【課題】高出力で所望の色彩を有する発光波長を放出可能な、耐候性に優れた発光装置を実現できる発光素子及びこれを備える発光装置を提供する。
【解決手段】発光層８を有する半導体構造１１と、半導体構造１１の一方の主面側に設けられた光取り出し面１８と、半導体構造１１の他方の主面側に備えられ、半導体構造１１に電気的に接続される電極３と、を有する発光素子であって、半導体構造１１と電極３との間に反射構造４が形成されており、反射構造４は、発光層８からの光の波長に対応する中心波長を反射する第１反射層４ａと、中心波長とは異なる波長を中心波長とする第２反射層４ｂとから構成され、第１反射層４ａと第２反射層４ｂの少なくとも一方の中心波長が、可視光域である。 （もっと読む）

【課題】静電気放電耐圧を向上させたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型ドーパントがドーピングされた第１窒化物半導体層３０ａと、前記第１窒化物半導体層よりも低いドーピング濃度を有するとともに、１０ｎｍを超える厚さを有する第２窒化物半導体層３０ｂとが交互に複数回積層された構造を含むｎ型窒化物半導体層３０と、ｐ型窒化物半導体層５００と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ形窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４００と、前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｎ側電極８００と、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｐ側電極７００とを含む。 （もっと読む）

発光ダイオードのための多重量子井戸（ＭＱＷ）構造と、発光ダイオードのためのＭＱＷ構造を作製する方法とを提供する。ＭＱＷ構造は複数の量子井戸構造を含み、個々の量子井戸構造が、バリア層と、バリア層上に形成され量子ドットナノ構造を組み込んだ井戸層とを含み、これらのバリア層及び井戸層が第１の金属窒化物ベースの材料を含み、量子井戸構造の少なくとも１つが、井戸層上に形成されたキャッピング層をさらに含み、このキャッピング層が、第１の金属窒化物ベースの材料と比較して異なる金属元素を有する第２の金属窒化物ベースの材料を含む。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型窒化物構造物を製作する方法は、成長Ｓｉ基板を製作することと、次いで、第一の所定の値に設定された流量においてシランガス（ＳｉＨ_４）を前駆物質として用いて、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型層をＳｉ基板の上に堆積させる（２１０）こととを包含する。その後、ＳｉＨ_４流量は、ｎ型層の製作の間に第二の所定の流量まで低減される（２２０）。この方法はまた、ｎ型層の上に多重量子井戸活性領域を形成することも含む。加えて、流量は、所定の期間にわたって低減され、第二の所定の値は、ｎ型層と該活性領域との界面から十分に短い所定の距離において達せられる（２３０）。
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【課題】自己補償効果を緩和し、ｐ型化を行いやすくしたＺｎＯ系半導体及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
窒素がドープされたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）結晶体で構成されたＺｎＯ系半導体を、絶対温度１２ケルビンにおけるフォトルミネッセンス測定を行って、スペクトル分布曲線を形成し、３．３ｅＶ以上の前記分布曲線の積分強度Ａ、２．７ｅＶ以上の前記分布曲線の積分強度Ｂとした場合、（Ａ／Ｂ）≧０．３ を満たすようにＺｎＯ系半導体が形成されているので、自己補償効果が低減されてｐ型化しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層とを備える。 （もっと読む）

【課題】貫通転移などの欠陥が少ない柱状構造体を用いて、放熱特性を改善できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１００は、基板１と、基板１側から第１導電型の半導体領域１１、半導体発光領域１２、第２導電型の半導体領域１３をこの順に含み、基板１の主面上に立設している複数の柱状構造体２０と、少なくとも半導体発光領域１２の側面１２Ｓを覆い、酸化シリコンよりも大きな熱伝導率を有している被覆材料からなる被覆膜５と、複数の柱状構造体２０の第１導電型の半導体領域１１と電気的に接続された第１電極４と、複数の柱状構造体２０の第２導電型の半導体領域１３と電気的に接続された第２電極３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】第１の面にＬＥＤ積層薄膜が固着され、第２の面に蛍光体を形成した透光性を備える第１の基板と、第１の面に反射層を形成した透光性を備える第２の基板とを対向して配置することによって、極めて薄く、発光光量を大きくすることができるようにする。
【解決手段】透光性の第１の基板と、第１の基板の第１の面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、第１の基板の第１の面と対向する第２の面に形成された蛍光体と、透光性の第２の基板と、第２の基板の第１の面に形成された反射層とを有し、第２の基板の第１の面と対向する第２の面と、第１の基板の第１の面とを対向配置する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａと、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された金属化合物層１１０ｂとがこの順で互いに積層され、最上層αが３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａまたは金属化合物層１１０ｂのいずれかで構成された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）

【課題】極めて十分に再現可能な素子特性を以て技術的に簡単な量産を保証する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体基体１は半導体多層構造７を有し、該半導体多層構造は半導体発光素子の作動中、少なくとも青色のスペクトル領域から成るビームを含む、第１の波長領域の電磁ビームを放射し、ルミネセンス変換エレメント６は、第１の波長領域に由来するビームを該第１の波長領域とは異なる第２の波長領域のビームに変換して放射し、半導体発光素子は第１の波長領域の可視のビームと第２の波長領域の可視のビームとからなる混色の白色光を放射し、該混色の白色光のスペクトルは青色のスペクトル領域において相対的な強度最大値と有し、且つ黄色光の波長において相対的な強度最大値を有し、少なくとも７００ｎｍの波長まで延びている。 （もっと読む）

