【課題】 外部に取り出せる光量を増加させることが可能な発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 各発光部６からの光は周囲に拡散し、モールド部８１を透過して外部に放射されるが、各発光部６からの光のうちの一部はモールド部８１の側面８３において反射される。この側面８３が、発光部６からの光の少なくとも一部を発光部６が臨む領域に導く反射面８２となるので、外部に取り出せなかった光、および厚み方向Ｚで各発光部６が臨む領域に照射されなかった光を、各発光部６が臨む領域に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的小型であるとともに、光検出精度が比較的高い受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光一体型素子アレイ１０は、受光素子３と発光素子２とが基板１の一方の主面に設けられ、基板１の一方の主面には、受光素子３と発光素子２との間に、受光素子３の配置領域と発光素子２の配置領域とを分ける溝９が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面を有効に利用すると共に、極性面及び非極性面の両特性を兼ね備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。表面１３ａのステップ２１における第１及び第２の面２１ａ、２１ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また異なる結晶面からなる。窒化ガリウム系半導体領域１５の表面１５ａは複数のステップ２５を有しており、各ステップ２５は主要な構成面して第１の面２５ａ及び第２の面２５ｂを有する。これらの面２５ａ、２５ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また互いに異なる結晶面からなる。ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 透光性半導体基板上の１層の窒化ガリウム系化合物半導体層内に発光波長の異なる発光層を複数層並べて形成することにより、色度、色調の経時的な変化、及び発光層同士での光の吸収を抑えることができる多波長発光型の発光素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、下面の表層の一部に構成原子の欠損部１２を有する透光性半導体基板１０と、その上面に形成された第１導電型（ｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層１３と、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１３上の欠損部１２に重なる部位に形成された第１の発光層１４ａと、欠損部１２に重ならない部位に形成された、第１の発光層１４ａと発光波長が異なる第２の発光層１４ｂと、第１及び第２の発光層１４ａ，１４ｂの上に形成された第２導電型（ｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層１５と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】 品質の安定を確保し、活性層の光出力を高める発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。前記活性層は、少なくとも一つの量子井戸層と、前記量子井戸層を挟持して設けられている少なくとも二つの障壁層と、少なくとも一つの応力調整層とを有しており、このうち前記応力調整層は前記量子井戸層と一つの障壁層との間に設けられるとともに、前記応力調整層のＩＩＩ族窒素化合物材料の成分が、前記量子井戸層から隣接する前記障壁層の方向に向かって徐々に変化して分布している。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に直列に接続されたＧａＮ系発光素子の第１のアレイとを有し、前記発光素子の第１のアレイは、第１の部分、第２の部分及び第３の部分を有する電流の経路を形成し、前記第１の部分は、前記基板の第１の辺から前記基板の第２の辺に延び、前記第２の部分は、前記基板の前記第２の辺に沿って延び、前記第３の部分は、前記基板の前記第２の辺から前記基板の前記第１の辺に延びることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された第１の電極及び第２の電極と、前記絶縁基板上に配置され、前記第１の電極と前記第２の電極の間に接続されているＧａＮ系発光素子のアレイとを有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間には、第１の極性の電圧及び第２の極性の電圧が印加され、前記アレイの全ての発光素子は、前記第１の極性の電圧に印加に対しては発光し、前記第２の極性の電圧の印加に対しては発光せず、前記第１の極性の電圧の印加により、前記アレイの全ての発光素子に略同一の電圧が印加されることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温ＡｌＮバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶品質が良好なものを再現良く得ることできる窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。このように、ＧａＮ層の途中にシリコン膜を形成する。さらに、ＡｌＮバッファ層は高温で結晶成長させる。また、Ｓｉ膜３１より後に形成されるｎ型ＧａＮ層４の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が一旦低下し、ｎ型ＧａＮ層４より後に形成される窒化物半導層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が上昇するように構成する。