２１１Ｒを塗布する吐出装置２００Ｒと、被吐出部５８Ｒ上の発
光材料２１１Ｒを乾燥させる乾燥装置２５０Ｒと、被吐出部５８Ｇのすべてに発光材料２
１１Ｇを塗布する吐出装置２００Ｇと、被吐出部５８Ｇ上の発光材料２１１Ｇを乾燥させ
る乾燥装置２５０Ｇと、被吐出部５８Ｂのすべてに発光材料２１１Ｂを塗布する吐出装置
２００Ｂと、被吐出部５８Ｂ上の発光材料Ｂを乾燥させる乾燥装置２５０Ｂと、を備えて
いる。さらに製造装置２は、吐出装置２００Ｒ、乾燥装置２５０Ｒ、吐出装置２００Ｇ、
乾燥装置２５０Ｇ、吐出装置２００Ｂ、乾燥装置２５０Ｂの順番に基体５０Ａを搬送する
搬送装置２７０も備えている。
【００９８】
図１５に示す吐出装置２００Ｒは、液状の発光材料２１１Ｒを保持するタンク２０１Ｒ
と、チューブ２１０Ｒを介してタンク２０１Ｒから発光材料２１１Ｒが供給される吐出走
査部１０２と、を備える。吐出走査部１０２の構成は、実施例１の吐出走査部１０２（図
３）の構成と同じであるため、同様な構成要素には同一の参照符号を付けるとともに、重
複する説明を省略する。また、吐出装置２００Ｇの構成と吐出装置２００Ｂの構成とは、
どちらも基本的に吐出装置２００Ｒの構造と同じある。ただし、吐出装置２００Ｒにおけ
るタンク２０１Ｒの代わりに、吐出装置２００Ｇが発光材料２１１Ｇ用のタンクを備える
点で吐出装置２００Ｇの構成は吐出装置２００Ｒの構成と異なる。同様に、タンク２０１
Ｒの代わりに、吐出装置２００Ｂが発光材料２０１Ｂ用のタンクを備える点で吐出装置２
００Ｂの構成は吐出装置２００Ｒの構成と異なる。
【００９９】
製造装置２を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置５０の製造方法を説明する。ま
ず、公知の製膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板５２上に回路素子層５４を
形成し、その後、回路素子層５４上に複数の画素電極５６をマトリクス状に形成する。
【０１００】
まず、回路素子層５４上および画素電極５６上をＵＶ洗浄する。そして、図１６（ａ）
に示すように、回路素子層５４上および画素電極５６を覆うようにスピンコート法を用い
て、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち樹脂ブラック）を塗布する。こ
のことで、回路素子層５４上および画素電極５６上に樹脂ブラック層６０Ａを形成する。
さらに樹脂ブラック層６０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリマーがブレンドされたネガ
型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層６０Ａ上に
レジスト層６０Ｂを形成する。なお、本実施例では、回路素子層５４および画素電極５６
を含む部分を「回路基板」と表記することもある。
【０１０１】
次に、レジスト層６０Ｂと樹脂ブラック層６０Ａとをパターニングする。具体的には、
図１６（ｂ）に示すように、発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢが形成されるべ
き領域に対応する部位に遮光部ＡＢを有するフォトマスクＰＭ３を介して、レジスト層２
４Ｂに光ｈνを照射する。そして、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、
光ｈνが照射されていない部分、すなわち発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢに
対応する部分のレジスト層６０Ｂと、対応する樹脂ブラック層６０Ａとを取り除く。その
ことによって、図１６（ｃ）に示すように、後に形成されるべき発光層２１１ＦＲ、２１
１ＦＧ，２１１ＦＢを囲む形状を有する樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０Ｄとが、
回路基板上に得られる。
【０１０２】
このように、回路基板上に位置する樹脂ブラック層６０Ｃと樹脂ブラック層６０Ｃ上に
位置するレジスト層６０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０
Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂ）を前記基板上に
形成する。本実施例では、樹脂ブラック層６０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジ
スト層６０Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【０１０３】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層６０Ｃと、樹脂ブラック層６０
Ｃ上に位置するレジスト層６０Ｄとを合わせて、バンク６０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０Ｄとを含むバンク６０を形成する
ことで、バンク６０によって区画された領域、すなわち被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂ
が回路基板上に形成される。
【０１０４】
被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂにおける画素電極５６の上に、対応する正孔輸送層５
７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを形成してもよい。正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂが、画素電
極上５６と、後述の発光層２１１ＲＦ、２１１ＧＦ、２１１ＢＦと、の間に位置すれば、
エレクトロルミネッセンス表示装置の発光効率が高くなる。画素電極５６の上に正孔輸送
層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを設ける場合には、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂと、バ
ンク６０と、によって規定された凹部が、被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂに対応する。
【０１０５】
なお、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂをインクジェット法により形成することも可
能である。つまり、吐出装置２００を用いて、正孔輸送層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを被吐
出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂに設けてもよい。この場合、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５
７Ｂを形成するための材料を含む溶液を各画素領域ごとに所定量塗布し、その後、乾燥さ
せることにより正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを形成することができる。
【０１０６】
被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂを有する基体５０Ａは、搬送装置２７０によって、吐
出装置２００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図１６（ｄ）に示すように、吐出
装置２００Ｒは、被吐出部５８Ｒのすべてに発光材料２１１Ｒの層が形成されるように、
ヘッド１１４から発光材料２１１Ｒを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｒのすべてに
発光材料２１１Ｒの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾燥装置２
５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｒ上の発光材料２１１Ｒを完全に乾燥させ
ることで、被吐出部５８Ｒ上に発光層２１１ＦＲを得る。
【０１０７】
次に搬送装置２７０は、基体５０Ａを吐出装置２００Ｇのステージ１０６に位置させる
。そして、吐出装置２００Ｇは、被吐出部５８Ｇのすべてに発光材料２１１Ｇの層が形成
されるように、ヘッド１１４から発光材料Ｇを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｇの
すべてに発光材料２１１Ｇの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾
燥装置２５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｇ上の発光材料Ｇを完全に乾燥さ
せることで、被吐出部５８Ｇ上に発光層２１１ＦＧを得る。
【０１０８】
次に搬送装置２７０は、基体５０Ａを吐出装置２００Ｂのステージ１０６に位置させる
。そして、吐出装置２００Ｂは、被吐出部５８Ｂのすべてに発光材料２１１Ｂの層が形成
されるように、ヘッド１１４から発光材料Ｂを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｂの
すべてに発光材料Ｂの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾燥装置
２５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｂ上の発光材料２１１Ｂを完全に乾燥さ
せることで、被吐出部５８Ｂ上に発光層２１１ＦＢを得る。
【０１０９】
本実施例では、液状の発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対して、レジスト層６
０Ｄは撥液性を呈する。さらに、液状の発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対する
樹脂ブラック層６０Ｃの撥液性は、発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対するレジ
スト層６０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層６０Ｃは、液状の発光材料２
１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層６０
Ｄにはフッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層６０Ｃはフッ素系ポ
リマーを含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない
樹脂の表面よりも、上記分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方、フッ
素を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【０１１０】
レジスト層６０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８
Ｂに着弾した直後の発光材料の液滴は、レジスト層６０Ｄを超えて被吐出部５８Ｒ、５８
Ｇ、５８Ｂの外へ流れず、樹脂ブラック層６０Ｃの方に流れ落ちる。さらに、所望の撥液
性を示す層と親液性を示す層とからバンク６０が形成されているため、バンクを撥液化ま
たは親液化するための表面改質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理が
ガスとするプラズマ処理や酸素プラズマ処理が不要になる。
【０１１１】
次に、図１７に示すように発光層２１１ＦＲ，２１１ＦＧ、２１１ＦＢ、およびバンク
６０を覆うように対向電極６６を設ける。対向電極６６は陰極として機能する。その後、
封止基板６８と基体５０Ａとを、互いの周辺部で接着することで、図１７に示すエレクト
ロルミネッセンス表示装置５０が得られる。なお、封止基板６８と基体５０Ａとの間には
不活性ガス６９が封入されている。
