【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板Ｗに生じる反りを除去する。
【解決手段】基板反り除去装置１０は基板Ｗを保持する保持プレート３０と、基板Ｗのパターン非形成面Ｗ２側に設けられ、パターン非形成面Ｗ２に形成された薄膜Ｆ２を除去するためエッチング液を供給する処理液供給管４０と、基板Ｗの反りを検出する第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５とを備えている。第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５からの信号に基づいて、制御部３は基板Ｗの反りがなくなったことを確認する。制御部３が基板Ｗの反りがなくなったと判断した場合、制御部３は処理液供給管４０からのエッチング液の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜された被処理膜の初期膜厚に基板毎のばらつきに左右されることなく、各基板の被処理膜の残膜を均一にすることのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程（ステップＳ１）と、処理前における被処理膜の初期膜厚を測定する工程（ステップＳ２）とを有する。また、ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程（ステップＳ５）と、処理後における被処理膜の最終膜厚を測定する工程（ステップＳ６）を有する。また、初期膜厚と、最終膜厚と、初期膜厚から最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程（ステップＳ８）と、算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程（ステップＳ１２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、エッチング液を循環させつつ基板に供給してエッチング処理をする場合に、エッチング液の特定成分の濃度を測定して正確な測定値に補正し、この補正測定値に基づいて適正量の特定成分の補充を行ってエッチング液の濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液３４の循環経路の途中でその一部をサンプリング液として取り出して導電率計５８とｐＨ計６０へ導入し、導電率計５８によってサンプリング液中の塩酸の濃度を常時測定して塩酸の濃度を求める一方、エッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の基板Ｗのエッチング処理が終了する毎に、ｐＨ計６０によってサンプリング液中の塩酸の正確な濃度を測定して塩酸の濃度を求め、ｐＨ計６０よる測定値によって導電率計５８による測定値を補正し、この補正値に対応した適切な補充量の塩酸をエッチング液３４に補充する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面に形成された所定の膜厚を有する層（例えばＳＯＩ層）の膜厚分布を均一化する。
【解決手段】ＳＯＩ層の表面に自然酸化膜を形成する酸化工程と、ＳＯＩ層の局所的な厚膜部に形成された自然酸化膜を厚みの一部（例えば、１〜２Å）を残してエッチング液により除去するエッチング工程とを有する。ＳＯＩ層の主表面を自然酸化膜に転換しているから、フッ酸で自然酸化膜を容易にエッチングすることができ、また、局所的にエッチング処理ができることから、ＳＯＩ層の厚膜部をエッチング処理することにより、ＳＯＩ層の膜厚分布を精度よく均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】表面改質熱処理によるラフネスを低減でき、異物の付着や表層欠陥が少ないウェーハが得られる製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハにエッチング処理を施すエッチング工程Ｓ７と、ウェーハの表面を改質させる表面改質工程Ｓ１２と、表面改質工程Ｓ１２の後に又はエッチング工程Ｓ７と表面改質工程Ｓ１２との間にウェーハの厚みを測定する第１厚み測定工程Ｓ１３と、ウェーハの主表面を研磨する主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６と、主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６を経たウェーハの厚みを測定する第２厚み測定工程Ｓ１３と、第１厚み測定工程Ｓ１３による厚みと第２厚み測定工程Ｓ１８による厚みを比較して主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６におけるウェーハの実研磨厚みを算出する実研磨厚み算出工程Ｓ１９と、主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６によるウェーハの最大研磨厚み及び最低研磨厚みに基づいてウェーハの品質の良否を判定する判定工程Ｓ２０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。
