【課題】 金属部分の腐食を抑制して、基板の汚染を抑制し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させる。
【解決手段】 処理室と、基板保持具と、処理室を開閉する蓋体と、基板保持具載置部と、基板保持具載置部を回転させる回転機構と、蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように蓋体を貫通し基板保持具載置部及び回転機構に接続される回転軸と、回転機構および蓋体、回転軸とで囲われ構成され第一のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、回転軸に設けられ第二のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、回転軸に設けられ第一ガス溜り部と第一ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有する。 （もっと読む）

【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置２において、被処理体を複数枚収容できる処理容器４と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段２６と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段３２と、処理容器に設けられた第１の排気口５４と、第１の排気口とは異なる位置に設けられた第２の排気口８８と、第１の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第１の排気系５６と、第２の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第２の排気系９０と、酸化処理時に第１の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段６６とを備える。 （もっと読む）

気相エピタキシーシステムは、気相エピタキシーのための基板を支持する圧盤と、ガス注入器と、を含む。ガス注入器は、第１の前駆体ガスを第１の領域へ注入し、第２の前駆体ガスを第２の領域へ注入する。第１の前駆体ガス分子が電極に近接して流れるように、少なくとも１つの電極が第１の領域に位置付けられる。少なくとも１つの電極は、第２の前駆体ガスの流れから実質的に隔離されるように位置付けられる。電源は、少なくとも１つの電極に電気的に接続される。電源は、少なくとも１つの電極に近接して流れる第１の前駆体ガス分子のうちの少なくとも一部を熱的に活性化し、それにより、第１の前駆体ガス分子を活性化するよう、少なくとも１つの電極を加熱する電流を生成する。
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【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板上の設けられた井戸層を含む活性層の発光波長の分布を縮小可能な構造の半導体素子を提供するための窒化ガリウム系エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系エピタキシャルウエハでは、軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のオフ角は、それぞれ、θ１＝０．２度、θ２＝０．４度、θ３＝０．６度である。また、点Ｐ１近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成は、点Ｐ３近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成よりも大きい。図１２を参照しながら説明された井戸層の厚さの平均値を軸Ａｘ上の３点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３で求めると、井戸層の平均厚さＤ_Ｗ１、Ｄ_Ｗ２、Ｄ_Ｗ３の値は、軸Ａｘ上で単調に増加している。また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。 （もっと読む）

【課題】異方的な反りが生じる窒化物系半導体基板を用いて素子を形成する場合に、製造歩留の低下を抑制することが可能な基板ホルダを提供する。
【解決手段】この基板ホルダ１００は、窒化物系半導体基板１０が載置される座ぐり部１１０内に形成された凹部１２０と、座ぐり部１１０内に設けられ、凹部１２０の外周部側に配された外周面１３０とを備えている。そして、外周面１３０は、凹部１２０の底面部からＡ１方向の線Ｌ１上に位置する部分（ａ点およびａ点近傍部分、ｃ点およびｃ点近傍部分）までの高さｈ１が、凹部１２０の底面部からＢ１方向の線Ｌ２上に位置する部分（ｂ点およびｂ点近傍部分、ｄ点およびｄ点近傍部分）までの高さｈ２よりも高くなるように形成されている。 （もっと読む）

