【課題】半導体基板の表面に形成される成膜の段差を減少させ、成膜後の平坦化処理に必要な成膜の厚さを減少させ、平坦化処理工程にかかる時間を短縮し生産性を向上させることができる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、半導体基板ＷＡの表面に配線用の凹部１５Ａを形成する工程と、凹部内に導電性材料でダミーパターン１６Ａを形成する工程と、ダミーパターン１６Ａを形成した後に、半導体基板ＷＡの表面に成膜する工程と、前記成膜した後に、半導体基板の表面を平坦化処理する平坦化処理工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 デバイスに適用されるにおいて好適な回路基板を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に導電性超微粒子のインクを塗布して配線層を形成した回路基板であって、焼結後の前記配線層は ０．１ｖｏｌ％から１０ｖｏｌ％の空孔を含む。 （もっと読む）

【課題】幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、基板１８上に第１バンク層３５と第２バンク層３６とを積層形成する工程と、前記第１バンク層３５及び第２バンク層３６をパターニングすることで、第１のパターン形成領域５６と、該第１のパターン形成領域５６に連続し、かつ該第１のパターン形成領域５６より幅が広い第２のパターン形成領域５５とからなるパターン形成領域１３を有するバンク３４を形成する工程と、を有し、前記第１バンク層３５、第２バンク層３６の形成材料がいずれもシロキサン結合を主鎖としてなる材料であり、前記第２バンク層の形成材料が、側鎖にフッ素結合を有する材料であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱的なストレスにより、デバイス上の層間絶縁膜にクラックが生じるのを防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１層メタルと第２層メタルとの間にシリコン窒化膜を含む層間絶縁膜を有する内部回路２や周辺デバイス領域２a〜２ｄを備えた半導体チップ１の４つのコーナー部にダミーパッド電極５をそれぞれ同じ位置に配置する。ダミーパッド電極５は少なくとも前記第１層メタルを含み、それを被覆して層間絶縁膜（シリコン窒化膜）が形成されている。熱的なストレスが生じたとしても、ダミーパッド電極５によって応力は吸収されるため、内部回路２や周辺デバイス領域２a〜２ｄのデバイス上の層間絶縁膜（シリコン窒化膜）にはクラックが発生しない。 （もっと読む）

【課題】たとえ配線サイズが縮小化したとしても、そこに流す電流量の減少を抑制することができる（大電流密度の電流を流すことができる）配線構造等を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線構造は、下地上に形成された絶縁膜１内に配設される。ここで、絶縁膜１の表面内には溝部２が形成されている。そして、当該溝部２内に、多数のカーボンナノチューブ４が含まれている。つまり、本発明に係る配線構造は、少なくとも、多数のカーボンナノチューブ４を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）