本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン（４００）およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域（２）を含んでいる光電素子（１）を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部（９、２７、２９）を有しており、孔部の領域内に接続導体材料（８）が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁（１０）されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。
（もっと読む）

モノリシック集積光ネットワークデバイスは、シリコン基板に形成され、光子を放出するようにアバランシェ状態にバイアス可能なバイポーラトランジスタ、及びバイポーラトランジスタによって発生された光子に対する光導波路として機能するようにバイポーラトランジスタとモノリシックに集積されたフォトニック・バンドギャップ（ＰＢＧ）構造を有する。
（もっと読む）

【解決手段】 本発明は、光ダイオードまたはフォトダイオード（１０、１６、２４、２６、３６、４６、５４、６８，７４、８０）のような、活性領域を有する半導体構造に関する。この構造は、それぞれが異なる波長の光を放射または吸収する少なくとも２つの活性領域（ＡＺ乃至ＡＺｎ）を有する基板（ＳＵＢ）を具備する。本発明によれば、多波長ダイオードが実現される。第１（下側）活性領域（ＡＺ１）が、基板（ＳＵＢ）の表面上に成長させられ、１つまたは複数のさらなる活性領域（ＡＺ１乃至ＡＺｎ）が順次エピタキシャル成長させられ、活性領域（ＡＺ１乃至ＡＺｎ）は、低インピーダンス抵抗として機能するトンネルダイオード（ＴＤ１乃至ＴＤｎ）を用いて、下側活性領域（ＡＺ１）から上側活性領域（ＡＺｎ）に向かって直列接続される。 （もっと読む）

電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
（もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による窒化ガリウム系III-V族化合物半導体素子は、窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層の上に設けられたオーミック電極層と、を備える。前記オーミック電極層は、接触金属層、反射金属層及び拡散防止層を備える。 （もっと読む）

【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板１１と、基板１１の一方の主面上に積層される第１の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層上に積層される第２の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層と第２の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層１４と、第２の伝導型窒化物半導体層上に形成され、活性層１４から第２の伝導型窒化物半導体層に向かう光を反射させるための反射層１６とを備える。この窒化物半導体発光素子は、上記基板１１の他方の主面を主光取出し面として配線基板に実装可能である。さらに、反射層１６と第２の伝導型窒化物半導体層との間に透光性導電層１７が形成されており、透光性導電層１７と反射層１６との界面に凹凸面２２が形成されている。 （もっと読む）

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

本発明は、放射を生成する活性層（１４）を含むエピタキシャル多層構造体（１２）の設けられた放射を発する薄膜半導体チップに関する。この多層構造体（１２）は、第１の主表面（１６）と、この第１の主表面（１６）とは反対側に配置され放射を生成する活性層において形成された放射を出力結合する第２の主表面（１８）を有する。さらに多層構造体（１２）の第１の主表面（１６）が反射性の層もしくは界面と結合されており、多層構造体（１２）の第２の主表面に接する多層構造体（１２）の領域（２２）が、凸状の突出部（２６）によって１次元または２次元で構造形成されている。
（もっと読む）

第１の主要面（５）と、第２の主要面（９）と、電磁放射を生成する活性ゾーン（７）を備えている半導体層列（４）とを含んでいる半導体基体を備え、該半導体層列（４）は第１の主要面と第２の主要面（５，９）との間に配置されている放射放出半導体素子であって、第１の電流拡幅層（３）が第１の主要面（５）に配置されかつ第２の電流拡幅層（１０）が第２の主要面（９）に配置されかつこれらは半導体層列（４）と導電接続されている。
（もっと読む）

本発明は高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製造方法に関するものである。本発明はマイクロサイズの複数の発光チップ１０を形成し、そのチップ間のギャップをＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＤＢＲ（ＺｒＯ_２／ＳｉＯ_２、ＨｆＯ_２／ＳｉＯ_２）、ポリアミドなどの充填材５で埋め込むと共に、発光チップアレイと充填材の上面１１をＣＭＰ加工により平坦化した後、大面積の透明電極６を形成する。それによって、全ての発光チップが同時に作動するように構成したことを特徴とする高輝度の窒化物マイクロＬＥＤ及びその製造方法を提供する。また、フリップチップ構造を採用してマイクロサイズ発光チップアレイの電極形成の均一度が向上した高輝度の窒化物マイクロＬＥＤを提供する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
（もっと読む）