【課題】高精度な位置合わせを弊害なく実現する。
【解決手段】実施形態に係わるナノインプリント用テンプレートは、同一面に転写パターン１６ａ及びアライメントマークＡＭ２を備え、アライメントマークＡＭ２は、偏光子又は位相差フィルム１７により構成される。そして、ナノインプリント技術による基板上へのパターン転写時に、偏光を用いることにより、又は、光の位相差を検出することにより、基板とナノインプリント用テンプレートとの位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出条件を最適化する。
【解決手段】アライメント検出系を用いてウエハ上に形成されたアライメントマーク（ＥＧＡマーク又はサーチマーク）が複数の照明条件及び結像条件で検出される。しかる後、得られた検出信号を信号処理アルゴリズムを用いて解析処理し、検出信号の波形の形状に関する判定量が求められ（ステップ３０２〜３１０）、その判定量に基づいて複数のマークの検出結果の再現性が評価される（ステップ３１２）。そして、その解析結果に基づいて複数の照明条件及び結像条件が最適化される（ステップ３１４）。これにより、検出結果の再現性を向上するようにアライメントマークの検出条件を最適化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を低減しつつ、レシピに登録された座標と実際の座標とのずれを自動的に補正する。
【解決手段】基板Ｗにおけるモデルの検査・測定座標を記憶したレシピに基づいて搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルを検査・測定する基板検査・測定装置１０は、搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルの実座標を特定し、特定した実座標をレシピに登録する（ステップＳ１１４、Ｓ４１５）。 （もっと読む）

【課題】 小型であり、低額化可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 上面にアライメントマーク４２が形成されている半導体ウエハ４０に対して露光を行う露光装置１０であって、半導体ウエハが載置されるステージ１２と、ステージを移動させる移動手段１３と、光を照射する投光手段２６と、投光手段が照射した光を、ステージの側面に向かう光と、ステージの上面に向かう光とに分光する分光手段３２、３６と、ステージの側面に向かう光の反射光を検出することにより、ステージの位置を検出する位置検出手段２６と、ステージの上面に向かう光が半導体ウエハのアライメントマークに照射されたときに生じる散乱光の有無を検出する散乱光検出手段３０を有する。 （もっと読む）

