【課題】結晶物質の非極性面から形成される装置とその製作方法を提供する。
【解決手段】III-V半導体結晶物質の非極性面、又は表面に対応するアクティブ領域を用いてLEDなどの半導体装置を提供し、アクティブダイオード領域は、極性面向きのIII-V材料よりも、非極性面向きの非極性III-V材料をより多く含み、あるいは、底部領域は、アクティブ領域に面するGaNの極性ｃ面表面エリアよりも、GaNの非極性のｍ面、又はａ面表面エリアをより多く含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を備えるとともに、降伏電圧の経時変化の抑制及び順方向電圧の低減を図ることができ、高輝度、且つ、高い信頼性を備える半導体発光装置を製造すること。
【解決手段】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、成長用基板の上に第１導電型クラッド層、アンドープの活性層、平均キャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3乃至１×１０¹⁸ｃｍ^-3の第２導電型拡散制御層及び第２導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の成長温度より高い成長温度で第２導電型半導体層を成長し、第２導電型拡散制御層から活性層に第２導電型不純物を拡散させて活性層の平均キャリア濃度を２×１０¹⁶ｃｍ^-3乃至４×１０¹⁶ｃｍ^-3に制御する第２導電型半導体層形成工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性の向上を図れて発光効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】実装基板２０は、ＬＥＤチップＡのアノード電極７およびカソード電極８それぞれとバンプ３７，３８を介して接合される導体パターン２７，２８を有する。ＬＥＤチップＡは、ｐ形窒化物半導体層４とアノード電極７との間に、ｐ形窒化物半導体層４における窒化物発光層３側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層４よりも屈折率が小さな透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層４側とは反対側に形成され窒化物発光層３から放射された光を反射する反射導電膜１１と、透明導電膜９と反射導電膜１１との間で透明導電膜９上に部分的に積層されｐ形窒化物半導体層４よりも屈折率が小さな複数の島状の低屈折率誘電体層１０とを有し、透明導電膜９において少なくとも各バンプ３７それぞれに重なる領域を低屈折率誘電体層１０の形成禁止領域１２としてある。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを含み、活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１６０，１６２を構成する。活性層の第１側面１０５の反射率は対向する第２側面１０７の反射率よりも高く、複数の利得領域の各々は第１側面側から第２側面側に向かって設けられ、複数の利得領域は少なくとも１つの利得領域対をなす。利得領域対の一方の第１利得領域１６０は直線状の形状を有し、第１側面の垂線Ｐに対して傾いており、他方の第２利得領域１６２は円弧の形状を有する曲がり導波路部１６６を有する。第１利得領域の端面１７０と第２利得領域の端面１７４とは重なり面１７８において重なり、端面１７２から出射される光２０と端面１７６から出射される光２２とは、同一の方向または集束する方向に進む。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウムウエハ上設けられ平坦なｃ面を有する窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】発光ダイオードＬＥＤは、単斜晶系酸化ガリウムからなる主面３２ａを有する酸化ガリウム支持基体３２と、III族窒化物からなる積層構造３３とを備える。積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。酸化ガリウム支持基体３２の主面３２ａが単斜晶系酸化ガリウムの（１００）面に対して２度以上４度以下の角度で傾斜する。この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面３２ａ上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗率の低下が図られたＩＴＯ膜を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含み、発光構造を有する半導体膜と、半導体膜上に形成され、インジウムスズ酸化物を含み、半導体膜から放出された光を透過させ、少なくとも半導体膜に接する界面で粒子が周期的に配置された構造を持つ透明導電膜とを有する。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】井戸層の膜厚方向に関するインジウム組成の不均一を改善可能であると共に井戸層内の欠陥密度を低減可能な、窒化物系半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】 井戸層成長の第１の期間Ｐ１では、III族原料としてガリウム原料及びインジウム原料を成長炉１０に供給してＩｎＧａＮ薄層を成長する。第２の期間Ｐ２では、ガリウム原料を供給すること無くインジウム原料を成長炉１０に供給する。第２の期間Ｐ２は第１の期間Ｐ１に連続して行われる。第１の期間Ｐ１は、時刻ｔ３〜ｔ４、時刻ｔ５〜ｔ６において行われる。時刻ｔ３〜ｔ４では、ＩｎＧａＮ薄層２４ａが成長され、時刻ｔ５〜ｔ６ではＩｎＧａＮ薄層２６ａが成長される。第２の期間Ｐ２は、時刻ｔ４〜ｔ５において行われる。活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 （もっと読む）