基板（２０）上に化合物半導体を堆積させる方法が開示されている。この方法は、基板（２０）を収容している反応チャンバ（１０）内に、ガス状の反応物質（３０，３４）を導くことと、ガス状の反応物質（３０，３４）の一種を活性化させるには十分であるが、該反応物質を分解させるには不十分であるエネルギーを加えるために、該反応物質にエネルギー（３１ａ，３１ｂ）を選択的に供給することと、そして、該反応物質を他の反応物質と反応させるために、基板（２０）の表面において、該反応物質を分解させることとを含んでいる。好ましいエネルギー源（３１ａ，３１ｂ）は、マイクロ波放射線または赤外線放射線である。これらの方法を実行する反応装置（１０）も開示されている。
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【課題】原料ガスの混合を十分に低減して適切な分子層堆積を実現すると共に、スループットを向上し得る成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、気密可能な円筒状の容器２１内に設けられ、開口部を有し、容器の中心軸に沿った第１の方向に一の間隔で配列される複数の第１板状部材２３ｂと、第１の方向に一の間隔で配列され、複数の第１板状部材２３ｂが有する開口部の内側を往復運動可能な複数の第２板状部材２４ｂとを備える。複数の第１板状部材２３ｂのうち第１の一対の第１板状部材２３ｂにより、容器の内周面に向かう第２の方向に第１のガスが流れる第１の流路が画成され、複数の第１板状部材２３ｂのうち第２の一対の第１板状部材２３ｂにより、第２の方向に第２のガスが流れる第２の流路が画成され、複数の第２板状部材２４ｂのうち一対の第２板状部材２４ｂの間に基板が保持される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を載置台上に載置し、加熱しつつプラズマ処理を行う際に、被処理体の外周部の温度が低下することを防止して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内で被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備える。基板載置台５は、被処理基板Ｗよりも大径の載置台本体５１と、載置台本体５１内に設けられた基板加熱用の発熱体５６と、載置台本体５１の表面を覆うカバー５４とを有する。カバー５４は、基板載置領域５４ａの厚さｄ１よりも基板載置領域５４ａの外側の外側領域５４ｄの厚さｄ２のほうが薄く形成され、載置台本体５１から外側領域５４ｄへ供給される単位面積当たりの熱量が基板載置領域５４ａへ供給される熱量よりも多くなるように構成される。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】プロセス所要時間を短縮することが可能な成膜装置と、この成膜装置を用いた成膜方法とを提供する。
【解決手段】開示する成膜装置は、減圧に排気され得る反応容器２０と、反応容器２０内に回転可能に設けられ、基板を保持する基板保持部２３と、基板保持部２３の外縁部から中央部へ向けて第１の反応ガスを流す第１の原料供給部２６と、基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第２の反応ガスを流す第２の原料供給部２６と、第１及び第２の原料供給部２６の間に設けられ、基板保持部の外縁から中央へ向けてパージガスを流すパージガス供給部２６と、基板保持部２３の中央部に設けられ、第１の反応ガス、第２の反応ガス、及びパージガスを排気する排気部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の組成を均一にすることのできる気相成長方法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長方法は、主表面２０ａを有する基板２０を準備する工程と、主表面２０ａに沿った方向に原料ガスを供給しながら、基板２０を加熱することにより主表面２０ａに膜を形成する工程とを備えている。膜を形成する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向Ｄにおいて主表面２０ａに近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素を含む第１原料ガスとＩＩＩ族元素を含む第２原料ガスとを含む原料ガスＧ１を主表面２０ａ上に供給するとともに、主表面２０ａに垂直な方向Ｄにおいて第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、ＩＩＩ族元素を含む第３原料ガスを含む原料ガスＧ２を主表面２０ａ上に供給する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００は、反応容器１０１の円筒状基体１２０に対面する一方向に形成された主排気部１０９と、反応容器１０１の主排気部１０９とは異なる方向で、円筒状基体１２０に対面しない領域に形成された端部排気部１１１、１１２とを有している。主排気部１０９と端部排気部１１１、１１２から排気し、その排気バランスを調整することで、円筒状基体１２０の特に長手方向端部でのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性が向上する。 （もっと読む）

基板上の低誘電率(low-k)誘電膜を硬化させるシステムが開示されている。前記のlow-k誘電膜の誘電率は約4未満の値である。当該システムは、前記low-k誘電膜を電磁(EM)放射線−たとえば赤外(IR)放射線又は紫外(UV)放射線−へ曝露させるように備えられた1つ以上の処理モジュールを有する。
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【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの積算流量条件の検証を省略できる方法を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２２と、処理室２２内へＨ_２ガスを供給する水素ガス供給管２７と、処理室２２内へＮ_２ガスを供給する窒素ガス供給管２８と、処理室２２内を排気する処理室用排気管２５とを備えたアニール装置１０において、処理室用排気管２５に処理室２２内のＨ_２ガスの濃度を測定する高濃度計Ｇ１と、高濃度計Ｇ１とは検出限界の異なる低濃度計Ｇ２とを設け、コントローラ５５にそれぞれ接続する。コントローラ５５は、Ｈ_２アニール後のＮ_２ガスパージステップにおいて、処理室２２内に残留したＨ_２の濃度を高濃度計Ｇ１により測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給し、高濃度計Ｇ１の検出限界に達すると、低濃度計Ｇ２に切り替えて、低濃度計Ｇ２によりＨ_２ガスの濃度を測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給する。 （もっと読む）