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Fターム[5F041DA13]の内容

発光ダイオード (162,814) | パッケージング (50,429) | パッケージ構造、製法 (39,105) | 複数チップのパッケージ (3,527)

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【課題】従来に比べてLEDベアチップの熱劣化を防止し、発光効率を向上させることで、優れた性能を有するLEDモジュール等のLED照明用光源と、これを光源に利用したLED照明装置を提供する。
【解決手段】 LEDベアチップ2において、p電極405に設けられた金バンプG1、G2の総面積(接合面積)が、その表面が金属であるp電極405と実装パターン201Bの間で、p型半導体層404および活性層403に略等しいp電極405の面積の20%以上になるように設定する。
この金バンプG1、G2の直径の設定によって基板10の熱抵抗を3.0℃/W以下に設定し、ヒートシンクと熱的密着させることで、LEDベアチップ温度を80℃以内に抑制する。 (もっと読む)


【課題】 LEDチップがパッド上にフリップチップ実装により接合されるプリント配線板において、LEDチップとの接合強度を高められ、パッドがエッチングにより形成される際のエッチング不良を低減できるプリント配線板を提供すること。
【解決手段】 プリント配線板上に対向配置された、LEDチップのp電極用のパッド81と、n電極用のパッド85を、その間の絶縁領域89における一方端の間隔(エッジ811と851の間隔)がD1、他方端の間隔がD2(>D1)になるように、エッチングにより形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 (もっと読む)


LED(120)の熱管理を行うデバイス(101)は、ヒートシンク(160)と基板(111)とトレース層(130)とビア(180)とを用いる。ビア(180)は、基板(110)を通って延びるチャネル(181)の範囲を定める側壁(182)を備える。チャネル(181)は、LED(120)によってトレース層(130)に施される何れかの熱をヒートシンク(160)に移動するよう、トレース層(130)の下にあり、ヒートシンク(160)の上にある。

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実質的に透明な基板を有し、細長い形状を画定する縦横比を有する発光ダイオードチップが、高効率及び高輝度を提供する。形成方法及びその動作方法もまた開示される。
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【課題】高密度実装による装置の小型化、または、同一サイズでの照度の向上が実現できるLED照明装置を提供する。
【解決手段】無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層13と、絶縁層13の少なくとも一主面に設けられた配線パターン14とを備え、絶縁層13の前記一主面に複数の凹部が設けられている熱伝導配線基板11を用いる。凹部の内面の少なくとも一部には、絶縁層13よりも反射率の高い高反射膜15が設けられている。LED素子16は、熱伝導配線基板11の凹部内に実装する。凹部には透明樹脂を充填することにより、レンズ部17が設けられる。熱伝導配線基板11には、凹部が設けられている面と対向する面に放熱板12が配置されている。 (もっと読む)


【課題】調光信号に比例して調光されるLED照明器具を提供する。
【解決手段】非線形の電流−電圧特性を有する発光ダイオード1の光量を調光制御信号と略線形となるように補正する補正手段を設ける。例えばオン・オフのデューティ比が調光度合いに応じて可変とされたパルス信号よりなる調光制御信号をデューティ比に応じた直流電圧値に変換し、この直流電圧値を所定の変換テーブルに従って他の直流電圧値に変換する変換器4を設ける。電流−電圧特性が異なる複数の発光ダイオードが混在する場合には、同一の調光制御信号に対して各発光ダイオードの光量が略線形となるように補正手段を各発光ダイオードについて設ける。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構成でかつ全方位出射特性を有する光源装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 全方位に対して出射する配光特性を有するLED素子3,4を透光性基板2の上に設ける。透光性樹脂10,11でLED素子3,4と透光性基板2とを一体的にモールドし、透光性モールド体を形成する。 (もっと読む)


基板50上に密集して配置された半導体光源52、例えばLED、レーザダイオード、またはVCSELのマイクロアレイによって高強度光源46が形成され、少なくとも50mW/cm2の出力濃度の電力出力が実現する。半導体装置は通常、基板上の導電性パターンに対する接合処理によって接着され、マイクロプロセッサ制御電源によって駆動される。光学系要素58をマイクロアレイを覆うように配置し、出力ビームの指向性、強度、及び/または、スペクトル純度を高めることができる。光モジュールは、例えば、蛍光発光、検査及び測定、光重合、イオン化、殺菌、屑除去及び他の光化学作用による処理に使用できる。 (もっと読む)


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