【課題】回路規模を低減しつつ任意の論理を実現可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路は、第１論理ブロックを少なくとも１つ含む第１回路群と、第１論理ブロックよりも多い数の第２論理ブロックを含む第２回路群と、入力データを第１論理ブロックまたは第２論理ブロックへ入力する機能、および、第１論理ブロックまたは第２論理ブロックから出力される出力データを外部へ出力する機能を有する入出力部とを含む。第１回路群は、第１スイッチブロックと、第１電源制御回路とを有する。第１電源制御回路は、第１回路群に含まれる第１論理ブロックおよび第１スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。第２回路群は、第２スイッチブロックと第２電源制御回路とを有する。第２電源制御回路は、第２回路群に含まれる論理ブロックおよび第２スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。 （もっと読む）

【課題】多様な信号規格の処理に対応する半導体集積回路において、様々な周期性の違いに伴いタイミングと時間幅が変わるアイドル状態に対応した電源制御を適用し、消費電力を低減する。
【解決手段】処理状態と待機状態とを周期的に繰り返して処理を行う半導体集積回路の電源ドメインを制御する電源制御装置であって、待機状態の発生期間および発生間隔を含む周期的特徴情報を取得する周期情報取得部１０３と、電源ドメインが待機状態における待機電圧から半導体集積回路が動作可能となる電圧へ復帰するまでに要する復帰時間と対応付けられた待機電圧候補から、発生期間よりも復帰時間が短くなる待機電圧を電源制御情報として設定する電源制御情報設定部１０４と、電源制御情報に従って発生期間における電源ドメインの待機電圧を制御する電源制御部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とヒューズ素子が並列に接続された半導体装置において、ヒューズ素子切断時に抵抗体への損傷がなく、抵抗体とヒューズ素子とを積層すること。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成された抵抗体を設け、抵抗体の上に第２の絶縁膜を介して形成された遮光層を設け、遮光層の上に第３の絶縁膜を介して形成されたヒューズ素子のヒューズ部を有し、抵抗体と遮光層とヒューズ部を重畳した半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】トリミング回路を備えた半導体装置において、内部電源の電圧レベルを半導体装置の外部から適切に制御できるようにすること。
【解決手段】半導体装置は、複数のレベルの間で遷移する第１のテストモード信号を受信し、第１のテストモード信号の遷移に応じてカウント動作を行うバイナリカウンタ回路と、バイナリカウンタ回路の所定のビットの値を示すビット信号、および、バイナリカウンタ回路のカウント動作を制御する第２のテストモード信号を受信し、ビット信号および第２のテストモード信号に応じて、第１のテストモード信号を遷移させるか否かを制御する制御回路と、バイナリカウンタ回路のカウント値に応じて、複数の基準電位の中からいずれかの基準電位を選択するセレクタと、セレクタにより選択された基準電位に応じて、内部電源を発生する内部電源発生回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】次段回路で基準電圧として用いられる定電圧を生成する基準電圧回路について、ツェナーダイオードの製造ばらつき等が出力定電圧の温度特性に及ぼす影響を低減する。また、当該出力定電圧の温度特性の平坦性を向上する。また、回路規模の増大を抑制しつつ優れた起動性、応答性および安定性を実現する。
【解決手段】分圧回路３３２は直列接続されたダイオード３０４，３０６，３０８に対して並列的に設けられている。分圧回路３３２の低電位側接続点ｙの電圧は正の温度特性を示し、分圧回路３３２の高電位側接続点ｘの電圧は負の温度特性を示す。分圧点ｚにおける定電圧Ｖ０が平坦な温度特性を持つように分圧抵抗３１６，３１８の抵抗値が設定されている。分圧回路３３２の分圧点ｚは、フィードバックループに接続されることなく次段回路へ接続されることにより、次段回路へ定電圧Ｖ０を出力する。 （もっと読む）

【課題】電圧生成回路を備えた半導体装置において、電圧生成回路の電荷供給能力が十分でない場合であってもチャージシェアを引き起こすことなく、電圧生成回路の出力電圧を従来よりも高精度に検出できるようにする。
【解決手段】半導体装置１は、電圧生成回路１１と、第１のスイッチＳＷ２と、充電回路２０とを備える。電圧生成回路１１は、電圧を生成して出力し、生成する電圧の大きさを調整する機能を有する。第１のスイッチＳＷ２は、オン状態のときに互いに導通する第１および第２の導通端子を有し、第１の導通端子が電圧生成回路１１の出力ノードと配線を介して接続される。充電回路２０は、第１のスイッチＳＷ２の第２の導通端子に接続された配線を充電する。 （もっと読む）