【０１１２】
エレクトロルミネッセンス表示装置５０において、発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２
１１ＦＢから発光した光は、画素電極５６と、回路素子層５４と、支持基板５２と、を介
して射出する。このように回路素子層５４を介して光を射出するエレクトロルミネッセン
ス表示装置は、ボトムエミッション型の表示装置と呼ばれる。
【実施例４】
【０１１３】
上記実施例において、第１の層、第２の層を積層した構造による隔壁の例を示したが、
第１の層のみにより形成することも可能である。
【０１１４】
すなわち、第１の層のみで隔壁を形成し、隔壁の親液性/撥液性の度合いをコントロー
ルすることにより、前述の実施例１乃至３の構造と類似する構造を得ることができる。
【０１１５】
例えば、撥液処理する際、隔壁の下層部分を親液性が高くなるように、隔壁の上層部分
を下層部分よりも撥液性が高くなるように（すなわち撥液性とする）、処理することによ
り達成することができる。
【０１１６】
従って、１層の隔壁により形成したとしても、幅の広い領域へ液滴を塗布することによ
り、幅の狭い領域へ塗布した液が浸透し、線幅の狭い領域へも液を充填させることができ
る。隔壁の材料は前述に示したような材料を用いることができる。
【０１１７】
更には、線幅の広い領域を塗布する際は、線幅方向に複数滴の液滴を滴下することによ
り描画することもできる。このような描画方法をとることにより、配線幅が広い領域への
塗布が早くできるとともに、充填も早くできる。更に、充填を早く行うことができるため
、線幅の狭い領域への液の充填も早く行うことができる。
【０１１８】
また、膜厚を厚く形成したい場合は、前述のような描画を複数回行うことができる。具
体的には、図示されているような描画を複数回行うこと、更には前述のように線幅方向に
複数的の液滴が滴下されるような描画方法を複数回行うこと、ができる。
【０１１９】
以上のような描画方法は前述に記載の実施例１乃至３のいずれにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】（ａ）は実施例１のプラズマ表示装置における配線の模式図であり、（ｂ）はアドレス電極の模式図。
【図２】実施例１の製造装置を示す模式図。
【図３】実施例１の吐出装置を示す模式図。
【図４】実施例１のキャリッジを示す模式図。
【図５】実施例１のヘッドを示す模式図。
【図６】（ａ）および（ｂ）は図５のヘッドにおける吐出部を示す模式図。
【図７】吐出装置における制御部の機能ブロック図。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は実施例１のアドレス配線の製造方法を示す模式図であり、（ａ）〜（ｅ）は（ｆ）のＡ−Ａ’断面を示す図。
【図９】実施例１のプラズマ表示装置を示す模式図。
【図１０】（ａ）は実施例２の液晶表示装置における配線の模式図であり、（ｂ）はゲート線の模式図。
【図１１】（ａ）〜（ｈ）は実施例２のゲート線の製造方法を示す模式図であり、（ａ）〜（ｅ）は（ｆ）のＢ−Ｂ’断面を示す図。
【図１２】実施例２の液晶表示装置を示す模式図。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は実施例３の基体の断面および平面をそれぞれ示す模式図。
【図１４】実施例３の製造装置を示す模式図。
【図１５】実施例３の吐出装置を示す模式図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、実施例３のゲート線の製造方法を示す模式図。
【図１７】実施例３のエレクトロルミネッセンス表示装置を示す模式図。
【符号の説明】
【０１２１】
１，２…製造装置、１０Ａ…基体、１０Ｂ…背面基板、１０Ｃ…前面基板、１２…支持
基板、１４…アドレス電極、１４Ａ…広幅部、１４Ｂ…狭幅部、１４Ｄ…アドレス電極駆
動回路、１８…被吐出部、１８Ａ…広幅領域、１８Ｂ…狭幅領域、１６…誘電体ガラス層
、２０…バンク、２０Ａ，２０Ｃ…樹脂ブラック層、２０Ｂ，２０Ｄ…レジスト層、２１
…隔壁、２２…ＭｇＯ（酸化マグネシウム）保護層、２４…誘電体ガラス層、２５…表示
電極、２６…表示スキャン電極、２８…ガラス基板、２９…放電ガス、３０…液晶表示装
置、３０Ａ…基体、３０Ｂ…素子側基板、３０Ｃ…前面基板、３０Ｄ…液晶層、３１Ｐ，
３１Ｓ…偏光板、３３…酸化膜、３４…ゲート線、３４Ａ…広幅部、３４Ｂ…狭幅部、３
４Ｄ…ゲート線駆動回路、３５…半導体層、３６…画素電極、３６Ｃ…対向電極、３７Ｓ
，３７Ｄ…コンタクト層、３８Ａ…広幅領域、３８Ｂ…狭幅領域、３９…保護膜、４０…
バンク、４０Ａ，４０Ｃ…樹脂ブラック層、４０Ｂ，４０Ｄ…レジスト層、４１Ｐ，４１
Ｓ…配向膜、４２…ゲート絶縁膜、４３…基板、４４…スイッチング素子、４４Ｇ…ゲー
ト電極、４４Ｓ…ソース電極、４４Ｄ…ドレイン電極、４４Ｖ…コンタクトホール、４５
…層間絶縁層、４６…ソース線、４６Ｄ…ソース線駆動回路、４７…ブラックマトリクス
、４９Ｂ…バンク、４９Ｆ…カラーフィルタ層、５０Ａ…基体、５０…エレクトロルミネ
ッセンス表示装置、５２…支持基板、５４…回路素子層、５６…画素電極、５７Ｒ，５７
Ｇ，５７Ｂ…正孔輸送層、５８Ｒ，５８Ｇ，５８Ｂ…被吐出部、６０…バンク、６０Ａ，
６０Ｃ…樹脂ブラック層、６０Ｂ，６０Ｄ…レジスト層、６２…絶縁膜、６４…スイッチ
ング素子、６５…層間絶縁層、６４Ｇ…ゲート電極、６４Ｓ…ソース電極、６４Ｄ…ドレ
イン電極、６４Ｖ…スルーホール、６６…対向電極、６８…封止基板、６９…不活性ガス
、１０１…タンク、１０２…吐出走査部、１０３…キャリッジ、１０４…第１位置制御装
置、１０８…第２位置制御装置、１００…吐出装置、１０６…ステージ、１１０…チュー
ブ、１１１…配線材料、１１２…制御部、１１４…ヘッド、１１６…ノズル列、１１８…
ノズル、１２６…振動板、１２８…ノズルプレート、１３１…孔、１２９…液たまり、１
２２…隔壁、１２０…キャビティ、１２４…振動子、１２４Ｃ…ピエゾ素子、１２４Ａ，
１２４Ｂ…電極、１２７…吐出部、１３０…供給口、１５０…乾燥装置、１６０…オーブ
ン、１７０…搬送装置、２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂ…発光材料、２１１ＦＲ，２１１
ＦＧ，２１１ＦＢ…発光層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層パターン製造方法に関し、特に電子機器における配線の製造に好適な層パ
ターン製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット技術を用いて電気的導通配線を形成する方法が知られている（例えば特
許文献１）。上記方法によれば、溶融したハンダ材料または銀ペーストを基板に直接パタ
ーン配置し、その後、熱処理やレーザ光照射を行って膜パターンに変換する。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年デバイスを構成する回路の高密度化が進み、これに応じて、例えば、配線もより微
細化されている。上述したインクジェット技術を用いた膜パターン形成方法では、吐出さ
れた液滴が着弾後に基板上で広がるため、この結果、微細な膜パターンを安定的に形成す
ることが容易でない場合がある。特に、形成すべき配線の幅が液滴の大きさより小さい場
合には、配線を形成することが容易でない。
【０００５】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、微細化された膜パ
ターンを、精度よく安定して形成できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置す
る第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域
を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料
を吐出するステップ（ｂ）と、を含み、前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は
、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。
【０００７】
上記構成によって、微細化された層パターンを、精度よく安定して形成できる。液状の
材料を吐出すべき領域が、前記第１の層と前記第２の層とによって区画されているため、
この結果、吐出された材料が、不必要に基板上で広がらないからである。
【０００８】
さらに、第２の層が第１の層より高い撥液性を呈するため、区画された領域に着弾した
直後の配線材料１１１の液滴は、第２の層を超えて領域の外へ流れず、第１の層に流れる
。このため、より塗布が安定する。
【０００９】
好ましくは、前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記
第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前
記第２の層を形成するステップ（ｃ）を含み、前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分に
のみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含む。
【００１０】
さらに好ましくは、前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する。
【００１１】
上記構成によって、基板に近い層、すなわち第１の層、が親液性を有するため、狭幅領
域３８Ｂと狭幅領域３８Ｂとに配線材料が吐出されなくても、狭幅領域３８Ａに着弾した
配線材料１１１が狭幅領域３８Ｂと狭幅領域３８Ｃに流れ込む。なぜなら、第１の層によ
って毛細管現象が生じるからである。
【００１２】
本発明は種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線製造方法や電子機器の
製造方法として実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を、プラズマ表示装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、およびエレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法に適用した場合を例に取り、図面を参照しつつ
説明する。なお、以下に示す実施例は、特許請求の範囲に記載された発明の内容を何ら限
定するものではない。また、以下の実施例に示す構成のすべてが、特許請求の範囲に記載
された発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【実施例１】
【００１４】
本発明をプラズマ表示装置の製造方法に適用した例を説明する。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、プラズマ表示装置１０はそれぞれがＹ軸方向に延びる複数の
アドレス電極１４と、複数のアドレス電極１４に信号を与えるアドレス電極駆動回路１４
Ｄと、それぞれがＸ軸方向に延びる複数の表示スキャン電極２６と、複数の表示スキャン
電極２６に信号を与える表示スキャン電極駆動回路２６Ｄと、を備えている。ここでいう
Ｘ軸方向およびＹ軸方向は互いに直交する方向であり、後述する吐出装置におけるノズル
がステージに対し相対移動する方向と同じである。
【００１６】
複数のアドレス電極１４は、プラズマ表示装置の背面基板に設けられている。また、複
数の表示スキャン電極２６は、プラズマ表示装置の前面基板に設けられている。なお、プ
ラズマ表示装置１０は、前面基板に設けられた複数の表示電極も備えているが、図１では
、説明を平易にする目的で省略されている。背面基板、前面基板、および複数の表示電極
については後述する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、アドレス電極１４同士の間隔は、ほぼ３００μｍである。ま
た、複数のアドレス電極１４のそれぞれは、広幅部１４Ａと、狭幅部１４Ｂと、を有して
いる。広幅部１４Ａの幅はほぼ２０μｍである。狭幅部１４Ｂの幅はほぼ５μｍである。
