【課題】 スイッチング素子であるＴＦＴと接続端子部との良好な電気的接続を維持できるようにした液晶表示パネル、液晶表示装置、および液晶表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶６２を挟持するＡＭ基板３１・対向基板５１を有する液晶表示パネルにおいて、ＡＭ基板３１上には、スイッチング素子であるＴＦＴ２９と、このＴＦＴ２９を被覆するように平坦化膜１４とが設けられるようにし、特に、この平坦化膜１４上には、ＴＦＴ２９を表出させるスルーホール１が設けられるようにする。そして、このスルーホール１は、異なる口径サイズの有した複数の部分開孔１ａ・１ｂが、平坦化膜１４の厚み方向に沿って、連なって構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に、マスクパターンのエッチングによる膜減り量を抑制し、又はマスクパターンのエッチグレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（１００）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板、特に表面が（１００）面であるシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（２１１）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板、特に表面が（１００）面であるシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の内部のヴォイドによる影響を減少させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面を露出させる少なくとも一つの開口を有する絶縁パターン１１６を基板の上部に形成する。ヴォイドを有する第１ポリシリコン層を、開口を満たすように基板の上部に形成する。第１ポリシリコン層の上部を除去して、リセスが露出するようにヴォイドをリセスに拡張する。リセスを埋め立てるように第２ポリシリコン層１３２を基板の上部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 手軽に取り扱うことのできるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層を比較的近いエッチング速度でエッチングすることができ、なおかつ、エッチング後に平滑な表面が得られる方法を提供すること。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に形成されている層間絶縁膜２上に第１マスク３を形成する第１マスク形成工程と、層間絶縁膜２の途中までエッチングして第１凹部４ａを形成する第１エッチング工程と、第１マスク３を除去する第１マスク除去工程と、第１エッチング工程により形成された第１凹部４ａ内に開口部を有するように第２マスク５を形成する第２マスク形成工程と、層間絶縁膜をシリコン基板１の表面に達するまでエッチングしてコンタクトホール４を形成する第２エッチング工程と、第２マスク５を除去する第２マスク除去工程とを有する。 （もっと読む）