【課題】エッチング、試験を繰り返し停止、実行する工程を省略可能とする半導体の形成方法の提供。
【解決手段】ソース電極12とドレイン電極14の下にGa_xIn_1-xAsのドープキャップ層16を配置し、キャップ層開口部38を提供する。Ga_xIn_1-xAsの非ドープ抵抗層18を上記キャップ層16の下に配置し、第一の幅W1をもち上記キャップ層開口部38と位置の合った抵抗層開口部38を画定する。Al_yIn_1-yAsのショットキー層20を上記抵抗層18の下に配置する。非ドープチャネル層28を上記ショットキー層20の下に配置する。上記抵抗層開口部38直下の上記ショットキー層の上部表面42により、第一の幅W1よりも小さな第二の幅W2をもつリセス44ができる。ゲート電極22は、上記ショットキー層20の上記リセスW2の底部表面48と接触する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの寸法精度を高めることが可能なトランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の一表面側に形成するダイヤフラム２０（図１（ｆ））の仮想投影領域を取り囲む不純物ドーピング領域１３を半導体基板１０の上記一表面側に形成し（図１（ｂ））、半導体基板１０の上記一表面側にダイヤフラム２０の基礎となる薄膜１４を形成した後、半導体基板１０の他表面側にダイヤフラム２０の平面形状に応じてパターン設計した開孔部１５ａを有するマスク層１５を形成し（図１（ｄ））、その後、マスク層１５をエッチングマスクとするとともに薄膜１４をエッチングストッパ層として半導体基板１０を上記他表面側から薄膜１４に達する深さまでエッチングすることにより薄膜１４の一部からなるダイヤフラム２０を形成する（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体部材の新規な加工技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、（ａ）ウルツァイト構造を持ち、一方の面が＋Ｃ面でその反対側の面が−Ｃ面であるＺｎＯ系半導体基板と、ＺｎＯ系半導体基板の＋Ｃ面の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型を有する第１のＺｎＯ系半導体層と、第１の半導体層の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第２のＺｎＯ系半導体層とを含むＺｎＯ系半導体ウエハを準備する工程と、（ｂ）ＺｎＯ系半導体ウエハを酸性エッチング液でウエットエッチングすることにより、ＺｎＯ系半導体基板の−Ｃ面をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法
【解決手段】開示されるのは、ウエハ状物品Ｗの周縁領域をウェット処理するための装置（１）である。装置は、ウエハ状物品をその端部において保持して回転させるための保持手段（２０，５０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第１の液体処理ユニット（３０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第２の液体処理ユニット（６０）とを含む。保持手段は、ウエハ状物品をその端部において駆動するためのローラ（２３，５３）を含む。第１の液体処理ユニットは、第１の液体を提供して周縁領域の第１の区域を濡らすための第１の液体キャリアと、第１の液体キャリアに液体を供給するための第１の液体供給ノズルと、第１の液体キャリアから液体を除去するための第１の液体排出路とを含む。第２の液体処理ユニットは、第２の液体を提供して周縁領域の第２の区域を濡らすための第２の液体キャリアと、第２の液体キャリアに液体を供給するための第２の液体供給ノズルと、第２の液体キャリアから液体を除去するための第２の液体排出路と、第２のガス処理部であって、第２の液体によって処理された周縁領域に向けてガスを供給して周縁領域から第２の液体の大半を除去するためのガス供給ノズルと、ガス及び除去された液体を排出するためのガス排出路とを含む第２のガス処理部と、を含む。更に、関連の方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】リセスの水平方向寸法の変動を抑え、良好な耐圧安定性を得ることが可能な化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１１上に、第１の開口パターンを有するホトレジスト層１７、および第１の開口パターンより広い第２の開口パターンを有し化合物半導体基板１１に接する密着層１８を形成し、ホトレジスト層１７をマスクとし、密着層１８の端部を水平方向の終点としてウェットエッチングを行い、リセス１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第１主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第１主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光素子において発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層した上部構造層に光入射用の開口部を設けた光検出器の製造において、上部構造層の上面のシリコン窒化膜を保護するために塗布されるポリイミド膜が開口部に厚く溜まり除去しにくい。