本実施例では、複数のアドレス電極１４のそれぞれは、狭幅部１４Ｂを介してアドレス電
極駆動回路１４Ｄに接続されている。後述するように、アドレス電極１４は、基体に設け
られた被吐出部１８（図８）に、インクジェット装置などの吐出装置を用いて液状の配線
材料を吐出することで形成されている。
【００１８】
本実施例のアドレス電極１４は、本発明の「層パターン」または「配線」の一例である
。
【００１９】
図２に示す製造装置１は、基体における被吐出部１８（図８）に配線を形成する装置で
ある。具体的には、製造装置１は、被吐出部１８のすべてに液状の配線材料１１１を塗布
する吐出装置１００と、被吐出部１８上の配線材料１１１を乾燥させる乾燥装置１５０と
、配線材料１１１を再度加熱（ポストベーク）するオーブン１６０と、を備えている。さ
らに製造装置１は、吐出装置１００、乾燥装置１５０、オーブン１６０の順番に基体を搬
送する搬送装置１７０も備えている。
【００２０】
図３に示すように、吐出装置１００は、液状の配線材料１１１を保持するタンク１０１
と、チューブ１１０を介してタンク１０１から配線材料１１１が供給される吐出走査部１
０２と、を備える。吐出走査部１０２は、それぞれが液状の配線材料を吐出可能な複数の
ヘッド１１４（図４）を有するキャリッジ１０３と、キャリッジ１０３の位置を制御する
第１位置制御装置１０４と、支持基板１２を保持するステージ１０６と、ステージ１０６
の位置を制御する第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、を備えている。タンク１
０１と、キャリッジ１０３における複数のヘッド１１４と、はチューブ１１０で連結され
ており、タンク１０１から複数のヘッド１１４のそれぞれに液状の配線材料１１１が圧縮
空気によって供給される。
【００２１】
本実施例における液状の配線材料１１１は、本発明の「液状の材料」の一例である。液
状の材料とは、ノズルから吐出可能な粘度を有する材料をいう。この場合、材料が水性で
あると油性であるとを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十
分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。
【００２２】
第１位置制御装置１０４はリニアモータを備えており、制御部１１２からの信号に応じ
て、キャリッジ１０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向と直交するＺ軸方向に沿って移動させ
る。第２位置制御装置１０８はリニアモータを備えており、制御部１１２からの信号に応
じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の両方と直交するＹ軸方向に沿ってステージ１０６を移動
させる。ステージ１０６はＸ軸方向およびＹ軸方向の双方と平行な平面を有していて、こ
の平面上に基体１０Ａ（図８）を固定できるように構成されている。ステージ１０６が基
体１０Ａを固定するので、ステージ１０６は被吐出部１８、１８Ｇ、１８Ｂの位置を決定
できる。なお、本実施例の基体１０Ａは、受容基板の一例である。
【００２３】
第１位置制御装置１０４は、さらに、Ｚ軸方向に平行な所定の軸の回りでキャリッジ１
０３を回転させる機能も有する。Ｚ軸方向とは、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に
平行な方向である。第１位置制御装置１０４によるキャリッジ１０３のＺ軸方向に平行な
軸の回りの回転によって、受容基板上に固定された座標系におけるＸ軸およびＹ軸を、Ｘ
軸方向およびＹ軸方向とそれぞれ平行にできる。本実施例では、Ｘ軸方向およびＹ軸方向
は、ともにステージ１０６に対してキャリッジが相対移動する方向である。本明細書では
、第１位置制御措置１０４および第２位置制御装置１０８を「走査部」と表記することも
ある。
【００２４】
キャリッジ１０３およびステージ１０６は上記以外の平行移動および回転の自由度をさ
らに有している。ただし、本実施例では、上記自由度以外の自由度に関する記載は説明を
平易にする目的で省略されている。
【００２５】
制御部１１２は、配線材料１１１を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処
理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２の詳細な機能は、後述する。
【００２６】
図４に示すように、キャリッジ１０３は、互いに同じ構造を有する複数のヘッド１１４
を保持している。ここで、図４は、キャリッジ１０３をステージ１０６側から観察した図
であり、このため図面に垂直な方向がＺ軸方向である。本実施例では、キャリッジ１０３
には４個のヘッド１１４からなる列が２列配置されている。それぞれのヘッド１１４の長
手方向とＸ軸方向との間の角度ＡＮは０°になるように、ヘッド１１４のそれぞれがキャ
リッジ１０３に固定されている。ただし、変形例で説明するように、この角度ＡＮは可変
である。
【００２７】
図５に示すように、配線材料１１１を吐出するためのヘッド１１４は、それぞれがヘッ
ド１１４の長手方向に延びる２つのノズル列１１６を有している。ノズル列１１６とは、
１８０個のノズル１１８が一列に並んだ列のことである。ノズル列１１６の方向をノズル
列方向ＨＸと表記する。ノズル列方向ＨＸに沿ったノズル１１８の間隔は、約１４０μｍ
である。また、図５において、１つのヘッド１１４における２つのノズル列１１６は、互
いに半ピッチ（約７０μｍ）だけ互いにずれて位置している。さらに、ノズル１１８の直
径は、およそ２７μｍである。上述したように、ヘッド１１４の長手方向とＸ軸方向との
間の角度が角度ＡＮだから、ノズル列方向ＨＸ、すなわち１８０個のノズル１１８が一列
に並ぶ方向とＸ軸方向との間の角度も角度ＡＮである。なお、複数のノズル１１８のそれ
ぞれの端部は、上記Ｘ軸方向およびＹ軸方向で定義される仮想的な平面上に位置している
。また、ヘッド１１４がほぼＺ軸と平行に材料を吐出できるように、複数のノズル１１８
のそれぞれの形状が調整されている。
【００２８】
図６（ａ）および（ｂ）に示すように、それぞれのヘッド１１４は、インクジェットヘ
ッドである。より具体的には、それぞれのヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズルプレ
ート１２８と、を備えている。振動板１２６と、ノズルプレート１２６と、の間には、タ
ンク１０１から孔１３１を介して供給される液状の配線材料１１１が常に充填される液た
まり１２９が位置している。また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には
、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と
、１対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１
２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１
８の数とは同じである。キャビティ１２０には、１対の隔壁１２２の間に位置する供給口
１３０を介して、液たまり１２９から配線材料１１１が供給される。
【００２９】
振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置す
る。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む１対の電極１２
４Ａ、１２４Ｂと、を含む。この１対の電極１２４Ａ、１２４Ｂに駆動電圧を与えること
で、対応するノズル１１８から液状の配線材料１１１が吐出される。
【００３０】
制御部１１２（図３）は、複数の振動子１２４のそれぞれに互いに独立な信号を与える
ように構成されている。このため、ノズル１１８から吐出される配線材料１１１の体積は
、制御部１１２からの信号に応じてノズル１１８毎に制御される。さらに、ノズル１１８
のそれぞれから吐出される配線材料１１１の体積は、０ｐｌ〜４２ｐｌ（ピコリットル）
の間で可変である。このため、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル１１８と、吐出動作
を行わないノズル１１８と、を設定することでもできる。
【００３１】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、
キャビティに対応する振動子１２４と、を含んだ部分を、吐出部１２７と表記することも
ある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１
２７を有する。上述のように本実施例では、キャリッジ１０３はヘッド１１４を保持する
。一方、ヘッド１１４のそれぞれは複数の吐出部１２７を有している。このため、本明細
書では、キャリッジ１０３が複数の吐出部１２７を保持すると表記することもある。
【００３２】
吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出
部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有して
いてもよい。
【００３３】
上述のように、キャリッジ１０３は第１位置制御装置１０４（図３）によってＸ軸方向
およびＺ軸方向に移動させられる。一方、ステージ１０６（図３）は第２位置制御手段１
０８（図３）によってＹ軸方向に移動させられる。この結果、第１位置制御装置１０４お
よび第２位置制御装置１０８によって、ステージ１０６に対してキャリッジ１０３が相対
移動する。より具体的には、これらの動作によって、複数のヘッド１１４、複数のノズル
列１１６、または複数のノズル１１８は、ステージ１０６上で位置決めされた被吐出部１
８に対してＺ軸方向に所定の距離を保ちながらＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、
すなわち相対的に走査する。さらに具体的には、ヘッド１１４は、ステージに対してＸ軸
方向およびＹ軸方向に相対走査するとともに、複数のノズル１１８から材料を吐出する。
本発明では、被吐出部１８に対してノズル１１８をＹ軸方向に走査して、被吐出部１８に
対してノズル１１８から材料を吐出してもよい。「相対走査」とは吐出する側とそこから
の吐出物が着弾する側（被吐出部１８側）の少なくとも一方を他方に対して走査すること
を含む。また、相対走査と材料の吐出との組合せを指して「塗布走査」と表記することも
ある。
【００３４】
次に、制御部１１２の構成を説明する。図７の機能ブロック図に示すように、制御部１
１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶手段２０２と、処理部２０４と、走査ドライ
バ２０６と、ヘッドドライバ２０８と、を備えている。バッファメモリ２０２と処理部２
０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と記憶手段２０２とは、相互に
通信可能に接続されている。処理部２０４と走査ドライバ２０６とは相互に通信可能に接
続されている。処理部２０４とヘッドドライバ２０とは相互に通信可能に接続されている
。また、走査ドライバ２０６は、第１位置制御手段１０４および第２位置制御手段１０８
と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッドドライバ２０８は、複数のヘッド１１
４のそれぞれと相互に通信可能に接続されている。
【００３５】
入力バッファメモリ２００は、外部情報処理装置から配線材料１１１の吐出を行うため
の吐出データを受け取る。吐出データは、基体１０Ａ上のすべての被吐出部１８の相対位
置を表すデータと、すべての被吐出部１８に所望の厚さの配線材料１１１を塗布するまで
に必要となる相対走査の回数を示すデータと、被吐出部上の着弾位置を示すデータと、吐
出動作を行うノズル１１８を指定するデータと、吐出動作を行わないノズル１１８を指定
するデータと、を含む。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給