【課題】回路特性を調整するためのトリミング時間を短縮する。
【解決手段】切断ポイントが座標Ｙ１に配列されたラダーヒューズＬＦＡと、切断ポイントが座標Ｙ２に配列されたラダーヒューズＬＦＢとを備える。回路特性を調整するための補正データが第１の範囲内にある場合はラダーヒューズＬＦＡ，ＬＦＢの両方に対してトリミング動作を行い、回路特性を調整するための補正データが第２の範囲内にある場合はラダーヒューズＬＦＡに対してトリミング動作を行うことなく、ラダーヒューズＬＦＢに対してトリミング動作を行う。これにより、補正データが第２の範囲内である場合には、ラダーヒューズＬＦＡに対してレーザ照射する必要がない。このため、例えば量産段階で必要となる調整範囲をラダーヒューズＬＦＢに割当てれば、１回のスキャンでトリミングを完了することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】様々な導通状態にある複数の電気ヒューズを有する半導体装置において、複数の電気ヒューズによりプログラミングされた結果を誤判定なく読み出すことのできる半導体装置及び半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】其々がプログラム状態又は非プログラム状態である複数のヒューズ素子と、複数のヒューズ素子のプログラム状態又は非プログラム状態に対応する判定結果信号ＦＬＤａ，ＦＬＤｂを其々出力する複数のヒューズ判定回路９２ａ，９２ｂと、第１のタイミング信号ＬＯＡＤ＿ＥＮＤを共通に受け、第１のタイミング信号ＬＯＡＤ＿ＥＮＤに同期して複数の判定結果信号ＦＬＤａ，ＦＬＤｂを其々ラッチ及び出力する複数のラッチ回路９３ａ，９３ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。
【解決手段】ＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１の寄生ダイオードＤ_１とは別に、ｉ個（ｉは１以上の自然数）の温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉをＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１のコレクタに接続する。温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉは、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ_１，Ｍ_２からなるカレントミラー回路を介して、寄生ダイオードＤ_２１〜Ｄ_２Ｋのリーク電流の増加による基準電圧Ｖrefへの影響をキャンセルするように作用する。 （もっと読む）

【課題】トリミングデータによって調整可能な基準電圧発生回路を備えた半導体装置において、電源が立上がるまでの基準電圧のばらつきの影響を受けないようにする。
【解決手段】半導体装置１０において、基準電圧生成部１は、外部電源電圧ＶＣＣに基づいて、トリミングデータＴＲＭ１に応じて調整された第１の基準電圧Ｖ１＊およびこのトリミングデータＴＲＭ１に依存しない第２の基準電圧Ｖ２を生成する。不揮発性メモリ３は、第１の基準電圧Ｖ１＊に基づく電圧によって動作し、上記のトリミングデータＴＲＭ１を記憶する。パワーオンリセット回路５は、電源立上げ時に外部電源電圧ＶＣＣが第２の基準電圧Ｖ２の定数倍に達したときにリセット信号の論理レベルを切替える。制御回路６は、リセット信号の論理レベルの切替に応答して、不揮発性メモリ３に記憶された上記のトリミングデータＴＲＭ１を基準電圧生成部１に読込ませる。 （もっと読む）

