【課題】半導体装置におけるワイヤ接続不良の抑制化を図る。
【解決手段】主面３ａの外周部に並んで配置された複数のボンディングリード３ｈを有するパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード列の内側に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド１ｃと基板のボンディングリード３ｈとを接続するワイヤ４と、半導体チップ１及び複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体と、パッケージ基板３の裏面に設けられた複数の半田バンプとを有している。さらに、ワイヤ４のループの頂点４ｂがワイヤ接続部４ａより外側に配置されていることにより、ボンディングリード３ｈと半導体チップ１のパッド１ｃとの接続においてワイヤ長を長くすることができ、その結果、ワイヤ４のループ形状の安定化を図ってワイヤ接続不良の抑制化を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装したＴＣＰを小型化できるとともに、製造原価を上昇させることなく高品質の接続構造を提供する。
【解決手段】主面に複数の電極１０６、１０７を備えた半導体素子１０１と、両面に配線を備え、かつ開口部１０８を有するフィルム基板１０２とからなる半導体装置において、半導体素子１０１の複数の電極の一部がフィルム基板１０２の一方の面に形成された第１の配線とフィルム基板１０２の開口部１０８を貫通するワイヤ１０５によりボンディング接続された第１の接続構造と、半導体素子１０１の複数の電極の他部がフィルム基板１０２の他方の面に形成された第２の配線であるインナーリード１０４とバンプ１０９を介したボンディングにより接続された第２の接続構造を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】 基板にセンサーチップを固定しセンサーチップと基板とをワイヤーボンディング時に基板に掛る荷重によってセンサーチップの浮き上がりやペースト剥がれを防止する。
【解決手段】 センサーチップＳＴが載置されるダイヤパターン１１を基板１表面に突設し、載置されたセンサーチップＳＴに設けるワイヤーボンディング端子部ＳＴ１の下側となる基板１表面のダイヤパターン周囲部にはワイヤーボンディング保持突部１３を突設する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージにおける半導体チップと配線層との接続不良を抑制し、素子の信頼性および歩留まりを向上させる手段を提供する。
【解決手段】 電極膜４６２表面に密着膜４６４を形成し、さらにその上に被覆膜４６６を形成する。電極膜４６２の材料として銅を用いる。密着膜４６４の構成材料として、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウムおよびこれらの合金等を用いる。被覆膜４６６の構成材料として、金、銀、白金およびこれらの合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】実行可能な程度にできるだけボンドフィンガーピッチを減ずることができるワイヤボンド相互接続を提供する。
【解決手段】ダイパッドとボンドフィンガーとの間のワイヤボンド相互接続は、リードフィンガーのボンドサイトにサポート台座と、ダイパッド上のボールボンドと、前記サポート台座上のスティッチボンドとを備える。ボンドサイトでのリードフィンガーの幅はサポート台座の径より小さい。リードフィンガーは、概ね台形状、又はおおよそ（先端を断ち切った）三角形状、又はおおよそ（曲線的な頂点を具備する）三角形状の断面を有することが可能である。 （もっと読む）