【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】 フィラメントに大電力が投入可能であって、所望の光放射照度分布が確実に得られるフィラメントランプ、および、被処理体上の光放射照度分布および被処理体の加熱処理にバラツキが生ずることのない光照射式加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 フィラメントランプは、少なくとも一端に封止部が形成された長管状の発光管の内部に、各々コイル状のフィラメントとリードとよりなるフィラメント体の複数が、各フィラメントが発光管の管軸に沿って伸びるよう順次に配設され、各フィラメントに対して独立に給電可能に構成されており、発光管の管軸に直交する断面において、フィラメントに対して直交する２本の外接線と発光管の管壁とにより囲まれる、少なくともフィラメントを含む領域以外の領域に、他のフィラメントに係るリードのすべてが位置されている。光照射式加熱処理装置は、上記フィラメントランプを具えてなる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌやＢ等の単原子状態で存在していられる寿命が短い活性の高い材料を用いて成膜を行う場合にも、均質で結晶品質が良好な膜を成膜することを可能とする。
【解決手段】基板２００上に１種又は複数種の成膜原料Ｇを気相で供給し、成膜原料Ｇの少なくとも一部を分解させて、基板２００上に成膜原料Ｇの構成元素を含む膜を気相成長させるに際して、基板２００の直上を基板面に対して略水平方向にレーザ光Ｌが通るように、基板２００に対して少なくとも一方向からレーザ光Ｌを照射しながら、成膜原料Ｇの供給を実施する。 （もっと読む）