本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハについて短時間で所定の取り代だけ正確に除去する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハを水素やアルゴンなどの雰囲気中でアニーリング処理をし、該シリコンウェハの表層を略均等に所定の取り代で除去する除去工程を備え、前記除去工程が、硝酸（ＨＮＯ_３）、弗酸（ＨＦ）、及び硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）のうち少なくとも１つを含むエッチング液を用いたスピンエッチングによってシリコンウェハ（１０）の表層を除去するが、シリコンウェハ（１０）の回転速度とエッチング液（２５）の供給量を調節し、前記エッチング液の供給停止直後に、エッチングによって露出したシリコンウェハ（１０）の表面にリンス液（２７）を供給し前記エッチング液を中和し洗い流してエッチングの進行を即座に停止させることを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構成でより簡単に薄膜が除去できたか否かの判断を行うことができ、より低コストの薄膜除去検出装置および薄膜除去検出方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０上の薄膜を除去する際に該薄膜が除去されたか否かを検出する薄膜除去検出装置であって、光源２０からシリコンウェーハ１０に光を照射して、シリコンウェーハ１０からの反射光のうち特定波長光のみを干渉透過フィルタ２２を介して透過させ、受光センサ２４により干渉透過フィルタ２２からの透過光を受光して該透過光の光強度を測定し、情報処理装置３０の処理部３６により、特定波長光の反射または吸収光強度が所定強度若しくは該所定強度の所定割合に達したか否かに基づきシリコンウェーハ１０上の薄膜が除去されたか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】コストの増大及びスループットの低下を防止しつつ、安定したシリコン異方性エッチングを行えるようにする。
【解決手段】排気用配管６が接続されたエッチングドラフト７の内部には、Ｓｉウェハ２及び当該Ｓｉウェハ２を異方性エッチングするための薬液１を入れるための薬液槽４が配置されている。薬液槽４の底部には、薬液１を加温するためのヒーター５が設けられている。エッチングドラフト７内又は排気用配管６内に水素濃度計８が設けられている。水素濃度計８によって測定された水素濃度値をモニタリングしながらＳｉウェハ２に対してエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを処理液により化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできるウエハ処理システムを提供する。
【解決手段】グループ化装置３が各ウエハＷの厚さを測定し、収容部１１が同じグループのウエハＷだけを同じカセットＣに予め収容する。ウエハ薄化装置７が移載アームを操作し、載置台からカセットＣを処理槽に順次に搬送させ、各カセットＣに対して処理液による処理を行わせるが、そのときの浸漬時間をグループ毎に変える。一つのカセットＣには同じグループのウエハＷだけが収容してあるので、カセットＣ内における複数枚のウエハＷについての厚さのバラツキは所定範囲内に収まっている。したがって、複数枚のウエハＷを化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハＷ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥を、低コストで基板表面の面あれを小さくして高精度で迅速に評価することができるシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路の不良箇所を精度よく特定できるようにする。
【解決手段】
表面に配線層が形成され半導体集積回路が構成されたシリコン基板を、以下の工程を備えて部分的に薄膜化する。
（Ａ）シリコン基板の配線層を残したままで機械的強度を維持できる範囲で裏面側を均一に薄膜化する工程、
（Ｂ）その後、前記シリコン基板の裏面側から不良箇所を特定する工程、
（Ｃ）前記シリコン基板を裏面側から加工して前記不良箇所を含む領域のシリコン基板を部分的にさらに薄膜化する工程、
（Ｄ）前記シリコン基板の裏面側から光を照射してそれによる干渉縞の生成により厚さを測定する工程を少なくとも含み、前記工程（Ｃ）で薄層化する部分のシリコン基板厚さを測定する工程。 （もっと読む）

【課題】 実験によりマスク部及びマスク部以外の領域のエッチングレートを算出する際、絶対的な高さの変化を測定できず、正確にエッチングレートを算出できない
【解決手段】 単結晶シリコンに対してＦＦＭ加工、ＦＩＢ照射等により極微細な機械加工を行い、または他の手法によりエッチングマスクとして機能する表面を形成し、その後にエッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解することで、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工を行うため、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行うに際して、加工部の近傍に高さ測定の基準面となる４０μｍ×４０μｍ程度の正方状のＳｉＯ_２マスクパターンを作製しておく。この基準面を参照することで、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを容易に、且つ正確に測定できる。このとき、加工部の近傍に加工条件の識別のため００〜９９までの数字を作製しておく。 （もっと読む）