し、処理部２０４は吐出データを記憶手段２０２に格納する。図７では、記憶手段２０２
はＲＡＭである。
【００３６】
処理部２０４は、記憶手段２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部１８に対するノ
ズル列１１６の相対位置を示すデータを走査ドライバ２０６に与える。走査ドライバ２０
６はこのデータに応じた駆動信号を第１位置制御手段１０４および第２位置制御手段１０
８に与える。この結果、被吐出部１８に対してノズル列１１６が走査される。一方、処理
部２０４は、記憶手段２０２に記憶された吐出データに基づいて、対応するノズル１１８
からの吐出タイミングを示すデータをヘッドドライバ２０８に与える。ヘッドドライバ２
０８はこのデータに基づいて、配線材料１１１の吐出に必要な駆動信号をヘッド１１４に
与える。この結果、ノズル列１１６における対応するノズル１１８から液状の配線材料１
１１が吐出される。
【００３７】
制御部１１２は、少なくともＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを含んだコンピュータであっても
よい。この場合には、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフ
トウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハー
ドウェア）によって実現されてもよい。
【００３８】
以上の構成によって、吐出装置１００Ｒは、制御部１１２に与えられた吐出データに応
じて、配線材料１１１の塗布走査を行う。
【００３９】
次に、アドレス電極１４の製造方法を説明する。まず、ガラス基板などの支持基板１２
をＵＶ洗浄する。そして、図８（ａ）に示すように、支持基板１２の一方の面の全面を覆
うようにスピンコート法を用いて、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち
樹脂ブラック）を２μｍ程度の厚さに塗布する。このことで、支持基板１２上に樹脂ブラ
ック層２０Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリ
マーがブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、
樹脂ブラック層２０Ａ上にレジスト層２０Ｂを形成する。
【００４０】
次に、レジスト層２０Ｂと樹脂ブラック層２０Ａとをパターニングする。具体的には、
図８（ｂ）に示すように、アドレス電極１４が形成されるべき領域に対応した部位に遮光
部ＡＢを有するフォトマスクＰＭ１を介して、レジスト層２０Ｂに光ｈνを照射する。そ
して、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていない複
数の部分、すなわち複数のアドレス電極１４に対応する複数の部分のレジスト層２０Ｂと
、樹脂ブラック層２０Ａと、を取り除く。そのことによって、図８（ｃ）に示すように、
後に形成されるべきアドレス電極１４を囲む形状を有する樹脂ブラック層２０Ｃとレジス
ト層２０Ｄとが、支持基板１２上に得られる。
【００４１】
このように、支持基板１２上に位置する樹脂ブラック層２０Ｃと樹脂ブラック層２０Ｃ
上に位置するレジスト層２０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層２０Ｃとレジスト層
２０Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部１８）を支持基板１２上に形成する。
本実施例では、樹脂ブラック層２０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジスト層２０
Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【００４２】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層２０Ｃと、樹脂ブラック層２０
Ｃ上に位置するレジスト層２０Ｄとを合わせて、バンク２０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層２０Ｃとレジスト層２０Ｄとを含むバンク２０を形成する
ことで、バンク２０によって区画された領域、すなわち被吐出部１８、が支持基板１２上
に形成される。なお、本実施例において、「バンク」とは、「隔壁」、「仕切り部」など
を含む用語である。
【００４３】
図８（ｆ）に示すように、被吐出部１８は、アドレス電極１４の形状とほぼ同じ形状を
有している。このため、被吐出部１８は、アドレス電極１４の広幅部１４Ａに対応する広
幅領域１８Ａと、アドレス電極１４の狭幅部１４Ｂに対応する狭幅領域１８Ｂと、を有し
ている。広幅領域１８Ａの幅は、ほぼ２０μｍであり、狭幅領域１８Ｂの幅は、ほぼ５μ
ｍである。本実施例では、支持基板１２と、支持基板１２上に形成された被吐出部１８と
、を合わせて、基体１０Ａと表記することもある。
【００４４】
次に、製造装置１における吐出装置１００のステージ１０６上に基体１０Ａを固定する
ことで、ステージ１０６上に被吐出部１８を位置決めする。この場合、被吐出部１８の長
手方向がＹ軸方向と平行になるように、ステージ１０６上で基体１０Ａを固定する。そし
て、ノズル１１８のＸ座標が、被吐出部１８のＸ座標に一致するように、キャリッジ１０
３およびステージ１０６の少なくとも一方を移動させる。この場合、複数のノズル１１８
のＸ座標のそれぞれが、複数の被吐出部１８のＸ座標に同時に一致するように、ノズル列
方向ＨＸとＸ軸方向との間の角度ＡＮを設定しておくことが好ましい。そうすれば、１つ
の走査期間の間に、複数の被吐出部１８を同時に塗布走査できるからである。
【００４５】
図８（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、１つの走査期間の間に、対
応するノズル１１８から被吐出部１８に液状の配線材料１１１を吐出する。この場合、図
８（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、被吐出部１８のうち、広幅領域
１８Ａにのみに対して所定の間隔で液状の配線材料１１１を吐出する。なお、ノズル１１
８から吐出された直後の配線材料の液滴をＸ軸方向およびＹ軸方向で決まる平面に投影し
た場合、その投影された液滴の半径はほぼ２０μｍである。つまり、液滴の半径は、広幅
領域１８Ａの幅とほぼ同じである。
【００４６】
ところで、本明細書において「走査期間」とは、キャリッジ１０３の一辺がＹ軸方向に
沿って走査範囲の一端（または他端）から他端（または一端）まで相対移動を１回行う期
間を意味する。さらに、本実施例において「走査範囲」とは、複数の被吐出部１８の全て
に配線材料１１１を塗布するまでに、キャリッジ１０３の一辺が相対移動する範囲を意味
する。しかしながら、場合によっては用語「走査範囲」は、１つのノズル１１８が相対移
動する範囲を意味することもあるし、１つのノズル列１１６が相対移動する範囲を意味す
ることもあるし、１つのヘッド１１４が相対移動する範囲を意味することもある。なお、
キャリッジ１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相対移動するとは、被吐出部１
８に対するこれらの相対位置が変わることである。このため、キャリッジ１０３、ヘッド
１１４、またはノズル１１８が絶対静止して、被吐出部１８のみがステージ１０６によっ
て移動する場合であっても、キャリッジ１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相
対移動すると表現する。
【００４７】
液状の配線材料１１１とは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。導電性
微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含
有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子など
が用いられる。
【００４８】
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティング
して使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては
、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００４９】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍよ
り大きいと、ノズル１１８に目詰まりが生じる場合がある。また、１ｎｍより小さいと、
導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割
合が過多となり、この結果、導電性が低下する。
【００５０】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであ
れば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラ
デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエー
テル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極
性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出
法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物
、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を
挙げることができる。
【００５１】
本実施例では、上記の液状の配線材料１１１に対して、レジスト層２０Ｄは撥液性を呈
する。さらに、液状の配線材料１１１に対する樹脂ブラック層２０Ｃの撥液性は、配線材
料１１１に対するレジスト層２０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層２０Ｃ
は、液状の配線材料１１１に対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層２０Ｄ
にはフッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層２０Ｃはフッ素系ポリ
マーを含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない樹
脂の表面よりも、上記分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方、フッ素
を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【００５２】
レジスト層２０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部１８に着弾した直後の
液滴は、レジスト層２０Ｄを超えて被吐出部１８の外へ流れず、樹脂ブラック層２０Ｃの
方に流れ落ちる。また、支持基板１２に近い層、すなわち樹脂バンク層２０Ｃ、が親液性
を呈するため、狭幅領域１８Ｂに配線材料１１１が吐出されなくても、狭幅領域１８Ａに
着弾した配線材料１１１が狭幅領域１８Ｂに流れ込む。なぜなら、樹脂バンク層２０Ｃに
よって毛細管現象が生じるからである。さらに、所望の撥液性を示す層と親液性を示す層
とからバンク２０が形成されているため、バンクを撥液化または親液化するための表面改
質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理がガスとするプラズマ処理や酸
素プラズマ処理が不要になる。
【００５３】
本実施例では、液状の材料に対して撥液性を示す層の材料として、フッ素系ポリマーが
ブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを用いている。感光特性は
、ネガ型に限定されず、ポジ型であってもよい。また、本実施例では、液状の材料に対し
