【課題】有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。
【解決手段】基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材１の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をＡｓ成分及びＰ成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層２上にＡｓ成分及びＰ成分５を存在させる。その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】ドット状発光層を有する発光素子の製造方法において、安定した歩留まりおよび発光素子特性を得ること。
【解決手段】第１の基板上にドット状発光層を有する発光素子構造を形成する工程とその発光素子構造の表面にイオン照射を行ったのち第１導電性酸化膜層を形成する工程、第２の基板表面にイオン照射を行ったのち前記第１導電性酸化膜層と同じ材料の第２導電性酸化膜を形成する工程、第１導電性酸化膜層と第２導電性酸化膜層の表面にイオン照射を行い接着させる工程、化学薬品を用いて第１の基板からドット状発光層を有する発光素子構造を剥離する工程、および剥離後の表面にイオン照射を行ったのち第３導電性酸化膜層を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット光半導体素子の製造方法に関し、精度の高い制御性を要することなく偏波依存性の小さな量子ドットを形成する。
【解決手段】 下地半導体層１上に量子ドット２を形成したのち、量子ドット２の高さよりも低い膜厚の埋込層３を形成し、次いで、量子ドット２と前記埋込層３を形成している半導体と化合物を形成しない不活性な気体雰囲気４中において基板温度を量子ドット形成温度よりも上げることにより量子ドット２の頂部を平坦にする。 （もっと読む）

【課題】 相互に異なる波長を有する複数の光を発光することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、活性層６を備える。活性層６は、２つの量子ドット層６１，６２を含む。量子ドット層６１は、量子ドット６１１とキャップ層６１２とからなる。キャップ層６１２は、量子ドット６１１を覆う。また、量子ドット層６２は、量子ドット６２１と、キャップ層６２２とからなる。キャップ層６２２は、量子ドット６２１を覆う。量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、量子ドット６２１は、ＩｎＧａＡｓからなる。キャップ層６１１，６２２は、ＧａＡｓからなる。 （もっと読む）

【課題】 安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓからなるクラッド層５に、砒素（Ａｓ）およびインジウム（Ｉｎ）を連続供給して１．９モノレイヤーのＩｎＡｓ膜６００を結晶成長させ、ＩｎＡｓ膜６００の表面にグレイン６１０を形成する（ｃ１，ｃ２）。その後、Ｉｎを間欠供給してＩｎＡｓからなる量子ドット６１１を形成する（ｃ３）。この場合、Ｉｎの供給を停止する停止時間を５〜２５秒の範囲に設定し、ＡｓおよびＩｎを供給する供給時間を１秒に設定する。 （もっと読む）

【課題】低次元ナノ構造を有し、大きさの制御が容易であり、発光特性に優れたシリコンナノワイヤおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンから形成されるコア部と、前記コア部を取り囲み、窒化シリコンから形成されるシェル部と、を備えることを特徴とするシリコンナノワイヤ、およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良質な量子ドットを所望の密度で形成し得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１６上に形成された量子ドット２０を有する光半導体装置であって、下地層の少なくとも表層部に、下地層の構成元素とイオン半径が異なる微量元素１８が存在しており、微量元素の存在により表層部に生ずる局所的な歪により、量子ドットが形成されている。下地層の表層部に存在させる微量元素の面密度を適宜設定することにより、量子ドットの面密度を制御することができる。しかも、下地層の表層部に存在させる微量元素は微量であるため、下地層の質を損なうこともない。従って、下地層や量子ドットの質を損なうことなく、所望の密度で量子ドットを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 量子構造を結晶成長の前段階で特に加工を施すことなく結晶成長技術のみで作製でき、半導体基板上の所望の場所に配置制御をすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０上に形成され、前記半導体基板１０と同一材料からなるバッファ層２０と、前記バッファ層２０上に形成された半導体成長層３０と、前記半導体成長層３０上に形成された量子構造５０を有する。 （もっと読む）

【課題】ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。続いて、前記トンネル絶縁膜を有する半導体基板を原子層蒸着装置内に入れて、原子層蒸着工程サイクルを進行して前記トンネル絶縁膜上にナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルを有する半導体基板上に制御ゲート絶縁膜を形成して、前記制御ゲート絶縁膜を有する半導体基板上に制御ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む発光層を備えた白色光発光素子を提供する。
【解決手段】白色光発光素子５０は、上表面２３Ａと下表面２３Ｂを有する基板と、上表面２３Ａ上に設けた第１窓層２５と、その第１窓層２５の上に設けた窒化ケイ素層２６と、窒化ケイ素層２６内に分布する複数個のケイ素ナノメートル結晶２４と、その窒化ケイ素層２６上に設けた第２窓層２７と、その第２窓層２７上に設けた透明導電層２８と、その透明導電層２８上に取り付けた第１オーム接触電極６５と、下表面２３Ｂに取り付けられた第２オーム接触電極３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 成長点の位置制御を安定して行いつつ、格子定数の異なる基材上にナノレベルの結晶成長を行わせる。
【解決手段】 サンプルＳ上に金属針２３ａの先端を配置した後、金属針２３ａの先端を昇温させることにより、サンプルＳと金属との合金融液を生成し、合金融液が生成され状態で、気相状の有機金属化合物を合金融液に接触させることにより、触媒反応により合金融液中に元素の形で取り込ませ、合金融液中で有機金属化合物の構成元素の過飽和現象を生じさせて、合金融液とサンプルＳとの界面に過剰の元素を析出させることで、ワイヤ状の単結晶を成長させる。 （もっと読む）