発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる厚さ４０μｍ以上の透明厚膜半導体層９０とを有する。透明厚膜半導体層９０は、側面部９０Ｓが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層９０のドーパント濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以上２×１０^１８／ｃｍ^３以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
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本発明は、ナノワイヤ−材料複合体を生成するシステムおよび処理に関わる。ナノワイヤ（６０６）が少なくとも一つの表面の一部分（６０４）に取り付けられた基板が提供される。ナノワイヤ−材料複合体を生成するよう、当該部分上に材料が堆積される。処理は、独立したナノワイヤ−材料複合体を生成するよう基板からナノワイヤ−材料複合体を分離することを必要に応じて含む。独立したナノワイヤ−材料複合体は、必要に応じて、電子基板に更に処理される。様々な電子基板は本明細書記載の方法を用いて形成される。例えば、多色発光ダイオードは、それぞれの複合体層が異なる波長で光を発するナノワイヤ−材料複合体の多数の積層された層から形成され得る。
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