【課題】III族窒化物半導体を用いて長波長の発光を実現できる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、窒化物半導体発光素子６１と、半導体レーザ６２とを備えている。窒化物半導体発光素子６１は、III族窒化物半導体からなり、５００ｎｍ以上の長波長の偏光光６５を発生する。半導体レーザ６２は、III族窒化物半導体からなり、誘導放出によって、窒化物半導体発光素子６１の発光波長よりも短波長（４５０ｎｍ未満）のレーザ光６７（誘導放出光）を発生する。レーザ光６７が窒化物半導体発光素子６１に入射されることにより、窒化物半導体発光素子６１の発光層が、光励起され、偏光光６５が生じる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤスキャナー、ＬＥＤプリンタ等に使用される、半導体発光素子アレイチップの配列方向となるチップの短辺をダイシングする際のチッピング発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】発光素子アレイが（１００）シリコン基板上に形成された複合ウエハ構造において、発光素子アレイチップは長辺に対して短辺が傾斜した平行四辺形であり、傾斜した短辺が（１００）シリコン基板の面方位［０−１１］または等価な方位と一致しており、ダイシングをこの結晶方位に沿って行うことで、チッピングの少ない高密度発光素子アレイを可能にする。さらに、この発光素子アレイチップを一列に精密実装することでプリンタ用の露光光源装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極による光吸収を軽減し得る構造を備えたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体素子は、基板と、該基板上に形成された複数のＧａＮ系半導体層からなる半導体積層体とを有し、該半導体積層体には、前記基板に近い側からｎ型層、発光層、ｐ型層がこの順に含まれている。正電極は、導電性酸化物からなる透光性電極層と、金属製の正パッド電極とから構成されている。透光性電極層は、低シート抵抗部と、該低シート抵抗部よりも高いシート抵抗を有する高シート抵抗部とから構成されており、平面視したとき、低シート抵抗部と負電極とが高シート抵抗部を挟んで離間されており、低シート抵抗部は正パッド電極に覆われていない電流拡散部を有している。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧異常に伴う窒化物半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造を簡便に作製することが可能な窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造の製造方法およびその方法を用いた窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマグネシウムとアルミニウムとを含む窒化物半導体からなる第１の層を形成する第１工程と、第１の層上にマグネシウムを含む窒化ガリウムからなる第２の層を形成する第２工程と、第２の層の一部を除去して第１の層の一部を露出させることによってストライプ状の凸部を形成する第３工程と、凸部の表面の一部および露出した第１の層の少なくとも一部を水蒸気を含む雰囲気で酸化する第４工程と、凸部上にマグネシウムを含む窒化物半導体からなる第３の層を形成する第５工程と、を含む、窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造の製造方法とその方法を用いた窒化物半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有するIII族窒化物単結晶基板１１と、該単結晶基板１１上にIII−Ｖ族窒化物の低温成長バッファー層１３を介して形成された、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。単結晶基板１１中には遷移金属又はその窒化物もしくは酸化物の析出物がない。 （もっと読む）

【課題】貫通転位の密度が低いｐ型の半導体単結晶を従来よりも効率よく製造する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置内において、第１の半導体結晶層３の上部露出表面上にＭｇ原子層を積層した。この時のＣＰ₂ Ｍｇの供給量は、０．４μｍｏｌ／ｍｉｎとし、積層時間は２０分とした。これによって、１原子層オーダーの厚さを有するＭｇ原子層を形成することができた。その後、引き続き同一のＭＯＣＶＤ装置内において、同一温度（１１００℃）を維持したまま、Ｍｇ原子層の上にＧａＮからなる第２の半導体結晶層５を結晶成長させた。この第２の半導体結晶層５は、最初は、Ｍｇ原子層の上部露出表面上に散在する成長核から島状に三次元成長を開始し、その後、その島状成長によって各島同士が隣接、合体し、その後は、同一の結晶成長条件下にて自然に全体的な二次元成長モードに移行した。これにより、貫通転位５ａの発生密度を効果的に低減させることができた。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素とした高効率な発光素子及び高効率な導波路の構造およびその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】本発明による発光素子は、電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くすし、薄膜部周囲に高屈折率材を配置することで実現できる。 （もっと読む）

