【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない。さらに、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体層の上面に形成された透光性電極層の接触抵抗が十分に低く、駆動電圧（Ｖｆ）の低い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とが順次形成されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６の上面１０６ａに形成された透光性電極層１０９とを具備する半導体発光素子１であって、透光性電極層１０９が、ドーパント元素を含み、透光性電極層１０９中のドーパント元素の含有量が、ｐ型半導体層１０６と透光性電極層１０９との界面１０９ａに近づくに従って徐々に減少しており、透光性電極層１０９に、界面１０９ａから透光性電極層１０９内に向かってｐ型半導体層１０６を構成する元素が拡散してなる拡散領域が形成されている半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高い面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】結晶成長工程Ｐ１において、ＧａＡｓから成るコンタクト層２６とＡｌＧａＡｓから成るウインドウ層２２との間に、それらの層の間の中間的な割合のＡｌを含むＡｌＧａＡｓから成る中間層２４を介在させられている。気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。また、気相エッチング工程Ｐ４では、赤色の波長帯の光を吸収するコンタクト層２６が十分に除去されるので、この点においても、高い光取り出し効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】緑色発光を呈するＬＥＤ構造の内部量子効率を低下させることなく、光取り出し効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成された単結晶の下地層１０３上にＬＥＤ構造２０が形成されてなり、基板１０１は、（０００１）Ｃ面からなる平面１１と複数の凸部１２とからなる主面１０を有するものであるとともに、凸部１２の基部幅が０．０５〜１．５μｍとされており、下地層１０３は、基板１０１の主面１０上に、平面１１及び凸部１２を覆うようにＩＩＩ族窒化物半導体がエピタキシャル成長することによって形成されたものであり、ＬＥＤ構造２０における発光波長が４９０〜５７０ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
（もっと読む）

【課題】発光素子および発光装置の製造方法、前記方法を用いて製造した発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】前記発光素子は、少なくとも一つの第１基板それぞれに、第１導電型の第１導電層、発光層、第２導電型の第２導電層を順次に形成し、第２導電層上にオーム層を形成し、第２基板上に少なくとも一つの第１基板をボンディングし、第２基板は第１基板より大きく、オーム層、第２導電層、発光層を順次に一部エッチングし、前記第１導電層の一部を露出させることを含む。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
（もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性が改善されることにより、光取り出し効率が改善された窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上１０１に少なくともｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３、およびｐ型窒化物半導体層１０４をこの順で成長させる窒化物半導体発光素子の製造方法において、ｐ側電極１０５を成長させる前のｐ型窒化物半導体層表面または該ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる工程を備える窒化物半導体発光素子の製造方法である。サーファクタント物質の表面エネルギーは、ｐ型窒化物半導体層および／またはｐ型電極の表面エネルギーよりも小さいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 格子の差異により生じる膜層品質不良の問題を解決でき、また発光ダイオードにおいてサファイア基板とその上に成長されるIII族窒化物間の格子不整合により発生する応力に起因する亀裂の問題の解決に利用できる、半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、基板を提供し、前記基板表面にフォトリソグラフィエッチングまたはレーザーエッチングの方式で複数本の溝部を形成し、この複数本の溝部が前記基板表面を複数個のメサ構造（ｍｅｓａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に分割し、かつ前記基板をパターン化基板とする、及び半導体素子（例：光電素子または発光ダイオード）を前記パターン化基板表面に成長させる、という手順を含み、前記半導体素子は少なくとも１層の膜層を備え、前記パターン化基板と接触する第一膜層が複数本の溝部により複数個の相互に連続しない区域に分割される。 （もっと読む）

テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、およびＬｉＧａＯ_２から成る群より選択される材料を含み得る。
（もっと読む）

