【課題】レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法は、III族窒化物半導体基板１００の第１領域Ａ上にレーザを照射して、窒素極性の第１領域ＡをIII族元素極性に変換する段階と、レーザが照射されてIII族元素極性に変換された第１領域Ａをマスクとして利用して第２領域Ｂをウェットエッチングする段階とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】活性層における自然発生電界が低減され、高輝度化が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に設けられたｐ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層７との間に設けられており、窒化物からなる活性層５とを備え、ｎ型クラッド層３と活性層５との界面に直交する軸と活性層５におけるｃ軸とのなす角度、及び活性層５とｐ型クラッド層７との界面に直交する軸と活性層５におけるｃ軸とのなす角度が、それぞれゼロより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に波長変換部材を塗布することによって所望の発光色を得る半導体発光素子において、波長変換部材の膜厚の不均一性に起因して生じる色ムラを防止することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
発光層を含む半導体層と、半導体層を支持する支持基板と、半導体層の表面に形成された蛍光体含有層と、を含む半導体発光装において、半導体層の発光面は少なくとも１つのコーナ部を有し、蛍光体含有層は、半導体層の中央部から外縁部に向けてその膜厚が薄くなっている。少なくとも１つのコーナ部には、光を放射しない非放射部が設けられている。非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層から放射される光を遮断する遮光部によって構成することができる。また、非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層が除去された非発光部によって構成することができる。また、非放射部は、少なくとも１つのコーナ部において発光層に注入される電流を遮断する電流狭窄部によって構成することができる （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】電流を基板面方向に均一に拡散させること。駆動電圧を低減すること。
【解決手段】発光素子１は、ｎ−ＧａＮ基板１０と、ｎ−ＧａＮ基板１０表面上に積層されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層１１と、半導体層１１表面１１ａの全面にわたって形成されたｐ電極１２と、ｎ−ＧａＮ基板１０裏面１０ａに形成されたｎ電極１３と、で構成されている。ｐ電極１２とｎ電極１３の発光素子１長辺方向の抵抗は、ともに１Ω以下である。そのため、基板面方向における電流密度分布の偏りが減少し、素子の信頼性が向上する。また、駆動電圧を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】歪みを内包する六方晶系III族窒化物からなる発光層を含みこの発光層からの電子の溢れを低減できる窒化物系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体光素子ＬＥ１では、歪みを内包した井戸層２１は、ｃ軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面ＳＲ１に沿って延びる。傾斜角αは５９度より大きく８０度未満の範囲及び１５０度より大きく１８０度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層ＳＰ−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Ｐが示されている。井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 （もっと読む）

【課題】高効率の近紫外発光の半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮの少なくともいずれかからなる第１の層と、Ｍｇを含有するｐ型ＡｌＧａＮからなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられ、Ｓｉを含有するＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮからなる複数の障壁層と、前記複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、ＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、を有する発光部であって、前記障壁層のうち、前記第２の層に最も近い障壁層が、Ｓｉを含有する第１の部分と、第１の部分と第２の層との間に設けられ、第１の部分におけるＳｉ濃度よりも低く、第２の層に最も近い障壁層以外の障壁層におけるＳｉ濃度よりも低い濃度でＳｉを含有する第２の部分と、を有する発光部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】設ける絶縁層に求められる特性と、所定の半導体薄膜の接合特性とを独立に最適化し、優れた信頼性と素子特性を備えた半導体装置、及びこれを用いた光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１を有し、この基板１の上に設けたＤＬＣ膜２上に、分極性が高い有機薄膜３を形成して半導体薄膜１０を接合するようにしている。そのため、半導体薄膜面の相互作用が強く働き、接合強度が高い接合が得られる。更に、有機薄膜３の膜厚を下地のＤＬＣ膜２の膜厚よりも薄くしている。そのため、半導体薄膜１０からＤＬＣ膜２への熱の伝導性が向上し、ＤＬＣ膜２を形成するための基板１として高熱伝導の材料を使った場合には、基板１を介して効率よく熱を放散することができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１及び第２半導体層の間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面上に設けられ前記第１半導体層に接続された第１電極と、前記積層構造体の前記第１主面上に設けられ前記第２半導体層に接続された第２電極と、を備え、前記第２電極は、前記第２半導体層の上に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第１膜と、前記第２半導体層の上において前記第１膜の周縁に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に高い第２膜と、を有し、前記第２膜の外側の縁端から前記第１膜までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において小さいことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低速信号を送信する可視光ＬＥＤと高速信号を送信するＶＣＳＥＬを集積した２波長発光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光デバイスは、面発光レーザと、前記面発光レーザと一体化された発光ダイオードとを備え、前記面発光レーザから出射される光と、前記発光ダイオードから出射される光とが互いに異なる波長を有するものである。これにより、前記面発光レーザからの信号と、前記発光ダイオードからの信号のクロストークを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される複数個の柱と、前記基板上に前記柱の間に配置される金属層と、前記柱の上及び間に配置される半導体層と、を含む。半導体素子は、金属層によって、電気的及び光学的特性を向上することができる。 （もっと読む）