て親液性を示す層の材料として、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（樹脂ブラッ
ク）を用いている。しかしながら、樹脂ブラック以外にも、感光性ポリイミド、アクリル
系レジスト、エポキシ系レジストが、親液性を示す層として利用できる。
【００５４】
なお、分散媒の性質によっては、フッ素ポリマーを含まない材料の方が配線材料１１１
に対して撥液性を呈する場合もある。このような場合には、配線材料に含まれる分散媒に
応じて、所望の撥液性と、所望の親液性と、が得られるように、材料を選択すればよい。
【００５５】
以上の吐出方法によって、図８（ｅ）および（ｈ）に示すように、広幅領域１８Ａだけ
でなく、狭幅領域１８Ｂにも配線材料の層が塗布される。
【００５６】
基体１０Ａの被吐出部１８のすべてに配線材料１１１の層が形成された場合には、搬送
装置１７０が基体１０Ａを乾燥装置１５０内に位置させる。そして、被吐出部１８上の配
線材料１１１を完全に乾燥させることで、被吐出部１８にアドレス電極１４を得る。次に
搬送装置１７０は、支持基板１２を、オーブン１６０内に位置させる。その後、オーブン
１６０は複数のアドレス電極１４を再加熱（ポストベーク）する。再加熱後の広幅部１４
Ａの厚さおよび狭幅部１４Ｂの厚さは、ともにほぼ２μｍである。
【００５７】
以上の工程によって、支持基板１２上に複数のアドレス電極１４が形成される。その後
、公知の薄膜形成工程やパターニング工程などを利用して、アドレス電極１４が形成され
た基体１０Ａから、図９に示すプラズマ表示装置１０を得る。
【００５８】
図９は、製造装置１によって製造されたアドレス電極１４を備えたプラズマ表示装置１
０の模式図である。プラズマ表示装置１０は、背面基板１０Ｂと、前面基板１０Ｃと、を
備えている。
【００５９】
背面基板１０Ｂは、上述の支持基板１２と、支持基板１２上にストライプ状に形成され
た複数のアドレス電極１４と、アドレス電極１４を覆うように形成された誘電体ガラス層
１６と、格子状の形状を有するとともに複数の画素領域を規定する隔壁２１と、を含む。
隔壁２１で囲まれるセル（つまり画素領域）には、赤、緑、青のいずれかの光を発光可能
な蛍光層１７が塗布されている。複数の画素領域はマトリクス状に位置しており、複数の
画素領域が形成するマトリクスの列のそれぞれは、複数のアドレス電極１４のそれぞれに
対応する。
【００６０】
前面基板１０Ｃは、ガラス基板２８と、ガラス基板２８上で互いに平行にパターニング
された表示電極２５および表示スキャン電極２６と、表示電極２５および表示スキャン電
極２６とを覆うように形成された誘電体ガラス層２４と、誘電体ガラス層２４上に形成さ
れたＭｇＯ保護層２２と、を有する。背面基板１０Ｂと前面基板１０Ｃとは、背面基板１
０Ｂのアドレス電極５４と、前面基板１０Ｃの表示電極２５・表示スキャン電極２６とが
、互いに直交するように位置合わせされている。各隔壁２１で囲まれるセル（画素領域）
には、所定の圧力で放電ガス２９が封入されている。なお、図１０においては、バンク２
０は取り除かれているが、バンク２０をプラズマ表示装置１０内に残してもよい。
【００６１】
本実施例では、プラズマ表示装置１０におけるアドレス配線１４の製造方法を説明した
が、本実施例の製造方法がプラズマ表示装置１０の表示電極２５や表示スキャン電極２６
など他の配線に適用されても、上述の効果と同様の効果が得られる。
【実施例２】
【００６２】
本発明を液晶表示装置の製造方法に適用した例を説明する。なお、以下で説明するよう
に、実施例２の被吐出部の形状と実施例１の被吐出部の形状とが異なる点を除いて、実施
例２は実施例１と基本的に同じである。
【００６３】
図１０（ａ）に示すように、液晶表示装置３０はそれぞれがＸ軸方向に延びる複数のゲ
ート線３４と、複数のゲート線３４に信号を与えるゲート線駆動回路３４Ｄと、それぞれ
がＹ軸方向に延びる複数のソース線４６と、複数のソース線４６に信号を与えるソース線
駆動回路４６Ｄと、複数のスイッチング素子４４と、複数の保持容量ＣＰと、複数の画素
容量ＬＣと、を備えている。ここでいうＸ軸方向およびＹ軸方向は互いに直交しており、
実施例１において説明したように、吐出装置１００におけるノズル１１８がステージに対
し相対移動する方向と同じである。また、後述するように、複数のゲート線３４および複
数のソース線４６は、液晶表示装置３０の素子側基板に設けられている。素子側基板につ
いては、後述する。
【００６４】
それぞれのスイッチング素子４４のゲート電極４４Ｇおよびドレイン電極４４Ｄは、対
応するゲート線３４およびソース線４６にそれぞれ接続されている。また、それぞれのス
イッチング素子４４のソース電極４４Ｓは、画素容量ＬＣの一部である画素電極３６（図
１２）および保持容量ＣＰの一部である電極の双方に接続されている。
【００６５】
図１０（ｂ）に示すように、ゲート線３４同士の間隔は、ほぼ３００μｍである。複数
のゲート線３４のそれぞれは、広幅部３４Ａと、狭幅部３４Ｂと、を有している。広幅部
３４Ａの幅、すなわち長手方向と直交する方向の長さ、は、狭幅部３４Ｂの幅よりも長い
。広幅部３４Ａはそれぞれのゲート線３４における部分のうちのＸ軸方向に延びるストラ
イプ状の部分である。広幅部３４Ａの幅はほぼ２０μｍである。狭幅部３４Ｂは、広幅部
３４ＡからＹ軸方向に突き出た部分であり、スイッチング素子４４のゲート電極４４Ｇで
もある。狭幅部３４Ｂの幅は、ほぼ１０μｍである。後述するように、ゲート線３４は、
基体に設けられた被吐出部３８（図１１）に、インクジェット装置などの吐出装置を用い
て液状の配線材料を吐出することで形成されている。具体的には、ゲート線３４は、実施
例１で説明した製造装置１（図２）によって形成されている。
【００６６】
本実施例のゲート電極３４は、本発明の「層パターン」または「配線」の一例である。
【００６７】
次に、ゲート線３４の製造方法を説明する。まず、ガラス基板などの支持基板３２をＵ
Ｖ洗浄する。そして、図１１（ａ）に示すように、支持基板３２の一方の面の全面を覆う
ように、スピンコート法を用いて黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち樹
脂ブラック）を塗布する。このことで、支持基板３２上に樹脂ブラック層４０Ａを形成す
る。さらに樹脂ブラック層４０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリマーがブレンドされた
ネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層４０Ａ
上にレジスト層４０Ｂを形成する。
【００６８】
次に、レジスト層４０Ｂと樹脂ブラック層４０Ａとをパターニングする。具体的には、
図１１（ｂ）に示すように、ゲート線３４が形成されるべき領域に対応した部位に遮光部
ＡＢを有するフォトマスクＰＭ２を介して、レジスト層４０Ｂに光ｈνを照射する。そし
て、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていな複数の
部分、すなわち複数のゲート線３４に対応する複数の部分のレジスト層４０Ｂと、樹脂ブ
ラック層４０Ａと、を取り除く。そのことによって、図１１（ｃ）に示すように、後に形
成されるべきゲート線３４を囲む形状を有する樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層４０Ｄ
とが、支持基板３２上に得られる。
【００６９】
このように、支持基板３２上に位置する樹脂ブラック層４０Ｃと樹脂ブラック層４０Ｃ
上に位置するレジスト層４０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層
４０Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部３８）を支持基板３２上に形成する。
本実施例では、樹脂ブラック層４０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジスト層４０
Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【００７０】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層４０Ｃと、樹脂ブラック層４０
Ｃ上に位置するレジスト層４０Ｄとを合わせて、バンク４０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層４０Ｃとレジスト層４０Ｄとを含むバンク４０を形成する
ことで、バンク４０によって区画された領域、すなわち被吐出部３８、が支持基板３２上
に形成される。
【００７１】
図１１（ｆ）に示すように、被吐出部３８は、ゲート線３４の形状とほぼ同じ形状を有
している。このため、被吐出部３８は、ゲート線３４の広幅部３４Ａに対応する広幅領域
３８Ａと、ゲート線３４の挟幅部３４Ｂに対応する狭幅領域３８Ｂと、を有している。広
幅領域３８Ａの幅は、ほぼ２０μｍであり、狭幅領域３８Ｂの幅は、ほぼ１０μｍである
。本実施例では、支持基板３２と、支持基板上に形成された被吐出部３８と、を合わせて
、基体３０Ａと表記することもある。
【００７２】
次に、製造装置１における吐出装置１００のステージ１０６上に基体３０Ａを固定する
ことで、ステージ１０６上に被吐出部３８を位置決めする。この場合、被吐出部３８の長
手方向がＹ軸方向と平行になるように、ステージ１０６上で基体３０Ａを固定する。そし
て、ノズル１１８のＸ座標が、被吐出部３８のＸ座標に一致するように、キャリッジ１０
３およびステージ１０６の少なくとも一方を移動させる。この場合、複数のノズル１１８
のＸ座標のそれぞれが、複数の被吐出部３８のＸ座標に同時に一致するように、ノズル列
方向ＨＸとＸ軸方向との間の角度ＡＮを設定しておくことが好ましい。そうすれば、１つ
の走査期間の間に、複数の被吐出部３８を同時に塗布走査できるからである。
【００７３】
なお、被吐出部３８の形状に応じて、吐出装置１００の制御部１１２に与えられる吐出
データは、実施例１の吐出データから変更されている。
【００７４】
図１１（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、１つの走査期間の間に、
対応するノズル１１８から被吐出部３８に液状の配線材料１１１を吐出する。この場合、
図１１（ｄ）および（ｇ）に示すように、吐出装置１００は、被吐出部３８のうち、広幅
領域３８Ａにのみに対して所定の間隔で液状の配線材料１１１を吐出する。なお、ノズル
１１８から吐出された直後の配線材料の液滴をＸ軸方向およびＹ軸方向で決まる平面に投
影した場合、その投影された液滴の半径はほぼ２０μｍである。つまり、液滴の半径は、
広幅領域３８Ａの幅とほぼ同じである。
【００７５】
本実施例では、液状の配線材料１１１に対して、レジスト層４０Ｄは撥液性を呈する。
さらに、液状の配線材料１１１に対する樹脂ブラック層４０Ｃの撥液性は、配線材料１１
１に対するレジスト層４０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層４０Ｃは、液
状の配線材料１１１に対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層４０Ｄにはフ
ッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層４０Ｃはフッ素系ポリマーを
含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない樹脂の表
面よりも、実施例１で説明した分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方
、フッ素を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【００７６】
レジスト層４０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部３８に着弾した直後の
配線材料１１１の液滴は、レジスト層４０Ｄを超えて被吐出部３８の外へ流れず、樹脂ブ
ラック層４０Ｃの方に流れ落ちる。また、支持基板３２に近い層、すなわち樹脂ブラック
層４０Ｃ、が親液性を呈するため、狭幅領域３８Ｂに配線材料が吐出されなくても、狭幅