【課題】 高効率な紫外線発生源として用いられ得るとともに、導電性基板を採用することにより、プロセスコストも顕著に低減可能である発光素子およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶基板上に、窒化ガリウム柱状結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。酸化ガリウム単結晶基板上に、温度６５０〜７５０℃、ガス流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間１〜３０分の条件でアンモニアをフローさせ、前記酸化ガリウム単結晶基板表面を窒化させる窒化工程と、前記窒化工程後、８００〜１０００℃の表面温度の前記酸化ガリウム単結晶基板上で金属ガリウムとアンモニアとを反応させ、前記酸化ガリウム単結晶基板上に窒化ガリウム柱状結晶を成長させる工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服した単結晶窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】下地基板２１の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセット２６よりなる直線状のＶ溝（谷）２４を形成しこれを維持しながらＧａＮ２２をファセット成長させファセット面２６よりなるＶ溝（谷）底部に欠陥集合領域Ｈ２５を形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ＺとＣ面成長領域を低転位化する。欠陥集合領域Ｈ２５は閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。 （もっと読む）

【課題】 同一面側に電極が形成された発光素子をパッケージ凹部のリード電
極に対し、安定性良くフリップチップ実装することが可能な発光装置を提供する
。
【解決手段】 凹部を有し、その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出す
るようインサート成形されてなるパッケージと、リード電極上にフェイスダウン
実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって、リード電極と発光素子と
の間に、発光素子を実装可能なサブマウントを有し、サブマウントは少なくとも
表面に導電性部材を有し、導電性部材は、発光素子およびリード電極と導電性接
合部材によって電気的に接続されてなることを特徴とする発光装置。
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【課題】発光層の材料としてＡｌＧａＩｎＮ系の材料、特に、ＡｌＧａＮ系の材料を用いつつ、深紫外光の発光強度を高めるための要素技術を提供する。
【解決手段】まず、サファイア面上にＡｌＮ層を成長する。このＡｌＮ層はＮＨ_３リッチな条件下で成長を行う。ＴＭＡｌのパルス供給のシーケンスは、ＡｌＧａＮ層の成長を１０秒間行った後に、ＮＨ_３を除くために５秒の成長中断を行い、その後にＴＭＡｌを１ｓｃｃｍ、５秒間導入した。その後は、再び５秒の成長中断を行った。以上のシーケンスを１周期として合計で５周期分だけ成長を行った。このように成長を行うことにより、Ａｌがリッチの極性を持たせることができる。尚、上記シーケンスは例示であり、種々の変形が可能であるが、基本的に、成長中断と、Ａｌソースの供給とを繰り返す工程により、Ａｌ極性を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗を減らすと共に発光層でのキャリア密度を上げ、内部量子効果を向上させることを可能とする。
【解決手段】基板１１上にｎ型層１４、発光層１５、ｐ型層１６の順番で積層された複数のナノコラム１３を有する半導体発光素子である。ナノコラム１３は、ｎ型層１４は基板１１から離れるにつれて径が細くされ、発光層１５における部分の径が最小であり、ｐ型層１６は基板１１から離れるにつれて径が太くされている。 （もっと読む）

【課題】矩形のチップとして分割され、且つ歩留まりの低下を抑制できる六方晶構造の半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子から発せられた偏向光の乱れを防止することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、直線偏光成分が均等ではなく偏りをもった偏向光２０を発する発光素子２と、この発光素子が実装された実装ベース３とを備える。この発光素子は非極性面又は半極性面を主面とする窒化物半導体により構成される。また実装ベースはリフレクタ３０Ｒを兼ねた断面凹型形状の実装面３０を備え、この実装面及びリフレクタの表面は鏡面となるようにメタルコーティング面３５とする。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、演色性に優れた低コストの窒化物半導体発光ダイオードであって、放射角による色合変化の少ない窒化物半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオードにおいて、Ａｌ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 （もっと読む）

半導体発光装置は、ｎ型領域７１とｐ型領域７３との間に配された発光層７２を含むウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物半導体構造を含んでいる。テンプレート層１８及び転位曲げ層２０は、発光層７２の前に成長される。テンプレート層１８は、前記テンプレート層内の前記転位の少なくとも７０％がエッジ転位２９、３０、３１、３２であるように、成長される。前記テンプレート層内のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部は、前記転位曲げ層内まで続いている。転位曲げ層２０は、テンプレート層１８とは異なる大きさの歪みを有するように成長される。テンプレート層１８と転位曲げ層２０との間の界面における歪みの変化は、前記テンプレート層のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部を、前記転位曲げ層内の異なる方位に曲げさせる。曲げエッジ転位３３よりも上方に成長される半導体材料は、減少された歪みを呈し得る。
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【課題】長時間使用しても発光効率および出力の低下が少なく、安定して使用可能な発光装置を提供する。
【解決手段】導電性ペースト２８によって導電部材に接続固定された発光素子１０と、この発光素子を封止するシリコーン樹脂などの第１の樹脂２０とを有する発光装置であって、前記発光素子の側面１２を凸部１４および凹部１６からなる粗面とし、その凹部１６を、前記第１の樹脂と異なるエポキシ樹脂などの第２の樹脂２２によって被覆する。 （もっと読む）