【課題】ホウ素ドープダイヤモンド層（ｐ形ダイヤモンド層）に存在する正孔の流出を抑制して、ホウ素ドープダイヤモンド層での発光効率を向上させ、高輝度の紫外線や可視光線を発する発光素子を提供する。
【解決手段】ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光を安定して発光できる比較的簡易な構成の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、複合基板３と複合基板３上に設けられており発光層９を有する窒化ガリウム系半導体層５とを備える。複合基板３は基体１９と窒化ガリウム層とを有し、窒化ガリウム系半導体層５は窒化ガリウム層の主面に設けられており、窒化ガリウム層のｃ軸方向と窒化ガリウム層の主面Ｓ１の法線Ｎ１の方向とのなす角度θは５０度以上１３０度以下の範囲内にあり、発光層９は絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の光を発し、基体１９は発光層９から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む。この構成によって発光層９から発せられる青色光と、発光層９から発せられる青色光が基体１９に入射することによって発光される黄色光とが合成された白色光を発光できる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第１半導体と、ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第１半導体と前記第３半導体との間に前記第２半導体が位置しており、前記第１半導体が第１原子を第１濃度で含有し、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、前記第１原子が第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第１濃度が、前記第１半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度未満の濃度である半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の製造において、発光層中のＩｎ偏析に起因する非発光領域の発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、発光層の形成は、ＩＩＩ族原料ガスと、第１のアンモニアガスと、第１のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮ井戸層を形成する第１の結晶成長工程と、第２のアンモニアガスと、第２のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、第３のアンモニアガスと、第３のキャリアガスとを供給することにより結晶成長を中断する第２の成長中断工程と、ＩＩＩ族原料ガスと、第４のアンモニアガスと、第４のキャリアガスとを供給することによりＩｎＧａＮを含む障壁層を形成する第２の結晶成長工程とをこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置の量子効率を改善する。
【解決手段】本発明では、ウェル層を成長させる際に、少なくとも１つのウェル層のインジウム含量を増大させる。また、本発明の光半導体装置は、窒化物半導体材料をベースとした第１の組成のウェル層は第１の電子エネルギを有しており、窒化物半導体材料の第２の組成のバリア層は第１の電子エネルギよりも高い第２の電子エネルギを有しており、バリア層の上にビーム活性の量子井戸層が成長されており、発光しないウェル層とバリア層とがビーム活性の量子井戸層に対して超格子を形成しており、ビーム活性の量子井戸層の層厚さは超格子のウェル層の層厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 例えばレーザ発光を極めて効果的に抑制し、インコヒーレントな発光を得ることが可能な半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、
第一の半導体結晶層１１と、第二の半導体結晶層１６とを含み、
前記第二の半導体結晶層１６は、前記第一の半導体結晶層１１の片面側の一部を覆うように形成されており、
前記第一の半導体結晶層１１は、前記第二の半導体結晶層１６で覆われている部分１１Ａが、前記第二の半導体結晶層１６で覆われていない部分１１Ｂよりも結晶欠陥の面密度が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた窒化物系半導体発光素子であって、井戸層とバリア層のバンドギャップの差が大きくても、発光効率の低下と駆動電圧の上昇を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子ＬＥ１、ＬＤ１は、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して４０度以上５０度以下及び９０度より大きく１３０度以下の範囲の角度αをなす主面１１ａを有する窒化ガリウム基板１１と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、第２の窒化ガリウム系半導体領域１７と、複数のＩｎＧａＮからなる井戸層２１及び複数のＧａＮ系半導体からなるバリア層２３を含む発光層１５とを備え、複数の井戸層２１のピエゾ分極の方向は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３から第２の窒化ガリウム系半導体領域１７へ向かう方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層２６と、ｎ型領域及びｐ型領域のうち一方の中に配置された複数の層対とを有する半導体構造体を含む。各層対は、ＩｎＧａＮ層２０ａ，２０ｂ，２０ｃとＩｎＧａＮ層と直接接触するピット充填層２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを含む。ピット充填層は、ＩｎＧａＮ層に形成されたピットを埋め得る。
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【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０は、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた凹部２（掘り込み領域３）と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含んでいる。また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。
【解決手段】n型Si基板10にエピタキシャル成長層40とp側電極26を形成する第1工程と、p側電極に支持基板30を接合する第2工程と、n型Si基板及びバッファ層40-1をエッチング除去する第3工程と、n型GaN層16の発光領域が形成される側の面16aの出力光を取り出す領域を除く領域にn側電極42を形成する第4工程と、を含んで構成されるLEDの製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性、もしくは半極性、窒化物半導体基板３１にＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ井戸層を有する、窒化物半導体発光素子３０を製造する手法において、発光層３５より下部に形成される、ｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１1００℃以下の成長温度で形成し、かつ、発光層３５より上部に形成される、Ａｌを有するｐ型窒化物半導体からなる層が、６００℃以上９００℃未満の成長温度にて形成されることで、非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する。また、平坦性の改善により、素子の歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】基板が反ることなく、窒化物半導体発光素子を安定してより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、厚みが０．８ｃｍ以上２０ｃｍ以下である基板上に、バッファ層およびｎ型層をこの順に形成する工程（Ａ）と、ｎ型層上に活性層およびｐ型層をこの順に形成する工程（Ｂ）と、ｐ型層上に電流拡散層を形成する工程（Ｃ）と、電流拡散層上に、パット電極を形成する工程（Ｄ）と、基板の厚み方向の上下を固定した上で、基板をその面に平行な面で切断する工程（Ｅ）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

パターンが形成された基板の製造方法が開示される。本発明によるパターンが形成された基板の製造方法は、基板上の酸化物ビードパターンを形成しようとする位置に、選択的な結合力を持つ第１結合剤パターンを形成し、基板との結合力より第１結合剤との結合力がさらに大きい第２結合剤を酸化物ビードにコーティングする。そして、第２結合剤がコーティングされた酸化物ビードを基板上に塗布して、第２結合剤がコーティングされた酸化物ビードを第１結合剤パターン上に形成し、基板を熱処理する。本発明によれば、低コストの酸化物ビードを所望の形態で基板上にパターニングできるようになって、ドライエッチング時に基板に加えられる損傷を防止でき、エッチング過程がなくて素子収率の低下問題もなく、結果的に素子の量産性が向上する。またドライエッチングのための高コストの装備投資が不要で経済的に有利なだけでなく、短時間内に多くの基板を製作できる高い生産性を持つ。
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【課題】６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ｐｎ接合型の発光部７と、発光部７に積層された歪調整層８とを少なくとも含む化合物半導体層２を備え、発光部７は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層８は、発光波長に対して透明であると共に歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−ｃ面側の主面である第１基板主面に対して結晶ｃ面がａ軸の回りに所定角度傾いたｃ面オフ基板を用意する。ｃ面オフ基板の＋ｃ面側の主面である第２基板主面上に半導体層を形成する。第１基板主面を、ａ軸と直交するｍ軸に沿った第１スクライブラインの各々に沿ってスクライブする。このとき、結晶ｃ面の第１基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブする。第１基板主面を、ａ軸に沿った第２スクライブラインの各々に沿ってスクライブする。 （もっと読む）