本発明に係るデバイスは、基板の第１の領域から突出する第１グループのナノワイヤと、基板の第２の領域にあるコンタクト手段とを有するナノ構造のＬＥＤを具備する。第１グループのナノワイヤの各ナノワイヤはｐｉｎ接合を具備し且つ各ナノワイヤ又は少なくとも１つの選択されたナノワイヤの上端部は、光反射コンタクト層で被覆される。第２の領域のコンタクト手段は、ナノワイヤの底部と電気的にコンタクトし、光反射コンタクト層は、ｐｉｎ接合を介して第２の領域のコンタクト手段と電気的にコンタクトしている。従って、第２の領域のコンタクト手段と光反射コンタクト層との間に電圧が印加された場合、ナノワイヤの中で光が発生される。平均直列抵抗を減少するように光反射コンタクト層全体にわたり電圧を均等化するために、フリップチップボンディングのための第１のコンタクトパッド群が配設され、分散され且つ互いに離間して光反射コンタクト層の上面に配置されてもよい。
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【課題】Ｉｎを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む量子井戸構造において、結晶構造の分解を抑えてＩｎ組成に応じた発光特性を実現する。
【解決手段】サファイア基板１５の温度を第１の温度に保ちつつＩｎＧａＮ井戸層５ａを成長させる井戸層成長工程と、基板１５の温度を第１の温度から次第に昇温させながら、ＧａＮ中間層５ｃを井戸層５ａ上に成長させる中間層成長工程と、基板１５の温度を第１の温度より高い第２の温度に保ちつつＧａＮ障壁層５ｂを中間層５ｃ上に成長させる障壁層成長工程とを含み、中間層成長工程の際に、中間層５ｃを１［ｎｍ］より厚く３［ｎｍ］より薄い厚さに成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

【課題】安価なシリコン基板を用い、貫通転位密度の低減による内部量子効率の向上と、活性層の発光の有効活用による外部量子効率の向上と、を両立できるようにすることを目的とする。
【解決手段】表面に凹凸が設けられ、ＳｉＣが積層された発光素子用半導体基板において、半導体は単結晶シリコンであり、凸部は中空７となっており、凸部の表面にＳｉＣ層１１が形成されることを特徴とする。中空７と半導体基板の界面に酸化物の層があることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有するＧａＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）、又はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）等の化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板は、一の同位体と、他の同位体とを含む元素を有し、一の同位体又は他の同位体は、天然存在比より高い混入比で元素中に存在する化合物半導体基板。化合物半導体として、例えば窒化ガリウムを製造方法する場合は、一の同位体として質量数６９のＧａと、他の同位体として質量数７１のＧａを準備する金属元素準備工程Ｓ１００と、前記金属元素を融解する融解工程Ｓ１１０と、融解した前記金属元素を遠心分離し、前記一の同位体又は前記他の同位体のいずれかの混入比を天然存在比より高くした精製原料を取得する精製工程Ｓ１２０と、前記精製原料を用いて化合物半導体基板を形成する基板形成工程Ｓ１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子において、光の外部取出し効率を向上させながらその放射特性を制御する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子は第１積層体と第２積層体を含み、第１積層体は発光層を含む半導体積層体を含み、その上には発光層からの光を反射するための多層反射構造と第１接合用金属層とが順次形成されており、第２積層体は第２接合用金属層を含み、第１と第２の積層体は第１と第２の接合用金属層の相互接続によって接合されており、多層反射構造は半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、透光性の導電性酸化物層の厚さを制御することによって光放射特性が制御されている。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、磁性粒子１５ａとこの磁性粒子１５ａを取り囲むＭｏＣｕＯ１５ｂとからなるグラニュラー膜１５を形成する。このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。こうしてＭｏＣｕＯ１５ｂを除去した膜を磁気記録層として用いる。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減され、高輝度が可能な発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体からなる発光層と、ワイヤを接続可能なボンディング電極と、前記ボンディング電極を取り囲むようにその周囲に離間して設けられ且つ前記ボンディング電極との連結部を有する細線電極と、を有する上側電極と、前記発光層と前記上側電極との間に設けられた電流拡散層であって、前記上側電極の非形成領域に形成され前記発光層から放出された光を出射可能な凹部を有する電流拡散層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）