領域３８Ａに着弾した配線材料１１１が狭幅領域３８Ｂに流れ込む。なぜなら、樹脂ブラ
ック層４０Ｃによって毛細管現象が生じるからである。さらに、所望の撥液性を示す層と
親液性を示す層とからバンク４０が形成されているため、バンクを撥液化または親液化す
るための表面改質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理がガスとするプ
ラズマ処理や酸素プラズマ処理が不要になる。
【００７７】
本実施例では、液状の材料に対して撥液性を示す層の材料として、フッ素系ポリマーが
ブレンドされたネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを用いている。感光特性は
、ネガ型に限定されず、ポジ型であってもよい。また、本実施例では、液状の材料に対し
て親液性を示す層の材料として、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂を用いている
。しかしながら、樹脂ブラック以外にも、感光性ポリイミド、アクリル系レジスト、エポ
キシ系レジストが、親液性を示す層として利用できる。
【００７８】
なお、分散媒の性質によっては、フッ素ポリマーを含まない材料の方が配線材料１１１
に対して撥液性を呈する場合もある。このような場合には、配線材料に含まれる分散媒に
応じて、所望の撥液性と、所望の親液性と、が得られるように、材料を選択すればよい。
【００７９】
以上の吐出方法によって、図１１（ｅ）および（ｈ）に示すように、広幅領域３８Ａだ
けでなく、狭幅領域３８Ｂにも配線材料の層が塗布される。
【００８０】
基体３０Ａの被吐出部３８のすべてに配線材料１１１の層が形成された場合には、搬送
装置１７０が基体３０Ａを乾燥装置１５０内に位置させる。そして、被吐出部３８上の配
線材料１１１を完全に乾燥させることで、被吐出部３８にゲート線３４を得る。次に搬送
装置１７０は、基体３０Ａを、オーブン１６０内に位置させる。その後、オーブン１６０
は複数のゲート線３４を再加熱（ポストベーク）する。再加熱後の広幅部３４Ａの厚さお
よび狭幅部３４Ｂの厚さは、いずれもほぼ２μｍである。
【００８１】
以上の工程によって、基体３０Ａ上に複数のゲート線３４が形成される。その後、公知
の薄膜形成工程やパターニング工程などを利用して、ゲート線３４が形成された基体３０
Ａから、図１２に示す液晶表示装置３０を得る。
【００８２】
図１２は、製造装置１によって製造されたゲート線３４を備えた液晶表示装置３０の模
式図である。液晶表示装置３０は、素子側基板３０Ｂと、前面基板３０Ｃと、を備えてい
る。
【００８３】
素子側基板３０Ｂは、支持基板３２の第１の面に設けられた偏光板３１Ｐと、支持基板
３２の第１の面に対向する第２の面上に形成された複数のゲート線３４と、複数のゲート
線３４を覆うように形成された酸化膜３３と、酸化膜３３と支持基板３２とを覆うように
形成されたゲート絶縁膜４２と、それぞれのゲート電極４４Ｇを覆うようにゲート絶縁膜
４２上に位置するそれぞれの半導体層３５と、を備えている。さらに、素子側基板３０Ｂ
は、対応する半導体層３５上でゲート電極４４Ｇの一部と重なるとともに、ゲート電極４
４Ｇに対応する領域上で互いに所定の距離だけ離れて位置するコンタクト層３７Ｓおよび
コンタクト層３７Ｄと、コンタクト層３７Ｓ上に位置するソース電極４４Ｓと、コンタク
ト層３７Ｄ上に位置するドレイン電極４４Ｄと、ドレイン電極４４Ｄに接続されたソース
線４６と、ソース電極４４Ｓとドレイン電極４４Ｄとソース線４６を覆う保護膜３９と、
保護膜３９上に位置するポリイミドなどの層間絶縁層４５と、層間絶縁層４５上でマトリ
クス状に配置された複数の画素電極３６と、複数の画素電極３６と層間絶縁層４５とを覆
う配向膜４１Ｐとを備える。複数の画素電極３６は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの
光透過性を有する材料から形成されている。配向膜４１Ｐには、所定の方向にラビング処
理が施されている。ソース電極４４Ｓの一部に対応する部分には、コンタクトホール（不
図示）が設けられており、コンタクトホール内の導電性膜を介して画素電極３６とソース
電極４４Ｓとが接続されている。ゲート電極４４Ｇ、酸化膜３３、半導体層３５、一対の
コンタクト層３７Ｓとコンタクト層３７Ｄと、ソース電極４４Ｓ、ドレイン電極４４Ｄは
、スイッチング素子４４に対応し、画素領域毎に設けられている。なお、複数の画素電極
３６のそれぞれに対応するそれぞれの領域が、画素領域である。
【００８４】
前面基板３０Ｃは、ガラス基板などの基板４３の第１の面に設けられた偏光板３１Ｓと
、基板４３の第１の面に対向する第２の面上に位置するとともに、それぞれが複数の画素
領域のそれぞれに対応した複数の開口部を有するブラックマトリクス４７と、ブラックマ
トリクス４７上に形成されたバンク４９Ｂと、バンク４９Ｂによって仕切られた領域に位
置する複数のカラーフィルタ層４９Ｆと、複数のカラーフィルタ層４９Ｆとバンク４９Ｂ
とを覆うオーバーコート層ＯＣと、オーバコート層ＯＣ上に位置するとともに、複数の画
素電極３６の全てを覆う対向電極３６Ｃと、対向電極３６Ｃを覆う配向膜４１Ｓと、を備
えている。配向膜４１Ｓには適切な方向にラビング処理が施されている。なお、配向膜４
１Ｐに施されたラビングの方向と、配向膜４１Ｓに施されたラビングの方向とは、配向膜
４１Ｐと配向膜４１Ｓとの間で液晶分子が例えばＴＮ（Twisted nematic）配向するよう
に、設定されている。
【００８５】
素子側基板３０Ｂと前面基板３０Ｃとの間には、配向層４１Ｐと配向層４１Ｓとに接す
るように液晶層３０Ｄが位置する。なお、図１２においては、バンク４０は取り除かれて
いるが、バンク４０を液晶表示装置３０内に残してもよい。
【００８６】
本実施例では、液晶表示装置３０におけるゲート線３４の製造方法を説明したが、本実
施例の製造方法が液晶表示装置３０のソース線４６や保持容量用配線など他の配線に適用
されても、上述の効果と同様の効果が得られる。
【００８７】
（実施例１および２の変形例）
実施例１および２において、プラズマ表示装置の製造方法および液晶表示装置の製造方
法をそれぞれ説明した。より具体的には、それぞれの表示装置における配線の製造方法を
説明した。ただし、実施例１および２の製造方法は、プラズマ表示装置および液晶表示装
置以外の電子機器の製造方法に適用されてもよい。具体的には、電子機器における配線で
あって、広幅部と狭幅部とを有する配線の製造方法に上記製造方法を適用すれば、実施例
１および実施例２において説明した効果と同様な効果が得られる。
【００８８】
本明細書において「電子機器」とは、プラズマ表示装置、液晶表示装置、エレクトロル
ミネッセンス表示装置、ＦＥＤ（Field Emission display）やＳＥＤ（Surface-Conducti
on Electron-Emitter Display）を含む電子放出素子を備えた画像表示装置などの表示装
置だけでなく、ＩＣタグやＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグなどの無線
タグや、半導体装置なども含む用語である。
【実施例３】
【００８９】
本発明をエレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置に適用した例を説明する。
【００９０】
図１３（ａ）および（ｂ）に示す基体５０Ａは、後述する製造装置２（図１４）による
処理によって、エレクトロルミネッセンス表示装置５０となる基板である。基体５０Ａは
、マトリクス状に配置された複数の被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂを有する。
【００９１】
具体的には、基体５０Ａは、支持基板５２と、支持基板５２上に形成された回路素子層
５４と、回路素子層５４上に形成された複数の画素電極５６と、複数の画素電極５６の間
に形成されたバンク６０と、を有している。支持基板５２は、可視光に対して光透過性を
有する基板であり、例えばガラス基板である。複数の画素電極５６のそれぞれは、可視光
に対して光透過性を有する電極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極である
。また、複数の画素電極５６は、回路素子層５４上にマトリクス状に配置されており、そ
れぞれが画素領域を規定する。そして、バンク６０は、格子状の形状を有しており、複数
の画素電極５６のそれぞれを囲む。また、バンク６０は、回路素子層５４上に形成された
樹脂ブラック層６０Ｃと、樹脂ブラック層６０Ｃ上に位置するレジスト層６０Ｄとからな
る。
【００９２】
回路素子層５４は、支持基板５２上で所定の方向に延びる複数の走査電極と、複数の走
査電極を覆うように形成された絶縁膜６２と、絶縁膜６２上に位置するともに複数の走査
電極が延びる方向に対して直交する方向に延びる複数の信号電極と、走査電極および信号
電極の交点付近に位置する複数のスイッチング素子６４と、複数のスイッチング素子６４
を覆うように形成されたポリイミドなどの層間絶縁層６５と、を有する層である。それぞ
れのスイッチング素子６４のゲート電極６４Ｇおよびドレイン電極６４Ｄは、それぞれ対
応する走査電極および対応する信号電極と電気的に接続されている。層間絶縁層６５上に
は複数の画素電極５６が位置する。層間絶縁層６５には、各スイッチング素子６４のソー
ス電極６４Ｓに対応する部位にスルーホール６４Ｖが設けられており、このスルーホール
６４Ｖ内の導電性膜を介して、スイッチング素子６４と、対応する画素電極５６と、が接
続されている。また、バンク６０に対応する位置にそれぞれのスイッチング素子６４が位
置している。つまり、図１３（ｂ）の紙面に垂直な方向から観察すると、複数のスイッチ
ング素子６４のそれぞれは、バンク６０に覆われるように位置している。
【００９３】
基体５０Ａの画素電極５６とバンク６０とで規定される凹部（画素領域の一部）は、被
吐出部５８Ｒ、被吐出部５８Ｇ、被吐出部５８Ｂに対応する。被吐出部５８Ｒは、赤の波
長域の光線を発光する発光層２１１ＦＲが形成されるべき領域であり、被吐出部５８Ｇは
、緑の波長域の光線を発光する発光層２１１ＦＧが形成されるべき領域であり、被吐出部
５８Ｂは、青の波長域の光線を発光する発光層２１１ＦＢが形成されるべき領域である。
【００９４】
本実施例の発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢは、本発明の「層パターン」の
一例である。
【００９５】
図１３（ｂ）に示す基体５０Ａは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で規定される仮想平面と平
行に位置している。そして、複数の被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂが形成するマトリク
スの行方向および列方向は、それぞれＸ軸方向およびＹ軸方向と平行である。基体５０Ａ
において、被吐出部５８Ｒ、被吐出部５８Ｇ、および被吐出部５８Ｂは、Ｘ軸方向にこの
順番で周期的に並んでいる。一方、被吐出部５８Ｒ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて
１列に並んでおり、また、被吐出部５８Ｇ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて１列に並
んでおり、同様に、被吐出部５８Ｂ同士はＹ軸方向に所定の間隔をおいて１列に並んでい
る。
【００９６】
被吐出部５８Ｒ同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＲＸは、ほぼ５６０μｍである。この間
隔は、被吐出部５８Ｇ同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＧＸと同じであり、被吐出部１８Ｂ
同士のＸ軸方向に沿った間隔ＬＢＸとも同じである。また、被吐出部５８ＲのＸ軸方向の
長さはほぼ１００μｍであり、Ｙ軸方向の長さはほぼ３００μｍである。被吐出部５８Ｇ
および被吐出部５８Ｂも被吐出部５８Ｒと同じ大きさを有している。被吐出部同士の上記
間隔および被吐出部の上記大きさは、４０インチ程度の大きさのハイビジョンテレビにお