結晶支持構造１１０をその上に有する基板１１５とＩＩＩ−Ｖ結晶２１０を備えるデバイス１００。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域１４０上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積３２０の約５０パーセント以下である。
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【課題】光取り出し効率を向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に基板側から順次積層された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、金属層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、第２のｎ型窒化物半導体層の表面上または第２のｎ型窒化物半導体層の表面上方に電極を備えた窒化物半導体発光素子である。ここで、金属層は水素吸蔵合金であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に凹部を形成することにより光取出し光効率を改善したＧａＮ系発光ダイオード素子を、効率よく、かつ、素子間での発光効率のバラツキを発生させることなく、製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板１１の一方の面上に、発光するｐｎ接合部を構成するように積層されたｎ型層およびｐ型層を含むＧａＮ系半導体層１２が、該単結晶基板１１と光学的に結合されるように形成されてなり、該単結晶基板１１の他方の面に凹部Ａ１１が設けられたＧａＮ系発光ダイオード素子１０の製造方法であって、異方性ウェットエッチングにより凹部Ａ１１を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルで、各種基板と一体化できる結晶性にすぐれたシリコン等の薄膜半導体を安価に製造することができ、これにより太陽電池を安価に製造することができるようにする。
【解決手段】半導体基体の表面を陽極酸化することにより多孔質度が異なる２層以上の層から構成される多孔質層１２を形成し、多孔質層１２の表面に太陽電池などの半導体膜１３を成膜し、この半導体膜１３を、多孔質層１２を介して半導体基体から剥離する。陽極酸化する工程は、通電量の選定と、連続通電か間欠通電かの選定とにより、多孔質の異なる多孔質層のうち、比較的低多孔率の低多孔率層に対して、比較的高多孔率の高多孔率層の形成位置を制御する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とするとともに、中間層１２を単結晶組織として形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。第１供給工程と第２供給工程とを実質的に同時に行なっている。 （もっと読む）

【課題】低い動作電圧と高い発光効率とを有する、深紫外光発光素子を実現する。
【解決手段】発光素子１０を、紫外領域に発光波長を有する第１のIII族窒化物で形成された発光部４と、第１のIII族窒化物よりもバンドギャップが大きい第２のIII族窒化物からなる第１クラッド部３と、第２のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第３のIII族窒化物からなる第１コンタクト部２と、第１コンタクト部２に隣接するカソード電極部７と、第１のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第４のIII族窒化物からなる第２クラッド部５と、第４のIII族窒化物よりもバンドギャップが小さい第５のIII族窒化物からなる第２コンタクト部６と、第２コンタクト部６に隣接するアノード電極部８と、によって構成し、第２コンタクト部６に紫外光の吸収不能部としての溝部６ａを設け、該溝部６ａを出射部として、発光部４からの励起発光を取り出すようにした。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード素子の軸上光取り出し効率を大幅に向上させ、素子の発光効率及び発光輝度を向上させる。
【解決手段】発光ダイオード１２０は、基板１００、反射構造１０８、バッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２を備える。反射構造１０８は、基板１００の一表面上に形成され、複数の開口１０６が穿設されて規則的パターン構造が形成され、基板１００の表面の一部が露出されている。バッファ層１１０は、反射構造１０８及び基板１００の表面１０２の露出部分上に形成されて開口１０６が充填されている。エピタキシャル構造は、バッファ層１１０上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板１０の上にクロム層２０を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層２０を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜３０にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板１０とクロム窒化物膜３０との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜３０の上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、高輝度の光を発光する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第１導電型窒化物半導体層は、ＡｌとＧａとを含む窒化物半導体を主成分としており、第１導電型窒化物半導体層と活性層との間に第１導電型窒化物半導体層よりもＡｌの組成比が小さい第３導電型窒化物半導体層を備えている窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】ＡｌＧａＡｓ発光素子において光取り出し面に面粗し処理を均一に施すことができ、ひいては面粗し状態にムラの生じにくい発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素と水とを、その合計が９０質量％以上となるように含有し、かつ酢酸と弗酸と硝酸とヨウ素との合計質量含有率が水の質量含有率よりも高い面粗し用エッチング液ＦＥＡにより（１００）面からなるｐ型ＡｌＧａＡｓ光取出層２０に面粗し処理を施す。そして、その面粗し用エッチング液ＦＥＡによる面粗し工程に先立って、ＡｌＧａＡｓからなる積層体の第一主表面（主光取出領域）を、硫酸過酸化水素水溶液からなる前処理液と接触させて前処理を行なうことにより、面粗しにより得られるウェーハの突起形成状態にムラが生じることを効果的に防止することができる。 （もっと読む）