【課題】センサーデバイスからの検出信号の精度の高いＡ／Ｄ変換を実現できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、電源電圧ＶＤＤＡを生成する電源回路６０と、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡに基づいて動作し、電源電圧ＶＤＤＡにより規定されるＡ／Ｄ変換範囲で、センサーデバイス３０からの検出信号に対応する信号についてのＡ／Ｄ変換を行うＡ／Ｄ変換器ＡＤＣと、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡをセンサーデバイス３０に供給する電源端子ＰＶＤＡを含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の製造バラツキを排除し、より均一で確実な溶断が行える半導体装置のトリミング方法、及びトリミング制御回路を提供すること。
【解決手段】電位が異なる第１電源（電源端子ｃ）と第２電源（接地端子ｄ）との間にて直列接続された第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３およびフューズＦ１〜Ｆ３を内蔵した半導体装置１０１における第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をオン制御することでフューズＦ１〜Ｆ３に電圧を印加してフューズＦ１〜Ｆ３を溶断する半導体装置１０１のトリミング方法であって、第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をターンオン制御することにより、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させない第１電圧値を所定時間印加するステップと、第１電圧値の印加が完了した後、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させる第２電圧値を印加するように切り替えるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】トリミング用のスイッチ素子のオン抵抗によって抵抗値に誤差が生じることがなく、電源電圧依存性や温度依存性もなくレイアウト面積も小さい可変抵抗回路を備えた半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】複数の抵抗を直列に接続した抵抗回路と、複数の抵抗の直列に接続する数を選択する複数のスイッチ素子を有する選択回路と、スイッチ素子のオン抵抗値を制御する制御回路と、を備え、制御回路はスイッチ素子のオン抵抗値と抵抗回路の抵抗の抵抗値とが所定の比になるように制御する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】電源投入時において誤って設定されたレベル調整回路の出力を、テストモードを用いて初期化し、目標レベルである正規の設定値へと高速に調整する半導体装置を提供する。
【解決手段】テストモード時に外部から入力されるテストデータを保持する複数のラッチ回路２と、ラッチ回路２が保持するテストデータが入力され、テストデータの論理の組合せによりコードを発生するデコード回路３と、ラッチ回路２が保持するテストデータの論理レベルに変化があった時、予め設定された期間の間、ＨレベルまたはＬレベルとなるゲート駆動信号ＵＰＤＮ＿Ｂ＜ｉ＞、ＵＰＤＮ＿Ｔ＜ｉ＞、ＵＰＤＮ＿Ｔ＜ｉ−１＞を出力し、電流供給回路（引き下げ回路８、引き上げ回路９）を駆動する遷移検出回路７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体回路装置に内蔵された内部回路に供給する動作電圧について、内部回路に対する動作モードの変更に伴う動作電圧の安定期間を待つことなく、動作モード変更時でも動作開始時刻を速くすることが可能な構成を有する半導体回路装置を提供する。
【解決手段】
上記の課題を解決するため、外部電源から電圧供給を受ける電源線と、回路群と、回路群の動作電圧が異なる複数の動作モードに応じた制御信号を出力する制御回路と、回路群と、電源線とに電気的に接続し、回路群に前記電源線の電圧以下の電圧を供給する電源供給回路と、を備え、動作モードの変更後において、高い動作電圧を回路群が必要とする場合、電源供給回路は、高い動作電圧より高い電圧を回路群に供給した後、制御信号に応じて、変更後の動作モードに必要な動作電圧を供給する半導体回路装置を提供する。
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【課題】検出精度がよく、かつ回路規模、チップサイズの縮小させた分圧回路及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】２進コードに従って抵抗値が重み付けされて形成される第１抵抗回路と、同じ２進コードに従って抵抗値が重み付けされて形成される第２抵抗回路と、同じ２進コードに従って抵抗値が重み付けされ、重み付けのビット数が最大である第３抵抗を有する第３抵抗回路と備え、第３抵抗の両端のいずれかを２つのトランスミッションゲートで択一的に出力端子と接続する構成とした。 （もっと読む）

【課題】テストコストの低減及び不良解析の精度向上を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、被調整電源１３の出力である被調整電源出力電圧Ｖａを調整するトリミングコードＴＲＭＣ（＝ＴＲＭＣ１）を変化させながら発生し、被調整電源出力電圧Ｖａが入力電圧Ｖｉｎに対応する値となった場合、電圧供給回路２５の出力電圧Ｖｏｕｔの基準電圧Ｖｒｅｆと同じ電圧レベルに出力変更し、入力初段回路へ供給する。また、トリミングコードＴＲＭＣをトリミングコード記憶回路１６に記憶し、記憶したトリミングコードＴＲＭＣ（＝ＴＲＭＣ２）に基づき被調整電源出力電圧Ｖａを設定する。 （もっと読む）

【課題】複数の基準電圧を電圧選択回路で切り替えて出力する基準電圧発生回路において、基準電圧が入力されるアナログ回路の積分非直線性（ＩＮＬ）の精度を向上させる。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、抵抗値が調節可能であり、一端が第１電源Ｖ１に接続される第１可変抵抗回路ＲＴと、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が直列に接続され、一端が第１可変抵抗回路ＲＴに接続された直列抵抗回路と、抵抗値が調節可能であり、一端が上記直列抵抗回路に接続され、他端が第２電源ＧＮＤに接続される第２可変抵抗回路と、第１可変抵抗回路ＲＴと直列抵抗回路の間の端子Ｎ４の電圧、直列抵抗回路を構成する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の間の端子Ｎ２，Ｎ３の電圧、又は直列抵抗回路と第２可変抵抗回路ＲＢの間の端子Ｎ１の電圧のいずれかを選択して出力する電圧選択回路３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】一般的なデジタル回路において消費電力を削減させることを可能とする新たな手法を提案すること。
【解決手段】携帯型電話機１００のプロセッサーであるホストＣＰＵ１３０は、規定の入力テスト信号をデジタル回路部であるＧＰＳ受信部１１０に印加し、当該入力テスト信号に応答するＧＰＳ受信部１１０からの出力信号に基づいて、ＧＰＳ受信部１１０の動作を検査する。また、ＧＰＳ用可変電圧部１９０に電圧指示信号を出力することでＧＰＳ受信部１１０に供給する検査用電圧を変更する。そして、ＧＰＳ受信部１１０の検査と、検査用電圧の変更とを繰り返し実行して、ＧＰＳ受信部１１０への供給電圧を決定する。 （もっと読む）