【課題】 大面積の接着用途に使用しても安定した厚み、良好な接着性を示す接着剤、半導体製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 フレキシブルな支持体上に４ｍｍ²から３０００ｍｍ²の面積に印刷した後、熱あるいはエネルギー線で処理した接着剤であって、処理後の中央部の厚みが周辺部に比較し１０％以上厚く、１５０℃以下で支持体から被着体への転写が可能でかつ転写された接着剤を２００℃以下で半導体チップ、ヒートシンクへの圧着が可能で、圧着後硬化処理することを特徴とする接着剤ならびに該接着剤を使用する半導体装置の製造方法および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を金属基板に良好に接合できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】対向する少なくとも一方の主面に、第一の金属からなる第一の金属層１１を有する半導体素子１と、半導体素子１を面実装する第二の金属からなる金属基板２とを、平均直径が１００ｎｍ以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペースト３を用いて接合する半導体装置の製造方法において、前記第一、第二および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層４を介在させて、第一の金属層１１と金属基板２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】フィラーを充填しながら接合部の厚さを抑え、熱伝導率の高いフィラーを用いて低熱抵抗化を図る。
【解決手段】銅製の基台１１上に、アルミ基板１２１上と絶縁基板１２２を貼り合わせたメタル基板１２を接着部材１５で固着する。接着部材１５にはシリコーン接着剤５２に基台１１とメタル基板１２より硬く熱伝導率の高いフィラー５１を充填させ、接着時に基台１１とメタル基板１２にプレスをかけることでフィラー５１を基台１１とメタル基板１２にそれぞれ減り込ませるようにしたことで、フィラー５１の作用で発光ダイオード１６側から発生された熱を基台１１側に放熱させることができる。この場合、フィラー５１が高熱伝導率であることから低熱抵抗化が図れることに加え、フィラー５１が被接合体である基台１１とメタル基板１２に減り込むことで接着層を薄くすることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】特殊な基板や半導体素子の使用を不要とし、基板厚みにかかわらず適用可能で、放熱性、高周波接地特性に優れ、不具合、破損等での交換が容易な半導体素子の実装方法及び実装構造を提供する。
【解決手段】凸部を有する金属シャーシ２と、当該凸部に対応する位置の表裏を貫通する開口部７と上面の配線パターンを有し、前記凸形状が嵌入され金属シャーシ２に配置された基板３と、前記金属シャーシ２の凸部の上面に放熱用電極５が搭載され、リード線４が前記配線パターンと接続された基板表面実装型のプラスチック樹脂モールドパッケージの半導体素子１とで構成される。 （もっと読む）

【課題】テープ部材からパンチによって打ち抜いた打抜部品を板状の被貼着体の所定箇所に押圧して圧着する際に、幅広の打抜部品であっても、パンチの先端面に打抜部品を保持しつつ被貼着体に仮圧着し、被貼着体との接着面に気泡を残留させることなく貼着し得る打抜部品の貼着方法。
【解決手段】パンチ１４として、打抜部品１２ａを先端面に保持できるように、真空吸着孔１４ａが先端面に開口されているパンチ１４を用い、パンチ１４の先端面に保持している打抜部品１２ａを、その一端側を放熱板１６の所定箇所に押圧する部分押圧によって部分的に仮圧着し、打抜部品１２ａの他端側を未貼着とした後、打抜部品１２ａの仮圧着した一端側から未貼着の他端側方向にローラによって順次押圧し、打抜部品１２ａの貼着面を被貼着体の所定箇所に圧着する本圧着を施す。 （もっと読む）

【課題】比較的発熱量が多い発光素子やＩＣチップなどの電子部品を実装しても、当該電子部品から発生する熱を迅速且つ確実に外部に放熱できる配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックからなり且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に位置する電子部品の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を貫通するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成されたビア導体１０と、を含む、配線基板１。 （もっと読む）

