【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】マッチングボックスを安全かつ適切に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性原料ガスが導入される密封可能なチャンバー１と、チャンバー１内に対向状に配置されてプラズマ放電を発生させるカソード電極１１とアノード電極１２の組からなる複数組の放電部１３と、チャンバー１外に配置されて全組の放電部１３に電力を供給する電源部Ｅ１、Ｅ２と、チャンバー１外で電源部Ｅ１、Ｅ２に電気的に接続された複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と、チャンバー１外に配置されて複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持する少なくとも１つの支持部Ａ１１、Ａ１２と、複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と全組の放電部１３のカソード電極１１とを電気的に接続する複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２とを備え、支持部Ａ１１、Ａ１２は、複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２の長さを等しくできる位置に１つ以上のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】球状突起の発生を抑制することができ、製品の品質および良品率の向上によるコストの低減をすることができる、基板保持部材、基板処理方法、及び基板保持部材のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板保持部材１０１は、上下に開口した円筒状をしている。また、基板保持部材１０１には、基板を保持する基板配置部１０７と、搬送機構の把持部材が挿入される把持部材挿入部１０２とが設けられている。さらに、把持部材挿入部１０２の上部に設けられた把持部材挿入用の開口部１０８を閉鎖することができる開口部閉鎖部材１０３をも有している。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】放電空間が１つのチャンバー内に複数あり、それぞれの電極に均等に電力を導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器としての密封可能なチャンバー３があり、その内部中央に、１つのアノード電極４がチャンバー３の底面に対して略垂直に配置されている。アノード電極４の左右両面には、被処理物であるガラス基板１，１が配置されている。カソード電極２，２へは、１個のプラズマ励起電源８により電力が供給される。電源８とチャンバー３との間には、カソード・アノード電極２，４および電源８の間のインピーダンスを整合する１個のマッチングボックス７が配設されている。電源８とマッチングボックス７とは１本の電力導入線１０で接続されている。電力導入線１０は、マッチングボックス７からカソード電極２までの間で２本に分岐され、分岐された部分からは対称に延びている。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの表面平坦度を改善でき、これにより発光ダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、およびＧａＰからなる電流拡散層７を順次積層するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、ＧａＰからなる電流拡散層７を、まず１以上１００以下のＶ／III比で成長し（低Ｖ／III比部分８）、その後１００以上２００以下のＶ／III比で成長させる（高Ｖ／III比部分９）ものである。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能性堆積膜を膜厚方向に安定して形成することが可能な方法を提供する。特に、帯電特性の優れた高品質な電子写真感光体を安価に生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】真空気密可能な反応容器に、基体を設置し、ケイ素原子を含む原料ガスを高周波電力により分解し該基体上に堆積膜形成を行う堆積膜形成方法において、堆積膜形成工程中に前記反応容器と排気手段とを接続する排気配管内に三フッ化塩素を含むガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良くさらに低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００では、基体ホルダ１０７の端部から突出する部分より、反応容器１０１の内部へ端部供給ガスを放出させることにより、長手方向のプラズマの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００は、反応容器１０１の円筒状基体１２０に対面する一方向に形成された主排気部１０９と、反応容器１０１の主排気部１０９とは異なる方向で、円筒状基体１２０に対面しない領域に形成された端部排気部１１１、１１２とを有している。主排気部１０９と端部排気部１１１、１１２から排気し、その排気バランスを調整することで、円筒状基体１２０の特に長手方向端部でのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】画像欠陥の改善を図り、真空処理特性、製品品質および良品率の向上によるコスト低減を達成することができる真空容器及び堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空容器は、円筒状基体１０１を設置した基体ホルダーが設置される減圧可能な容器と、容器内を大気状態から排気する排気手段とを有する。真空容器は、基体ホルダーの内部空間内に、排気手段に接続されている排気ポート１０６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】膜厚及び特性の均一性を満足する堆積膜を形成可能な触媒ＣＶＤ装置及び堆積膜形成方法を、より簡便な装置構成で達成すること。
【解決手段】触媒体ＣＶＤ装置において、触媒体４を円筒状基体７の母線に対してａ（ｍｍ）の間隔を保って設置し、円筒状基体の母線方向の長さをｂ（ｍｍ）としたときに、触媒体の長さＬ（ｍｍ）を次式（１）を満たす長さに設定する。
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【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法において、緻密で、膜質の良好な半導体層を有する電子写真感光体の形成が可能な堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された触媒体と、を備えた触媒ＣＶＤ装置を用いて、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する堆積膜形成方法であって、前記原料ガスのうち、シリコン原子を含んだガス状の分子が前記真空容器内に導入されてから排出されるまでの間に、前記触媒体に衝突する回数が１回以上、４回以下となる条件下で堆積膜形成を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、触媒ＣＶＤにおいて、アモルファスシリコン堆積膜を安定して成膜が可能な装置及び方法を提供する。更には触媒ＣＶＤに用いる触媒体の処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体を収容する反応室と、該反応室内にシリコン原子を含む原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される該原料ガスに接触するように配置された触媒体とを備え、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する触媒ＣＶＤ装置であって、触媒体の触媒体保持部近傍の触媒体表面に炭素皮膜が形成されていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置である。 （もっと読む）