【課題】 封止樹脂と表面側導電板、封止樹脂と裏面側導電板が剥がれてしまうのが防止された半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 半導体モジュール１２は、半導体素子１５と、表面側導電板１４と、裏面側導電板１６、１７と、封止樹脂２０を備えている。半導体素子１５は、表面側電極と裏面側電極を有している。表面側導電板１４は、半導体素子１５の表面側電極に接続固定されているとともに、半導体素子１５よりも外方に延びている。裏面側導電板１６、１７は、半導体素子１５の裏面側電極に接続固定されているとともに、半導体素子１５よりも外方に延びている。封止樹脂２０は、表面側導電板１４と裏面側導電板１６、１７の間の空間を充填している。表面側導電板１４と裏面側導電板１６、１７の内面であって、封止樹脂２０と接する領域に、アンダーカット状の側面を持つ凹部２３が分散配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する電子部品の実装効率を低下させることなく、放熱部材をその高さ制限を緩和させて簡便に取り付ける。
【解決手段】基板３の上面に実装される電子部品２からの発熱を放熱部材６により放熱する電子部品の放熱構造７０であって、基板３は、実装される電子部品２の放熱用端子２３よりも外側に放熱部材６を取り付けるための二つの放熱部材取付用孔部３１を備え、放熱部材６は、基板３の下面側に設けられる主放熱面部６１と、放熱部材取付用孔部３１の各々に下面側から挿通される二つの脚部６２とを備え、これら脚部６２の各々は、他の脚部６２側に突出して各脚部６２に一体となって成形され、放熱用端子２３を係止する係止部６２ａを備え、係止部６２ａは、半田Ｂを介して放熱用端子２３と接続固定されている。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板に固定した立ち基板を、発熱を伴う電子部品の放熱に利用することを基本とし、立ち基板の放熱性能を高め、かつ、ビスを用いずに電子部品を立ち基板に固定するという対策を講じた配線基板を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１に面状銅箔パターン５２を有する立ち基板５を固定し、発熱を伴う電子部品３の主部３１を、立ち基板５に重ね合わせてその立ち基板５を放熱板として用いる。立ち基板５の面状銅箔パターン５２の全面に半田盛り層５３を形成し、電子部品３の主部３１から突き出した放熱片の突出部分３３を半田盛り層５３に半田付けすることによってその主部３１を半田盛り層５３に重ね合わせる。主部３１と半田盛り層５３との重なり部分に伝熱性を有するグリースを介在する。 （もっと読む）

【課題】 環境に及ぼす影響を考慮した高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】 セラミック基板２ａの両面に導体層２ｂ，２ｃを形成した絶縁基板２が放熱ベース６上に半田層５を介して半田接合されると共に、その絶縁基板２上にＩＧＢＴ等の半導体チップ４が半田層３を介して半田接合されたパワー半導体モジュール１を形成する際、絶縁基板２と半導体チップ４の接合、および絶縁基板２と放熱ベース６の接合に鉛フリー半田を用いる。また、絶縁基板２と放熱ベース６の接合時には、接合前にあらかじめ放熱ベース６に絶縁基板２が半田接合される面と反対の面側に接合後に平坦か平坦に近い状態が得られるような凸状の反りを与えておく。これにより、放熱ベース６を冷却フィン等に取り付けた際、それらの熱抵抗が低く抑えられ、半導体チップ４の熱が効率的に放散されて異常な温度上昇が防止される。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールにおいて、表面側はんだ層や裏面側はんだ層が疲労破断するのを抑制する
【解決手段】 半導体モジュール１０は、半導体素子１５と、表面側導電板１７、２１と、裏面側導電板１２を備えている。表面側導電板１７、２１は、半導体素子１５の表面側電極に表面側はんだ層２０によって固定されている。裏面側導電板１２は、半導体素子１５の裏面側電極に裏面側はんだ層１６によって固定されている。表面側導電板１７、２１と裏面側導電板１２の間には、硬化樹脂２５が充填されている。表面側導電板１７、２１と裏面側導電板１２の間の空間内であって、表面側はんだ層２０と裏面側はんだ層１６の双方から離れた位置に、他の部位に優先して樹脂の収縮を許容する部位が設けられており、表面側はんだ層２０と裏面側はんだ層１６の双方に対して硬化樹脂２５が間隙なく密着している。 （もっと読む）