【課題】 放熱が良好な半導体装置および冷却器付半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１Ａは、シリコンチップ３４と、電極３２，３６，３８と、樹脂部４６と、無機硬質膜４８，５４と、緩衝層５０，５６と、めっき層５２，５８とを含む。無機硬質膜４８，５４によって金属製のマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと電極３２，３６の間の絶縁性が確保される。電極３２，３６の放熱面は、樹脂部４６の表面から突出しており、樹脂部４６によってマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと放熱面の密着が阻害されることがないので、放熱に有利である。めっき層５２，５８によりマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと半導体装置１Ａの接合時のなじみが良くなり、グリース等を塗布する必要がなく熱伝導も良くなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が放出した熱の放熱性に優れる半導体装置およびその半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】 半導体装置に、半導体素子１等の発熱部材が放出する熱の放熱性を向上させる金属製の放熱板１０を配置する。詳細には、放熱板１０を、絶縁フィルム３の半導体素子１側と反対側の表面における、半導体素子１に対応する箇所に配置する。 （もっと読む）

【課題】 １液型の接着剤でありながら、室温での安定性を向上させ、かつ１００℃以下の低温で硬化が可能で、接着信頼性に優れる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）銀粉、（Ｂ）１分子内にグリシジル基を２個以上有し室温で液状の化合物および（Ｃ）一般式（１）で示される化合物とアクリロイル基を有する化合物の反応物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【化３】


Ｒ¹：−Ｈまたは炭素数２０以下のアルキル基
Ｒ²：−Ｈ、メチル基
Ｒ³：−Ｈ、メチル基 （もっと読む）

【課題】 放熱特性の劣化を招くことなく、半導体チップ上の回路間での高いアイソレーションを可能とする構造を有する半導体装置及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体チップと、抵抗率が０．２Ωｃｍ以上、かつ、１０Ωｃｍ以下である抵抗体基板とを有し、前記半導体チップには、前記半導体チップ内部を伝播可能である電磁波の伝播モードが存在し、前記抵抗体基板は、前記半導体チップの回路が形成されていない面に接して配置される構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度を精度よく検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子５の熱を放熱する放熱板３と温度検出手段２とを備えた半導体装置において、放熱板３と温度検出手段２との間に、該放熱板よりも熱伝導率の低い断熱手段４を配置したことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の発した熱をパッケージの外部に良好に放散させ、パッケージ内部の気密信頼性を低下させることがなく、パッケージ内部の電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができ、かつ量産に適した電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品収納用パッケージは、上面の中央部に電子部品５の搭載部１ｅを有する平板状の放熱部材１と、放熱部材１の上面に搭載部１ｅを取り囲んで取着された、複数の配線導体２ａを有する枠体２とを具備しており、放熱部材１は、平板状の基体１ａと、基体１ａよりも熱膨張係数および熱伝導率が大きくかつ縦弾性係数が小さい材料から成る、基体１ａの上面に接合された上部金属板１ｃおよび基体１ａの下面に接合された下部金属板１ｂとから成り、基体１ａはその上下面を貫通するとともに平面視形状が帯状である冷却液用流路１ｄが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が接合された導体を直接冷却器に取り付ける方法では、半導体素子の電気的特性の中間検査ができないので、製造歩留まりがあまり高くない。
【解決手段】 複数の電力用半導体素子１７８１を有する電力用半導体装置において、複数の半導体チップ１７８１を導体２０の一方の面に接合し、前記導体２０の他方の面が、前記導体に対し剛性の低い絶縁樹脂シート２９で、前記導体と線膨張係数が同一の放熱用金属板３０に接着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 パッケージングされたチップ本体を、ペルチェ素子を利用して効率的に冷却することができると共に、ペルチェ素子の補強及びチップ本体を結露から防止して信頼性の向上化を図ること。
【解決手段】 内部が密閉された箱状のパッケージ１０と、該パッケージ１０の底板１０ａ上に載置されてパッケージ１０内に収納されたチップ本体１１と、該チップ本体１１に電気的に接続されると共にパッケージ１０外に露出した接続端子１２と、パッケージ１０の底板１０ａに対向配置された板状の放熱板１３と、該放熱板１３とパッケージ１０の底板１０ａとの間に配され、底板１０ａに冷却面１４が接着されると共に放熱板１３の一方の面１３ａに放熱面１５が接着されたペルチェ素子１６と、該ペルチェ素子１６を少なくとも挟んで、パッケージ１０の底板１０ａと放熱板１３との間を固定する固定部１７とを備えている封止型電子部品２及びこれを備える回路基板１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光装置のＬＥＤチップからの発熱に対処するため放熱性を高める高熱伝導材料を選択使用して発光効率の低下を抑止したＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ１０は枠体金属ベース１１と、ＬＥＤチップ１２と、このＬＥＤチップ１２に接続されるリード部材１３を導出する絶縁部材１４とを備える発光装置用パッケージにおいて、金属ベース１１の枠内にある所定位置にＬＥＤチップ１２を金属含浸炭素材（ＭＩＣＣ）の高熱伝導カーボン材１６と直に接する状態で搭載して構成する。金属ベース１１がすり鉢状側壁部材１８と底板部材１９からなる場合、絶縁部材１４は開口部１５を形成すると共に外部導出用導電パターンが設けられ、ＬＥＤチップは開口部に配置した高熱伝導カーボン材上に搭載され、ワイヤボンディング１７と外部導出用導電パターン経由でリードと接続したＬＥＤパッケージである。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクを一体に備える構造でありながら、小型化等を阻害することなく、その放熱効率の好適な向上を図ることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ヒートシンク１１の上面１１ｂが半導体素子１２に当接されるとともに同ヒートシンク１１の下面１１ａが露出された状態でそれらヒートシンク１１および半導体素子１２が封止材料１５により一体に封止されており、ヒートシンク１１の下面１１ａが熱伝導性を有する半田やゲル等からなる接着部材１６を介して基板６１に物理的に接合される。ヒートシンク１１の下面１１ａには溝１１ｃからなる周期的な凹凸構造が形成されており、凹凸構造に接着部材１６が充填されるかたちでヒートシンク１１の下面１１ａが接着部材１６を介して基板６１に接合される。 （もっと読む）

