【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶ＳｉＣからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域２４を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するＳｉＣ部２と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の発光ダイオードの緑黄色光周波の好ましくない効率と、発光ダイオードの発光効率低下の問題を克服する。
【解決手段】複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッドと、それにオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイを有する第一電極と、各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、複数個のｐ型窒化ガリウムナノロッドを有し、各ｐ型窒化ガリウムナノロッドは一個のｎ型窒化ガリウムナノロッドに対応され、対応される各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に設置されるｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイと、前記ｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極を主に含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａに隣接した第３層１１４と、第２面１０６ａに隣接した第４層１１６と、第３層１１４と第４層１１６とに挟まれた第５層と、を有し、半導体部材１１８は、微細壁状部材１１２，１１３に挟まれており、第１層１０４および第２層１０６の材質は、ＧａＮであり、第３層１１４、第４層１１６、第５層、および半導体部材１１８の材質は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）であり、第５層のｘの値は、第３層１１４のｘの値、第４層１１６のｘの値、および半導体部材１１８のｘの値より大きく、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板としてグラファイトを使用すると、ＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、発光ダイオード素子を形成することが出来なかった。
【解決手段】アモルファスカーボン層１０２を設けたグラファイト基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ層１０３のｃ軸配向膜を成長させる。次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。次に第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に、マスク層１０６の開口部から第二のｎ型ＧａＮ層１０７、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮとＧａＮからなる多層量子井戸層１０８、ｐ型ＧａＮ層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスの発光の波長領域内における波長の光に関して低い吸収係数を有し、かつ、所定値以下の比抵抗を有し、その発光デバイスに好適なＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０は、波長が３８０ｎｍの光および波長が１５００ｎｍの光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1以上であり、少なくとも波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1未満であり、比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下である。ここで、波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数を７ｃｍ^-1未満とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１１では、窒化ガリウム系クラッド層１３は、１×１０^７ｃｍ^−２以下の貫通転位密度を有する。活性領域１７は、複数の井戸層１９および障壁層２１を含む量子井戸構造１７ａを有しており、また量子井戸構造１７ａは４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層１９の各々は、アンドープＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ＜０．１４、Ｘは歪み組成）領域を含む。障壁層２１は、アンドープＩｎ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０≦Ｙ≦０．０５、Ｙは歪み組成、Ｙ＜Ｘ）領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Ｘは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】量子効率および電力効率が共に高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置９０は、半導体層７０と、炭化珪素基板８０と、電極６１、６２とを有する縦型発光ダイオードであり、電極間に電圧が印加されることで半導体層から光を放出する装置である。半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。炭化珪素基板は、半導体層に面する第１の層１１と、第１の層に積層された第２の層３０とを有する。第１の層の転位密度に比して第２の層の転位密度は高い。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱する効率を向上させたスパッタリング装置およびそのスパッタリング装置による半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、内部が減圧状態に維持されてプラズマ放電２０が形成されるチャンバ１０と、チャンバ１０内に設置され、ターゲット２１を保持するカソード２２と、基板１１０を保持し基板１１０の一表面がターゲット２１の表面に対向するように基板１１０を保持する基板ホルダ６０とを備えている。基板１１０はスパッタリング装置１の上方に基板１１０の表面を下方に向けて配置されている。ターゲット２１はスパッタリング装置１の下方にターゲット２１の表面を上方に向けて配置されている。スパッタリング装置１は、基板１１０を加熱するためのヒータ６５を備えている。基板１１０は、ヒータ６５から放射される電磁波を吸収することで温度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、第１半導体層２ａと、第２半導体層２ｃと、第１半導体層２ａと第２半導体層２ｂとの間に発光層２ｂと、を有する光半導体層２であって、第１半導体層２ａ内に、光半導体層２の厚み方向に転位９が延在する光半導体層２と第１半導体層２ａと第２半導体層２ｃとの間に部分的に設けられ、平面透視して転位９と重なる領域に存在する絶縁層部７と、光半導体層２に電圧を印加し、平面透視して絶縁層部７と重ならない領域に位置する発光層２ｂを発光させる一対の電極３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板上の設けられた井戸層を含む活性層の発光波長の分布を縮小可能な構造の半導体素子を提供するための窒化ガリウム系エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系エピタキシャルウエハでは、軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のオフ角は、それぞれ、θ１＝０．２度、θ２＝０．４度、θ３＝０．６度である。また、点Ｐ１近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成は、点Ｐ３近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成よりも大きい。図１２を参照しながら説明された井戸層の厚さの平均値を軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３で求めると、井戸層の平均厚さＤ_Ｗ１、Ｄ_Ｗ２、Ｄ_Ｗ３の値は、軸Ａｘ上で単調に増加している。また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶層の表面に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが可能なエピタキシャルウエハ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。このＬＥＤウエハ１０Ａの表面１４Ａに、均一な膜厚のレジスト膜４２を形成する。 （もっと読む）