【課題】作製プロセスに起因する特性劣化を生ぜず、ボンディングパッドの電位変化による特性変化を受け難い小型化した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ領域１２と、アクティブ領域１２を覆う第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層１３上に形成されるフローティング導体１４と、第１の絶縁層１３上およびフローティング導体１４上に形成される第２の絶縁層１５と、第２の絶縁層１７上に形成されたボンディングパッド１８と、アクティブ領域１２とボンディングパッド１８を電気的に接続する導通ビア１９，２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング作業を過度に困難にすることなく、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、ボンディングパッドが形成されている半導体基板を提供する。この半導体基板は、導電性の基板層と、基板層の表面の一部に積層されている絶縁性の絶縁体と、絶縁体の表面に積層されている固定部と、絶縁体の存在範囲を超えて伸びる張り出し部と、を有するボンディングパッドと、を備える。張り出し部は、張り出し部の裏面が基板層の表面に接するまで弾性変形可能である。 （もっと読む）

【課題】ボンディング作業や配線抵抗の低減といった導電体の機能を過度に低下させることなく、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、導電性の基板層と、基板層の表面の一部に積層されている絶縁体ＢＬ２と、絶縁体の表面に積層されているとともに絶縁体の存在範囲を超えて伸びている張り出し部３２０を備えている導電体３００を備えている。この半導体装置は、導電体の張り出し部に、その張り出し部を積層方向に貫通する貫通孔３００ｈが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ端子に対する金属バンプの接合強度を高めたＩＣウェハ及びＩＣチップを提供する。
【解決手段】ＩＣ端子５を一主面に有して個々のＩＣチップ１に分割されるＩＣウェハにおいて、前記ＩＣ端子５は電気的に接続した検査用のダミー端子を有する構成とする。例えば、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域内に形成される。または、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域外に形成され前記ＩＣチップの領域外に形成されるとともに前記領域外は個々のＩＣチップに分割される際に切除される。あるいは、前記ダミー端子は前記ＩＣチップの一主面から貫通電極によって他主面に形成される。 （もっと読む）

【課題】高速ショットキーデバイス及びｐｎ接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板３０３と、基板３０３の上に配置される半導体デバイス３００、３０２、及び半導体デバイス３００、３０２との電気的接触を行うボンディング用パッド３０７を有し、ベンゾシクロブテンの層３０４が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド３０７がベンゾシクロブテンの層３０４の頂面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を重視する回路に接続される電極パッドの寄生容量の増大を抑える。
【解決手段】半導体チップ１００は、複数の内部回路と、外縁近傍に設けられ、それぞれ複数の内部回路のいずれかに電気的に接続された複数の電極パッドとを含む。複数の電極パッドは、プローブが接するためのプローブ用領域１０４と、プローブ用領域１０４とは異なる位置に設けられ、ワイヤ１０８をボンディングするためのボンディング用領域とを含む長パッド１０２と、ボンディング用領域を含むがプローブ用領域を含まない構成とすることにより長パッド１０２よりもパッド面積が小さく形成された高周波信号を入出力する高周波用の小パッド１１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドと半導体基板との間生じる浮遊容量の低減を図ることのできる半導体装置及び同装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に複数の絶縁膜から形成される絶縁層を介して形成されたボンディングパッドを有する半導体装置の製造する際に、少なくとも一の絶縁膜形成工程後に、半導体基板の所定領域に形成する半導体素子の導電部と同一材料からなるダミーパッドを、前記導電部と同時に、ダミーパッドの幅よりも広い間隔を空けてドット状に形成し、このダミーパッド上に絶縁膜を形成した後、その絶縁膜を、ダミーパッドの厚み分まで平坦化してダミーパターン層を形成し、このダミーパターン層上に、絶縁膜を介してボンディングパッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドの幅を信号配線幅より広く、ボンディングパッドの特性インピーダンスを信号配線の特性インピーダンスに等して、小型で広帯域な周波数帯で低反射損失を実現できる高周波回路基板を提供する。
【解決手段】 信号配線３および接地配線２からなる伝送線路が形成されており、前記信号配線３の一部にはボンディングパッド４が形成されている高周波回路基板１において、前記ボンディングパッド４の幅は前記信号配線３の幅より広く、前記ボンディングパッド４の特性インピーダンスは前記信号配線３の特性インピーダンスに等しい。 （もっと読む）

【課題】 パッド電極とこれに対向する電極との間の静電容量が小さく、高周波特性が良好であり、電流リークや静電破壊による不良を防止することができる半導体レーザおよびその実装方法を提供する。
【解決手段】 第２のクラッド層６の上部およびコンタクト層７に溝９、１０を形成してその間にリッジ８を形成する。リッジ８上に電極１２を形成する。リッジ８の側面、溝９、１０の内部および溝９、１０の外側の部分のコンタクト層７上に絶縁膜１１を形成する。この絶縁膜１１のうちの溝９、１０の外側の部分のコンタクト層７上の部分の厚さは少なくとも電極１２の厚さより大きくする。また、電極１２を覆い、かつ溝９、１２の外側の部分の上方の絶縁膜１１上に延在してパッド電極１３を形成する。このパッド電極１３のうちの溝９、１０の外側の部分の上方の部分の上面をリッジ８の上方の部分の上面より高い位置にする。 （もっと読む）