本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 例えば５０〜６００℃程度の低温域での降温率を高くでき、熱処理のスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４０において、排気可能になされた筒体状の処理容器４２と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段５８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段７８と、前記処理容器の内側に配置されて前記被処理体を加熱する加熱手段７６と、前記処理容器の壁面を冷却する容器冷却手段１１０と、を備える。これにより、全体としての熱容量が小さくなり、しかも、処理容器の壁面が冷たいので、低温域での降温率（降温速度）及び動特性を大幅に向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 製造誤差があっても所定範囲で取付調整が可能な半導体ウエハを加熱する縦型炉における熱電対装置の取付構造を提供する。
【解決手段】 熱電対装置７の横管部７ｂが、ポート８ａの一端側を支点として他端側でフランジ１０及びＯリング９によって上下に移動可能になるように支持し、取付位置が上下に調整可能にすることにより縦管部７ａとの角度誤差を吸収し要求精度誤差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）

【課題】低水分分圧でエピタキシャル成長を行える技術を提供する。
【解決手段】このエピタキシャル成長装置１では、搬入室２５と第１のロードロック室３１との間に搬送室１４が配置され、その搬送室１４と、搬入室２５と、第１のロードロック室３１には、窒素ガス導入ポート２０、２１、２８がそれぞれ設けられている。窒素ガス導入ポート２０、２１、２８から窒素ガスを導入すると、窒素ガス雰囲気中で搬入室２５から第１のロードロック室３１内に基板１７を搬送できる。第１のロードロック室３１内に搬入された基板１７は、ボートに搭載され、ボートローダ２９によって熱処理室１２内に搬入される。そのボートローダ２９周囲には、加熱されたオイルが循環できる循環路４が配置されており、ベーキングの際に、ボートローダ２９を加熱できるように構成されている。従って、従来では加熱できない部分までベーキングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）