【課題】露光光の照度が変化した場合でも、アライメントマークの高精度な検出が可能となる露光装置を提供する。
【解決手段】複数の波長を含む光源１０１と、該光源１０１から特定波長の光を抽出し、原版２０１のパターンを照明する露光光ＥＬを導入する第１の一定帯域透過型のミラー１０３と、光源１０１から特定波長の光を抽出し、原版２０１、及び基板４０１のアライメントマーク２０４、４０５を照明するアライメント光ＡＬを導入する第２の一定帯域透過型のミラー１０４と、露光光ＥＬの照度を検出する照度センサー１０６とを備えた照明光学系１００を有する露光装置であって、更に、露光光ＥＬの照度を調整する露光量コントローラー６０３と、アライメントマーク２０４、４０５を検出する蓄積型光検出器５０４と、蓄積型光検出器５０４の蓄積時間を設定するアライメント光量コントローラー６０４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の配線パターンを露光パターンに変換する場合に、より高精度な露光を可能にすること。
【解決手段】 基準アライメントマークＡ１〜Ａ９が格子状に配置されているプリント基板１を露光する場合は、４個の基準アライメントマークで構成される最小の格子を１個の補正領域Ｈ１〜Ｈ４として定め、指定された設計配線パターンを基本図形で構成される第１の配線パターンに分割し、第１の配線パターンのうちで隣接する２つの補正領域に跨るものがある場合は、当該第１の配線パターンをそれぞれの補正領域の境界線上で分割して第２の配線パターンとし、基準アライメントマークＡ１〜Ａ９の設計上の座標値と、計測したアライメントマークＡｈ１〜Ａｈ９の実際の座標値とから、補正領域毎に補正係数を生成して第３の配線パターンを生成し、第３の配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換して露光パターンを生成し、プリント基板１を露光する。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との位置合わせを精度良く行って、新たなパターンを下地パターンに合わせて精度良く露光する。
【解決手段】マスク２及び基板１の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得装置５１と、各画像取得装置５１が出力した画像信号を処理して、アライメントマークの位置を検出する画像処理装置５０とを設ける。光学部品３３，３４をマスク２と各画像取得装置５１との間に挿入して、各画像取得装置５１の焦点位置を、マスク２のアライメントマークの高さ又は基板１の下地パターンのアライメントマーク高さに変更し、画像処理装置５０が検出したマスク２のアライメントマークの位置及び基板１の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、ステージによりチャック１０とマスクホルダ２０とを相対的に移動して、マスク２と基板１との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】 干渉光の強度のピーク及びコントラストを最適化し、高速かつ高精度に被測定物の表面位置を測定できる測定装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、光源から出射され分岐された光のうちの、参照面で反射された参照光と被測定物の表面で反射された測定光とによる干渉光の強度に基づいて前記被測定物の表面位置を測定する測定装置であって、測定光の光量を検出する検出部と、参照光の光量と前記検出部により検出された測定光の光量とに基づいて算出される干渉光の強度が目標範囲に入るように前記光源の光量を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高精度にアライメントしつつ、スループットを上げる事が求められている。ウエハ上のアライメントマークが二方向の場合には、アライメントマークを静止させてからマーク像を入力しなければならなかった。
【解決手段】 ウエハ上のアライメントマークをフォトセンサで計測する際、TDIセンサを使用する。TDIセンサは、水平方向に加え、垂直方向にも受光素子を複数列配置した２次元構造のセンサである。TDIセンサの特徴としては、移動する対象像と電荷移動速度を等しくすると、２次元画像化可能という特徴がある。TDIセンサを使用することにより、ステージを垂直方向に止めることなく、２次元の画像を入力する事が出来るため、Ｘ方向とＹ方向の２方向のアライメントマークを計測することが可能となる。マーク計測の際も、ステージ速度を落とす事を防ぐ事が出き、時間短縮となり、スループット向上につながる。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された段差を有する基準マークのエッジラフネスの影響を受けることなく、基準マークの位置を再現性良く検出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ステージをＸＹ方向に動かして該ステージに載置された試料Ｍに形成された段差を有する基準マークＦＭ’に対して光てこ式の高さ測定器の投光光を走査し、その反射光の強度の変化を検出し、その反射光の強度が変化したときのステージのＸＹ位置を検出し、検出したＸＹ位置を基準マークＦＭ’の位置Ｃとして検出し、検出した基準マークＦＭ’の位置Ｃから試料Ｍに存在する位相欠陥Ｄの位置を特定し、特定した位相欠陥Ｄの位置との関係で描画位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】
干渉光学系において干渉縞のある取得画像からアライメントマーク位置を検出する方法およびこれを用いた高速な装置を提供する。
【解決手段】
干渉光学系における撮像画像は撮像対象面３０Ａと参照面１５から同一光路を戻る反射光同士の干渉現象により、撮像装置１９で撮像した画像には干渉縞が現れる。このとき、分布干渉縞の角度θだけ画像を回転させた回転画像を作成し、その画像に対して１次元微分フィルタを掛けることにより干渉縞の輝度変動の影響を無くす事が出来、取得画像のアライメントマークの位置を正しく検出する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】特性計測用マークの位置と光学特性を高精度に管理又は計測したい位置等とが異なっている場合にも、光学特性を高精度に評価する。
【解決手段】照明光でレチクルＲのパターン及び投影光学系を介してウエハを露光する露光方法において、レチクルＲ上の倍率校正マーク４０Ａ〜４０Ｄの像位置を計測してレチクルの伸縮量を計測するステップと、レチクルＲ上の倍率校正マーク４０Ａ〜４０Ｄ及び倍率評価点４１Ａ，４１ＢにおけるレチクルＲの伸縮量を予測するステップと、それらの伸縮量の例えば平均値を相殺するように投影倍率を補正するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高いスループットと高い精度との両立を図ることが可能な位置検出方法を提供する。
【解決手段】物体上に配列される複数のショット領域ＳＡの位置情報となる有限個のマーカーから、該有限個のマーカー上に定義される所定の確率分布の集合に比例する確率で一部のマーカーの集合を繰り返し選択し、該選択した所定のマーカーの集合から、複数の区画領域の配列を規定する所定モデルからの誤差を示す指標を最小にするときのマーカーの集合の各位置を計測し、計測したマーカーの集合の各位置から、歪を表現するモデルのパラメータの値を、重要度重み付き最小二乗法により推定する。 （もっと読む）

【課題】不均一なレチクル加熱を補正する方法があること。
【解決手段】方法は、放射ビームを調節すること、パターン付き放射ビームを形成するためにパターン像領域及びレチクルマークを有するレチクルによって放射ビームにパターンを与えること、及び、投影システムによってパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含む。方法は、レチクルの空間像を生成するために放射ビームでレチクルマークを照明すること、イメージセンサに空間像を投影すること、イメージセンサからイメージデータを収集すること、イメージデータから空間像の位置パラメータを取得すること、及び、投影システムの倍率設定の推定補正値によって、照明に誘発されたレチクルの熱膨張を補償することにより空間像の必要な位置からの位置パラメータの任意の偏差を補正することをさらに含み、推定補正値は、レチクルの時間熱膨張の予測から計算される。 （もっと読む）