【課題】見切りの良い光を安定して放出でき、二次利用性の高い発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置は、発光素子と、この発光素子から出射される光が入射される光透過部材を備えており、光透過部材は、発光面とこの発光面から連続する側面とを有する。発光装置はさらに、光透過部材の側面を被覆して発光素子を包囲する光反射性の第１の被覆部材と、この第１の被覆部材を被覆して、発光面と共に発光面側の表出面を構成し、可視光に対して第１の被覆部材より吸収係数が大きい第２の被覆部材とを備える。これにより、第１の被覆部材により輝度を向上させつつ、戻り光などの迷光成分は第２の被覆部材でもって吸収できるため、コントラストの高い鮮鋭な放出光を得られる。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】電極の接合性に優れている半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】基板１０１と、積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面１０６ｃに形成された一方の電極１１１と、積層半導体層２０の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面１０４ｃ上に形成された他方の電極１０８とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１が、底面に積層半導体層２０の上面１０６ｃの露出された穴部を有する透明電極１０９と、穴部の底面上および内壁上に形成された接合層１１０と、接合層１１０を覆うように形成されたボンディングパッド電極１２０とを備える半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制しつつ光出力の高出力化を図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形ＧａＮ層２２およびｐ形ＧａＮ層２４を有するＬＥＤ薄膜部２と、ｐ形ＧａＮ層２４におけるｎ形ＧａＮ層２２側とは反対側でＬＥＤ薄膜部２に結合されｐ形ＧａＮ層２４よりも平面サイズが大きなｎ形ＺｎＯ基板３と、ｎ形ＧａＮ層２２におけるｐ形ＧａＮ層２４側とは反対側の表面側に形成されｎ形ＧａＮ層２２と電気的に接続されるカソード電極４と、ｎ形ＺｎＯ基板３におけるｐ形ＧａＮ層２４側と同じ一表面３１側に形成されｎ形ＺｎＯ基板３を介してｐ形ＧａＮ層２４と電気的に接続されるアノード電極５とを備える。ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の第１の空洞を含む第１空洞含有層を成長用基板上に形成する工程と、複数の第２の空洞を含み、互いに隣接する第２の空洞間の隔壁部の各々が第１の空洞の各々の上部に設けられた第２空洞含有層を第１空洞含有層上に形成する工程と、第２空洞含有層上に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、半導体層上に支持基板を接着する工程と、第１および第２の空洞の各々にエッチャントを流入させて、第１の空洞の各々と第２の空洞の各々とを結合させて成長用基板を半導体層から除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの表面平坦度を改善でき、これにより発光ダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、およびＧａＰからなる電流拡散層７を順次積層するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、ＧａＰからなる電流拡散層７を、まず１以上１００以下のＶ／III比で成長し（低Ｖ／III比部分８）、その後１００以上２００以下のＶ／III比で成長させる（高Ｖ／III比部分９）ものである。 （もっと読む）

【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、かつ厚さ２５０μｍ以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、ｎ型のキャリア濃度ｎ［ｃｍ^-3］が１.２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であり、かつ電子移動度μ［ｃｍ²／Ｖｓ］が、ｌｏｇ_eμ＝１７．７−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも大きく、かつｌｏｇ_eμ＝１８．５−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも小さい窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。 （もっと読む）

２８０ｎｍから３６０ｎｍの範囲の放射波長（λ_ｐｅａｋ）を伴う、高出力および高効率発光デバイスを製造する。新しいデバイス構造は、無極性または半極性バルクＧａＮ基板上に成長させられる、無極性または半極性ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮ合金を使用する。一実施形態において、光電子デバイスは、無極性または半極性ＧａＮ基板上に成長させられる、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、および窒素（Ｎ）を含有する１つ以上の発光層を備える光電子デバイスであって、該発光層は、無極性または半極性層である。
（もっと読む）