【課題】 水冷式電力変換装置において、パワー半導体モジュールと冷却液との間の熱抵抗Ｒｔｈ（ｊ−ｗ）を低減する。
【解決手段】 電力変換装置５０は、電気絶縁性を備える下面が放熱面として露出するパワー半導体モジュール３０と、冷却液の入口１１、冷却液の出口１２、及び開口部１３を備えた水路カバー１０とを有し、前記開口部１３が前記パワー半導体モジュール３０の下面を覆い、前記水路カバー１０と前記パワー半導体モジュール３０の下面とが封止され、 入口１１から出口１２に流れる冷却液が前記放熱面に接触することを特徴とする （もっと読む）

【課題】半田リフロー工程で専用治具を用いることなしに、モジュール組立体の部品相互間の平行度を維持して半田接合できるようにした半導体装置の製造方法，およびその製造方法の実施に適用する製造装置を提供する。
【解決手段】金属ベースの上に絶縁基板，半導体チップ，ヒートスプレッダを順に搭載し、各組立部品の間を半田接合した上で、ヒートスプレッダの上面に接続導体を配線した組立構造になる半導体装置について、ペースト状の半田材（クリーム半田）を介して組立部品を積層した段階での仮組立体Ａを、テーブル９とこれに平行に配した昇降操作式のプレス板１０の間に挟み、半田材が所望の均一厚さになるよう押圧力を加えて組立部品相互間の平行度を調整した後、この組立体をリフロー炉に搬入して組立部品の間を半田接合する。 （もっと読む）

【課題】 接合材にクラックの発生を抑制し、高信頼性が得られる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたセラミックス基板と、
前記セラミックス基板の前記半導体チップが搭載されている面と対向する面に、接合材を介して接合され、前記接合材と接する面であって、前記半導体チップの下部を除く領域の少なくとも一部の厚さが部分的に薄く形成された放熱用金属板と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】 熱応力、熱ひずみを軽減し、実装信頼性が高いセラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 セラミックス基板の一方の主面に、Ｃｕ／Ｍｏ／ＣｕあるいはＣｕ／Ｗ／Ｃｕの３層構造のクラッド材からなる放熱板と、他方の主面に対してはＣｕまたはＣｕ合金からなる回路回路板が設けられている。ここで、回路回路板の厚さが、0.1〜2ｍｍ、放熱板の総厚さが2.0〜8ｍｍとする。ＭｏあるいはＷの厚さが0.2〜4ｍｍとする。また、回路板、セラミック基板、放熱板を貫通するボルト締め用穴部を備えて半導体パワーモジュールの取付けを容易にすることができる。また、放熱板の裏面部に冷却フィンを備えてセラミックス回路基板の熱抵抗を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性の向上、インピーダンスの低減及び小型化が可能な半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】 半導体モジュール１において、パワーＭＯＳチップ５，７が、フリップチップボンディングにより実装部材３に実装されている。チップ５は、その表面にドレイン電極２９及びゲート３１が形成され、その裏面にソース電極３３が形成されている。チップ７は、その表面にソース電極３５及びゲート３７が形成され、その裏面にドレイン電極３９が形成されている。電気伝導兼放熱部材４５は、チップ５のソース電極３３とチップ７のドレイン電極３９とを電気的に接続すると共にこれらのチップ５，７の裏面を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクルに起因するストレスによりパワー半導体素子と金属板とを接合する接合部材にクラックが発生した場合でも、パワー半導体素子と金属板との間の導通不良を起こすことを防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール１に、パワー半導体素子２と、電極を形成する金属板３と、融点が該パワー半導体素子の素子動作許容温度よりも低く、該パワー半導体素子と該金属板とを導通可能に接合する接合部材４と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールに搭載する前のベアチップを保護して取り扱いやすくする。
【解決手段】ベアチップとして、Ｓｉ半導体よりも高効率であり高温動作が可能であるＳｉＣ等の横型構造のワイドバンドギャップ半導体１１を使用し、このワイドバンドギャップ半導体１１の全ての電極を同一の主面に形成する。ワイドバンドギャップ半導体１１の周囲を、ＡｌＮ等のセラミック製の保護部材１７でパッケージングし、ワイドバンドギャップ半導体１１の電極が形成された主面を、ＡｌＮ等のセラミック製の支持部材１３で支持して、ワイドバンドギャップ半導体１１の熱拡散効果を高め、且つ各部材同士の間の熱応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を確保しつつ小型化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１及びスペーサ１４を第１金属ベース基板１２と第２金属ベース基板１３との内側に配置する。そして、第１金属ベース基板１２及び第２金属ベース基板１３の配線パターン１２ｂ、１３ｂが外側を向くように配置する。すなわち、金属ベース部１２ａ、１３ａに放熱板としての効果を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を抑えつつ放熱特性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
パワー半導体２または駆動ＩＣ３等の回路素子をボンディングワイヤ４，５によりリードフレーム１の回路パターンに接続して成形樹脂６で覆い、この成形樹脂６の反対面に、コア材の表面を覆う被服材が相互に溶着してなる絶縁層７を形成した半導体モジュール１００とした。また、コア材の表面に被服剤が皮膜されてなる溶射材料粉末をプラズマ溶射法により溶射堆積させて絶縁層７を形成する半導体モジュール１００の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の液冷に使用する半導体素子冷却装置に関し、簡単な構造で半導体素子を一様に冷却する。
【解決手段】供給口４３から、半導体素子１０が密着した伝熱板４１の中央に冷媒を供給し、スペーサとしての隙間間隔板５３とその隙間間隔板５３の上に配置された隙間天板５２との２枚の薄板材からなる隙間形成板５４により形成された高さ寸法の小さい隙間状流路を放射状に周縁部に向けて冷媒を流し、周縁部を一周する回収溝４６で冷媒を回収して排出口４７から排出する構造とした。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置では、半導体素子の樹脂封止をトランスファーモールドにて行っていたため、半導体素子等の部材に高い寸法精度が求められるとともに、はんだ接合時にスペーサ治具の取り付け、取り外しが必要となることから、半導体装置の加工時間や加工費が増大する。また、樹脂封止の際に半導体装置に圧力がかかる恐れがあるため、信頼性にも不安がある。
【解決手段】 半導体素子２の両面側に一対の電極（金属板３１および上部電極４）が対向配置される半導体装置１であって、該一対の電極間に、半導体素子２の厚みよりも大きな厚みを有する支持体（絶縁物３２および金属箔３３ａ）が介在しており、前記支持体は、半導体素子２の周囲を囲む略環形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い放熱構造と高い組み立て位置精度を備えた半導体装置を得る。
【解決手段】一方面に半導体素子を実装した実装基板と、前記実装基板の他方面に配置される放熱部材と、前記実装基板の外周上端部と当接して該実装基板を狭持し、前記放熱部材に対する該実装基板の位置を固定する傾斜面を有する固定部材と、を備える。この半導体装置においては、固定部材の傾斜面が、放熱部材上に配置された実装基板の外周上端部と当接して狭持することにより、放熱部材上における実装基板の位置を所定の正しい配置位置に導く。また、実装基板は、固定部材の傾斜面で狭持されることにより、該実装基板の面内方向および該実装基板の主面と垂直方向において固定される。 （もっと読む）