【課題】大面積の接着用途に使用しても十分な低応力性を有し、かつ良好な接着性を示す樹脂組成物及び本発明を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ジイソシアネートと、ジカルボン酸と、水酸基及びラジカル重合性官能基をそれぞれ１つずつ有する化合物と、を反応して得られる化合物（Ａ）、充填材（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリー化した接合技術を採用し、高耐熱性、高熱伝導性、高密着性の優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、金属層を表面に持つリードフレーム１６ａと金属層を裏面に持つ半導体素子１１の間を、鉛元素非含有の金属微粒子層１５、金属粒子−樹脂複合材料層もしくは金属箔１４、および金属微粒子層１３の３層構造のダイマウント材を用いて、各接合界面を、金属拡散接合することにより、高熱伝導性、高密着性を実現することを可能にしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の液冷に使用する半導体素子冷却装置に関し、簡単な構造で半導体素子を一様に冷却する。
【解決手段】供給口４３から、半導体素子１０が密着した伝熱板４１の中央に冷媒を供給し、スペーサとしての隙間間隔板５３とその隙間間隔板５３の上に配置された隙間天板５２との２枚の薄板材からなる隙間形成板５４により形成された高さ寸法の小さい隙間状流路を放射状に周縁部に向けて冷媒を流し、周縁部を一周する回収溝４６で冷媒を回収して排出口４７から排出する構造とした。 （もっと読む）

【課題】高出力回路装置に対応する高熱伝導性材を用いて安価で高信頼性のベース基板またはパッケージを提供する。
【解決手段】高出力回路装置は高熱伝導カーボン材の単体または高熱伝導カーボン材１１と金属材１２の複合体からなるカーボン基板１０にセラミクス絶縁層１４を誘電材の成膜で設け、この絶縁層上に印刷または半導体リソグラフ技術により導電パターンの電気線路１６を形成し、カーボン材１１上に直接パワーＩＣ１６が搭載され、Ａｕワイヤ１５を介して電気線路１６に接続される。パワーＩＣ１８を直接このカーボン材１１に接着しても材料間の熱膨張係数を差に起因する応力を吸収して緩和するため、熱伝導性に優れると共に熱信頼性の高いベース基板またはパッケージとなる。 （もっと読む）