【課題】高スループットの垂直型発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発光装置は、光を放出する第１表面、第２表面、第２表面に対し一定の角に傾斜した少なくとも一つの側面、第１表面および第２表面を有する活性層、発光構造体の第１表面を提供し、活性層の第１表面上にある第１クラッド層および発光構造体の第２表面を提供し、活性層の第２表面上にある第２クラッド層を含む発光構造体と発光構造体の少なくとも一つの側面および第２表面の少なくとも一定の領域上にあって、第２クラッド層の少なくとも一部を露出させるリセスを含む絶縁層とリセス内および少なくとも絶縁層の半分以上の領域にあって、発光構造体と連結された第１電極および発光構造体と連結された第２電極および第１電極の表面の少なくとも一定領域に取り付けられた導電性基板を含む。 （もっと読む）

【課題】基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。
【解決手段】当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い光出力パワー用に適した光電子半導体素子を実現することである。
【解決手段】光電子半導体素子１は、ガリウムまたはアルミニウム物質のうち少なくとも１つを含む半導体結晶材料から構成され、表面に少なくとも１つの光学表面３が形成された、少なくとも１つの光学活性領域２と、光学活性領域２の、光学表面３に面する部分に形成された、硫黄またはセレンを含む、単分子層の１０層分までの層からなる、少なくとも１つの境界層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させるとともに出力を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、積層半導体層と、透明電極層１７と、ｐ型電極パッド１８と、ｎ型電極パッド１９とを具備してなり、平面視形状が四辺形であり、透明電極層１７がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれか一種以上を含む透明導電性酸化物から構成され、ｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の端間距離ｍが０．３Ｌ≦ｍ≦０．９Ｌ（Ｌはｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の重心Ｏ_１、Ｏ_２同士を結ぶ直線ｎ上における透明電極層１７の長さからｐ型電極パッド１８の外径ｄを引いた長さ）を満たすとともに、長辺の長さをＸとし、短辺の長さをＹとしたときに、１．０≦Ｘ／Ｙ＜１．２５を満たすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】例えばＺｎＯ系半導体発光素子の良好な分割に適したＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、ウルツァイト構造を持ち、上面が＋Ｃ面で下面が−Ｃ面であるＺｎＯ系半導体部材の−Ｃ面にスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、＋Ｃ面の、スクライブ溝の上方の位置に劈開用部材を押し当てて、ＺｎＯ系半導体部材を割るブレーキング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光出力を高くしつつＦＦＰの形状を狭く制御した発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。
λＰＬ＜λcnt（単位：ｎｍ）≦λＰＬ＋１０ （もっと読む）

【課題】 外部に取り出せる光量を増加させることが可能な発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 各発光部６からの光は周囲に拡散し、モールド部８１を透過して外部に放射されるが、各発光部６からの光のうちの一部はモールド部８１の側面８３において反射される。この側面８３が、発光部６からの光の少なくとも一部を発光部６が臨む領域に導く反射面８２となるので、外部に取り出せなかった光、および厚み方向Ｚで各発光部６が臨む領域に照射されなかった光を、各発光部６が臨む領域に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの低価で且つ用意し易い基板上に高品質のｐｎ接合を形成することができ、ｐｎ接合を大面積化することができるマイクロヒーターアレイ及びｐｎ接合の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による一実施の形態によるマイクロヒーターアレイは、基板上に互いに交差して設けられる、または互いに並設される第１及び第２マイクロヒーターを含む。また、一実施の形態によるｐｎ接合の形成方法は、上記マイクロヒーターアレイに電圧を印加し第１及び第２加熱部からの発熱を利用して第１及び第２加熱部の間にｐｎ接合を形成する。このようにマイクロヒーターを利用してｐｎ接合を形成する場合、ガラス基板上の大面積にわたって高品質のｐｎ接合を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性および平坦性に優れた半導体層を備えた光半導体素子を提供することにある
【解決手段】遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。この上に半導体層４，５を形成することにより、高い結晶性と平坦性とを兼ね備えた半導体層４，５を成長させることができる。よって、発光素子として用いた場合には発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）