【課題】ＴＩＳの平均値以外の重ね合わせ測定精度に関わる指標も考慮し、総合的に最適な焦点位置を決定できる重ね合わせずれ量算出方法を提供する。
【解決手段】重ね合わせずれ量の相関係数、基板面内のTISの３σ、繰り返し測定再現性を考慮し、（焦点位置決定値）＝−（相関係数）＋（基板面内TISバラツキ）＋（繰り返し測定再現性）と、上記焦点位置決定値を定義する。この焦点位置決定値を測定マークに対する光学顕微鏡の最適な焦点位置決定指標として用いる。この焦点位置決定値が最小となる焦点位置を最適な焦点位置と決定し、その最適焦点位置における基板面内のTISの平均値を個々の重ね合わせずれ量に対して補正を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクの大型化を抑制できるステージ装置を提供する。
【解決手段】マスクを保持するステージ装置において、マスクＭＡ１を保持して走査方向へ移動する第１マスクステージＭＳＴ１と、マスクＭＡ２を保持し、第１マスクステージＭＳＴ１に移動可能に載置される第２マスクステージＭＳＴ２と、マスクＭＡ１とマスクＭＡ２との相対配置情報を検出するアライメント系３１Ａ，３１Ｂと、アライメント系３１Ａ，３１Ｂの検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴ１，ＭＳＴ２のステージ配置を調整し、マスクＭＡ１，ＭＡ２の相対配置を制御する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】計測対象物の物理情報を高速で取得可能なイメージング分光計測装置及び露光装置を提供する。
【解決手段】計測対象物３を搭載し、少なくとも一方向に可動するステージ７２と、計測対象物に広帯域光を照射する光源１と、１ライン上の領域を一度に分光する分光器５０と、分光器により分光された分光信号を一次元位置情報と波長情報として検出する二次元撮像素子８と、分光信号を演算処理し計測対象物の物理情報を求める演算処理部９と、を有するイメージング分光計測装置は、二次元撮像素子の垂直転送方向、ステージ７２の走査方向と直交する方向、及び分光器の入射スリット６の長手方向が一致するように配置され、二次元撮像素子は、受光した光を電気信号として読み出す信号読出部８ａを有し、信号読出部は、二次元撮像素子の垂直転送方向にビニング処理を行い、演算処理部は、読み出した複数の画素群ごとの前記分光信号に基づいて物理情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 デバイスの製造中に、リソグラフィ技術、およびレンズの開口数が高い瞳面で角度分解スペクトルの測定を使用して、オーバレイおよび格子形状パラメータを測定する方法を提供すること。
【解決手段】 レンズの開口数が高い瞳面にて、放射線が基板で反射した結果としての角度分解スペクトルを測定することによって、基板の特性を求める装置および方法である。特性は、角度および波長に依存し、ＴＭおよびＴＥ偏光の強度、およびその相対的位相差を含む。 （もっと読む）

【課題】回折スペクトルの情報を失わずにオーバレイを測定するために、より小さいターゲットで使用することができる放射を提供する放射源を提供する。
【解決手段】放射が基板で反射した結果としての角度分解スペクトルを高開口数のレンズの瞳面で測定することによって、基板の特性を割り出す装置及び方法。特性は、角度及び波長に依存してよい。基板で反射する放射は、放射状に偏光する。 （もっと読む）

【課題】合わせずれが生じないように、レジスト層の露光位置を決定する。
【解決手段】まず、下地１０１上の第１膜１３に空けられた、下地面を露出させかつ第１間隔長Ｗ１を有する第１間隔１５を埋め込んで、第１膜を被覆する第２膜１７を形成する。そして、第２膜に、下地面を露出させ、かつ第１間隔長と等しい長さ及び方向の第２間隔長Ｗ２を有する第２間隔２３を空ける。更に、第２間隔に、上側表面が第２膜の上側表面と同一面位置となるように第３膜２５を埋め込む。このようにして得られた構造体３６に対して、下地面に対して垂直方向から可視光を照射し、この可視光の反射光の、第２膜及び第３膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、第１間隔長方向に沿った光強度分布を測定する。そして、光強度分布の光強度の最小値Ａと最大値Ｂとの中間値Ｃにおける、第１間隔長方向に沿った光強度分布の中点４１を、第３膜の中心位置４３として認識する。 （もっと読む）