いて、同一色に対応する画素領域同士の間隔に対応する。
【００９７】
図１４に示す製造装置２は、図１３の基体５０Ａの被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂの
それぞれに対して、対応する発光材料を吐出する装置である。製造装置２は、被吐出部５
８Ｒのすべてに発光材料２１１Ｒを塗布する吐出装置２００Ｒと、被吐出部５８Ｒ上の発
光材料２１１Ｒを乾燥させる乾燥装置２５０Ｒと、被吐出部５８Ｇのすべてに発光材料２
１１Ｇを塗布する吐出装置２００Ｇと、被吐出部５８Ｇ上の発光材料２１１Ｇを乾燥させ
る乾燥装置２５０Ｇと、被吐出部５８Ｂのすべてに発光材料２１１Ｂを塗布する吐出装置
２００Ｂと、被吐出部５８Ｂ上の発光材料Ｂを乾燥させる乾燥装置２５０Ｂと、を備えて
いる。さらに製造装置２は、吐出装置２００Ｒ、乾燥装置２５０Ｒ、吐出装置２００Ｇ、
乾燥装置２５０Ｇ、吐出装置２００Ｂ、乾燥装置２５０Ｂの順番に基体５０Ａを搬送する
搬送装置２７０も備えている。
【００９８】
図１５に示す吐出装置２００Ｒは、液状の発光材料２１１Ｒを保持するタンク２０１Ｒ
と、チューブ２１０Ｒを介してタンク２０１Ｒから発光材料２１１Ｒが供給される吐出走
査部１０２と、を備える。吐出走査部１０２の構成は、実施例１の吐出走査部１０２（図
３）の構成と同じであるため、同様な構成要素には同一の参照符号を付けるとともに、重
複する説明を省略する。また、吐出装置２００Ｇの構成と吐出装置２００Ｂの構成とは、
どちらも基本的に吐出装置２００Ｒの構造と同じある。ただし、吐出装置２００Ｒにおけ
るタンク２０１Ｒの代わりに、吐出装置２００Ｇが発光材料２１１Ｇ用のタンクを備える
点で吐出装置２００Ｇの構成は吐出装置２００Ｒの構成と異なる。同様に、タンク２０１
Ｒの代わりに、吐出装置２００Ｂが発光材料２０１Ｂ用のタンクを備える点で吐出装置２
００Ｂの構成は吐出装置２００Ｒの構成と異なる。
【００９９】
製造装置２を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置５０の製造方法を説明する。ま
ず、公知の製膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板５２上に回路素子層５４を
形成し、その後、回路素子層５４上に複数の画素電極５６をマトリクス状に形成する。
【０１００】
まず、回路素子層５４上および画素電極５６上をＵＶ洗浄する。そして、図１６（ａ）
に示すように、回路素子層５４上および画素電極５６を覆うようにスピンコート法を用い
て、黒顔料が分散された熱硬化型アクリル樹脂（すなわち樹脂ブラック）を塗布する。こ
のことで、回路素子層５４上および画素電極５６上に樹脂ブラック層６０Ａを形成する。
さらに樹脂ブラック層６０Ａの全面を覆うようにフッ素系ポリマーがブレンドされたネガ
型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層６０Ａ上に
レジスト層６０Ｂを形成する。なお、本実施例では、回路素子層５４および画素電極５６
を含む部分を「回路基板」と表記することもある。
【０１０１】
次に、レジスト層６０Ｂと樹脂ブラック層６０Ａとをパターニングする。具体的には、
図１６（ｂ）に示すように、発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢが形成されるべ
き領域に対応する部位に遮光部ＡＢを有するフォトマスクＰＭ３を介して、レジスト層２
４Ｂに光ｈνを照射する。そして、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、
光ｈνが照射されていない部分、すなわち発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２１１ＦＢに
対応する部分のレジスト層６０Ｂと、対応する樹脂ブラック層６０Ａとを取り除く。その
ことによって、図１６（ｃ）に示すように、後に形成されるべき発光層２１１ＦＲ、２１
１ＦＧ，２１１ＦＢを囲む形状を有する樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０Ｄとが、
回路基板上に得られる。
【０１０２】
このように、回路基板上に位置する樹脂ブラック層６０Ｃと樹脂ブラック層６０Ｃ上に
位置するレジスト層６０Ｄとを形成することで、樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０
Ｄとによって区画された領域（つまり被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂ）を前記基板上に
形成する。本実施例では、樹脂ブラック層６０Ｃが本発明の「第１の層」に対応し、レジ
スト層６０Ｄが発明の「第２の層」に対応する。
【０１０３】
本明細書では、このような形状を有する樹脂ブラック層６０Ｃと、樹脂ブラック層６０
Ｃ上に位置するレジスト層６０Ｄとを合わせて、バンク６０と表記することもある。この
表記によれば、樹脂ブラック層６０Ｃとレジスト層６０Ｄとを含むバンク６０を形成する
ことで、バンク６０によって区画された領域、すなわち被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂ
が回路基板上に形成される。
【０１０４】
被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂにおける画素電極５６の上に、対応する正孔輸送層５
７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを形成してもよい。正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂが、画素電
極上５６と、後述の発光層２１１ＲＦ、２１１ＧＦ、２１１ＢＦと、の間に位置すれば、
エレクトロルミネッセンス表示装置の発光効率が高くなる。画素電極５６の上に正孔輸送
層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを設ける場合には、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂと、バ
ンク６０と、によって規定された凹部が、被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８Ｂに対応する。
【０１０５】
なお、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂをインクジェット法により形成することも可
能である。つまり、吐出装置２００を用いて、正孔輸送層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを被吐
出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂに設けてもよい。この場合、正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５
７Ｂを形成するための材料を含む溶液を各画素領域ごとに所定量塗布し、その後、乾燥さ
せることにより正孔輸送層５７Ｒ、５７Ｇ、５７Ｂを形成することができる。
【０１０６】
被吐出部５８Ｒ，５８Ｇ、５８Ｂを有する基体５０Ａは、搬送装置２７０によって、吐
出装置２００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図１６（ｄ）に示すように、吐出
装置２００Ｒは、被吐出部５８Ｒのすべてに発光材料２１１Ｒの層が形成されるように、
ヘッド１１４から発光材料２１１Ｒを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｒのすべてに
発光材料２１１Ｒの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾燥装置２
５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｒ上の発光材料２１１Ｒを完全に乾燥させ
ることで、被吐出部５８Ｒ上に発光層２１１ＦＲを得る。
【０１０７】
次に搬送装置２７０は、基体５０Ａを吐出装置２００Ｇのステージ１０６に位置させる
。そして、吐出装置２００Ｇは、被吐出部５８Ｇのすべてに発光材料２１１Ｇの層が形成
されるように、ヘッド１１４から発光材料Ｇを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｇの
すべてに発光材料２１１Ｇの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾
燥装置２５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｇ上の発光材料Ｇを完全に乾燥さ
せることで、被吐出部５８Ｇ上に発光層２１１ＦＧを得る。
【０１０８】
次に搬送装置２７０は、基体５０Ａを吐出装置２００Ｂのステージ１０６に位置させる
。そして、吐出装置２００Ｂは、被吐出部５８Ｂのすべてに発光材料２１１Ｂの層が形成
されるように、ヘッド１１４から発光材料Ｂを吐出する。基体５０Ａの被吐出部５８Ｂの
すべてに発光材料Ｂの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体５０Ａを乾燥装置
２５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部５８Ｂ上の発光材料２１１Ｂを完全に乾燥さ
せることで、被吐出部５８Ｂ上に発光層２１１ＦＢを得る。
【０１０９】
本実施例では、液状の発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対して、レジスト層６
０Ｄは撥液性を呈する。さらに、液状の発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対する
樹脂ブラック層６０Ｃの撥液性は、発光材料２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対するレジ
スト層６０Ｄの撥液性よりも低い。むしろ、樹脂ブラック層６０Ｃは、液状の発光材料２
１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂに対して親液性を呈する。これらの理由は、レジスト層６０
Ｄにはフッ素ポリマーがブレンドされており、一方、樹脂ブラック層６０Ｃはフッ素系ポ
リマーを含有しないからである。一般に、フッ素を含む樹脂の表面は、フッ素を含まない
樹脂の表面よりも、上記分散媒を含む配線材料に対して高い撥液性を呈する。一方、フッ
素を含まない樹脂の多くは、上記液状の配線材料に対して親液性を示す。
【０１１０】
レジスト層６０Ｄが相対的に高い撥液性を呈するため、被吐出部５８Ｒ、５８Ｇ、５８
Ｂに着弾した直後の発光材料の液滴は、レジスト層６０Ｄを超えて被吐出部５８Ｒ、５８
Ｇ、５８Ｂの外へ流れず、樹脂ブラック層６０Ｃの方に流れ落ちる。さらに、所望の撥液
性を示す層と親液性を示す層とからバンク６０が形成されているため、バンクを撥液化ま
たは親液化するための表面改質工程が不要になる。例えばテトラフルオロメタンを処理が
ガスとするプラズマ処理や酸素プラズマ処理が不要になる。
【０１１１】
次に、図１７に示すように発光層２１１ＦＲ，２１１ＦＧ、２１１ＦＢ、およびバンク
６０を覆うように対向電極６６を設ける。対向電極６６は陰極として機能する。その後、
封止基板６８と基体５０Ａとを、互いの周辺部で接着することで、図１７に示すエレクト
ロルミネッセンス表示装置５０が得られる。なお、封止基板６８と基体５０Ａとの間には
不活性ガス６９が封入されている。
【０１１２】
エレクトロルミネッセンス表示装置５０において、発光層２１１ＦＲ、２１１ＦＧ、２
１１ＦＢから発光した光は、画素電極５６と、回路素子層５４と、支持基板５２と、を介
して射出する。このように回路素子層５４を介して光を射出するエレクトロルミネッセン
ス表示装置は、ボトムエミッション型の表示装置と呼ばれる。
【実施例４】
【０１１３】
上記実施例において、第１の層、第２の層を積層した構造による隔壁の例を示したが、
第１の層のみにより形成することも可能である。
