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Fターム[5F043AA25]の内容

ウェットエッチング (11,167) | 被エッチング体 (2,299) | 半導体以外の導電層 (575) | 金属 (484) | 単層構造 (326) | Au (24)

Fターム[5F043AA25]に分類される特許

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【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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【課題】 細溝内の異物を完全に除去したシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第1のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が5〜15%になるように添加した第2のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料上の貴金属をエッチングする際、卑金属が腐蝕する問題を抑制し、歩留まりを上げることにあり、さらに、シアン化物や鉛化合物を成分とした水溶液に比べて安全性に優れ、環境への影響が少ないエッチング液を提供する。
【解決手段】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比(貴金属のエッチングレート/卑金属のエッチングレート)が0.03以上である、前記エッチング液。
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【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びpH緩衝剤を含み、pHが6〜8の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 (もっと読む)


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