【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化された昇圧回路を有する半導体
装置を提供することを課題とする。
【解決手段】直列に接続され、第１の入力端子部から出力端子部へ整流作用を示す複数の
整流素子と、第２の入力端子部に接続され、互いに反転する信号が入力される第１の配線
及び第２の配線と、それぞれ第１の電極、絶縁膜及び第２の電極を有し、昇圧された電位
を保持する複数の容量素子とから構成される昇圧回路を有し、複数の容量素子は、第１の
電極及び第２の電極が導電膜で設けられた容量素子と、少なくとも第２の電極が半導体膜
で設けられた容量素子とを有し、複数の容量素子において少なくとも１段目の容量素子を
第１の電極及び第２の電極が導電膜で設けられた容量素子とする。 （もっと読む）

【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に生じるクラックの発生を防止した薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成方法は、基板を準備する基板準備工程と、基板上に第１薄膜を形成する第１薄膜形成工程と、第１薄膜に対して光線を相対走査して照射することにより、第１薄膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化工程において第１薄膜に生じる熱の基板への伝導量を低下させる緩和層を、結晶化工程の前に、基板の端部領域及び基板を切断する際に切断線が通る領域の少なくとも一方を含む領域に形成する緩和層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ（例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ）と周辺回路（例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路）の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡で観察するのと同時に生体関連物質の信号情報を透明バイオセンサで取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる生体情報評価システムを提供する。
【解決手段】透明基材とその透明基材上に設けられた薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部とを有し、その薄膜トランジスタ素子部が酸化物半導体膜を有する透明バイオセンサ１０と、透明バイオセンサ１０が有する生体関連物質感応部に載置される生体関連物質から信号情報を取得する電気信号測定装置１０１と、透明バイオセンサ１０をステージ５３上にセットし、透明バイオセンサ１０に光源光６２，７４を照射して生体関連物質感応部に載置される生体関連物質を観察する顕微鏡９０とを少なくとも備え、透明バイオセンサ１０と光源光６２，７４との間に紫外線カットフィルタ５１を設けた生体情報評価システム５０により上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する第１工程と、基板１上にゲート電極２を形成する第２工程と、ゲート電極２上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜３上に非結晶質の半導体薄膜４ａを形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜４ａ上に第２絶縁膜としてチャネル保護膜５を形成する第５工程と、チャネル保護膜５の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜４ａを結晶化させて結晶化領域を形成する第６工程と、結晶化領域の上方にソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを形成する第７工程と、を含み、第５工程において、チャネル保護膜５は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぐことができる半導体装置。
【解決手段】複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路が、上記信号を生成するシフトレジスタを有しており、上記シフトレジスタにおいて、複数のトランジスタのゲート電極として機能する一の導電膜を複数に分割し、上記分割された導電膜どうしを、分割された導電膜と異なる層に形成された導電膜により、電気的に接続する構成を有する。上記複数のトランジスタには、シフトレジスタの出力側のトランジスタが含まれるものとする。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するＴＦＴを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 ＴＦＴ１００は、絶縁基板１０７としてのガラス基板上に形成された遮光膜１１３と、遮光膜１１３上に形成された絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上に形成された半導体膜１１１と、半導体膜１１１上に形成されたゲート絶縁膜１０４とを基本的に有する。遮光膜１１３、絶縁膜１１２及び半導体膜１１１の三層から成る積層体１００ａは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体１００ａの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 （もっと読む）

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を小さくでき、トランジスタ数が少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ゲートが第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された第２のトランジスタと、一方の電極が第３の配線と電気的に接続され、他方の電極が第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続された容量素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを有するバイオセンサを用いて顕微鏡観察と同時に生体関連物質の信号情報を取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる透明バイオセンサを提供する。
【解決手段】透明基材１と、透明基材１上に設けられた透明な薄膜トランジスタ素子部Ａ及び透明な生体関連物質感応部Ｂとを有し、その薄膜トランジスタ素子部Ａが有するゲート電極２を、薄膜トランジスタ素子部Ａを構成する酸化物半導体膜４に対する紫外線カット機能を有するように構成して、上記課題を解決した。このゲート電極２を、(i)紫外線カット材料を含む透明電極、(ii)紫外線カット材料からなる透明電極、及び、(iii)前記酸化物半導体膜のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ透明電極、のいずれかであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
提供される半導体装置は、絶縁性基板１上に下地絶縁層２を介して半導体層３を形成する半導体装置に係り、下地絶縁層２に不純物として含まれるボロン又はアルミニウムの濃度が、絶縁性基板表面で１×１０^２２原子／ｃｍ^３以下で、かつ、絶縁性基板表面から１００ｎｍ以上離れた領域で１×１０^１９原子／ｃｍ^３以下の条件を満たして、絶縁性基板表面から半導体層３に向かって漸次減少する態様で分布する。 （もっと読む）