【０１１４】
すなわち、第１の層のみで隔壁を形成し、隔壁の親液性/撥液性の度合いをコントロー
ルすることにより、前述の実施例１乃至３の構造と類似する構造を得ることができる。
【０１１５】
例えば、撥液処理する際、隔壁の下層部分を親液性が高くなるように、隔壁の上層部分
を下層部分よりも撥液性が高くなるように（すなわち撥液性とする）、処理することによ
り達成することができる。
【０１１６】
従って、１層の隔壁により形成したとしても、幅の広い領域へ液滴を塗布することによ
り、幅の狭い領域へ塗布した液が浸透し、線幅の狭い領域へも液を充填させることができ
る。隔壁の材料は前述に示したような材料を用いることができる。
【０１１７】
更には、線幅の広い領域を塗布する際は、線幅方向に複数滴の液滴を滴下することによ
り描画することもできる。このような描画方法をとることにより、配線幅が広い領域への
塗布が早くできるとともに、充填も早くできる。更に、充填を早く行うことができるため
、線幅の狭い領域への液の充填も早く行うことができる。
【０１１８】
また、膜厚を厚く形成したい場合は、前述のような描画を複数回行うことができる。具
体的には、図示されているような描画を複数回行うこと、更には前述のように線幅方向に
複数的の液滴が滴下されるような描画方法を複数回行うこと、ができる。
【０１１９】
以上のような描画方法は前述に記載の実施例１乃至３のいずれにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】（ａ）は実施例１のプラズマ表示装置における配線の模式図であり、（ｂ）はアドレス電極の模式図。
【図２】実施例１の製造装置を示す模式図。
【図３】実施例１の吐出装置を示す模式図。
【図４】実施例１のキャリッジを示す模式図。
【図５】実施例１のヘッドを示す模式図。
【図６】（ａ）および（ｂ）は図５のヘッドにおける吐出部を示す模式図。
【図７】吐出装置における制御部の機能ブロック図。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は実施例１のアドレス配線の製造方法を示す模式図であり、（ａ）〜（ｅ）は（ｆ）のＡ−Ａ’断面を示す図。
【図９】実施例１のプラズマ表示装置を示す模式図。
【図１０】（ａ）は実施例２の液晶表示装置における配線の模式図であり、（ｂ）はゲート線の模式図。
【図１１】（ａ）〜（ｈ）は実施例２のゲート線の製造方法を示す模式図であり、（ａ）〜（ｅ）は（ｆ）のＢ−Ｂ’断面を示す図。
【図１２】実施例２の液晶表示装置を示す模式図。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は実施例３の基体の断面および平面をそれぞれ示す模式図。
【図１４】実施例３の製造装置を示す模式図。
【図１５】実施例３の吐出装置を示す模式図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、実施例３のゲート線の製造方法を示す模式図。
【図１７】実施例３のエレクトロルミネッセンス表示装置を示す模式図。
【符号の説明】
【０１２１】
１，２…製造装置、１０Ａ…基体、１０Ｂ…背面基板、１０Ｃ…前面基板、１２…支持
基板、１４…アドレス電極、１４Ａ…広幅部、１４Ｂ…狭幅部、１４Ｄ…アドレス電極駆
動回路、１８…被吐出部、１８Ａ…広幅領域、１８Ｂ…狭幅領域、１６…誘電体ガラス層
、２０…バンク、２０Ａ，２０Ｃ…樹脂ブラック層、２０Ｂ，２０Ｄ…レジスト層、２１
…隔壁、２２…ＭｇＯ（酸化マグネシウム）保護層、２４…誘電体ガラス層、２５…表示
電極、２６…表示スキャン電極、２８…ガラス基板、２９…放電ガス、３０…液晶表示装
置、３０Ａ…基体、３０Ｂ…素子側基板、３０Ｃ…前面基板、３０Ｄ…液晶層、３１Ｐ，
３１Ｓ…偏光板、３３…酸化膜、３４…ゲート線、３４Ａ…広幅部、３４Ｂ…狭幅部、３
４Ｄ…ゲート線駆動回路、３５…半導体層、３６…画素電極、３６Ｃ…対向電極、３７Ｓ
，３７Ｄ…コンタクト層、３８Ａ…広幅領域、３８Ｂ…狭幅領域、３９…保護膜、４０…
バンク、４０Ａ，４０Ｃ…樹脂ブラック層、４０Ｂ，４０Ｄ…レジスト層、４１Ｐ，４１
Ｓ…配向膜、４２…ゲート絶縁膜、４３…基板、４４…スイッチング素子、４４Ｇ…ゲー
ト電極、４４Ｓ…ソース電極、４４Ｄ…ドレイン電極、４４Ｖ…コンタクトホール、４５
…層間絶縁層、４６…ソース線、４６Ｄ…ソース線駆動回路、４７…ブラックマトリクス
、４９Ｂ…バンク、４９Ｆ…カラーフィルタ層、５０Ａ…基体、５０…エレクトロルミネ
ッセンス表示装置、５２…支持基板、５４…回路素子層、５６…画素電極、５７Ｒ，５７
Ｇ，５７Ｂ…正孔輸送層、５８Ｒ，５８Ｇ，５８Ｂ…被吐出部、６０…バンク、６０Ａ，
６０Ｃ…樹脂ブラック層、６０Ｂ，６０Ｄ…レジスト層、６２…絶縁膜、６４…スイッチ
ング素子、６５…層間絶縁層、６４Ｇ…ゲート電極、６４Ｓ…ソース電極、６４Ｄ…ドレ
イン電極、６４Ｖ…スルーホール、６６…対向電極、６８…封止基板、６９…不活性ガス
、１０１…タンク、１０２…吐出走査部、１０３…キャリッジ、１０４…第１位置制御装
置、１０８…第２位置制御装置、１００…吐出装置、１０６…ステージ、１１０…チュー
ブ、１１１…配線材料、１１２…制御部、１１４…ヘッド、１１６…ノズル列、１１８…
ノズル、１２６…振動板、１２８…ノズルプレート、１３１…孔、１２９…液たまり、１
２２…隔壁、１２０…キャビティ、１２４…振動子、１２４Ｃ…ピエゾ素子、１２４Ａ，
１２４Ｂ…電極、１２７…吐出部、１３０…供給口、１５０…乾燥装置、１６０…オーブ
ン、１７０…搬送装置、２１１Ｒ，２１１Ｇ，２１１Ｂ…発光材料、２１１ＦＲ，２１１
ＦＧ，２１１ＦＢ…発光層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥
液性よりも低い、
層パターン製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の層パターン製造方法であって、
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含
む、
層パターン製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の層パターン製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する、
層パターン製造方法。
【請求項４】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の配線材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の配線材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記配線材料に対する前記第２
の層の撥液性よりも低い、
配線製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の配線製造方法であって、
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記配線材料を吐出するステップ（ｄ）
を含む、
配線製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の配線材料に対して親液性を有する、
配線製造方法。
【請求項７】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥
液性よりも低い、
電子機器の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電子機器の製造方法であって
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含
む、
電子機器の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子機器の製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する、
電子機器の製造方法。
【請求項１】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥
液性よりも低い、
層パターン製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の層パターン製造方法であって、
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含
む、
層パターン製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の層パターン製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する、
層パターン製造方法。
【請求項４】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の配線材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の配線材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記配線材料に対する前記第２
の層の撥液性よりも低い、
配線製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の配線製造方法であって、
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記配線材料を吐出するステップ（ｄ）
を含む、
配線製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の配線材料に対して親液性を有する、
配線製造方法。
【請求項７】
基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、
前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に一度に形成するス
テップ（ａ）と、
吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、
を含み、
前記液状の材料に対する前記第１の層の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥
液性よりも低い、
電子機器の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電子機器の製造方法であって
前記ステップ（ａ）は、前記領域が、第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅より
も狭い第２の幅を有する第２の部分と、を有するように、前記第１の層と前記第２の層を
形成するステップ（ｃ）を含み、
前記ステップ（ｂ）は、前記第１の部分にのみ前記材料を吐出するステップ（ｄ）を含
む、
電子機器の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子機器の製造方法であって、
前記第１の層は、前記液状の材料に対して親液性を有する、
電子機器の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００８−６０６００（Ｐ２００８−６０６００Ａ）
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７３５０１（Ｐ２００７−２７３５０１）
【出願日】平成１９年１０月２２日（２００７．１０．２２）
【分割の表示】特願２００３−３２７９９７（Ｐ２００３−３２７９９７）の分割
【原出願日】平成１５年９月１９日（２００３．９．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月２２日（２００７．１０．２２）
【分割の表示】特願２００３−３２７９９７（Ｐ２００３−３２７９９７）の分割
【原出願日】平成１５年９月１９日（２００３．９．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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