【解決手段】上部構造層８６の表面に平滑化膜１４０を塗布し、開口部１１６の開口端の角部１４２を滑らかに覆う。平滑化膜１４０をエッチングし、平滑化膜１４０の膜厚が薄い開口端にて露出する角部１４２を当該エッチング処理で削る。これにより開口部１１６の開口端を拡大する。平滑化膜１４０を剥離後、ポリイミド膜を塗布する。開口端の拡大により、ポリイミド膜が開口部１１６内に厚く溜まることが防止され、開口部１１６からの除去が容易となる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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【課題】 シリコン基板に設けられたＶ溝の深さを所望の深さに制御でき、余計なエッチングを抑制可能な溝深さの制御方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス膜からなる補償パターン６２を形成したシリコン基板６１に対して異方性エッチングを行うと、シリコン基板６１と共に、補償パターン６２が有するガラス膜６３ａ〜６３ｄもエッチングされる。このとき、ガラス膜６３ａ〜６３ｄの大きさはそれぞれ異なっており、かつエッチングによりシリコン基板６１に所望の深さのＶ溝が形成されたときに無くなるようにそれぞれ設定されている。ガラス膜６３ａ〜６３ｄのうち、Ｖ溝の所望の深さに対応するガラス膜が無くなると、異方性エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。
【解決手段】クライオライト（Ｎａ_３ＡｌＦ_６）及びテトラフルオロホウ酸カリウム（ＫＢＦ_４）のようなハロゲン塩を含有するエッチング剤を提供する。塩は、支持層のエッチングに十分な量でエッチング剤中に存在し、約２００℃を上回る溶融温度を有し得る。ウェットエッチング法は、多層積層体の酸化アルミニウムを含有する支持層１３０の１以上の表面にクライオライト及び／又はテトラフルオロホウ酸カリウムを含有するエッチング剤を接触させ、次いで支持層１３０の少なくとも一部をエッチングする工程を含む。酸化アルミニウム支持層１３０上での結晶成長によって製造された窒化ガリウムを含有する自立積層体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。
【解決手段】 第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層Ａ３の側面をレジスト層１によって被覆することができる。これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子内部を循環したり側壁側へ漏れ出したりする光を減少させ、光取り出し面からの光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 III−Ｖ族化合物半導体層からなる半導体発光素子において、例えば、ｎ型半導体層１の（００１）面に光取り出し面２０を形成し、活性層３を間に挟んで光取り出し面２０の反対側に存在するｐ型半導体層４および５に、それぞれ（１１１）面および（１１−１）面からなる、活性層３に達しない傾斜反射面２４および２５を形成する。傾斜反射面２４および２５は、同様にそれぞれ（１１１）面および（１１−１）面からなる素子分離面２１および２２とともに、低温の塩酸をエッチャントとするウエットエッチングによって形成する。 （もっと読む）

【課題】クリーン度の低い作業下においても、大面積の半導体基板であっても、異方性エッチングを安定かつ均一に短時間で行うことができて、ダメージ層除去後のテクスチャ形成を連続して行う必要もない低コストで高品質な太陽電池用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、半導体インゴットをスライスして半導体基板を切り出した後、該基板を表面処理することによって、基板表面にテクスチャ構造を形成する太陽電池用基板の製造方法であって、前記半導体基板の表面処理を、少なくとも、前記半導体基板をエッチングして、前記スライスにより生じた基板表面のダメージ層を除去した後、酸化性水溶液とアルカリ性水溶液との混合液に前記半導体基板を浸漬して基板表面に化学酸化膜を形成し、その後、アルカリ性水溶液に前記半導体基板を浸漬して異方性エッチングをして表面にテクスチャ構造を形成することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

本発明は、シリコンを有する反射性の光学障壁の製造のためのプロセスを取り扱うものであり、発光装置と組み合わせて便利なものである。当該プロセスは、シリコン材料の結晶の１１１面に沿ったエッチングのレートが１１０及び１００面に沿ったエッチングのレートよりも遅い態様における前記シリコン材料の異方性ウェットエッチングを有する。本発明は、更に、発光装置と組み合わせて便利な反射性の光学障壁と、反射性の光学障壁を有する少なくとも１つの発光装置を含むシステムとを含む。
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【課題】接続孔の側面に形成される角部の曲率半径を大きくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化シリコン膜８上にマスク膜５０を形成する工程と、マスク膜５０をマスクとして酸化シリコン膜８を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、酸化シリコン膜８に接続孔の上部９ａ，１０ａを形成する工程と、マスク膜５０をマスクとして酸化シリコン膜８をドライエッチングすることにより、酸化シリコン膜８に接続孔の残りの部分９ｂ，１０ｂを形成する工程と、マスク膜５０を除去する工程とを具備する。エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である。 （もっと読む）