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を高めた、新規な構造を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、基板１０と、ＧａＮ系半導体からなる第１の層１１と、ＧａＮ系半導体からなり発光部を含む第２の層１２と、をこの順に含む積層構造を備えている。第１の層１１に形成されたボイドＳを有し、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した第１の層の端面１１ａが、ボイドＳ内に露出している。また、基板１０がボイドＳ内に露出している。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング時に下地絶縁層が外力を受けて剥離することのない構造の半導体装置、この半導体装置を用いたＬＥＤヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板５０の上部に形成された発光ダイオードを構成する半導体薄膜２０及び集積回路の配線層５１とを備えた半導体装置において、半導体基板上の下地絶縁層５４に半導体薄膜を固着し、下地絶縁層のダイシング位置側端部と、下地絶縁層から露出する基板上の露出部とを剥離防止パターン部７７により覆う。 （もっと読む）

【課題】散乱材及び／または蛍光体を含む樹脂層を備えた半導体発光装置において、半導体発光装置の端部における発光部と非発光部の輝度差が急峻である正面輝度分布を示す半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体発光装置１００は、発光部を有する半導体エピタキシャル層２と、半導体エピタキシャル層２を支持し、発光部からの光を透過しない素子基板１とを有する発光素子３と、半導体エピタキシャル層２の側面及び上面を覆うように素子基板１上に設けられた、発光部からの光を波長変換する蛍光体５を含む樹脂層４を備え、樹脂層４はその一断面において上方に向けて内側に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上３×１０⁶ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】 低コスト、高発光効率、及び上述した従来技術の欠点の全てを排除するための実施の容易さを確保できる、半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】 発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。第２の面は複数のリセス４３１を有し、コンフォーメーション活性層４４が第２の面上で複数のリセス４３１内に形成される。ｐ型電極４６がｐ型半導体層４５上に形成されて、ｎ型電極４７がｎ型半導体層４３上に形成される。したがって、ｎ型半導体層４３とコンフォーメーション活性層４４の間の応力はリセス４３１によって解放され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶およびエピ層付窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本窒化物結晶の製造方法は、気相成長法または液相成長法により成長させた窒化物結晶を機械加工した後化学機械的研磨することにより、機械加工により悪化した窒化物結晶の表面層の結晶性を化学機械的研磨により向上させる窒化物結晶の製造方法であって、化学機械的研磨において、ｐＨが６以下または８以上のスラリーを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光装置（例えばＣＯＢモジュール）において、温度変化に伴う蛍光体からの発光色度の変化を抑え、高輝度・高演色性で発光色度の温度によるばらつきが少ない白色発光を得る。
【解決手段】本発明の発光装置（ＣＯＢモジュール）１０は、装置基板１上に搭載された複数の青色ＬＥＤチップ２と、この青色ＬＥＤチップ２からの光で励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する１種類または２種類
以上の蛍光体を含み、かつ通常動作状態において蛍光体が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層を備えている。そして、この発光装置は平均演色評価数Ｒａが７０以上の白色光を発光する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長基板の反りやクラックの発生を抑制し、且つ製造リードタイムを短縮させることができるエピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板１０を用意する工程と、支持基板１０上に第１の窒化物系化合物半導体からなる複数のバッファ層成長核２０をドット状に配置する工程と、ガリウムを流し込み、支持基板１０のバッファ層成長核２０が配置されていない支持基板１０の上面に穴１２を形成する工程と、バッファ層成長核２０と同じ構成元素を含む第１の層２２ａで穴１２の上を覆う工程と、第１の層２２ａの上に第１の窒化物系化合物半導体と格子定数の異なる第２の窒化物系化合物半導体からなる第２の層２２ｂを形成する工程とを含むエピタキシャル成長基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粒子の発光効率の低下が少なく且つ気泡の残留や着色のない色変換部材を製造することができる色変換部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラスの基礎となるガラス粉末５１と蛍光体粒子の基礎となる蛍光体粉末５２とを混合した混合粉末５３を所望形状の成形体５４に成形する成形工程Ｓ３と、成形工程Ｓ３にて成形した成形体５４を焼成して焼結体５５を形成する焼成工程Ｓ４と、焼成工程Ｓ４にて形成された焼結体５５を熱間等方圧プレス処理するＨＩＰ工程Ｓ５と、ＨＩＰ工程Ｓ５の後で焼結体５５を加工して色変換部材５０を得る加工工程Ｓ６とを備える。焼成工程Ｓ４における焼成温度は、蛍光体粒子の発光効率の低下、蛍光体粒子とガラス粒子との反応、ガラスの着色などが起こらない温度に設定する。ＨＩＰ工程Ｓ５では、ガラスのガラス転移温度以上且つ上記焼成温度以下の温度で熱間等方圧プレス処理を行う。 （もっと読む）