【課題】発熱源である電子部品からの熱の放熱効果を、放熱部品を別途搭載せずに促進させる。
【解決手段】電子部品であるＷＣＳＰ３０を搭載している、プリント配線板２０が具える貫通孔２２ｃ内の第１の導体部２６上に、ＷＣＳＰ３０から第１の導体部２６に伝えられた熱を赤外線として高効率に放射させる赤外線放射性の第１の絶縁部２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細なフリップ接合方式に適し、放熱対策を兼ね備えたた極薄の半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】金属基板等からなるヒートスラグ１１上に絶縁層２１、２３、２５及び２７を介して配線層４１、４２、４３が、サーマルビア５１、５３、５５及び５７が、ビア５４、５６、５８がそれぞれ形成されており、最上層に半導体実装パッド４４及びはんだボール用パッド４５が形成された半導体チップ搭載用基板１００であって、ヒートスラグ１１からはサーマルビア５１、５３、５５及び５７を介して最上層の半導体実装パッド４４に接続され、半導体チップの熱をヒートスラグ１１に導きヒートスラグ１１より放熱するようになっている放熱対応の半導体チップ搭載用基板である。 （もっと読む）

【課題】高周波用半導体パッケージの高性能化に伴って、高発熱化・高実装密度化が進んでおり、セラミック多層基板にサーマルビアを設けた従来の放熱構造では対応できない場合がある。
【解決手段】半導体チップ１をチップキャリア２にはんだ接合し、サーマルビア９を有するセラミック多層基板３のキャビティ１６に設けられた底面メタライズ層７に半導体チップ付きチップキャリア２を接着接合することにより、半導体チップ１で発生した熱をサーマルビア９を介して効果的に逃がし、また組立作業性にも優れた半導体パッケージの放熱構造とすることができる。 （もっと読む）