Fターム[5F046FA00]の内容
半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | 位置合わせマークの光学的検出 (623)
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半導体装置及びアライメントマークの検出方法
【課題】アライメントマークを形成する膜が薄くなると、マーク本体部とマーク周辺部からのアライメント光の反射率の差が小さくなり、十分なコントラストが得られないことが多くなった。
【解決手段】アライメントパターンを形成するマーク本体部と、マーク周辺部のいずれかに、二次元的な形状を有する回折格子を構成する凹凸を設けることにより、回折格子からの回折光と、非回折光とを利用して、光強度コントラストを大きくすることができる。
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